Previo 2 ING Russell
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Previo 2 ING Russell
DE SAN MARCOS
(Universidad del Perú, Decana de América)
INFORME PREVIO II
CÓDIGO: 18190021
LIMA – PERÚ
INFORME PREVIO 2
DIODOS
I. OBJETIVOS:
Potenciómetro de 25KΩ
Cada lado de la unión está formado por impurezas de un solo tipo (tipo donador o tipo
aceptor) con una distribución completamente homogénea y en equilibrio
termodinámico. Recordemos también que a temperatura ambiente el nivel de
fermi Ef tiene un valor próximo al valor de energía de la banda de conducción Ec
en un semiconductor tipo n, mientras que se acerca al valor de la energía de la
banda de valencia Ev en el semiconductor tipo p. Antes de que los dos materiales
tipo n y tipo p entren te contacto, cada uno cuenta con una concentración de
portadores mayoritarios [3, 35, 36].
Cuando los semiconductores están en contacto, la diferencia en la concentración de
portadores de cada lado de unión da lugar a que existan corrientes de difusión
para alcanzar el equilibrio termodinámico, se crea una repulsión mutua. Los
electrones libres en el lado n se dispersan en cualquier dirección. Algunos
electrones libres se difunden y atraviesan la unión, en el lado n de la unión
tendremos una difusión de electrones mayoritarios hacia el lado p moviéndose en
la banda de conducción y el lado p tendremos una corriente de huecos también
mayoritarios que cruzan en dirección opuesta hacia el lado n por la banda de
valencia. Cuando un electrón libre entra en la región p se convierte en un portador
minoritario y el electrón cae en un hueco, el hueco desaparece y el electrón libre
se convierte en electrón de valencia. Cuando un electrón se difunde a través de la
unión crea un par de iones, en el lado n con carga positiva y en el p con carga
negativa. Las parejas de iones positivo y negativo se llaman dipolos, al aumentar
los dipolos la región cercana de la unión se vacía de portadores y se crea la
llamada "Zona de agotamiento". Este proceso de difusión continúa hasta que el
campo eléctrico debido a la carga espacial se opone al movimiento de carga
debido a la difusión. Los dipolos tienen un campo eléctrico entre los iones positivo
y negativo, y al entrar los electrones libres en la zona de agotamiento, el campo
eléctrico trata de devolverlos a la zona n. La intensidad del campo eléctrico
aumenta con cada electrón que cruza hasta llegar al equilibrio. En conjunto se
puede decir que una vez alcanzado el equilibrio los electrones del lado n y los
huecos del lado p quedan confinados en las denominadas regiones neutras de
cada lado de la unión, separados por la región de carga espacial en la cual existe
una barrera de potencial de altura debida al campo eléctrico entre los iones.
El efecto para hacer una puerta de un solo sentido de estas piezas combinadas de
semiconductores es conseguir que los portadores de carga tanto el de tipo n y de
tipo p interactúen de tal manera que cuando se aplica un voltaje a través del
dispositivo, la corriente fluirá en una sola dirección, tanto para tipo n como para
tipo p se conduce la corriente eléctrica; en una participan electrones (tipo n),
mientras que en la otra participan huecos (tipo p). La característica importante
que hace que trabaje un diodo es la manera en que los dos tipos de portadores de
carga interactúan entre sí y cómo interactúan con un campo eléctrico aplicado,
suministrado por un voltaje externo a través de sus terminales.
IV. CUESTIONARIO PREVIO:
1.- Buscar en los manuales y detallar las características
de los diodos a usar. (6A6, P600B, ITT020, 72477T,
BY127, ECG109 y ECG110A).
2.- Explicar los conceptos de: resistencia dinámica, corriente
directa, corriente inversa, capacidad de transición, voltaje de
pico inverso y velocidad de conmutación del diodo.
Resistencia dinámica: Se aplica una entrada
senoidal. La entrada variable moverá el punto
de operación instantáneo hacia arriba y hacia
abajo de una región de las características, y
por lo tanto define un cambio específico de la
corriente y voltaje como se muestra en la
figura. Sin ninguna señal variable aplicada, el
punto de operación sería el punto Q que
aparece en la figura, determinado por los
niveles de cd aplicados. La designación de
punto Q se deriva de la palabra quiescente,
que significa “fijo o invariable”.
Una línea recta
trazada tangente a la curva por el punto Q
como se muestra en la figura definirá un
cambio particular del voltaje y corriente que
se puede utilizar para determinar la resistencia
de ca o dinámica en esta región de las
características del diodo. Se deberá hacer un
esfuerzo por mantener el cambio de voltaje y
corriente lo más pequeño posible y
V. PROCEDIMIENTO
VI. RESULTADOS
Primer cuadro:
Segundo cuadro:
Tercer cuadro:
Cuarto cuadro:
Quinto cuadro:
VII. DISCUSIÓN DE RESULTADOS
VIII. CONCLUSIONES
Un diodo no funciona todo el tiempo, es decir se toma una tensión mínima para
activarlo cuando se coloca en polarización directa. Típicamente para diodos de silicio
un voltaje aplicado de 0,7 V o superior es necesario, de lo contrario el diodo no
conducirá. Esta característica de requerir un voltaje específico para activar el diodo
puede parecernos un inconveniente, pero de hecho esta característica se hace muy útil
en términos de actuar como un interruptor sensible a la tensión. Los diodos de
germanio a diferencia de diodos de Figura 2.7. Polarización inversa de un diodo. 25
silicio a menudo requieren una tensión directa de polarización de sólo 0,3 V o
ligeramente superior para la conducción que se produzca.