Informe Laboratorio 2 Ejemplo

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ELECTRÓNICA I INFORME 2 DE LABORATORIO No. 2, 3 DE JUNIO DE 2019
Laboratorio No. 2 Características del diodo y curva característica

xxxxxxxxxxxxx
v semestre de Ingeniería Electrónica Tunja, Código xxxxxxx
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v semestre de Ingeniería Electrónica Tunja, Código xxxxxxxx
These text will show how the lab of diode characteristics and diode characteristic curve is done. The lab has as objective see the
diode behavior with A.C. and D.C. current and learn how to make measures on them, all this allowing us to get know the basic
electronic. The diodes are going to be analyzed with differents dispositives as oscilloscope, multimeter and with a sing generator as
power supply. With the different kind of display we have to prove and check the theoretical all this with the purpose of understand
how the diodes work, analyzing the recovery diode time, the diode resistance in direct current and on inverse current and how the
voltage change in the diode.
Palabras clave : Diodo, curva característica, corriente ac y dc
I. INTRODUCCIÓN teniendo en cuenta la corriente de saturación Is de la

hoja de datos con Tk = 293°K.
D ebido a los diferentes avances tecnológicos de la

humanidad esta se ha logrado avanzar en diferentes ámbitos,
D) Obtenga el trazo de la curva característica del diodo
1N400X empleando el osciloscopio y el generador de
señales.
E) Compare la curva característica del diodo 1N400X
trayendo consigo ventajas para la salud general, transporte tomada a través del barrido de fuente de voltaje
aereo maritimo y terrestre, entretenimiento y demás. Naciendo (Figura 1 y Figura 2) y aquella obtenida mediante el
esto con la revolución industrial y atravesando diferentes
trazador de curvas.
momentos en su historia hasta mediados del siglo xx donde
F) Sobre las gráficas obtenidas con las mediciones,
todo esto se logró hacer posible gracias al uso del diodo,
realice el cálculo de la resistencia de diodo DC RD,
componente que dió origen a la electrónica tal y como es
conocida hoy, y es que este pequeño componente al tener su resistencia dinámica o en ac rac y resistencia ac
función de permitir o no el paso de la corriente puede tener promedio rav, un punto de trabajo en la curva
diferentes combinaciones con otros dando así origen al positiva, compare resultados y formule conclusiones.
transistor considerado el mejor invento del siglo XX y es que G) Con un generador de señales realice el montaje
gracias a este principio se lograron crear y mejorar un sin fin propuesto con una señal cuadrada de 5Vp y
de dispositivos electrónicos. frecuencia de 1kHz, realice la medición de voltaje de
Debido a su importancia es por ello que es necesario tener un entrada en el generador y voltaje de salida en la
correcto entendimiento del funcionamiento básico del diodo resistencia para observar la señal rectificada sobre la
dándonos a nosotros como futuros ingenieros electrónicos el resistencia.
correcto entendimiento de cómo nuestra ciencia funciona. H) Determine el valor del tiempo de recuperación en
Analizaremos los diversos comportamientos y operación del inverso, tiempo de almacenamiento y tiempo de
diodo ante corrientes ac y dc con diferentes tensiones en transición, establezca el mecanismo por el cual ocurre
estos comprobando así la teoría, con el fin de adentrarse en este fenómeno.
diferentes campos de la electrónica.
III. DESARROLLO DE LA PRÁCTICA

II. PROCEDIMIENTO
A) Polarice el circuito de la Figura 1 y realice la toma de La práctica inicia con la medición de los diferentes diodos, a
datos de la corriente y el voltaje del diodo (polarizado los cuales con ayuda del multímetro se les mide la resistencia
en directo) 1N4007 ( u otra referencia), para esto en manera directa e inversa de polarización al igual que se les
varié la fuente de voltaje V1 entre 0V y 12V. mide continuidad de la misma forma, esto con el fin de
B) Polarice el circuito de la Figura 2 y realice la toma de observar de manera cuantitativa qué valor adquiere el diodo
datos de la corriente y el voltaje del diodo (polarizado según sea el caso.
en inverso) 1N4007(u otra referencia), para esto, Los datos de continuidad están en la tabla 1 y los de
varié la fuente de voltaje V1 entre 0V y 12V. resistencia en la tabla 2.
C) Realice la curva característica ID vs VD con los datos A) Posteriormente se realiza el montaje de la figura 1 el
obtenidos en la experiencia mediante Excel o alguna cual consto de una resistencia de 1300 Ω y un diodo
otra hoja de cálculo, comparándola con la curva de germanio (1N60) al cual se le aplicaron voltajes en
característica realizada matemáticamente de acuerdo polarización directa de entre los 0v y los 12 v y se
con la función matemática de respuesta de diodo
2
tomaron los valores de las correspondientes 2) Explique que es el voltaje pico inverso del diodo
corrientes a través de la resistencia y voltaje en del semiconductor.
diodo, mostrados en la tabla 3.
B) Se realizó el montaje de la figura 2 el cual tenía como El valor del voltaje pico inverso (PIV, por las
objetivo observar el mismo diodo de gemanio (1N60) iniciales en inglés de: Peak Inverse Voltage) (o PRV,
ante un comportamiento de polarización en inversa al por las iniciales en inglés de: Peak Reverse Va/tage)
cual se le realizo una conexion con una resistencia de del diodo es muy importante en el diseño de sistemas
1300 Ω y se hizo el mismo procedimiento del de rectificación y se trata del valor del voltaje que no
montaje 1 midiendo voltaje sobre el diodo y corriente debe excederse en la región de polarización inversa,
a través de la resistencia, resultados mostrados en la pues de otra forma el diodo entrará en la región de
avalancha Zener.
tabla 4.
C) Para la obtención de la curva caracteristica del diodo
3) ¿Cuál es la corriente promedio de los diodos
se realizo el montaje de la figura 1 el cual consistia empleados en la práctica?
de un diodo de germanio (1N60), una resistencia de
1300 Ω y un generador de señales a 1Khz con una En la práctica, variando el voltaje de la fuente de 0 a
amplitud de 5v pico a pico a manera de fuente de 12 V, y promediando las corrientes obtenidas por el
alimentación al sistema. Se pone un par de sondas del simulador, nos da una corriente promedio de
osciloscopio en paralelo al generador de ondas y otro 3,12mA, mientras que en inverso el promedio seria 0,
par en paralelo del diodo esto para obtener la señal ya que el diodo actúa como circuito abierto, lo que
del diodo y como esta es rectificada, figura 5. Con la causa que la corriente no fluya, por lo que será 0.
opción menú en el osciloscopio accederemos a la
función XY la cual nos permite obtener la curva 4) Consulte sobre el tiempo de respuesta a la
característica del diodo, figura 7. conmutación para los diodos empleados en la
D) Se nos pidió obtener la curva de recuperación en práctica.
inverso del diodo, figura 4, para esto se realizó el
montaje de la figura 10, el cual contaba con una Un diodo, cuando se encuentra bajo una fuente de
resistencia de 1200 Ω, un diodo de silicio (1N4007) y frecuencia, que alterna polaridades, va alterando la
este montaje a su vez siendo alimentado con un polaridad del diodo, es decir, alterna entre
generador de señales a una fracuencia de 1 kHz, conducción y no conducción, sin embargo, los diodos
mediante el osciloscopio obtendríamos de manea tienen un periodo de conmutación en inversa, lo que
grafica la curva de recuperación en inverso, esa les hace conducir durante un periodo muy corto en
inversa, en la práctica se realizó y se encontró que el
grafica se muestra en la figura 11.
tiempo que conmutacion era de 8.36 µS.
En la figura 12, se usa la función de cursor del
osciloscopio para calcular el tiempo de conducción 5) Para un diodo, ¿Que es la corriente de portadores
de inverso del diodo, en ese caso el diodo alcanza a minoritarios?
conducir en inversa en un periodo de 2.8µS.
En la figura 13, se usa la misma función de cursor En el estado intrínseco, el número de electrones libres
pero ahora para hallar el tiempo de estabilización del en Ge o en Si se debe sólo a aquellos electrones en la
diodo, en que ya no conduzca, para este experimento banda de valencia que han adquirido suficiente
dio un tiempo de 5.56µS. energía de las fuentes térmicas o lumínicas para
Todo para un tiempo de conmutación de 8.36 µS. romper la unión covalente o a las pocas impurezas
que no pudieron eliminarse.
Las "vacantes" dejadas atrás en la estructura de
uniones covalentes representan una cantidad muy
IV. PREGUNTAS limitada de huecos, En un material tipo n, el número
de huecos no ha cambiado de manera significativa de
su nivel intrínseco, El resultado neto, por tanto, es
1) ¿Cómo se obtiene la curva característica de un diodo
que el número de electrones supera por mucho el
por el modelo exacto?
número de huecos. Por esta razón:
En un material tipo n (figura 9) al electrón se le llama
Se le van dando distintos valores a la fuente de
portador mayoritario y el hueco es el portador
alimentación y se miden voltajes y corrientes por el
minoritario.
diodo, como se realizó en la práctica, tomando datos
Para el material tipo p el número de huecos supera
tanto de inversa como de directa, al graficar estos
por mucho el número de electrones, como se muestra
datos debe dar la curva característica del diodo.
en la figura 8. Por tanto:
En un material tipo p el hueco es el portador
mayoritario y el electrón es el portador minoritario.
3
V. CONCLUSIONES
Los datos recolectados con el multímetro en la polarización

inversa y polarización directa en el diodo, así también como
los datos de resistencia corriente y voltaje son coherentes y
Tabla 2.
muestran claramente el funcionamiento del diodo.
Podemos dar por exitoso el laboratorio ya que se logró
contrastar, comprobar y observar de manera experimental lo
propuesto por la teoría, siendo coherentes los resultados
obtenidos.
La gráfica característica del diodo observada en el
osciloscopio es claramente igual a la teórica.
La curva de recuperación en inverso del diodo de silicio
(1N4007) muestra claramente los tiempos de almacenamiento
y tiempo de establecimiento del transistor y siendo estos
comparados con el análisis de circuito en el componente dan
valores que se toman como válidos loy exitoso
Hubo un problema con los diodos de silicio 1N4007 ya que al
parecer estuvieron defectuosos durante la práctica, por eso se
opto a usar un diodo de germanio 1N60. Figura 2.
Ubo otro problema al tomar la corriente de el diodo polarizado
correctamente ya que al parecer el fusible del multímetro
estaba quemado y no permitía medir correctamente la
corriente, se soluciono usando el multímetro del ingeniero y
comprobandolo con las medidas del simulador.
APPENDIX
Tabla 3.
Figura 1.
Tabla 4.
Tabla 1.
4
Figura 6.
Figura 3.
Figura 7.
Figura 4.
Figura 8.
.
Figura 5.
5
Figura 9.
Figura 12.
Figura 10.
Figura 13.
BIBLIOGRAFÌA
[1] Robert L. Boylestad, and Louis Nashelsky “Electrónica: Teoría de
circuitos”, 6th ed.
Figura 11.

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ELECTRÓNICA I INFORME 2 DE LABORATORIO No. 2, 3 DE JUNIO DE 2019

Laboratorio No. 2 Características del diodo y curva característica

Palabras clave : Diodo, curva característica, corriente ac y dc

I. INTRODUCCIÓN teniendo en cuenta la corriente de saturación Is de la

D ebido a los diferentes avances tecnológicos de la

III. DESARROLLO DE LA PRÁCTICA

Los datos recolectados con el multímetro en la polarización

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