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Electrónica de Potencia Dr.
Abel Argumé Sotomayor

Separata
1. RECTIFICACIÓN POLIFASICA
Este capítulo trata sobre los circuitos de potencia que convierten la energía proporcionada en
forma generalmente trifásica en energías DC utilizando rectificadores industriales.
Para el análisis de los circuitos se asumirá que los elementos rectificadores (Diodos) son
ideales y sin resistencias internas, que los transformadores no presentan resistencias ni
reactancias de fuga y que las tensiones de alimentación son sinusoidales.
En rectificadores industriales rara vez se emplea filtros, en caso de usarse, deberán ser más
simples que los empleados en rectificadores de una sola fase
1.1 Rectificador Trifásico de Media onda
La figura 1.1 muestra un circuito simple de un rectificador trifásico de media onda. La carga R
está conectada entre el punto común a los cátodos y al punto neutro (N) del transformador.
A
PRIMARIO
D1
eA
+
R Vo
-
ec eB
D2
C B
D3
FIGURA 1.1
El rectificador se puede considerar como la combinación de tres circuitos rectificadores

monofásicos en fases separadas . Si consideramos que eA, eB y eC son las tensiones de
fase con respecto al punto N, cuando eA sea mayor que los otros 2, esto es entre y
conducirá el diodo D1. En ; el voltaje eA está bajando D1 deja de conducir y la corriente se
transfiere al diodo D2. En π la corriente se transfiere a D3. Las tensiones y corrientes se
muestran en la figura 1.2.
Electrónica de Potencia Dr. Abel Argumé Sotomayor
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Para analizar los valores
de las tensiones y
corrientes se asumirá la
nomenclatura siguiente:
I = Corriente instantánea
en la carga
IDC = Corriente DC en la
carga
IRMS = Corriente RMS en

la carga
EM = Tensión de fase de
pico
EDC = Tensión DC en la
carga
ERMS = Tensión RMS en la

carga
TENSIÓN DC EN LA CARGA
La corriente de ánodo de D1 se puede representar como:
1.1
La corriente DC en D1 será:
= =
La corriente DC en la carga será 3 veces la corriente en un diodo.
= 1.3
La tensión en la carga será:
1.4
TENSIÓN RMS EN LA CARGA
La corriente RMS (IRMS) en D1 será:

Separata
Utilizando la expresión:
; se tiene
1.5
La corriente2 RMS en la carga será 3 veces la corriente2 en un diodo
De donde
1.6
La tensión RMS en la carga será:
1.7
FACTOR DE RIZADO
Si la tensión de rizado es:
El factor de rizado (%r) se define como
1.8
Reemplazando las expresiones (1.4) y (1.7) se tiene
1.9
VOLTAJE INVERSO DE PICO

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El máximo voltaje a través de D1 cuando D1 no conduce (VOLTAJE INVERSO DE PICO) se
presenta cuando eB (ó eC) esta lo más alejado de eA. Para calcular este voltaje se tiene la
expresión para:
Por ser trifásico y de media onda se tiene solamente 2 funciones de los tres más alejados
1.10
Esta expresión es máxima cuando ; en este momento se tiene reemplazando
1.11
Por lo tanto: PIV = -1.732 EM 1.12
FACTOR DE UTILIZACIÓN DEL SECUNDARIO
Se define factor de utilización del secundario (FUS) como la relación de la potencia DC de salida
de los devanados del secundario y los volt-amperios que transporta.
1.13
La potencia de salida será igual a
Los volt-amperios por devanado serán igual a
Esto es:
;según esto los volt-amperios por devanado serán
como se tiene 3 devanados los volt-amperios de los devanados serán:
1.15
Reemplazando en (1.13) se tiene
1.16
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1.2 Rectificador Polifásico de media onda (m fases)
Es posible extender el análisis de la

sección 1.1 considerando que el
secundario del transformador de la
figura 1.1 está formado por m
ramas, cada una de ellas con una
fase cada rama conectada a uno de
los m anados, cada ánodo
conduciendo un intervalo
radianes por ciclo. La figura 1.3
muestra las formas de onda de las
tensiones y las corrientes.
TENSIÓN DC EN LA CARGA
La corriente DC de ánodo por diodo será
1.17
La corriente DC en la carga será m veces la corriente en un diodo.
1.18
La tensión en la carga será
1.19
Para simplificar las expresiones se acostumbra definir con esto se puede preparar la
relación de la figura 1.4
m 2 3 4 6 12 ∞
a 0.636 0.827 0.896 0.955 0.999 1
FIGURA 1.4
TENSION RMS EN LA CARGA
La corriente RMS por diodo será

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De donde
La corriente RMS en la carga será veces la corriente RMS del diodo
1.20
La tensión RMS en la carga será
1.21
FACTOR DE RIZADO
Tomando la expresión (1.8) y reemplazando en ella las expresiones (1.19) y (1.20) se tiene
1.22
De esta expresión se puede preparar la relación de la figura 1.5
M 2 3 4 6 12 ∞
%r 47 17 8.9 4 1.4 0
FIGURA 1.5
FACTOR DE UTILIZACION DEL SECUNDARIO
Reemplazando en la expresión (1.13) la potencia de salida los volt-amperios de los devanados

se tendría:
La potencia de salida será
Los volt-amperios por devanado serán igual a esto es:

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Los volt-amperios totales serán la suma de los volt-amperios de cada fase; esto es m veces.
Los volt-amperios de los devanados serán: 1.24
Reemplazando en (1.13) se tiene:
1.25
De esta expresión se puede preparar la relación de la figura 1.6
M 2 3 4 6 12 24
FUS 0.574 0.666 0.636 0.552 0.399 0.286
FIGURA 1.6
1.3 RECTIFICADOR TRIFASICO DE ONDA COMPLETA
La figura 1.7 muestra un circuito simple de un rectificador trifásico de onda completa. La carga
R está conectada entre el punto común a 3 de los cátodos y el punto común a 3 de los anados.
D2 D1
PRIMARIO A
ecA eA
eAB
D4 D3 +
R Vo
-
ec eB
C B
eBC D6 D5
FIGURA 1.7
El rectificador se puede considerar como la combinación de tres circuitos rectificadores de

onda completa separados . Si consideramos que eAB, eBC y eCAson las tres tensiones de
línea, cada tensión de línea se puede considerar como la diferencia entre 2 tensiones de fase;
cuando eAB sea mayor que los otros dos, esto es entre y 0 conducirán los diodos D1 y D4.
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En 0 la tensión eCA en su semifase
negativa está creciendo y logra
superar a la tensión eAB que está
bajando; como consecuencia de esto
la corriente se transfiere a los diodos
D1 y D6. Las tensiones y las corrientes
se muestran en la figura 1.8.
TENSION DC EN LA CARGA
La corriente de ánodo para el par de

diodos D1.D4 se puede representar
como
1.26
donde se ha hecho un desplazamiento de io

la escala horizontal para simplificar el
cálculo como se puede ver en la figura 1.9.
3 EM
R
-p 0 p
6 6
?t
La corriente DC en el par de diodos será
FIGURA 1.9
1.27
Como se ve en la figura 1.8 cada diodo conducirá 2 veces el periodo ; con esto la corriente
DC en un diodo será
1.28
La corriente DC en la carga será 3 veces la corriente en un diodo

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1.29
La tensión DC en la carga será
1.30
TENSION RMS EN LA CARGA
La corriente RMS en D1 será veces la corriente RMS por el par D1-D4.
1.31
de donde se tiene que la corriente2 RMS en la carga será 3 veces la corriente2IRMS en un

diodo.
De donde
1.32
La tensión RMS en la carga será
FACTOR DE RIZADO
Siguiendo un cálculo análogo al caso de media onda se tiene
%r = 3.48
VOLTAJE INVERSO DE PICO
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PIV = -1.737 EM
1.4 EFECTO DE LAS INDUCTANCIAS EN LOS RECTIFICADORES
Con cargas resistivas se asume que un diodo dentro de circuitos rectificadores deja de
conducir cuando comienza a conducir el siguiente. Sin embargo por efecto de las inductancias
de los devanados; la corriente en un diodo comienza antes que el diodo precedente deja de
conducir debido a la fuerza electromotriz generada. Como consecuencia de esto se presenta la
superposición de corrientes con su respectivo incremento en el voltaje de salida.
Un análisis más detallado de este caso se deja para reuniones posteriores.
2. DISPOSITIVOS DE POTENCIA
2.1 SCR
Es un dispositivo semiconductor de tres terminales cuyo nombre proviene de las palabras

SiliconControlledRectifien. La figura 2.1 muestra la composición en detalle del SCR y el símbolo
utilizado para su representación.
Las características v-i del SCR se muestran en la figura 2.2.
Para entender funcionamiento del SCR se puede analizar el comportamiento de un dispositivo

formado por 4 capas de
semiconductores P y N A A
alternativamente. Entre las 4 capas
P P
se formarán 3 junturas interiores
J1 J1
denominadas J1, J2 y J3. Si al N N
dispositivo indicado se le aplica J2 J2
polarización directa e inversa entre J3 P J3

P
sus terminales ANODO – CATODO N N

se tendrá los dos casos a) y b) de la K K
figura 2.3.
En a); esto es con polarización a) b)

directa en ANODOJ2 quedará FIGURA 2.3
polarizada inversamente; esto se
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representa con el sombreado.
En b) con polarización inversa J1 y J3 quedarán polarizados inversamente.De los dos casos

mostrados se tiene que para
que el dispositivo entre en
conducción lo más
recomendable sería vencer la
polarización inversa de la
juntura J2 del caso a). Esto se
logra inyectando corriente
hacia el CATODO desde el
segundo terminal P. Un caso
que requiere mayor trabajo es
el vencer las polarizaciones
inversas de las junturas J1 y J3
del caso b). Esto se logra
aumentando el valor de la
tensión de polarización del caso
b) hasta lograr la ruptura de las junturas.
Para analizar cómo pasa a conducción el dispositivo para el caso a) se puede descomponer el
dispositivo de 4 capas en 2 dispositivos de 3 capas unidos entre sí como se muestra en la figura
2.4.
En la figura 2.4 en b) se puede ver que juntando un transistor PNP a un transistor NPN con las
condiciones mostradas se tiene un modelo del SCR. Aplicando las ecuaciones de transistores al
modelo se tiene:
iC2 = α2iK iA + iG = iK
iC1 = α1iA iC1 + iC2 = iA

De las 4 ecuaciones se tiene la expresión de la corriente de ANODO:
2.1
Donde α1 y α2 son los factores de amplificación C-E de los transistores. Al

incrementarse α1 y α2 llegará un momento en el que α1 + α2 sea cercano a 1. En este
momento iA tenderá a crecer ilimitadamente, en este momento se ha vencido la
polarización inversa en J2 y el SCR pasa al estado de conducción. Para incrementar α1 y
α2 se utiliza el efecto transistor como sigue: al aplicar iG a la compuerta del SCR, esta
corriente se convierte en corriente de base para Q2, esta corriente es amplificada
generando iC2, a su vez iC2 se convierte en corriente de base para Q1, esta corriente es
amplificada generando iC1. Finalmente iC1 regresa a la base de Q2 y se vuelve a
amplificar y así sucesivamente hasta desencadenar el estado de conducción. Como
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puede verse una vez que este proceso ha comenzado ya no es necesario i G porque la
conexión de los dos transistores hace que se autoalimenten mutuamente y por lo
tanto iG puede cortarse. Para que circule iG será necesario que se polarice
directamente J3 (la juntura BASE – EMISOR de Q2) y crear una trayectoria de corriente
en la compuerta además será necesario polarizar directamente J1 (la juntura BASE –
EMISOR de Q1) y crear una trayectoria de corriente en el ANODO. Con estas 2
trayectorias el SCR pasa al estado de CONDUCCION y permanecerá en este estado
hasta que se interrumpa la trayectoria de corriente en el ANODO.
Es posible que en ciertos casos las capacidades parásitas o la inestabilidad térmica

puedan crear una trayectoria para la COMPUERTA, en estos casos el SCR pasaría al
estado de conducción aunque no exista la trayectoria física de COMPUERTA. Esto es un
efecto indeseado y se recomienda tomar las precauciones necesarias para que no se
presente.
También es posible pasar al SCR al estado de conducción con una polarización directa
muy fuerte que logre vencer la juntura J2 sin necesidad de corriente de compuerta.
CARACTERÍSTICAS G-K
Las características COMPUERTA – CATODO del SCR se muestran en la figura 2.5. Estas
características corresponden a las características v – i del diodo P-N que forma parte
del transistor Q2. La figura 2.5 muestra 3 curvas que limitan la operación de la
compuerta a zonas permisibles.
Estas curvas son las curvas de TENSIÓN, VGK

CORRIENTE y POTENCIA y se especifican
por lo general para operaciones con MAXIMA
TENSION
corrientes DC. Se puede ver además la PERMISIBLE
mínima corriente que se necesita para MAXIMA
POTENCIA
pasar al SCR al estado de conducción (se PERMISIBLE
denomina disparar al hecho de pasar al
M
SCR al estado de conducción).Midiendo las
características G-K en un grupo de SCR’s
MINIMA MAXIMA iG
de una misma familia y serie, se tendrá CORRIENTE CORRIENTE
que por efecto de dispersión en los NECESARIA PARA PERMISIBLE
LA CONDUCCION
semiconductores aparecen varias curvas
como lo muestra la figura 2.6. FIGURA 2.5
Separata
VGK En la figura 2.6 se ve que los puntos M cuyo
A significado corresponde al de la figura 2.5 varían
y se distribuyen en una superficie limitada por 2
curvas que representan los casos extremos, estas
M
curvas son A y B.
M
B Los fabricantes de SCR proporcionan las curvas

M M de la figura 2.6 en una forma gráfica donde es
posible distinguir 3 regiones definidas como se ve
M
en la figura 2.7.
iG
FIGURA 2.6
VGK CURVA LIMITE PARA
TODOS LOS SCR’S
MAXIMA
TENSION
PERMISIBLE
MAXIMA
POTENCIA
MINIMA TENSION PERMISIBLE
3
NECESARIA PARA
DISPARAR TODOS
LOS SCR’S 2 CURVA LIMITE PARA
TODOS LOS SCR’S
MAXIMA TENSION
QUE PUEDE 1
APLICARSE SIN MINIMA MAXIMA iG
PRODUCIR DISPARO CORRIENTE CORRIENTE
NECESARIA PARA PERMISIBLE
DISPARAR TODOS
LOS SCR’S
FIGURA 2.7
1 → Región donde existe la seguridad de no producir disparo a ningún SCR de una misma
familia y serie.
2 → Región donde es probable que ocurra el disparo pero no existe la seguridad absoluta.
3 → Región donde de todas maneras se va a producir el disparo, esta región se denomina

Región de disparo seguro. Algunos fabricantes proporcionan simplemente los valores típicos
de la corriente y tensión que producen el disparo en la región de disparo seguro bajo ciertas
condiciones de temperatura (25°C si no se indica otra cosa) y recta de carga en la compuerta.
La figura 2.8 muestra un ejemplo de recta de carga que polariza la compuerta en un SCR. La
ecuación de la recta de carga es:
VD = iG RL + VGK2.2
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El punto P corresponde a la intersección de la recta de carga con las curvas características de
un SCR en particular (se ha escogido
una curva de la superficie de curvas
para los SCR’s de una misma familia y
serie.
La recta de carga no debe ingresar mas

alla de la curva de máxima potencia
permisible y si se requiere la certeza
de disparo, deberá estar por encima
de la región 2 de las curvas de la figura
2.7. Es importante notar que las curvas
que limitan las regiones de la figura 2.7
se desplazan con la temperatura. El
efecto más importante se presenta en
el corrimiento de la línea vertical que
corresponde a la MINIMA CORRIENTE
NECESARIA PARA DISPARAR TODOS
LOS SCR’s hacia la izquierda conforme
aumenta la temperatura.
CARACTERISTICA A-K
Las características ANODO – CATODO del SCR se muestran en la figura 2.9. Estas características
se aproximan a las características v-i de un diodo rectificador en la región de CONDUCCION por
lo que la tensión VAK es del orden de 1 a 3 voltios cuando conduce.
En operación normal, las tensiones de polarización de ANODO-CATODO no deben superar las

tensiones de ruptura tanto
directa como inversa ya que
casi siempre los SCR son
disparados por CORRIENTE en
la compuerta y no por
TENSIÓN entre ANODO y
CATODO. El funcionamiento
del SCR queda limitado por la
potencia que pueda disipar en
conducción y por la
temperatura a la que pueden
trabajar las junturas.Estos dos
parámetros son muy
importantes y generalmente son proporcionados en forma gráfica por el fabricante.
POTENSIA DE DISIPACION
Los SCR disipan potencia en conducción o al cambiar de estado. La contribución a la potencia

total de disipación durante los cambios es menor y en muchos casos se puede ignorar.
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Si se considera un modelo lineal para las curvas de la figura 2.9 se tiene la figura 2.10 donde ro
es la pendiente de resistencia y Vo la tensión de corto.
La curva de la figura 2.10 se puede expresar como:
VAK = Vo + roiA
La potencia de disipación P se puede expresar como
Donde se tiene
2.3
Según esta expresión, tanto la corriente DC como la corriente RMS intervienen en el cálculo de
la potencia.
Los fabricantes proporcionan las curvas de la POTENCIA iA

DISIPADA en función de la CORRIENTE DC para diferentes
tipos de ondas de corriente. El caso más usual
corresponde a las corrientes sinusoidales teniendo como
parámetro el ANGULO DE CONDUCCION.
1
ro
La figura 2.11 muestra las curvas típicas para un SCR de
mediana potencia. Se puede notar que para una misma
corriente DC la potencia disipada aumenta conforme Vo VAK
disminuye el ángulo de conducción.
FIGURA 2.10
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TEMPERATURA MAXIMA DE OPERACIÓN
La temperatura de las junturas no se puede medir directamente ya que no son accesibles

desde fuera. Esto obliga a utilizar la temperatura de la CAPSULA que contiene al SCR en el
punto más cercano a las junturas.
El fabricante proporciona sin embargo la temperatura máxima a la que pueden operar las
junturas (TJ). Esta temperatura generalmente llega hasta 125°C. Para calcular la temperatura a
la que operan las junturas a partir de la temperatura de la capsula (Tc) se requiere de la
RESISTENCIA TERMICA DE LAS JUNTURAS A LA CAPSULA (RθJC). Esta resistencia térmica se da
en °C/W y para SCR’s medianos esta dentro del rango de 1°C/W a 2.5°C/W.
La relación de temperatura será:
TJ – Tc = P RθJC2.4
Donde P es la potencia disipada en W. La ecuación (2.4) permite calcular la potencia máxima
permisible cuando se conoce la temperatura máxima de las junturas.
CORRIENTE DC MAXIMA
Conociendo la máxima temperatura de la capsula se podrá determinar la máxima corriente DC

a partir de las curvas proporcionadas por el fabricante. Estas curvas se muestran en la figura
2.12 y dan la MAXIMA TEMPERATURA DE CAPSULA en función de la CORRIENTE DC MAXIMA
para el caso sinusoidal teniendo como parámetro el ángulo de conducción.
La secuencia de cálculo para operar los SCR puede ser en muchos casos la siguiente:
1. Fijar la temperatura máxima de capsula.

2. Seleccionar el ángulo de conducción al que va a operar el SCR.
3. Con los valores 1, y 2 a partir de las curvas de la figura 2.12 calcular la corriente DC
máxima que puede proporcionar el SCR.
4. Asegurarse que la corriente DC real que va a soportar el SCR no sobrepase el valor
máximo de 3.
5. Conociendo el valor
de la corriente DC
real, calcular la
potencia que va a
disipar el SCR a
partir de las curvas
de la figura 2.11
6. A partir de la
potencia disipada
calcular los
disipadores
térmicos hacia el
medio ambiente.
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2.2 TRIAC

TRIODE AC SWITCH. La figura 2.13 muestra la composición en detalle del TRIAC y el símbolo
utilizado para su representación. Las características v-i se muestran en la figura 2.14
El triac conduce en ambos sentidos, es decir es un dispositivo bi-direccional y puede ser

disparado por corriente de compuerta tanto positivo como negativo; esto da origen a 4
combinaciones que se denominan modos y se muestran en la figura 2.15. Los modos I+ y I-
corresponden al primer cuadrante en el gráfico de la figura 2.14 y los modos III- y III+
corresponden al tercer cuadrante en la figura 2.14. Los signos + y – indican la polaridad que
tiene el circuito de polarización de la compuerta.
T2 T2 T2 T2
T1 G T1 G T1 G T1 G
MODO I + MODO I - MODO III - MODO III +
FIGURA 2.15
Dada su construcción más compleja que el SCR, el TRIAC presenta diferentes trayectorias para
la corriente entre los terminales principales según la polaridad que se aplique entre sus
terminales. De igual manera presenta diferentes trayectorias para la corriente de compuerta
según la polaridad que se aplique. La figura 2.16 muestra las trayectorias de conducción del
TRIAC para cada caso.
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T2
T2 T2 T2
N3 N3 N3 N3
P2 P2 P2 P2
N N N N
2 2 2 2
P1 P1 P1 P1
N N N4
N N4 N N4 N4
1 1
1 1
G T1 G G
T1 G T1 T1
a) b) c) d)
FIGURA 2.16
Los casos a) y b) corresponden a la conducción del TRIAC entre sus dos terminales T2 y T1. El
caso a) con corriente desde T2 hacia T1 y el caso b) con corriente desde T1 hacia T2. En ambos
casos se puede notar que la corriente circula por 4 capas PNPN en este orden. Esto nos lleva a
considerar la analogía entre el TRIAC y 2 SCR en conexión antiparalelo como se muestra en la
figura 2.17. Los casos c) y d) corresponden a la conducción del TRIAC por el terminal de
compuerta y el terminal T1, el caso c) con corriente desde G hacia T1 y el caso d) con corriente
desde T1 hacia G, en ambos casos se puede notar que la corriente circula por dos capas PN en
este orden.
Combinando los 4 casos de la figura 2.16 se puede explicar el comportamiento del TRIAC para
los 4 modos de la figura 2.15.
MODO I + Se aplica los casos a) y c) la corriente por G polariza las uniones P1N1 esto hace que
conduzca P2N2P1N1.
MODO I – Se aplica los casos a) y d) la corriente por T1 polariza P1N4 esto hace que conduzca
P2N2P1N1 como resultado se polariza directamente N2P1 y conduce así P2N2P1N1.
MODO III – Se aplica a los casos b) y d) la corriente por T1 polariza P1N4; por DIFUSION las
cargas negativas que salen de N4 alcanzan N2 polarizando directamente N2P1 con esto las
cargas positivas de P1 pasan a N2 y por DIFUSION llegan a P2 polarizando directamente P2N3
llegando entonces a conducir N3P2N2P1.
MODO III + Se aplica los casos b) y c) la corriente por G polariza directamente P1N1 por
DIFUSION las cargas negativas que salen de N1 alcanzan N2 polarizando directamente N2P1
con esto las cargas positivas de P1 pasan a N2 y por DIFUSION llegan a P2 polarizando
directamente P2N3 llegando entonces a conducir N3P2N2P1.
La figura 2.18 muestra una explicación de los cuadrantes utilizados.

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iT2-T1 > 0 Desde el punto de vista del uso, el
TRIAC es un dispositivo
aproximadamente simétrico, sin
I+ PRIMER embargo dada su construcción
I- CUADRANTE asimétrica, no todos los modos
VT2-T1 < 0 requieren la misma cantidad de
III + VT2-T1 > 0 corriente de compuerta. La
III - operación III+ requiere mucha
corriente de compuerta y no es
TERCER
CUADRANTE recomendable.
iT2-T1 < 0
La sensitividad al disparo óptimo
corresponde a los modos I+ y III–
FIGURA 2.18
siendo algo menor I -. Si se dispone
de una sola polaridad de disparo se recomienda I– y III-, esto es decir compuerta negativa.
CARACTERISTICAS G-T1
Las características COMPUERTA-T1 del TRIAC se muestran en la figura 2.19, estas

características corresponden tanto para compuerta positiva como negativa. Las curvas si bien
es cierto que semejan loas curvas de diodos presentan 2 regiones, una región bastante lineal
llamada REGION RESISTENCIA y una región iG
con características similares a diodos
llamada REGION DIODO. Por otro lado
ambas curvas no son completamente REGION
DIODO
iguales debido a que el TRIAC no es un REGION
dispositivo simétrico. -VGT1 RESISTENCIA
VGT1
Toda la teoría desarrollada para las
características COMPUERTA-CATODO es
completamente aplicable para las
características COMPUERTA-T1 de los SCR
teniendo por consiguiente las curvas de -iG
máximas corrientes, tensiones y potencias
FIGURA 2.19
y las regiones de no disparo, disparo
probable y disparo seguro.
CARACTERISTICAS T2-T1
Las características T2-T1 del TRIAC se muestran en la figura 2.20. Estas características se
aproximan a las características v – i de dos diodos rectificadores conectados en antiparalelo en
la región de CONDUCCION por lo que la tensión vT2T1 en conducción tanto directa como
inversa es del orden de 1 a 3 voltios en amplitud.
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En operación normal las tensiones aplicadas entre los terminales T2 y T1 no deben superar las
tensiones de ruptura tanto directa
como inversa.
POTENCIA DE DISIPACION
Los TRIACS al igual que los SCR

disipan potencia en conducción o al
cambiar de estado (más aún
teóricamente en bloqueo). La
contribución más importante a la
potencia total de disipación
corresponde a la conducción tanto
directa como inversa.
Si se considera un modelo lineal para las curvas de la figura 2.20 se tiene la figura 2.21 donde
ro es la pendiente de resistencia y Vo junto con –Vo son las tensiones de codo.
La potencia de disipación P se puede expresar como
De donde se tiene iT2
2.5
1
Generalmente el valor DC de la corriente por T2 es
ro
cero o muy pequeño y la potencia de disipación -Vo
depende mayormente del valor RMS de la Vo iT2T1
corriente por T2. 1
ro
Los fabricantes proporcionan las curvas de
POTENCIA DISIPADA en función de la corriente
RMS para diferentes tipos de ondas de corriente.
El caso más usual corresponde a las corrientes. FIGURA 2.21
2.3 UJT
Es un dispositivo semiconductor de tres terminales cuyo nombre proviene de las palabras UNI
JUNCTION TRANSISTOR. La figura 2.24 muestra la composición en detalle del UJT y el símbolo
utilizado para su representación. Las características V-i del UJT se muestran en la figura 2.25,
con el eje horizontal con la escala distorsionada.
Separata
BASE 2 (B2)
VEB1
TENSION
DE PICO
(VP) REGION
RESISTENCIA REGION DE
NEGATIVA SATURACION
EMISOR N
(E) P B2 TENSION
DE VALLE
E (VV)
J
REGION
CORRIENTE CORRIENTE iE
DE PICO DE VALLE
DE (IP) (IV)
CORTE
B1
FIGURA 2.25
BASE 1 (B1)
FIGURA 2.24
El UJT es un dispositivo semiconductor formado por 2 capas de semiconductor N y P. La capa P

no está ubicada al centro de la capa N sino esta desplazada en dirección hacia la BASE 2. Esto
hace que el dispositivo no sea simétrico. Las dos capas originan una sola juntura J; hecho del
que proviene el nombre UJT. Entre los terminales B2 y B1 se tendrá una resistencia de
semiconductor tipo N esta resistencia se denomina RESISTENCIA INTERBASES (RBB) y medido
con iE = 0, su valor varía dentro del rango de 4K a 10K dado que la capa P no está ubicada en el
centro de la capa N, las resistencias que se miden desde la juntura hasta B2 y B1 serán
diferentes, siendo generalmente menor la resistencia hacia B2. La relación obtenida en base a
la relación de división de resistencias se denomina RELACION INTRINSECA (η) y su valor varía
dentro del rango de 0.4 a 0.8, siendo su valor típico 0.7, según esto
2.6
La figura 2.26 muestra la relación de

resistencias. B2
B2
Para entender el funcionamiento del

UJT se puede recurrir al modelo
mostrado en la figura 2.27 donde D RB RB
representa al diodo PN de la J 2 2
RB D
juntura. Este diodo alcanza una B E
tensión de arranque cuyo valor varía RB
1
de 0.5 a 0.6 V. RB
1
Normalmente el UJT trabaja con

polarización directa en B2 respecto
B1 B1
a B1, pero la característica
realmente importante del FIGURA 2.26 FIGURA 2.27
dispositivo se presenta entre E y B1.
Cuando B2 está abierto; la relación v-i corresponde a las características de un diodo y se
muestran en la figura 2.25 en líneas cortadas para IB2 = 0 la curva en línea continua vale para
Separata
IB2> 0. En la figura 2.25 es posible observar 3 regiones definidas la REGION DE CORTE donde el
diodo D de la figura 2.27 está polarizado inversamente y solamente circula una corriente muy
pequeña de CATODO a ANODO denominada CORRIENTE INVERSA DE SATURACION.
Conforme se aumente la tensión de emisor en un momento dado D pasará a conducir en este

momento la tensión VEB1 ha alcanzado su valor máximo llamado TENSION DE PICO (VP) cuyo
valor depende del valor de la polarización aplicada entre B2 y B1. La corriente (que ya es
directa en ese momento) se denomina CORRIENTE DE PICO (IP) y su valor varía dentro del
rango de 0.5 a 50 μA. A partir de este momento el dispositivo ingresa a la REGION DE
RESISTENCIA NEGATIVA la corriente de emisor inyecta cargas positivas a la capa N
aumentando la conductividad lo cual disminuye el valor de RB1. Esto hace que la corriente de
emisor aumente y así sucesivamente hasta que RB1 se reduzca hasta un valor muy pequeño
llamado RESISTENCIA DE SATURACION (RSAT) cuyo valor varía dentro del rango de 5Ω a 25Ω,
en este momento se ha alcanzado la tensión más baja entre emisor y B1 denominada TENSION
DE VALLE (VV) cuyo valor varía dentro del rango de 1 a 3 V, la corriente en ese momento se
denomina CORRIENTE DE VALLE (IV) y su valor varía dentro del rango de 1mA a 10mA. A partir
de este momento se recupera nuevamente la característica de resistencia positiva y se ingresa
a la REGION DE SATURACION donde ya no hay incremento apreciable de tensión para los
incrementos de corriente, a lo más la tensión VEB1 alcanzará un valor de saturación
denominado TENSION DE SATURACION (VEB1SAT) cuyo valor varía dentro del rango de 2 a 5 V,
la corriente si puede alcanzar valores altos en esta región.
Las relaciones entre los valores de tensiones y corrientes que expresan los puntos de
transición entre las regiones son: la tensión de pico VP será la tensión necesaria para lograr la
conducción en D. Esto es
2.7
Donde VB2B1 es la tensión de polarización entre las bases B2 y B1.
OSCILADOR DE RELAJACION
SW t=0
Se denomina oscilador de relajación a aquel que no
genera tensiones sinusoidales puras sino ondas cuya
forma depende de las características de los elementos RE
que intervienen. Generalmente trabajan en base a las

características de resistencia negativa. E B2
UJT
La figura 2.28 muestra la configuración simple de un VB
oscilador de relajación con UJT. En t = 0 se cierra SW y B1
CE
CE comienza a cargarse a través de RE hacia la tensión
de la fuente VB. En este momento, la tensión VEB1 es
pequeña y no circula corriente hacia el emisor del UJT RB
(solamente una pequeña corriente inversa de

saturación). La carga es exponencial con una constante
de tiempo RECE come se muestra en la figura 2.29. Sin FIGURA 2.28
Separata
embargo al alcanzar CE una tensión suficientemente alta como para que el emisor del UJT pase
a conducir, se descargará esta violentamente a través de RB1 que ha quedado reducida a su
valor de saturación al entrar el UJT a la zona de resistencia negativa y RB cuyo valor siempre se
fija pequeño para no afectar las características de emisor del UJT. Este instante corresponde a
t = t1 al descargarse CE, la tensión en sus bornes cae hasta un valor bajo aproximadamente
igual a la tensión de valle del UJT
si despreciamos la caída de
tensión en RB. Conforme CE
trate de seguir descargándose,
el UJT tendrá que regresar al
estado de corte y nuevamente
quedará aislado eléctricamente
el condensador CE en serie con
RE este instante corresponde a
t2, nuevamente se cargará CE
pero esta vez a partir de un valor
mayor que cero con la misma
constante de tiempo RECE. La
máxima tensión que alcanza CE
se puede aproximar al valor de
la tensión de pico del UJT si despreciamos la caída de tensión en RB.
El valor de RE deberá ser lo suficientemente bajo como para que CE pueda alcanzar la tensión
de pico y al mismo tiempo lo suficientemente alto como para que una vez conduciendo el
emisor del UJT no quede permanentemente en conducción.
El segundo periodo de carga de CE será menor que el primero debido a la carga residual de CE.
a) Calculo de T1. La expresión de carga de CE es:
Donde para t = t1 VCE = V1 con esto
de donde
2.8
b) Calculo de T3 - T2. La expresión de carga de CE es:
, para t cortado a partir de T2 donde para t = t3 –
t2 VCE = V1 con esto

Separata
de donde
2.9
Para muchos fines, se podrá despreciar el valor V2 si V1 es suficientemente alto, con esto se
consigue igualar las expresiones (2.8) y (2.9) y t1 se denomina entonces tC
2.10
V1 puede aproximarse a Vp cuya expresión se da en (2.7) y más aun se puede considerar VD

despreciable con lo que se tendríaV1 = ηVB2B1; continuando las aproximaciones se puede
hacer VB2B1 = VB despreciando la tensión en RB con esto se tendrá
2.11
Finalmente se puede tomar un valor típico de η = 0.65 con lo que se tendrá
2.12
Las expresiones (2.11) y (2.12) son aproximaciones cuyo uso dependerá de cumplir las
condiciones que se han utilizado para las aproximaciones.
La figura 2.30 muestra una variante al circuito de la figura 2.28 donde se ha adicionado una
resistencia para mejorar las características de estabilidad térmica del oscilador, su valor se
puede calcular en base a la fórmula empírica:
RT ≈ 0.015VBRBBη2.13
RE RT
y debe tener coeficiente térmico positivo.
Para VB = 15V RBB = 9.1k y η = 0.67 E B2
UJT
RT = 0.015 x 15 x 9.1k x 0.67 = 1371Ω
VB
B1
RT alterará ligeramente el valor de la tensión de pico del CE
UJT pero para muchos fines no será necesario incluirlo
RB
en los cálculos dado su valor bajo.
Cuando el UJT está en la región de corte para el circuito

de la figura 2.28; si se toma RBB = 9.1k la corriente por
RB será con VB = 15V FIGURA 2.30
para el circuito de la figura 2.30 con los mismos valores y RT =
1371Ω la corriente por RB será

Separata
En ambos casos no se ha considerado en el cálculo RB porque su valor varía generalmente

entre 10 y 100Ω y no tendrá sentido incluirlo en el cálculo. La tensión en RB con los valores
utilizados estará entre 0.017V y 0.17V por lo que su contribución a Vp es despreciable y las
aproximaciones hechas para las expresiones (2.11) y (2.12) se justifican.
2.4 PUT

PROGRAMABLE UNI JUNCTION TRANSISTOR. La figura 2.31muestra la composición en detalle
del PUT y el símbolo usado para su representación. Las características v–i del PUT se muestran
en la figura 2.32 con el eje horizontal con la escala distorsionada.
ANODO (A)
A
+ iA G
VAK PUT
VAK -
TENSION K
P A DE PICO REGION DE
COMPUERTA (VP) RESISTENCIA REGION DE
G
N (G) NEGATIVA SATURACION
TENSION
P DE VALLE
(VV)
N K
REGION
CORRIENTE CORRIENTE iA
DE PICO DE VALLE
DE (IP) (IV)
CORTE
CATODO (K)
FIGURA 2.32
FIGURA 2.31
El PUT es un dispositivo cuya constitución es similar al SCR ya que presenta 4 capas de

semiconductor P y N alternativamente pero la conexión de la compuerta ha sido tomada de la
capa N intermedia en lugar de la capa P intermedia.
Las características v–i del PUT son completamente similares a los del UJT ya que presenta las 3
regiones del UJT: la REGION DE CORTE, la REGION DE RESISTENCIA NEGATIVA, y la REGION DE
SATURACION.
El PUT presenta muchas ventajas respecto al UJT, trabaja con niveles más bajos de corrientes,
puede generar pulsos mayores de corriente tiene bajo costo y se pueden ajustar los valores de
IP, IV y η.
Para analizar cómo pasa a conducción el PUT se puede descomponer el dispositivo de 4 capas
en 2 dispositivos de 3 capas unidas entre sí como se muestra en la figura 2.33.
Separata
Normalmente se polariza la
compuerta con una tensión
positiva VS con una resistencia RS.
La tensión en el ANODO se
incrementa desde cero hasta que
al llegar a una condición tal que
la tensión en ANODO supera la
tensión de la compuerta en un
valor tal que polariza
directamente el diodo EB de Q1
esta tensión deberá estar dentro
del rango comprendido entre 0.5
y 0.7V mientras no se alcance
este valor circulará una pequeña
corriente inversa de saturación
por el ánodo. Al conducir Q1 pone Q2 en conducción y ambos transistores se encargan de
alcanzar la saturación. En saturación la tensión de compuerta alcanzará una tensión
equivalente a la tensión de saturación CE de Q2 cuyo valor esta dentro del rango de 0.2 a 0.5V.
La figura 2.34 muestra un circuito básico de
polarización para el PUT.
El valor de RS va a determinar la magnitud de la

RA RS
A G corriente de Pico, reduciéndose esta corriente cuando
aumenta RS.
PUT
K RS también influye en el valor de la corriente de valle

VS
VA aumentando esta corriente cuando disminuye RS.
Variando el valor de VS se puede modificar el valor de la
tensión de pico, lo que será la tensión necesaria para
que Q1 pase a conducción, esta tensión es
FIGURA 2.34
VP = VT + VS 2.14
donde VT es la tensión necesaria para polarizar directamente la unión EB de Q1.
Al llegar a saturación la tensión de ANODO será

la suma de la tensión de saturación de EB de Q1
y la tensión de saturación de CE de Q2.
R1
La figura 2.35 es una variante del circuito de la
A G
figura 2.34 donde se ha reemplazado RS por dos
RA VB
resistencias R1 y R2 cuyos valores se pueden PUT
variar según las necesidades. Por analogía con el K
UJT podemos definir R2
2.15
FIGURA 2.35
Separata
Y las relaciones de RS con R1 y R2 son:
2.16
2.17
η será la RELACIÓN INTRINSECA PROGRAMABLE.
OSCILADOR DE RELAJACION
La figura 2.36 muestra la configuración simple de un oscilador de relajación con PUT.
La figura 2.37 muestra la forma de onda de la tensión ANODO-CATODO para el oscilador de la

figura 2.36 se puede ver que corresponde a la forma de onda del oscilador con UJT, por lo que
las expresiones calculadas en la sección 2.3 son válidas.
Si se toma la expresión (2.10) se tendrá
V1 se puede aproximar a VP cuya expresión se da en (2.14) y η se puede despreciar, VT se

tendrá
con esto se tendrá
2.18
Separata
2.5 DIAC
Es un dispositivo semiconductor de dos terminales cuyo nombre proviene de las palabras

DIODE AC SWITCH. La figura 2.38 muestra la composición en detalle del DIAC y los símbolos
utilizados para su representación. Las características v–i se muestran en la figura 2.39.
i
CAIDA DE
TENSION
TERMINAL T2 DIRECTA
(ΔV1)
T2 T2 CORRIENTE
DE RUPTURA CONDUCCION
N TENSION DE DIRECTA
RUPTURA (IBO1)
INVERSA
P (VBO2) BLOQUEO
BLOQUEO
CORRIENTE
TENSION DE V
N DE RUPTURA
RUPTURA
DIRECTA
T1 T1 INVERSA (VBO1)
CONDUCCION (IBO2)
TERMINAL T1
FIGURA 2.38
CAIDA DE
TENSION
DIRECTA
(ΔV1)
FIGURA 2.39
El DIAC es un dispositivo semiconductor formado por 3 capas NPN alternativamente con dos
terminales conectados a los extremos de cada capa N. Tiene construcción simple y con
excepción de las diferencias propias del semiconductor debido a la dispersión de
características entre las 2 junturas, es un dispositivo simétrico.
Los terminales T2 y T1 son intercambiables y su denominación es solamente referencial.
Las características V-i de la figura 2.39 muestran que existen dos estados definidos; el ESTADO
DE BLOQUEO o el ESTADO DE CONDUCCION aplicando polarización directa o inversa mientras
no se alcance el punto de ruptura, el DIAC permanecerá bloqueado al llegar a la tensión de
ruptura se vencerá la polarización inversa desarrollada en una de las junturas J1 o J2 de la
figura 2.40, en este momento el DIAC se vuelve conductor y la tensión entre sus terminales cae
un valor ΔV1 Ó ΔV2 según el caso sin llegar verdaderamente a un valor de VALLE porque la
pendiente v-i no se hace en ningún momento positiva. En este estado se considera al DIAC en
conducción y la corriente puede llegar a valores
altos.
T2 T2
Las TENSIONES DE RUPTURA (VBO1, VBO2)

N N
J2 J2
varían dentro del rango de 20 a 42V.
P P
J1 J1 Las CAIDAS DE TENSIÓN en conducción (ΔV1,
N N ΔV2) dependen del valor de la corriente de
T1 T1
conducción, para 10mA su valor varía dentro
del rango de 4 a 10V.
FIGURA 2.40
Separata
Las CORRIENTES DE RUPTURA (IBO1, IBO2) varían alrededor de 200μA.
Debido a la dispersión de características entre las junturas del DIAC las tensiones de ruptura no
son exactamente iguales sus valoresdifieren dentro del rango de 2 a 4V.
Las corrientes de conducción pueden alcanzar valores tan altos como de 1 a 2Amp. La
aplicación principal de los DIACS está en osciladores y dispositivos de control para TRIACS.
2.6 SUS

SILICON UNILATERAL SWITCH. La figura 2.41 muestra la composición en detalle del SUS y el
símbolo utilizado para su representación. Las características v-i se muestran en la figura 2.42.
ANODO (A) iA
A CORRIENTE
COMPUERTA P DE RUPTURA
DIRECTA
(G) (IH) (IS)
N (VR) CORRIENTE
TENSION DE DE
RUPTURA RETENCION
G
P INVERSA
TENSION DE
TENSION
DE RUPTURA
VAK
N RETEN- DIRECTA
RB CION (VS)
DZ (VH)
CATODO (K)
FIGURA 2.41
FIGURA 2.42
Para entender el comportamiento del SUS se puede utilizar un modelo formado por dos
transistores y los dos elementos externos DZ y RB. Este modelo se da en la figura 2.43. El diodo
zener DZ es un diodo adicionado al semiconductor y su TENSION ZENER (VZ) varía dentro del
rango de 5 a 10V. La resistencia RB es una resistencia adicionada al semiconductor y su valor
varía dentro del rango de 1 a 15K.
En la figura 2.43 se puede ver que polarizando

directamente el ANODO respecto del CATODO se estará A
polarizando el DIODO ZENER para que al alcanzar la
G
TENSION ZENER entre en conducción, al conducir DZ Q1
pone en conducción a Q1 y Q1 se encarga de poner en
conducción a Q2 con lo que el dispositivo pasa a
conducción, la resistencia RB sirve para polarizar Q2 para DZ
Q2
alcanzar la conducción de DZ, la tensión de ANODO debe
sobrepasar a la TENSIÓN ZENER en un valor necesario RB
para polarizar directamente la unión EMISOR-BASE de
Q1. Según esto se tendría K
VS = VZ + VT 2.19
FIGURA 2.43
Separata
Donde VT es la tensión requerida para la conducción de la unión EMISOR-BASE de Q1 y su
valor típico es 0.6V. Como resultado de esto Vs deberá ser aproximadamente 0.6V mayor que
la TENSION ZENER (VZ). Esta tensión se denomina TENSION DE RUPTURA DIRECTA (VS). La
corriente en el punto de ruptura directa se denomina CORRIENTE DE RUPTURA DIRECTA (IS) y
su valor varía dentro del rango de 0.2 a 0.5 mA.
Los valores de tensión y corriente necesarios para mantener en conducción el SUS se

denominan valores de retención: la TENSION DE RETENSION (VH) varía dentro del rango de 0.5
a 0.7V y la CORRIENTE DE RETENCION (IH) varía dentro del rango de 0.2 a 2mA.
En conducción la tensión entre ANODO y CATODO típica será 1V medida para una corriente de
150mA.
El tercer terminal COMPUERTA sirve para modificar las características del SUS puede quedar
sin conexión, en cuyo caso el dispositivo actúa como un dispositivo de dos terminales y se
disparará al valor VS, puede utilizarse para conectar un diodo zener adicional (con tensión
zener menor a VZ) para modificar la tensión de ruptura directa, puede utilizarse para conectar
un diodo en conducción directa (entre G y K) en cuyo caso la tensión de ruptura directa será
VD + VT y aproximadamente 0.7 + 0.6 = 1.3V o puede utilizarse para conectar una resistencia
para alterar el comportamiento del diodo zener; esta resistencia generalmente se escoge
dentro del rango de 5 a 25K. Finalmente puede cortocircuitarse G respecto a K con lo que VS =
VT y la tensión de ruptura directa será del orden de 0.6V.
La tensión de ruptura inversa (VR) no es alto, puede variar dentro del rango de 25 a 100V.
2.7 SBS

SILICON COLATERAL SWITCH. Se construye conectando dos SUS en conexión antiparalelo con
lo que se consigue características bilaterales, y con excepción de las diferencias por dispersión
simétricas. La figura 2.44 muestra la composición del ANODO 2 (A2)
SBS y el símbolo utilizado para su representación. Las
características v-i del SBS se muestran en la figura A2
2.45.
SUS
Tratándose de un dispositivo bidireccional no se puede SUS
G
hablar de ANODO y CATODO por lo que se utiliza la
COMPUERTA (G)
denominación ANODO para los dos terminales más
importantes. A1
Las características del SBS corresponden a dos SUS en

ANODO 1 (A1)
la conexión mostrada en la figura 2.44 por lo que no se FIGURA 2.44
entrará en mayor detalle.
Debido a la dispersión entre los SUS las tensiones de ruptura no son exactamente iguales, sus
valores difieren dentro del rango de 0.2 a 0.9 V.
Separata
iA
IS1
IM1
VS2 VH2
VH1 VB1
V
IM2
IS2
FIGURA 2.45
2.8 SSS
Es un dispositivo semiconductor de dos terminales cuyo nombre proviene de las palabras

SILICON SIMETRICAL SWITCH. La figura 2.46 muestra la composición del SSS y los símbolos
utilizados para su representación y las características v-i del SSS se muestran en la figura 2.47.
El SSS está formado por dos dispositivos semiconductores de 4 capas (en teoría dos SCR) y tres
resistencias cuya finalidad es polarizar las uniones entre las capas. Este dispositivo trabaja en
base a la aplicación de tensiones suficientemente altos como para alcanzar las tensiones de
ruptura de los dispositivos de 4 capas y a diferencia del SBS sus tensiones de ruptura son altas.
T2
i
T2 R1
T2
N P IBO1
P N
R2 VBO2
VBO1
N P V
P N IBO2
R3
T1
T1
T1
T1
FIGURA 2.46
FIGURA 2.47
Las TENSIONES DE RUPTURA (VBO1, VBO2) varían dentro del rango de 44 a 66 V.
Las CORRIENTES DE RUPTURA (IBO1, IBO2) varían alrededor de 500μA.
Debido a la dispersión de las características de los elementos de 4 capas las tensiones de

ruptura no son exactamente iguales, sus valores difieren dentro del rango de 5 a 9 V.
Separata
2.9 NEON
Las lámparas de neón tienen características similares al DIAC siendo sensibles al calor y la luz.
La figura 2.48 muestra el símbolo utilizado para su representación y la figura 2.49 las
características v-i.
Las tensiones de ruptura (VP) varían de 60 a 100 V.
Vp
Vp V
FIGURA 2.48
FIGURA 2.49
3. RECTIFICACIÓN CONTROLADA
Al operar con tensiones AC la conducción de los SCR se puede disparar en cualquier punto
donde la tensión de ánodo sea positiva respecto al cátodo, la corriente circulará hasta que su
valor se haga cercano a cero o el SCR sea forzado a pasar al estado de corte.
El control se realiza sobre el valor DC de los pulsos de corriente de ánodo retrasando el ángulo
de disparo en cada ciclo ya que no es posible controlar el valor instantáneo de la corriente de
ánodo.
3.1 Rectificador Trifásico de Media Onda
La figura 3.1 muestra un circuito simple de un rectificador trifásico de media onda con carga
resistiva e inductiva en serie. Cada SCR es disparado con pulsos de corriente en forma
separada por medio de 3 transformadores de acoplamiento, los ángulos de disparo se
denominan θ1, θ2 y θ3 respectivamente.
Los puntos donde la corriente deja de conducir se denominan ángulos de corte y se

representan por ф1, ф2 y ф3 respectivamente.
Separata
SCR1
A
PRIMARIO +
eA
R
eC Vo
eC eB L
SCR2
C
-
B
SCR3
DE
LOS
CIRCUITOS
DE
RETARDO
DE
FASE
FIGURA 3.1
A. CARGA RESISTIVA
Para este caso se asume L = 0. Se desprecia las reactancias de los secundarios del
transformador así como las caídas de tensión entre ánodo y cátodo de los SCR y las
resistencias de los devanados.
Con referencia a la figura 3.2 los ángulos de disparo no deberán ser nunca menores de π/6
puesto que para ángulos menores al ANODO no será positivo respecto al CATODO. Si el ángulo
de disparo está comprendido entre π/6 y π/3 la conducción de corriente será continua, esto es
un SCR conducirá hasta el momento en que el siguiente SCR es disparado. Esto se muestra en
la parte a).
Con ángulos de disparo mayores de π/3 el flujo de corriente será discontinuo y cada SCR dejará
de conducir al llegar a π. Esto se muestra en la parte b).
CORRIENTE DC EN LA CARGA
La corriente de ánodo para SCR1 se puede representar como:
Θ1 ≤ ωt ≤ф1 3.1
Separata
La corriente DC en SCR1 será
Vo
eA eB eC
0 π π ωt
6 3
θ1
Φ1
SCR1 SCR2 SCR3
a) CONDUCCION CONTINUA π/6 < θ1 < π/3
Vo
eA eB eC
0 π π ωt
6 3
θ1
Φ1
SCR1 SCR2 SCR3
b) CONDUCCION DISCONTINUA π/3 < θ1
FIGURA 3.2
3.2
La corriente DC en la carga será 3 veces la corriente en un SCR.
3.3
La expresión (3.3) es general para la conducción continua y discontinua sin embargo se puede
aplicar para cada caso como sigue:
Separata
Para el caso de conducción continua , esto es
3.4a
Para conducción discontinua ф1 = π con esto
3.4b
La expresión (3.3) se presenta en muchos casos en forma de un gráfico donde se ha hecho EDC
= R IDC. La figura 3.3 muestra la relación EDC/EM.
EDC EM
CARGA RESISTIVA
0.827 En la figura 3.3 se puede ver que EDC = 0para θ1 =
0.8
0.716 π
ZONA DE CONDUCCION
0.6 B. CARGA INDUCTIVA

0.477
Para este caso se asume R = 0.
CONTINUA
0.4
La corriente por los SCR adquiere formas muy
0.239 complejas y la conducción continua aun luego que
0.2 ZONA DE
CONDUCCION
0.064
se ha pasado el cruce por cero para cada fase esto
DISCONTINUA
0 ?1 hace que el valor instantáneo de Vo se haga
p p p 2p 5p p
6
negativo para ángulos de disparo mayores de π/3.
3 2 3 6
ANGULO DE DISPARO Al hacer el ángulo de disparo igual a los
FIGURA 3.3
componentes instantáneos negativos de Vo habrán
igualado los componentes positivos y la tensión DC
en la carga será igual a cero.
En ningún momento la corriente en la carga será cero aun cuando la tensión instantánea sea
cero o menor que cero debido a la corriente almacenada en la carga inductiva.
La expresión de la corriente DC en la carga es bastante compleja sin embargo la forma de onda

de la tensión DC en la carga es conocida, se muestra en la figura 3.4 para ángulos de disparo de
π/3 y . Como hay conducción continua podemos considerar .
La tensión DC en la carga se puede representar como:
3.5
La tensión DC en la carga será
3.6
Donde aplicando la condición de conducción continua se tiene
3.7
Separata
La expresión (3.7) se representa en muchos casos en forma de un gráfico el cual se muestra en
la figura 3.5. En esta figura se puede ver que EDC = 0 para . Si se superponen los
gráficos dados en las figuras 3.3 y figura 3.5 se verá que las curvas coinciden para ángulos de
disparo comprendidos entre
Vo
eA eB eC π/6 y π/3. A partir de π/3 las
curvas se separan dejando
entre ellos un área que será
ocupado por los rectificadores
trifásicos de media onda con
carga resistiva + carga
0 π π inductiva.
ωt
6 3
La figura 3.6 muestra el área
θ1
Φ1
para dicho caso. Se
denomina a la relación entre
la componente inductiva de la
SCR1 SCR2 SCR3 carga y la componente
resistiva esto está
Vo representado en la figura 3.7
eA eB eC
donde:
3.8
3.9
0 π 2π ωt
6 3
De donde
3.10
θ1
C. CARGA RESISTIVA
Φ1 Para este caso tanto R como
SCR3 SCR1 SCR2 ωL son diferentes de cero.
La conducción aumenta en los
FIGURA 3.4
SCR’s aún E DC EM EDC EM CARGA RESISTIVA + INDUCTIVA
CARGA INDUCTIVA
luego que se 0.827
ha pasado el 0.8 0.8
0.716
cruce por
0.6 0.6
cero y
0.413 CARGA
dependiendo ZONA DE
RESISTIVA
0.4 0.4
de los valores CONDUCCION CARGA  0
CONTINUA INDUCTIVA
que tengan 0.2 0.2   90
tanto R como
ωL se llegará 0 0
?1 0 ?1
p p p 2p 5p p p p p 2p 5p p
6 3 2 3 6 6 3 2 3 6
ANGULO DE DISPARO ANGULO DE DISPARO
FIGURA 3.5 FIGURA 3.6

Separata
o no al estado de conducción continua para cada valor de ángulo de disparo.
Asumiendo conducción discontinua, la corriente instantánea en la carga tendrá una forma

como la dada en la figura 3.8; partiendo desde cero para ωt = θ1 y regresando a cero en ωt =
ф1. La expresión de la corriente instantánea por SCR se puede obtener resolviendo la
ecuación:
3.11
COMPONENTE
INDUCTIVA
La expresión (3.11) corresponde a una ecuación
 diferencial cuya solución tiene dos componentes,
?L
una componente transitoria representada por iT y
una componente estacionaria representada por iS. La
R suma de las dos componentes dará la solución
COMPONENTE
RESISTIVA completa. Es posible reescribir la expresión (3.11)
FIGURA 3.7 como sigue:
3.12
a) Componente Transitoria: Es la solución de la ecuación:
3.12
Resolviendo esta expresión se tiene
3.12
b) Componente Estacionaria: Es la solución de la ecuación:
3.13
La solución puede ser puesta de una manera muy general como una combinación de senos y
cosenos
3.14
A partir de (3.14) la derivada respecto al tiempo será:
3.15
Reemplazando (3.14) y (3.15) en (3.13) se tendrá:
3.14
Separata
Igualando los términos en Senωt y los términos en Cosωt se tendrá 2 ecuaciones simultáneas
con dos incógnitas K1 y K2
3.17
3.18
Resolviendo (3.17) y (3.18) se tendrá
3.19
3.20
Es posible reemplazar las expresiones (3.8) y (3.9) en (3.19) y (3.20) para simplificar la
notación, con esto
3.21
3.22
Reemplazando (3.21) y (3.22) en (3.14) se tiene
3.23
La expresión completa de i será la suma de (3.12) y (3.23)
3.24
La constante A se calcula con la condición inicial i = 0|ωt = θ1, con esto
3.25
Reemplazando (3.25) en (3.24) se tendrá finalmente
3.26
Separata
Como la expresión completa de la corriente por SCR para conducción discontinua.
A modo de comprobación, si en (3.26) se hace ωL = 0, Cos será 1 y la expresión de i será
haciendo i = 0 en (3.26) se podrá calcular el ángulo de corte de corriente ф1.
Es posible aplicar la ecuación (3.12) para el caso de conducción continua cuando ωL sea mucho
mayor que R. En este caso la corriente i no se hace cero en ningún momento y es válida la
expresión (3.24), pero la constante A se calcula en base a otra condición inicial i|ωt = θ1 = i|ωt =
θ1 + 2π/3la ecuación que se obtiene es:
De donde
Y la expresión final de i es
3.27
3.2 Rectificador Trifásico de Onda Completa
Se logra rectificación de onda completa con un puente trifásico de onda completa con 6 SCR’s
o con un puente trifásico híbrido de onda completa con 3 SCR’s y 3 diodos como se muestra en
la figura 3.9 en los casos a) y b) respectivamente con formas de ondas para los dos como se
muestran en las figuras 3.10 y 3.11.
En la figura 3.10 se ve que cada SCR es disparado con un ángulo de disparo de θ1 ~ θ6 de π/3
en la secuencia SCR1-SCR6-SCR2-SCR4-SCR3-SCR5; cada pulso de disparo está separado del
anterior en π/3. Los pulsos de disparo están representados por ▲. Se ha considerado las
tensiones –eB, -eC, -eA como si fueran tensiones positivas para los SCR’s: SCR6, SCR4 y SCR5.
Separata
A SCR4 SCR5 SCR6 Toda la teoría desarrollada para
rectificación de media onda se
eA - puede aplicar a esta figura tanto
R para carga resistiva como para
Vo carga inductiva.
ec eB En la figura 3.11 se ve que cada
L
SCR es disparado con un ángulo
C B +
SCR1 SCR2 SCR3 de disparo θ1 ~ θ3 de 2π/3 en la
secuencia SCR1-SCR2-SCR3.
a)
Los diodos no necesitan
dispararse y a diferencia de la
A
D4 D5 D6 figura 3.10 la salida Vo no está
formada por 6 crestas cortadas e
eA -
iguales entre ellas, sino por 3
R crestas cortadas y 3 crestas
Vo completas debido a que los
ec
diodos conducen a penas su
eB
L tensión de ánodo supera la
C B + tensión del cátodo.
SCR1 SCR2 SCR3
b)
FIGURA 3.9
Vo
eA eB eC eA eB eC
0 p ?t 0 p ?t
3 3
?1 ?1
F1 F1
-eB -eC -eA -eB -eC -eA

? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?
SCR1 SCR2 SCR3 SCR1 SCR2 SCR3
SCR5 SCR6 SCR4 D5 D6 D4 D5

Separata
4. CONTROL DE POTENCIA AC
Consiste en variar la potencia AC en la carga intercalando un dispositivo o conjunto de
dispositivos entre la fuente de energía AC y la carga. Dado que se trata de tensiones AC, el
dispositivo deberá ser bidireccional la figura 4.1 muestra el diagrama de bloques básico de
control de potencia AC y la figura 4.2 muestra los principales dispositivos utilizados para el
control:
a. Combinación de 2 SCR’s en paralelo
b. TRIAC
c. SSS
d. Puente de diodos + SCR’s
DISPOSITIVO AC
b.
FUENTE CARGA
AC a.
FIGURA 4.1
c.
d.
FIGURA 4.2
Además se utiliza combinaciones de diodos y SCR’s para los circuitos de la figura 4.2 tales
como los mostrados en la figura 4.3. Cada uno de los dispositivos mostrados se denomina
INTERRUPTOR ESTATICO.
4.1 Control Monofásico AC
La figura 4.4 el circuito más simple para un
control monofásico AC con 2 SCR’s.Al aplicar
un pulso de corriente a la compuerta de uno
de los SCR’s este pasa a conducir si se cumple
que la tensión aplicada entre ANODO y
FIGURA 4.3 CATODO es positiva. Cuando la corriente por
el SCR se haga cero el SCR se cortará hasta
que se dispare nuevamente al ciclo siguiente.
El circuito trabaja con tensiones AC por lo que los SCR’s deberán dispararse alternadamente
tanto para las semiondas positiva como negativa.
Los circuitos de disparo se encargan de aplicar los pulsos de corriente a los SCR’s al inicio de
cada semionda o retardando el pulso un cierto ángulo. En el primer caso se dice que se trata
de un CONTROL TODO O NADA y en el segundo caso un CONTROL DE FASE.
En nuestro caso se va a tratar el CONTROL DE FASE ya que el primer caso podría tomarse como
un caso particular del segundo si consideramos un ángulo de retardo igual a cero.
Separata
A. CARGA RESISTIVA
Con carga resistiva la corriente io tendrá la misma forma de la tensión vo y su relación está
dada por
vo = R io4.1
Para 0 ≤ ωt ≤ 2π, vi esta dado por
4.2
Para simplificar el cálculo se puede asumir que la caída de tensión en conducción en los SCR’s
es despreciable, en la práctica será alrededor de 1V dado que se trata de tensiones AC, el valor
más representativo de tensión o corriente en la carga es el valor RMS, ambos valores se
representarán por Vo e Io respectivamente. La figura 4.5 muestra las formas de onda más
importantes del circuito. Para calcular Vo se tiene:
de donde
4.3
La corriente Io será
4.4
Si en la expresión (4.4) se hace α = 0 se tendrá el caso de CONTROL TODO o NADA, la corriente

Io para este caso se representa por I’o.
4.5
La corriente DC por cada SCR se representa por IDC/SCR y se calcula según:
4.6
La potencia efectiva en la carga se puede representar por P, la potencia aparente de la fuente

como S y la eficiencia por λ.
Con esto:
4.7
4.8
4.9
La figura 4.6 muestra la relación gráfica de Io/I’o en función del ángulo de disparo α.
La corriente io descompuesta en serie de Fourier:
4.10
Contendrá una serie de armónicos de corriente en función del ángulo de disparo α como sigue:
4.11
4.12
Separata
4.13
Vo Vi
io
a a
VSCR1 ,VSCR2
ωt
iG1 iG2 iG1
a ωt
a+π
FIGURA 4.5
4.14
n = 3, 5, 7, … (2m + 1)
B. CARGA INDUCTIVA
El análisis teórico es más complejo debido a que se tiene que inducir el argumento de la
carga mostrado en la figura 4.7 donde R y L son la resistencia e inductancia en la carga debido
a esto si en lugar de los dos SCR’s de la figura 4.4 tuviéramos un cortocircuito entre sus bornes,
Separata
la corriente iox estaría desfasado de la tensión Vi en un ángulo como se muestra en la figura

4,8.Si ωL fuera cero el argumento de la carga sería cero y estaríamos en el caso resistivo, la
expresión de la corriente iox para el caso mostrado en la figura 4.8 será:
4.15
Donde
4.16
Vi esta dado por la expresión (4.2)

I o I 'o
1
EN RELACIÓN A LA CORRIENTE CON a  0
CORRIENTE RMS EN LA CARGA
COMPONENTE
0.8 INDUCTIVA
0.6 
ωL
0.4
R
COMPONENTE
0.2
RESISTIVA
0 FIGURA 4.7
40 80 120 160 180
ANGULO DE DISPARO a
FIGURA 4.6
Vi Con referencia a la figura 4.8, si regresamos al caso

de los dos SCR’s se tendrá que considerar la relación
que hay entre el argumento de la carga
iox
y el ángulo de disparo de los SCR’s, asimismo que
se trata de un disparo simétrico donde el segundo
?t
 SCR se dispara a un ángulo α + π.
1) α <
En este caso aún cuando se dispare el SCR mientras
la corriente no llegue a cero no se producirá
FIGURA 4.8
conducción de corriente si el ancho de los pulsos de
disparo para los SCR’s es lo suficientemente grande como para que dure hasta que termine la
conducción del SCR del semiperiodo anterior, entonces recién en este punto comenzará la
conducción del SCR siguiente. En este caso no existe control de fase propiamente dicho y la
corriente en la carga estará expresada por la relación (4.15) el ángulo de conducción será π
para cada SCR.
Si el ancho de los pulsos de disparo no es suficientemente grande como para durar hasta que
termine la conducción del SCR del semiperiodo anterior no habrá conducción y la corriente en
la carga será cero.
Separata
2) α ≥
En este caso el ángulo de disparo α está más retardado que el valor de
, la corriente io se cortará en un punto tal como ф y el ángulo de conducción será menor que
π.
La figura 4.9 muestra las formas de onda más importantes del circuito para obtener la
expresión de io, se deberá resolver la ecuación diferencial dada por:
4.17
Con la condición inicial:
4.18
Ya que por la inductancia la corriente no puede crecer bruscamente. La solución de la ecuación
(4.17) tendrá una componente transitoria decreciente
Vo
exponencialmente y otra componente senoidal que
io representa el régimen permanente.
iox
La solución completa de la ecuación será:
?t

a 

VSCR1
?t
VSCR2
iG1 iG2 iG1
?t
FIGURA 4.9
4.19
La corriente io volverá a ser cero cuando ωt = ф por lo tanto haciendo ωt = ф en (4.19) io será
igual a cero a partir de esta condición se obtiene la expresión
4.20
El ángulo de conducción θ será igual a θ = ф – α, así la expresión 4.20 se puede representar

como:
Separata
4.21
La figura 4.10 y 4.11 muestran la relación entre ф y α así como entre θ y α.
La corriente RMS en la carga Io se obtiene integrando la expresión (4.19) al cuadrado desde α
hasta ф y luego obteniendo la raíz
4.22
Graficar la expresión (4.22) requerirá un gráfico en 3 coordenadas con Io en el eje “Y”, α en el

eje “x” y en el eje “z”.
270
 270

ANGULO DE CONDUCCION θ
240 240
ANGULO DE CORTE Φ
180 180
L
120
0 .5 1 2 10 ∞
120
R
60 60
L ∞
 0 .5 1 2 10
0 0
R
30 60 90 120 150 180 30 60 90 120 150 180
ANGULO DE DISPARO a ANGULO DE DISPARO a

4.2 Control Trifásico AC
Con redes trifásicas se puede trabajar con montajes en estrella y en triángulo en nuestro caso
trabajaremos con cargas balanceadas en estrella.
La figura 4.12 muestra una conexión trifásica con tres pares de SCR’s y carga en estrella.
Cada par de SCR’s actúa como un interruptor estático mostrado en la figura 4.2.
Para que el control actúe correctamente se deberá cumplir las siguientes condiciones:
1. Los pulsos de disparo para los SCR’s deberán estar sincronizados con sus respectivas
tensiones de fase, en este caso S1 y S1’ con V1 y así sucesivamente.
+ VA’ -
2. Debe existir siempre una
S1
A A’ trayectoria de retorno
para cada SCR de tal
S1' Z
+ manera que la corriente
V1 V AB’
de una fase por un SCR
+ VB’ -
S2 - debe poder regresar a
B B’
otra fase a través de otro
V3 V2
S2' Z SCR.
3. Cuando la carga tenga
+ VC’ -
S3 componentes negativos,
C C’
el ancho de los pulsos de
S3' Z disparo deberá ser lo
suficientemente grande
FIGURA 4.12 como para que dispare
Separata
los SCR luego que la corriente de los SCR precedentes se haga cero aún cuando ya la
tensión esté negativa.
Cuando se alcance el estado estable de operación, los SCR’s deberán conducir en el
siguiente orden S1-S3’-S2-S1’-S3-S2’.
Cada SCR conducirá 2π/6 después del anterior y así hasta completar el ciclo.
Las tensiones alternas que se obtengan en la carga serán tensiones sinusoidales cortadas
por intervalos y combinadas para formar figuras complejas.
El ángulo de disparo (medido con referencia a cada tensión de fase) puede variarse desde
0 hasta 5π/6 para cargas resistivas para ángulos mayores no se obtendrá salida.
Las tensiones de salida en las cargas disminuirán desde sus valores totales para ángulos
de disparo de 0 hasta cero para ángulos de disparo de 5π/6.
Las formas de onda de las tensiones en la carga cambiarán para ángulos de disparo de π/3, π/2
y 5π/6.
Para entender como se forma la tensión de salida en la carga, asimismo que cada SCR es
disparado a π/4 con respecto a su fase.
a) TENSIÓN DE LINEA EN LA CARGA (VA’B’)
Esta tensión presenta discontinuidades cada vez que un SCR se corta o es disparado y pasa a
conducción así:
TRAMO-1: π/4 - 2π/3. S1 comienza a conducir en π/4
S1
estando S2’ ya en conducción. S1 y S2’ cierran el circuito A’
para V1 y V2 como se ve en la figura 4.13.

+
VA’B’ será igual a la tensión de línea V1 - V2 esto es
V1 VA’B’
VA’B’ = V1 – V2
-
TRAMO-2: 2π/3 - 11π/12. Al llegar a 2π/3 la tensión

S2' B’
V2
negativa V2 que mantenía conduciendo a S2’ se hace cero,
en este momento S2’ se corta y la trayectoria de retorno
para S1 se transfiere a S3’ que ya estaba conduciendo. S1 y FIGURA 4.13
S3’ cierran el circuito para V1

+ VA’ -
S1 y V3 como se ve en la figura
A’
4.14
+ Z Como no hay corriente por B’
V1 VA’B’ VA’B’ será igual a VA’ y VA’ por
- división de tensión será:
B’
V3
TRAMO-3: 11π/12 – π. S2 será

C’ disparado 2π/3 después que
S3' fuera disparado S1 y ello
ocurrió en π/4, por lo tanto S2
FIGURA 4.14 será disparado a π/4 + 2π/3 =
11π/12. En este momento se
inicia la conducción simultánea de S1 y S2.
Separata
VA’B’ será simplemente la tensión de línea V1 – V2 esto es VA’B’ = V1 – V2.
TRAMO-4: π - 5π/4. Al llegar a π, si se corta quedando en conducción S2 y S3’. S2 y S3’ cierran

A’
el circuito para V2 y V3 como
se ve en la figura 4.15.
+ Como no circula corriente por
VA’B’ A’, VA’B’ será igual a la tensión
- + VB’ -
S2 de B’ pero negativo, esto es
B’
V3 V2
C’ TRAMO-5-6-7-8: 5π/4 - más. A

partir de 5π/4 se repite todos
S3'
los cuatro primeros tramos
pero con polaridad invertida y
FIGURA 4.15
con los SCR’s equivalentes
para dicha polaridad.
En conclusión la tensión de línea VA’B’ está formada por 8 tramos y en cada tramo su valor es
diferente. La figura 4.16 muestra los 4 primeros tramos.
b) TENSION DE FASE EN LA CARGA (VA’)

Esta tensión también presenta discontinuidades cada vez que un SCR se corta o es disparado
así:
TRAMO-1: π/4 – π/3. Las tres fases están conectadas, por lo tanto VA’ = V1
TRAMO-2: π/3 - 7π/12. La fase C esta desconectada así:
TRAMO-3: 7π/12 - 2π/3. Las tres fases están conectadas, por lo tanto VA’ = V1
TRAMO-4: 2π/3 - 11π/12. La fase B esta desconectada, así
TRAMO-5: 11π/12 – π. Nuevamente las tres fases están conectados:

VA’ = V1
TRAMO-6: π - 5π/4. Ni S1 ni S1’ conducen por lo tanto VA’ = 0
TRAMO-7-8-9-10-11-12: 5π/4 – Más. A partir de 5π/4 se repiten todos los seis primeros tramos
pero con polaridad invertida y con los SCR’s equivalentes para dicha polaridad.
En conclusión la tensión de fase VA’ está formado por 12 tramos y en cada tramo un valor es
diferente. La figura 4.16 muestra los 6 primeros tramos.
Con referencia a la figura 4.16 si se desea arrancar el circuito para ωt = 0 se notará que tanto
S3 como S2’ deberán dispararse al mismo tiempo, así se logrará la trayectoria de retorno para
la corriente, en π/4 se deberá disparar S1, en 7π/12 se deberá disparar S3’ y así
sucesivamente.
Separata
V1-V2 V2-V3
1.73 V3-V1
VA’B’
V1V 2 V1  V 3 V2 V3
1.00
2 2
0.86 VA’
0.7 V1
0.5
II IV
I
III
11
 2 12 π 5 ωt
4 3 4
0.5
0.7
V 2 V 3
0.86 
2
1.00
1.73
0 π/4 7π/12 11π/12 15π/12 19π/12 23π/12
▲ ▲ ▲ ▲ ▲ ▲
S1 S1'
S2' S2
S3 S3' S3
0 π/4 π/3 π/2 π 2π
VA’B’
VA’
FIGURA 4.16
Dentro del intervalo π/4 y π/3 se tendrá conducción por S1, S2’ y S3, esto es las tres fases
están conectados a la carga.
La figura 4.17 muestra diferentes formas de onda para VA’ en función del ángulo de disparo α.
Esta figura no ha sido hecha a escala donde VA’ = 0 para α = 5π/6
Separata
VA’ VA’ VA’
VA’ VA’
ωt ωt ωt ωt ωt
a0 a  π/6 a  π/3 a  π/2 a  2π/3

a) b) c) d) e)
FIGURA 4.17
Deberá notarse que la figura 4.16 corresponde a un caso intermedio entre b) y c) de la figura
4.17.
5. CONTROL DE POTENCIA DC
Consiste en variar la potencia DC en la carga a partir de una fuente de energía DC o generar
potencia AC en la carga a partir de una fuente DC. Los dispositivos que realizan la primera de
las funciones mencionadas se denominan TROCEADORES y los que realizan la segunda se
denominan INVERSORES.
5.1 Troceadores
Permiten alimentar una carga con tensión DC variable a partir de una red de tensión DC desde
cero hasta un máximo que puede ser la tensión de alimentación. Son generalmente
interruptores colocados entre la fuente DC y la carga con tiempos de cierre y apertura
variables. Si tc es el tiempo de cierre y tA es el tiempo de apertura, la tensión DC en la carga
será:
5.1 SCR SCR
Donde v es la tensión de entrada.

SW SW
Generalmente los interruptores son C
E
SCR’s disparados cada cierto tiempo
y cortados luego con circuitos
a) b)
auxiliares de bloqueo.
La figura 5.1 muestra los esquemas SCR SCR
más simples de los circuitos
SW
auxiliares de bloqueo utilizando una SW C
L
fuente adicional para cortar el SCR L
C d)
en a); un condensador que aplique
una tensión negativa en el SCR en
c) SCR
b), una inductancia que recibe la
energía de un condensador y con su
C SW
propia corriente bloquea el SCR en
L
c), un circuito oscilante LC que
e)
apaga el SCR en el primer medio
ciclo de corriente en d) y un circuito FIGURA 5.1
oscilante LC que apaga el SCR en el segundo medio ciclo de corriente en e).
Sin embargo se puede ver que es muy difícil sincronizar el interruptor SW para que se conecte
el circuito auxiliar de bloqueo al SCR manualmente o por medios mecánicos. En lugar de ello se
Separata
utiliza elementos de estado sólido; generalmente un segundo SCR que al dispararse se encarga
de conectar el circuito auxiliar de bloqueo.
Si reemplazamos por SCR’s el interruptor SW en los circuitos b), c) y d) o e) de la figura 5.1 se
tendrá circuitos similares a
los mostrados en la figura
SCR1
5.2. Cada SCR es disparado SCR1
luego de transcurrido un
C
cierto tiempo del disparo SCR2
D
SCR2
del SCR principal que está
L
representado por SCR1.
a) C
b)
SCR1
D SCR1
SCR2
C
SCR2
L
c) C
d)
FIGURA 5.2
TROCEADOR CON BLOQUEO LC

La figura 5.3 muestra un troceador simple bloqueado con un segundo SCR y un circuito LC
auxiliar SCR1 constituye el SCR principal, disparado en t = t0 el SCR auxiliar es disparado en t =
t1 (SCR2).
Para iniciar la operación del circuito deberá
SCR1 dispararse primero SCR2 para que Co se pueda
cargar con la polaridad mostrada, recién
Co R entonces se procederá a disparar SCR1.
SCR2
El tiempo transcurrido entre t = t0 y t = t1 no
E DF
deberá ser muy grande ya que Co puede
Do L
descargarse a través de SCR2 y la corriente
Lo
inversa de saturación de DF.
FIGURA 5.3
a) INICIO DE OPERACIÓN
Al dispararse SCR2 circulará una corriente por la trayectoria E-Co-SCR2-R-L-E y Co se cargará
hasta alcanzar un valor ECo = E en este instante la corriente por SCR2 se habrá reducido a un
valor por debajo de la corriente de retención y SCR2 se cortará.
Separata
b) OPERACIÓN
Si asumimos que L = 0 no habrá necesidad de DF en el circuito, en cambio con L > 0 DF servirá
como trayectoria para descargar la corriente almacenada en L cuando ya se haya
desconectado E de la carga.
1. Disparo del SCR1 en t = t0 se aplica un pulso iG1 de corriente a SCR1 y este SCR pasa a
conducir la corriente por la carga seguirá la trayectoria E-SCR1-R-L. Esta trayectoria es la
TRAYECTORIA PRINCIPAL, además de esta trayectoria existirá una segunda trayectoria de
corriente por la cual la carga de Co generará una corriente oscilante por Co-SCR1-Lo-Do-
Co. Debido a Do la corriente oscilante se interrumpirá al terminar el primer semiciclo
positivo (t = tc) ya que no permite corrientes negativas, en este momento la tensión en Co
se habrá hecho igual a –E.
La figura 5.4 muestra un circuito oscilante simplificado. A partir de esto se tiene:
Ó
io
5.2
vCo Co ECo
Donde
Lo
5.3
La expresión (5.2) se puede hacer de la forma vLo
5.4 FIGURA 5.4
Y la solución a dicha ecuación se puede poner de la forma:

qo = Aept5.5
A partir de (5.5) se tiene
Reemplazando estas dos expresiones en (5.4) se tendrá

5.6
ya que qo no es cero, la solución de (5.6) es de la forma:

5.7
Reemplazando (5.7) en (5.5) se tiene
5.8
Si utilizamos las expresiones
ejx = Cosx + jSenx
e-jx = Cosx – jSenx
La expresión (5.8) podrá ser puesta de la forma
5.9
Donde
B1 = A1 + A2 B2 = j(A1 – A2)
La expresión de la corriente se obtiene derivando (5.9)
Separata
5.10
Por condiciones iniciales para t = 0 io = 0qo = -ECoCo, con esto reemplazando en (5.9) y
(5.10) se tiene
de donde
B1 = -ECo Co B2 = 0 por tanto

5.11
5.12
La expresión de vCo se obtiene de Coqo a partir de (5.11)

5.13
De la expresión (5.12) se tiene que io será cero cuando se tenga t = tc
De donde
5.14
Para t = tc la expresión (5.13) se convierte en:
; esto indica que la tensión entre los terminales de Co ha quedado con
la polaridad invertida. La figura 5.6 muestra las formas de onda en detalle.
2. Disparo de SCR2 en t = t1 se aplica un pulso iG2 de corriente a SCR2 y este SCR pasa a
conducir. La tensión en Co queda aplicándose instantáneamente a los terminales de SCR1
polarizándolo inversamente con lo cual el SCR principal se corta.
Co recuperará su carga inicial por la trayectoria E-Co-SCR2-R-L-E hasta alcanzar un valor
ECo = E pasando por cero en t = t2. El tiempo transcurrido desde t = t1 hasta t = t2 se
denomina t0.
Si se asume L suficientemente grande, la corriente en la carga será prácticamente
constante igual a un valor IL y el cambio de polaridad de Co se hará en forma lineal a partir
del valor que tenía en t = t1
La figura 5.5 muestra el circuito de carga simplificado para Co de esto:
5.15
De esta expresión para t = t2 vCo = 0, esto es:

5.16
De la misma expresión (5.15) para t = t3 vCo = E
De donde
5.17
Separata
3. Conducción de DF cuando vCo en la figura 5.5 alcance el valor de E en t = t3, SCR2 se

cortará y DF servirá como trayectoria de descarga para la corriente almacenada en L por
L-DF-R-L.
De la figura 5.6 se podrá ver que pata t0 ≤ t ≤ tC la
corriente en la carga será la suma de io + la
R
vCo Co ECo corriente principal por E-R-L, corriente que pone
IL
L/R suficientemente grande se asume constante. A
E
L partir de t = tC la contribución de corriente por io
desaparece y la corriente se hace constante.
FIGURA 5.5
iG1
vSCR1
SCR1
ωt io
iG2 vCo Co R
SCR2
vRL
ωt E
DF
Do L
io Lo
t0 tc t1 t2 t3 ωt FIGURA 5.6
ωt
-E
E
vSCR1 to
ωt
-E
2E
vRL
E
SCR1 ON DF ON ωt
SCR2
ON
Separata
Generalmente los troceadores operan con frecuencias bajas, determinados en base a las
dimensiones de los elementos que intervienen. A frecuencias muy altas las pérdidas se
incrementan y además se afecta el corte de los SCR’s. Si se considera T = periodo de operación
TON = periodo de conducción del SCR principal y TOFF = periodo de bloqueo del SCR principal se
tendría tres modos de operación.
1. T = CONSTANTE TON = VARIABLE
2. T = VARIABLE TON = CONSTANTE
3. TON = VARIABLE TOFF = VARIABLE
La figura 5.7 muestra la vR
explicación de los tiempos T
SW
tomados para los tres modos de E
E R vR
operación.
TON TOFF TON
FIGURA 5.7
L
SW vL El uso de filtros suavizadores de corrientes y

diodos limitadores para mantener la
E
R
conducción continua en la carga. La figura 5.8
vR
DF
muestra el efecto de los filtros sobre el
circuito básico.
E
vL
vR
?t
iL
?t
TON TOFF
FIGURA 5.8
5.2 Inversores
Convierten tensiones DC en tensiones AC. Utilizan SCR’s como dispositivos de conmutación
disparados por periodos. Las tensiones de salida son sinusoidales o cuadradas. La figura 5.9
muestra los principales inversores.
Separata
El inversor a) corresponde a una configuración básica de conexión en paralelo entre la carga R
y el condensador de conmutación C.
El inversor b)
corresponde a una
SCR1
configuración básica de L C/2
conexión en serie entre la
L R
carga R y el condensador
E E
de conmutación C SCR1
L CARGA
utilizando un SCR auxiliar.

El inversor c) es un SCR2
C/2
C R
inversor senoidal con
CARGA
inductor con toma
a) c)
central con dos SCR’s.
CARGA
El inversor d) es un
inversor paralelo con L R
salida aproximadamente
cuadrada y con
SCR1
transformador de E
acoplamiento para la C
CARGA R
carga R.
SCR2 SCR1 SCR2
C E
INVERSOR SERIE
La figura 5.10 muestra un d)
inversor serie con un solo b)
FIGURA 5.9
SCR, al aplicar un pulso
de corriente iG1 al SCR1, C se carga a través de L generando una corriente oscilante.
Cuando al finalizar el semiperiodo positivo de la corriente se produzca un cambio en la
polaridad, SCR1 se cortará y C quedará conectado en paralelo con la carga R y se descargará
hasta que se vuelva a aplicar un pulso de corriente a SCR1.
io A) CARGA DE C
Si asumimos que en t = t0 se aplica el pulso de corriente a SCR1 a
L partir de este punto Vo aumentará hasta alcanzar su valor
máximo.
E La figura 5.11 muestra un circuito equivalente de la carga de C a
SCR1
partir de este circuito se puede escribir la ecuación de tensiones.
5.18
vo C R A partir de C y R se puede escribir la igualdad
de donde
FIGURA 5.10 ò de donde
5.19
Reemplazando (5.19) en (5.18) se tendrá
Separata
5.20
La ecuación (5.20) es una ecuación diferencial de
L segundo orden cuya solución tiene dos componentes:
iC iR una componente transitoria representada por iT y una
componente estacionaria representada por iS. La suma
E R
C de las dos componentes dará la solución completa.
a) Componente transitoria
Es la solución de la ecuación
FIGURA 5.11 5.21
La solución de (5.21) puede ser formada con los elementos que se obtengan de resolver la
ecuación característica.
LRC P2 + L P + R = 0 cuyas soluciones están dadas por la expresión
5.22
Para que se presente comportamiento oscilante, P1 y P2 deberán contener términos

imaginarios y para que esto ocurra se debe cumplir la condición:
ó en otra forma
5.23
La expresión (5.22) se puede poner de la forma
P1 P2 = -α ± jβ 5.24
Donde se tiene
5.25
Por todo esto: iT = K1·eP1t + K2·eP2t = K1e-αt·ejβt + K2e-αt·e-jβt de donde

iT = e-αt(K1ejβt + K2e-jβt) 5.26
Utilizando las expresiones:
ejx = Cos x + jSen x
e-jx = Cos x – jSen x
La expresión (5.26) podrá ser puesta de la forma:
iT = e-αt [(K1 + K2)Cosβt + j(K1 – K2)Senβt] 5.27
b) Componente Estacionaria
Es la solución de la ecuación
E = R·iS de donde
iS = E/R 5.28
La expresión completa de la corriente iR será la suma de (5.28) y (5.27)
iR = E/R + e-αt [(K1 + K2)Cosβt + j(K1 – K2)Senβt] 5.29
Si reemplazamos: K1 + K2 = K10 y j(K1 – K2) = K20 se tendrá
iR = E/R + e-αt [K10·Cosβt + jK20·Senβt] 5.30
Separata
Por condiciones iniciales para t = t0 = 0 la corriente iR será cero; lo mismo que
con esto
De donde
K10 = - E/R 5.31
De donde
5.32
Reemplazando (5.31) y (5.32) en (5.30) se tendrá

5.33
La figura 5.12 muestra la relación grafica entre α y β de donde
ß
Reemplazando en (5.33) se tendrá
De donde se tiene
5.34 FIGURA 5.12
La figura 5.13 muestra las formas de onda de la corriente por SCR1 y la tensión en R, Vo
aumenta hasta alcanzar su valor máximo VoM en t = tM y luego comienza a decrecer.io aumenta
desde cero hasta un valor máximo y luego disminuye hasta llegar a cero en t = t1 en este
momento se corta SCR1 y a partir de t = t1 Vo decrece exponencialmente con una constante de
tiempo RC hasta que nuevamente se aplique un pulso de corriente iG1.
Para calcular VoM hacemos o lo que es igual a partir de (5.34)
0 = -αe-αtMSen(βtM + ψ) + βe-αtMCos(βtM + ψ) de donde

de donde se tendrá
5.35
Para que se cumpla (5.35) se debe cumplir βtM = π de donde
5.36
Reemplazando tM en la expresión RiR se tendrá
5.37
Separata
La expresión de iC se calcula a partir de , de lo cual se obtiene
5.38
La expresión completa de io será:
5.39
Haciendo io = 0 se tendrá el valor de t1 de resolver la expresión (5.39).

Otras configuraciones de inversores se pueden analizar
iG1
siguiendo los mismos pasos, tal es el caso del circuito
?t b) de la figura 5.9.
El inversor de la figura 5.9 d) genera una onda de salida
io
bastante cuadrada a partir de E. al aplicar un pulso de
corriente al SCR1 la corriente de la fuente E pasa por la
mitad izquierda del transformador de salida. Por la
?t acción del transformador la tensión de ánodo en SCR2
VoM
llega a un valor instantáneo de -2E el cual corta al SCR2
vo y carga C, cuando el siguiente pulso dispare SCR2, un
RC pulso similar de -2E aparecerá en el ánodo de SCR1
polarizándolo inversamente. El condensador C y la
inductancia del transformador mantienen la
t = t0 tM t1 ?t polarización inversa el tiempo suficiente para que los
SCR puedan llegar a cortarse.
FIGURA 5.13

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Electrónica de Potencia Dr.

Abel Argumé Sotomayor

1.1 Rectificador Trifásico de Media onda

El rectificador se puede considerar como la combinación de tres circuitos rectificadores

IRMS = Corriente RMS en

ERMS = Tensión RMS en la

La corriente de ánodo de D1 se puede representar como:

La corriente DC en la carga será 3 veces la corriente en un diodo.

La tensión en la carga será:

TENSIÓN RMS EN LA CARGA

La corriente RMS (IRMS) en D1 será:

La corriente2 RMS en la carga será 3 veces la corriente2 en un diodo

La tensión RMS en la carga será:

Si la tensión de rizado es:

El factor de rizado (%r) se define como

Reemplazando las expresiones (1.4) y (1.7) se tiene

VOLTAJE INVERSO DE PICO

Esta expresión es máxima cuando ; en este momento se tiene reemplazando

Por lo tanto: PIV = -1.732 EM 1.12

FACTOR DE UTILIZACIÓN DEL SECUNDARIO

La potencia de salida será igual a

Los volt-amperios por devanado serán igual a

;según esto los volt-amperios por devanado serán

como se tiene 3 devanados los volt-amperios de los devanados serán:

Reemplazando en (1.13) se tiene

Es posible extender el análisis de la

La corriente DC de ánodo por diodo será

La corriente DC en la carga será m veces la corriente en un diodo.

La tensión en la carga será

relación de la figura 1.4

TENSION RMS EN LA CARGA

La corriente RMS por diodo será

La corriente RMS en la carga será veces la corriente RMS del diodo

La tensión RMS en la carga será

De esta expresión se puede preparar la relación de la figura 1.5

FACTOR DE UTILIZACION DEL SECUNDARIO

Reemplazando en la expresión (1.13) la potencia de salida los volt-amperios de los devanados

La potencia de salida será

Los volt-amperios por devanado serán igual a esto es:

Los volt-amperios de los devanados serán: 1.24

Reemplazando en (1.13) se tiene:

De esta expresión se puede preparar la relación de la figura 1.6

1.3 RECTIFICADOR TRIFASICO DE ONDA COMPLETA

El rectificador se puede considerar como la combinación de tres circuitos rectificadores de

La corriente de ánodo para el par de

donde se ha hecho un desplazamiento de io

La corriente DC en la carga será 3 veces la corriente en un diodo

La tensión DC en la carga será

TENSION RMS EN LA CARGA

La corriente RMS en D1 será veces la corriente RMS por el par D1-D4.

de donde se tiene que la corriente2 RMS en la carga será 3 veces la corriente2IRMS en un

La tensión RMS en la carga será

Siguiendo un cálculo análogo al caso de media onda se tiene

1.4 EFECTO DE LAS INDUCTANCIAS EN LOS RECTIFICADORES

Un análisis más detallado de este caso se deja para reuniones posteriores.

Es un dispositivo semiconductor de tres terminales cuyo nombre proviene de las palabras

Las características v-i del SCR se muestran en la figura 2.2.

Para entender funcionamiento del SCR se puede analizar el comportamiento de un dispositivo

polarización directa e inversa entre J3 P J3