Universidad Tecnológica Nacional – Facultad Regional Paraná

Trabajo Práctico N° 11
Asignatura: Dispositivos Electrónicos.
Tema: El transistor bipolar.
Docente: Ing. Britos, Claudio.
Alumnos:
 Degregorio, Facundo ([email protected]).
 Fontana, David ([email protected]).
 Politi Livoni, Jerónimo ([email protected]).
 Treboux, Franco ([email protected]).
Comisión: martes, 19:00 hs a 20:30 hs.
Fecha de entrega: martes, 13 de agosto de 2019.
Visado: martes, 13/08/2019 10:00

Carátula
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Índice
Trabajo Práctico N° 11 ...................................................................................................... 1
El transistor bipolar .......................................................................................................... 3
Introducción ................................................................................................................. 3
Construcción ................................................................................................................. 3
Funcionamiento y aplicaciones. ................................................................................... 5
Práctica de laboratorio ..................................................................................................... 6
Información adicional ....................................................................................................... 9
Determinación de terminales con multímetro............................................................. 9
Factor Beta (β) del transistor ...................................................................................... 10
Datasheet BC547~BC548B .............................................................................................. 12

Índice
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El transistor bipolar
Introducción
Los transistores son dispositivos activos de tres terminales hechos de diferentes
materiales semiconductores que pueden actuar como un circuito abierto o cerrado
mediante la aplicación de una pequeña señal en su terminal de base. La capacidad del
transistor para cambiar entre estos dos estados le permite tener dos funciones básicas:
"conmutación" (electrónica digital) o "amplificación" (electrónica analógica).

Más específicamente, Los transistores bipolares son dispositivos de regulación

de corriente que controlan la cantidad de corriente que fluye a través de ellos desde el
emisor al colector en proporción a la cantidad de voltaje de polarización aplicado a su
terminal base, actuando así, como un interruptor controlado por corriente.

El término bipolar refleja el hecho de que huecos y electrones participan en el

proceso de inyección hacia el material opuestamente polarizado.

Fue en la tarde del 23 de diciembre de 1947 en que Walter H. Brattain y John

Bardeen demostraron la acción amplificadora del primer transistor en los laboratorios
Bell. Las ventajas de este dispositivo de estado sólido de tres terminales sobre el tubo
de vacío fueron obvias de inmediato. Era más pequeño y más liviano; no tenía que
calentarse ni perdía calor; su construcción era robusta; era más eficiente, puesto que
el dispositivo consumía menos potencia; estaba disponible al instante para su uso, ya
que no requería un periodo de calentamiento, y se podían obtener voltajes de
operación más bajos.

Construcción
La construcción básica del transistor bipolar consiste en dos uniones PN que
producen tres terminales de conexión y cada terminal recibe un nombre para
identificarlo de los otros dos. Estos tres terminales se conocen y etiquetan como
Emisor (E), Base (B) y Colector (C).

Según el transistor sea NPN o PNP, este consta de dos capas de material tipo N
y una de material tipo P o de dos capas de material tipo P y una de material tipo N,
respectivamente.

El emisor ha de ser una región muy dopada. Cuanto más dopaje tenga el
emisor, mayor cantidad de portadores podrá aportar a la corriente.

La base ha de ser muy estrecha y poco dopada, para que tenga lugar poca
recombinación en la misma, y prácticamente toda la corriente que proviene de emisor
pase a colector.

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El colector ha de ser una zona menos dopada que el emisor. Las características
de esta región tienen que ver con la recombinación de los portadores que provienen
del emisor.

Más específicamente, si la base es estrecha y está poco dopada, es

relativamente probable que un electrón la atraviese sin encontrarse con un hueco.
Típicamente, los BJT se construyen para que se recombine el 1% de los electrones. En
este caso se obtiene una ganancia de corriente de 100, es decir, la corriente de base es
100 veces inferior a la del colector. Como la corriente de emisor es la suma de estas
dos, es obvio que su valor es cercano al de la corriente de colector, con lo que en la
práctica se consideran iguales.

Figura 1 - Distribución de corrientes en un BJT NPN.

Como se dijo, los grosores de las capas externas son mucho mayores que las del
material tipo P o N de la base. Para los transistores mostrados en la siguiente figura, la
relación entre el grosor total y el de la capa central es de 0.150/0.001 = 150:1. El
dopado de la capa encerrada también es considerablemente menor que el de las capas
externas (por lo común de 10:1 o menor). Este menor nivel de dopado reduce la

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conductividad (incrementa la resistencia) de este material al limitar el número de

portadores “libres”.

Figura 2 - Izquierda: PNP; derecha: NPN.

Funcionamiento y aplicaciones.
En cuanto al funcionamiento, entre los terminales de colector (C) y emisor (E)
se aplica la potencia a regular, y en el terminal de base (B) se aplica la señal de control
gracias a la que se controla la potencia. Con pequeñas variaciones de corriente a través
del terminal de base, se consiguen grandes variaciones a través de los terminales de
colector y emisor. Si se coloca una resistencia se puede convertir esta variación de
corriente en variaciones de tensión según sea necesario.

Respecto a la analogía entre el transistor y dos diodos, como se muestra en la

siguiente figura, no es posible construir un transistor de esta forma debido a que no se
estarían cumpliendo las características constructivas descritas anteriormente en
cuanto a dopaje y espesor de las capas. De hecho, en tal caso, la base tendría el doble
de espesor que las capas externas.

Figura 3 - Modelo de analogía con dos diodos.

Los transistores tienen multitud de aplicaciones, entre las que se encuentran:

 Amplificación de todo tipo (radio, televisión, instrumentación).

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 Generación de señal (osciladores, generadores de ondas, emisión de

radiofrecuencia).
 Conmutación, actuando de interruptores (control de relés, fuentes de
alimentación conmutadas, control de lámparas, modulación por
anchura de impulsos PWM).
 Detección de radiación luminosa (fototransistores).

Práctica de laboratorio
Para el siguiente circuito variamos la corriente desde 5 [μA] hasta 25[μA] en
pasos de 10[μA]. Para cada valor de corriente de Base, variamos la tensión de colector
en pasos de 500[mv], desde 0 hasta 20[v].

Los resultados obtenidos fueron:

Ib = 5µA Ib = 15µA Ib = 25µA

Icolector Ventrada Vc-e Icolector Ventrada Vc-e Icolector Ventrada Vc-e
[mA] [V] [V] [mA] [V] [V] [mA] [V] [V]
0 0 0 0 0 0 0 0 0
0,38 0,5 0,132 0,4 0,5 0,107 0,41 0,5 0,095
0,79 1 0,209 0,83 1 0,178 0,86 1 0,17
1,23 1,5 0,18 1,3 1,5 0,25 1,3 1,5 0,23
1,75 2 0,24 1,83 2 0,16 1,76 2 0,29
1,93 2,5 0,55 2,29 2,5 0,18 2,18 2,5 0,16
1,94 3 1,04 2,76 3 0,21 2,78 3 0,18
1,96 3,5 1,52 3,23 3,5 0,23 3,27 3,5 0,21
1,97 4 2,02 3,7 4 0,26 3,73 4 0,23
1,97 4,5 2,55 4,17 4,5 0,28 4,2 4,5 0,25
1,99 5 3 4,63 5 0,32 4,67 5 0,27
2 5,5 3,54 5,09 5,5 0,36 5,16 5,5 0,29
2 6 4 5,42 6 0,57 5,64 6 0,31
2,01 6,5 4,48 5,48 6,5 0,95 6,1 6,5 0,33
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2,02 7 4,95 5,52 7 1,44 6,58 7 0,36

2,03 7,5 5,4 5,56 7,5 1,86 7,14 7,5 0,39
2,03 8 6 5,61 8 2,38 7,54 8 0,42
2,05 8,5 6,9 5,67 8,5 2,87 8,02 8,5 0,45
2,06 9 7,5 5,69 9 3,36 8,44 9 0,52
2,07 9,5 7,8 5,74 9,5 3,76 8,79 9,5 0,65
2,08 10 8,4 5,78 10 4,34 8,92 10 1,02
2,09 10,5 8,9 5,82 10,5 4,62 9 10,5 1,41
2,09 11 9 5,86 11 5,08 9,09 11 1,9
2,1 11,5 9,4 5,9 11,5 5,55 9,19 11,5 2,2
2,11 12 9,9 5,94 12 6 9,27 12 2,6
2,11 12,5 10,3 5,98 12,5 6,39 9,33 12,5 3,1
2,12 13 10,9 6,02 13 6,96 9,45 13 3,5
2,13 13,5 11,37 6,05 13,5 7,39 9,52 13,5 3,9
2,14 14 12 6,09 14 7,95 9,62 14 4,4
2,15 14,5 12,4 6,14 14,5 8,35 9,75 14,5 4,79
2,16 15 12,9 6,17 15 8,8 9,8 15 5,15
2,17 15,5 13,3 6,19 15,5 9,2 9,87 15,5 5,55
2,18 16 13,82 6,27 16 9,72 9,97 16 5,9
2,18 16,5 14,3 6,32 16,5 10,12 10,05 16,5 6,4
2,19 17 14,8 6,37 17 10,65 10,13 17 6,8
2,19 17,5 15,35 6,41 17,5 11,03 10,23 17,5 7,25
2,2 18 15,75 6,43 18 11,1 10,33 18 7,73
2,21 18,5 16,25 6,47 18,5 11,54 10,48 18,5 7,84
2,22 19 16,8 6,54 19 12,5 10,54 19 8,45
2,23 19,5 17,2 6,6 19,5 13,02 10,62 19,5 8,81
2,23 20 17,8 6,64 20 13,3 10,7 20 9,3

La gráfica de curvas de salida obtenida con estos datos es la siguiente:

Curvas de salida BC548

12

10

8
Ic [mA]

6 Ib = 5µA
Ib = 15µA
4
Ib = 25µA

0
0 5 10 15 20
Vce [V]

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Por otro lado, en el siguiente gráfico indicamos las zonas de corte (en realidad
puede esta estar más cercana al eje de abscisas, pero se ubicó desde la corriente de
base más pequeña para más claridad), activa y de saturación para la gráfica anterior:

En la zona activa la corriente de colector está limitada por la corriente de base.

En la zona de corte no circula corriente. En la zona de saturación, la corriente está
limitada por la resistencia RC, que en nuestro caso era de 1kΩ.

Si en lugar de un transistor NPN como el BC548 utilizaríamos un PNP, habría

que modificar el circuito utilizado, ya sea “invirtiendo” las fuentes V1 y VC o “girando”
el transistor intercambiando la posición de colector y emisor, e “invirtiendo” al mismo
tiempo la fuente V1 de la base.

En el siguiente circuito se observa cómo quedaría el circuito con la primera

modificación:

RC

VC
PNP

RB

V1

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Vemos que ahora los terminales negativos de V1 y VC apuntan a la base y al

colector respectivamente.

Información adicional
Determinación de terminales con multímetro
Para realizar esto utilizamos el multímetro en la opción de medición de
junturas, entendiendo al transistor con su analogía de dos diodos.

Si el transistor está en buen estado sólo deberemos tener lectura entre el

terminal de base y colector, y terminal de base y emisor; nunca entre colector y
emisor.

En el caso de transistores NPN, tendremos que en un terminal donde

pongamos la punta positiva tendrá medición con otros dos, identificando así la base.
Para los PNP ocurrirá lo mismo, pero siendo esta vez la punta negativa.

Luego para identificar cuál es el colector y cuál es el emisor, debemos tener en

cuenta que la juntura Base – Emisor siempre nos dará una medición mayor que la
juntura Base – Colector. Esta diferencia puede llegar a ser muy notable en algunos
transistores.

En las siguientes imágenes podemos ver más detalladamente el procedimiento.

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Factor Beta (β) del transistor

 ¿Es la ganancia β del transistor una constante en todos los transistores que
tienen una misma denominación? ¿Es independiente de la temperatura, el
voltaje y de la corriente?
Para un lote de transistores de igual nomenclatura es muy probable que el
valor del factor β varíe entre ellos debido que para que sean igual las
características constructivas deberían ser exactamente iguales, lo que es difícil
de conseguir. Es por esto que los fabricantes incluyen valores mínimos, típicos y
máximos de este factor y para ciertas condiciones operativas.
Por otro lado, es un factor que se ve afectado por la temperatura y por la
corriente de colector. El fabricante también suele incluir curvas que describan
el comportamiento del β (ó hFE) para tomar valores más adecuados a nuestros
circuitos. Una forma de solucionar las variaciones de este factor es incluyendo
una resistencia en el emisor. La presencia de esta resistencia proporciona una
realimentación negativa que estabiliza el circuito contra los cambios de
temperatura, tensión de alimentación, etc; pero también disminuye la ganancia
de voltaje.
 Obtenga el valor de relación Ic/Ib para la práctica desarrollada:
Utilizaremos las corrientes de colector promedio de la zona activa para cada
corriente de base. Tenemos entonces:
 Para Ib = 5µA: β = 2,09[mA]/0,005[mA] = 418

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 Para Ib = 15µA: β = 5,94[mA]/0,015[mA] = 396

 Para Ib = 25µA: β = 9,75[mA]/0,025[mA] = 390
En las siguientes páginas incluimos el datasheet para el transistor utilizado.
Vemos que para este caso el β o hFE varía entre 90 y 800 según condiciones operativas
y transistor utilizado. Más específicamente para el BC548B que utilizamos nosotros, los
valores típicos rondan entre 200 y 450, lo que coincide con los cálculos realizados.

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Datasheet BC547~BC548B

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