Fundamentos Aproximaciones de Los Transistores

UNIVERSIDAD AUTÓNOMA DE NUEVO LEÓN
FACULTAD DE INGENIERÍA MECÁNICA Y ELÉCTRICA
Electrónica I
Resumen
“Fundamentos aproximaciones de los
transistores”
Ing. Alejandro Torres Ramírez

Alumno. Betsaida Alejandra Ruedas Vázquez
Matricula. 1730437
Carrera. IMTC
Grupo. 014 Hora. V6 Día. LMV
Fecha. 04/05/2020
FUNDAMENTOS APROXIMACIONES DE LOS TRANSISTORES
Aproximaciones del transistor
Se analiza una tensión Vbb a través del diodo emisor y una tensión Vcc está por
medio de los terminales de colector-emisor.
Aproximación ideal
En la figura anterior en el inciso b muestra la aproximación ideal de un transistor.

Nos imaginamos el diodo emisor como un diodo ideal. En este caso, Vbe es igual a
cero. Esto nos permite calcular la corriente de base fácil y rápidamente. Este circuito
equivalente es a menudo útil para detección de averías, cuando lo único que
necesitamos es una aproximación estimada de la comente de base. Como se
muestra .en la Figura 6-13b, el lado de colector del transistor actúa como una fuente
de corriente que bombea una corriente de colector de βdcIb a través de la
resistencia de colector. Por tanto, después de calcular la corriente de base, se
puede multiplicar por la ganancia de comente para obtener la corriente de colector.
La segunda aproximación
La Figura 6- 13c muestra la segunda aproximación de un transistor. Esta se usa

más habitualmente porque puede mejorar el análisis significativamente cuando la
tensión de la fuente de base es pequeña. Esta vez usamos la segunda
aproximación de un diodo para calcular la corriente de base. Para transistores de
silicio, esto significa que Vbe = 0,7 V. (Para transistores de germanio, Vbe = 0,3 V.)
Con la segunda aproximación las corrientes de base y de colector serán ligeramente
menores que los valores ideales.
Aproximaciones superiores
La resistencia interna del diodo emisor se hace importante solo en aplicaciones de

alta potencia, para las que la corriente es grande. El efecto de la resistencia interna
en el diodo emisor consiste en incrementar Vbe a más de 0,7 V. Por ejemplo, en
algunos circuitos de alta potencia, la Vbe, a través del diodo base-emisor puede ser
mayor de 1 V. Similarmente, la resistencia interna del diodo de colector puede tener
un efecto notable en algunos diseños. Además de las resistencias internas de
emisor y colector, un transistor tiene muchos otros efectos de orden superior que
hacen muy tediosos y laboriosos los cálculos manuales. Por esta razón, los cálculos
por encima de la segunda aproximación se deberían realizar con ordenadores.
Fundamentos de los transistores
Hay dos formas básicas de establecer el punto de trabajo de un transistor:

polarización de base y polarización de emisor. ; La polarización de base produce un
valor constante de la corriente de base, mientras que la polarización de emisor
produce un valor constante de la corriente de emisor. La polarización de base es
más útil en circuitos de conmutación, mientras que la polarización de emisor
predomina en los circuitos amplificadores. Este capítulo expone la polarización de
base, la polarización de emisor, los circuitos de conmutación y los circuitos opto
eléctricos.
Variaciones de la ganancia de la corriente
La ganancia de corriente de un transistor, βdc, depende de tres factores: el

transistor, la corriente de colector y la temperatura. Por ejemplo, cuando se
reemplaza un transistor por otro del mismo tipo, normalmente cambia la ganancia de
corriente. Del mismo modo, si la corriente de colector o la temperatura cambian, la
ganancia de corriente cambiara.
La recta de la carga
La Figura 7-2a muestra la conexi6n EC expuesta en el capítulo 6. Dados los valores

de Rb, y βdc podemos calcular la comente de colector Ic y la tensión de colector
Vce usando los métodos del capítulo anterior.
Polarización de base
El circuito de la Figura 7-2a es un ejemplo de polarización de base, lo que significa

establecer un valor constante para la corriente de base. Por ejemplo, si Rb es igual
a 1 MΩ, la corriente de base es 14,3 µA (segunda aproximación). IncIuso si se
reemplaza el transistor o cambia Ia temperatura, la corriente de base permanece
constante a aproximadamente 14,3 µA bajo todas las condiciones de
funcionamiento. Si βdc, = 100 en la Figura 7-224 la corriente de colector es
aproximadamente 1,43 mA y la tensión colector-emisor es:
Solución grafica
También podemos encontrar el punto Q usando una soluci6n grafica basada en la

recta de carga de un transistor, una gráfica de Ic versus Vce. En la Figura 7-2a, la
tensión colector-emisor viene dada por:
Si representamos esta ecuación (Ic frente a VCE) obtendremos una línea recta que
se denomina recta de carga porque representa el efecto de la carga en Ic y Vce Por
ejemplo, sustituyendo los valores de la Figura 7-2a en la ecuación 7- 1, obtenemos:
Esta es una ecuación lineal, cuya grafica es una línea recta. (Nota: Una ecuación
lineal es aquella que se puede reducir a la forma estándar y = mx + b.) Si
representamos la anterior ecuaci6n sobre las curvas de salida, obtenemos la Figura
7-2b. . Los extremos de la recta de carga son los más difíciles de encontrar. Cuando
Vce= 0 en la ecuaci6n de la recta de carga (la ecuación anterior).
Los valores, Ic = 5 mA y Vce= 0, aparecen como el extremo superior de la recta de

carga en la Figura 7-2b. Cuando Ic = 0, la ecuación de la recta de carga da:
Las coordenadas, Ic = 0 y Vce= 15 V, aparecen como el extremo inferior de la recta

de carga en la Figura 7-2b.
El punto de trabajo del transistor
El punto de trabajo de un transistor se localiza sobre la recta de carga en continua.

La ubicación exacta de este punto viene determinada por la comente de colector y
por la tensión colector-emisor. Con polarizaci6n de base, el punto Q se desplaza
cada vez que cambia cualquiera de los valores del circuito.
Determinación del punto Q
La Figura 7-6a muestra un circuito con polarización de base cuya resistencia de

base es de 500 kn. La corriente de saturación y la tensión de corte se obtienen
mediante el proceso indicado anteriormente. En primer lugar se supone un
cortocircuito entre los terminales colector-emisor. Entonces toda Ia tensión de la
fuente de polarización de colector aparece en la resistencia de colector, lo que da
una comente de saturación de 5 mA. En segundo lugar, se imagina que los
terminales colector-emisor están abiertos. En ese caso no hay corriente, y toda la
tensión de fuente aparece en los terminales colector-emisor, lo que da una tensi6n
de corte de 15 V. Si se halla la comente de saturación y la tensión de corte, se
puede dibujar la recta de carga que se ve en la Figura 7-6b. Para simplificar las
cosas, supongamos por el momento que el transistor es ideal. Tal suposición implica
que toda la tensión de la fuente de la base apareceré entre los extremos de la
resistencia de base. Por tanto, la comente de base es:
No podemos continuar si no disponemos de un valor para la ganancia de comente.
Supóngase que la ganancia de corriente de este transistor es de 100. Entonces la
corriente de colector vale:
Esta corriente, al circular por los 3 kΩ, produce una tensión de 9 V en la resistencia
de colector. Cuando esta cifra se resta del valor de la fuente de tensión de colector,
se obtiene la tensión colector-emisor del transistor. Los cálculos son estos:
Llevando a la gráfica las coordenadas 3 mA y 6 V (la comente y la tensión de

colector), se obtiene el punto de trabajo mostrado en la recta de carga de la Figura
7-6b. El punto de trabajo se indica mediante una Q, ya que (en inglés) a menudo se
le llama quiescent point. (Quiescent significa quieto, inmóvil, en reposo.)
Polarización del emisor
Los circuitos digitales son el tipo de circuitos que se emplean en los ordenadores; en
esta aplicación, la polarización de base y los circuitos derivados de ella son utiles.
Pero cuando se trata de amplificadores se necesitan circuitos cuyos puntos Q Sean
inmunes a los cambios en la ganancia de comente. La Figura 7-9 muestra la
polarización de emisor. Como se puede ver, la resistencia se ha cambiado del
circuito de base a1 circuito emisor. Ese unico cambio provoca una enorme
diferencia. El punto Q para este nuevo circuito es ahora inamovible. Cuando la
ganancia de comente cambia de 50 a 150, el punto Q casi no se desplaza sobre la
recta de carga.
La polarización de emisor es prácticamente inmune a los cambios de la ganancia de
corriente. El proceso para analizar la polarización de emisor consiste en hallar la
tensión de emisor, la corriente de emisor, la tensión de colector y la tensión colector-
emisor. Lo único que se necesita en este proceso es la ley de Ohm.
Polarización de los transistores
Un prototipo es un circuito básico que un diseñador puede macar para obtener

circuitos más avanzados. La polarización de base de un transistor es un prototipo
empleado en el diseño de circuitos digitales, mientras que la de un emisor es usado
en el diseño de amplificadores. En este capítulo se hará hincapié en la polarización
de emisor y en los importantes circuitos derivados de esta.
Polarización por divisor de tensión
La Figura 8- 1 muestra el circuito de polarización extensamente utilizado. Observe

que el circuito de la base tiene un divisor de voltaje (R, y RZ) y, por eso, el circuito
se llama polarización por división de tensión.
Análisis simplificado
Para la detección de averías y los análisis preliminares, se usara el siguiente

método: en todos los circuitos de polarización por división de tensión bien
diseñados, la comente de base es mucho menor que la corriente que atraviesa el
divisor de tensión. Como la corriente de base tiene un efecto despreciable en el
divisor de tensión, podemos abrir mentalmente la conexión entre el divisor de
tensión y la base para conseguir el circuito equivalente de la Figura 8- 1 b. En este
circuito, la tensión de salida del divisor es la siguiente:
Idealmente esta es la fuente de tensión en la base, como muestra la figura 8-1 C.
Como puede apreciarse, la polarizacion por división de tensión es realmente una

polarización de emisor-enmascarada; es decir, la Figura 8-lc es equivalente al
circuito de la Figura 8-la, de ahí que la polarización por división de tensión mantenga
un valor fijo de corriente de emisor, dando lugar a la independencia del punto Q
frente a la ganancia de corriente. + VCC Existe un error en esta aproximación
simplificada, que discutiremos en la próxima sección. El punto crucial es el
siguiente: en cualquier circuito bien diseñado, el error al usar la Figura 8- lc es muy
pequeño. Por ello, un diseñador escoge deliberadamente valores de circuito para
que la Figura 8- la actué como la Figura 8- 1 c.
Polarización de emisor con dos fuentes de

alimentación
Algunos equipos electrónicos tienen una fuente de

alimentación que produce tensiones positivas y negativas.
Por ejemplo, en la Figura 8-7 se muestra un circuito con
dos fuentes de alimentación: +10 V y -2 V. La fuente
negativa polariza directamente el diodo emisor y la
positiva lo hace con el diodo colector. Este circuito se
deriva del circuito de polarización de emisor, por lo que
nos referimos a C1 simplemente como de polarización de
emisor con dos fuentes.
En este diseño se utilizan dos fuentes de alimentación,

una positiva y otra negativa. Con ello se pretende
establecer un valor constante para la corriente de emisor.
Este circuito es una variación del prototipo de polarización
de emisor estudiado antes.
Transistores PNP
Estos dispositivos pnp tienen todas las corrientes y todas

las tensiones invertidas con respecto a sus equivalentes
npn. Pueden trabajar con fuentes negativas de alimentación, aunque comúnmente
lo hacen con fuentes positivas de alimentación con el colector conectado a través
una resistencia a masa.
En la Figura 8-16 se muestra la estructura de un transistor pnp y su símbolo

eléctrico. Como las zonas dopadas son de tipo opuesto, es necesario invertir la
forma de considerar su funcionamiento. Específicamente, tal cambio quiere decir
que los huecos son los portadores mayoritarios en el emisor en vez de serlo los
electrones libres.
Ejercicios del transistor BJT

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Aproximaciones del transistor

En la figura anterior en el inciso b muestra la aproximación ideal de un transistor.

La Figura 6- 13c muestra la segunda aproximación de un transistor. Esta se usa

La resistencia interna del diodo emisor se hace importante solo en aplicaciones de

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Variaciones de la ganancia de la corriente

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Los valores, Ic = 5 mA y Vce= 0, aparecen como el extremo superior de la recta de

Las coordenadas, Ic = 0 y Vce= 15 V, aparecen como el extremo inferior de la recta

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