PROGRAMA DE INGENIERÍA MECATRÓNICA
UNIVERSIDAD AUTONOMA DE BUCARAMANGA - UNAB
CURVA CARACTERÍSTICA DEL TRANSISTOR BIPOLAR
Un cordial saludo. Bienvenido al laboratorio 5 de Electrónica Análoga. El objetivo de este laboratorio es
verificar el comportamiento del transistor bipolar NPN, tanto en su región activa como saturada.
Nombres de los integrantes del grupo:
JUAN PABLO TORRES CONTRERAS U00121921 Firma del Docente REVISADO.
Nota: El docente firmará al frente del nombre si el estudiante se presenta a la práctica.
MATERIAL NECESARIO
Transistor NPN 2N2222A
Resistencias de 1KΩ, 10KΩ de 1 o 1/2 Watt
Dos pares de cables para fuente DC.
Equipo: Multímetro digital, fuentes de alimentación
TRABAJO PREVIO
Investigar que significa cada uno de los siguientes parámetros de la hoja técnica de un transistor
NPN: máxima corriente de colector (ICMAX), factor de amplificación o ganancia (HFE o Beta),
máximo voltaje colector emisor (VCEMAX), máximo voltaje base emisor (VBEMAX) y máxima
potencia de disipación (PD)
Máxima corriente de colector (ICMAX):es la máxima corriente admisible de colector (ICM) o de
drenador (IDM). Con este valor se determina la máxima disipación de potencia del dispositivo.
Factor de amplificación o ganancia (HFE o Beta): Se conoce como Beta o HFE y es la
ganancia de corriente que se obtiene en el Colector al aplicar una corriente determinada en la
base. Es decir que si tengo un Beta = 100 significa que en el terminar de colector voy a tener una
corriente 100 veces mayor a la corriente de base, Beta = IC / IB
Máximo voltaje colector emisor (VCEMAX): Es la máxima tensión aplicable entre los
terminales colector y emisor.
Máximo voltaje base emisor (VBEMAX): Es la máxima tensión aplicable entre los terminales
base y emisor.
Máxima potencia de disipación (PD): El fabricante proporciona como dato la potencia de
disipación máxima de un transistor. Se representa la hipérbola de potencia máxima de un
transistor. Es preciso que el punto del trabajo Q esté por debajo de esa curva ya que sino el
transistor se dañaría por efecto Joule.
Firma del Docente – Trabajo Previo Realizado: REVISADO.
TRABAJO EN CLASE.
1. Para el transistor NPN (2N2222A), identifique sus terminales (emisor, base, colector) y con la
utilización del multímetro realice la prueba del estado de este.
Ilustración 1TransistorNPN
Firma de docente – Terminales Identificadas: REVISADO.
2. Busque el datasheet del transistor NPN (2N2222A) y en la siguiente tabla anote el valor
correspondiente a cada parámetro proporcionado en la hoja de especificaciones del fabricante.
Máxima corriente de colector (ICMAX) 800mA
Factor de amplificación o ganancia (HFE o Beta) 100-300
Máximo voltaje colector emisor (VCEMAX) 40 V
Máximo voltaje base emisor (VBEMAX) 6V
Máxima potencia de disipación (PD) 500mW
Firma del Docente – Datos diligenciados en la Tabla: REVISADO
3. Implemente el circuito de la figura 1 para RB=10KΩ, RC=1KΩ
Figura 1
Fije la fuente VC en 10 voltios y ajuste la tensión de la fuente V B para obtener los valores de corriente de
base (IB microamperios) en los rangos que se indican en la siguiente tabla.
Tabla 1. Característica voltaje VBE – corriente IB
IB (μA) 10 μA 20 μA 30 μA 40 μA 50 μA 60 μA 70 μA 80 μA 90 μA 100 μA
VBE (Voltios) 0.65 0.67 0.68 0.68 0.69 0.69 0.69 0.69 0.69 0.69
SIMULACIÓN PROTEUS
Ilustración 2Simulación 1
Ilustración 3Simulación 1
Firma del Docente – Montaje correcto y tabla correctamente diligenciada: REVISADO.
4. Para el circuito de la figura 1, con RB=10KΩ, RC=1KΩ haga V B=0 para que IB=0. Luego comience a
variar la fuente VC para que el voltaje colector emisor (V CE) tome cada uno de los valores indicados
en la columna 1 de la tabla 2. Para cada uno de estos valores, mida y registe en la columna 2 de la
tabla 2 la corriente de colector Ic. Una vez este diligenciada toda la columna, ajuste V B para que IB=
10 μA, y vuelva a variar la fuente VC para que el voltaje colector emisor (V CE) tome cada uno de los
valores indicados en la columna 1 de la tabla 2. Para cada uno de estos valores, mida y registe en la
columna 3 de la tabla 2 la corriente de colector Ic. Repita este procedimiento para los otros valores
de IB y llene todas las demás columnas.
Tabla 2. Característica voltaje VCE – corriente IC
VCE IB1 = 0 μA IB2 = 10 μA IB3 = 20 μA IB4 = 30 μA IB5 = 40 μA IB6 = 50 μA
IC1 (mA) IC2 (mA) IC3 (mA) IC4 (mA) IC5 (mA) IC6 (mA)
0 0 0 0 0 0 0
1 0.01 μA 2.08 4.13 6.2 8.25 10.3
2 0.02 μA 2.1 4.18 6.26 8.33 10.4
3 0.03 μA 2.12 4.22 6.32 8.41 10.5
4 0.04 μA 2.14 4.26 6.38 8.49 10.6
5 0.05 μA 2.16 4.3 6.44 8.57 10.7
6 0.06 μA 2.18 4.34 6.5 8.65 10.8
7 0.07 μA 2.2 4.38 6.56 8.74 10.9
8 0.08 μA 2.22 4.42 6.62 8.82 11
9 0.09 μA 2.24 4.46 6.68 8.9 11.1
10 0.1 μA 2.26 4.5 6.74 8.98 11.2
11 0.11 μA 2.28 4.54 6.8 9.06 11.3
12 0.12 μA 2.3 4.58 6.86 9.14 11.4
SIMULACIÓN PROTEUS
Ilustración 4Simulación 2
Firma del docente – Montaje bien realizado y tabla diligenciada: REVISADO.
5. Para el circuito de la figura 1, pero con una fuente V B=5V, calcule el valor de la resistencia de base
limite en el cual el circuito pasa de región de saturación a región activa. Luego de calcular esa
resistencia consiga una resistencia menor y otra mayor, y compruebe experimentalmente que el
transistor está en región de saturación con la resistencia menor y está en región activa con la
resistencia mayor.
Cálculos realizados:
β ( Vb−Vbe )
Vc
Rb lim ¿ = ¿
Rc
Rb kΩ∗100∗5−0.7
lim ¿=1 ¿
10
Rblim ¿=43 kΩ¿
R límite: 43 k Ω
Prueba experimental de que el transistor está en región de saturación con la resistencia menor a la R
límite:
Resistencia de Base usada: __4 0 k Ω___ Vce medido: __0.15V_ Ic medido: __9.85mA__.
Prueba experimental de que el transistor está en región activa con la resistencia mayor a la R límite:
Resistencia de Base usada: __250 k Ω___ Vce medido: _6.22V_ Ic medido: __3.78mA__.
SIMULACIÓN PROTEUS
Ilustración 5Simulación 3
Ilustración 6Simulación 3
Firma del docente – Cálculo y pruebas correctas: REVISADO.
TRABAJO FUERA DE CLASE.
1. Graficar los valores obtenidos en la tabla del punto 4, en los ejes de I B vs VBE (curva característica de
entrada del transistor NPN). Puede usar Matlab o Excel. Especifique adecuadamente los valores de
los ejes X y Y. Adjunte la gráfica al informe.
Curva caracteristica de entrada
IB vs VBE
120
100
80
IB (μA)
60
40
20
0
0.65 0.65 0.66 0.66 0.67 0.67 0.68 0.68 0.69 0.69 0.7
VBE (Voltios)
2. Con base en los datos obtenidos en el trabajo 5 en clase, graficar los valores obtenidos de las curvas
IB en los ejes de IC vs VCE (curva característica de salida del transistor NPN). Puede usar Matlab o
Excel. Especifique adecuadamente los valores de los ejes X y Y. Adjunte la gráfica al informe. En
una sola gráfica deben quedar todas las curvas para cada IB diferente.
Curva caracteristica de salida
Ic vs Vce
12
10
8
Ic (mA)
0
0 2 4 6 8 10 12 14
Vce(Voltios)
3. Con base en los datos obtenidos en el trabajo 5 en clase, calcule la ganancia del transistor
IC
β=
IB y diligencie la siguiente tabla.
Tabla 3. Característica voltaje VCE – β
VCE IB2 = 10 μA IB3 = 20 μA IB4 = 30 μA IB5 = 40 μA IB6 = 50 μA
β β β β β
0 x x x x x
1 206,66666
208 206,5 7 206,25 206
2 208,66666
210 209 7 208,25 208
3 210,66666
212 211 7 210,25 210
4 212,66666
214 213 7 212,25 212
5 214,66666
216 215 7 214,25 214
6 216,66666
218 217 7 216,25 216
7 218,66666
220 219 7 218,5 218
8 220,66666
222 221 7 220,5 220
9 222,66666
224 223 7 222,5 222
10 224,66666
226 225 7 224,5 224
11 226,66666
228 227 7 226,5 226
12 228,66666
230 229 7 228,5 228
β Promedio 217,66666
219 217,958333 7 217,375 217
ANÁLISIS DE ERRORES.
Calcule la Ic Teórica con el transistor operando en región activa, para cada valor de IB de cada columna
de la tabla 3, pero usando el valor de Beta que aparece en la hoja de datos para esta corriente. Registre
este valor teórico en la tabla 4 junto con el valor de Beta correspondiente. Compare estos datos con los
valores experimentales hallados en la tabla 2 (valores experimentales de corriente Ic) y en la tabla 3
(Valores experimentales de Beta).
Tabla 4. Cálculo de errores
β de la Hoja de IC (mA) Error Experimental de Error Experimental de
Datos Teórico β IC
IB2 = 10 μA 190 1.9 15.2% 15.2%
IB3 = 20 μA 200 4 8.97% 8.97%
IB4 = 30 μA 200 6 8.83% 8.83%
IB5 = 40 μA 215 8.6 1.1% 1.10%
IB6 = 50 μA 218 10.9 0.45% 0.45%
Nota: Los valores de β para cada corriente fueron tomados de la curva h FE vs I c mostrada en la
Ilustración 8 ubicada en los anexos del presente laboratorio.
PREGUNTAS
¿En qué condiciones se activa un transistor NPN?
Rta/: Un transistor NPN está alimentado cuando se suministra una corriente suficiente a la base del
transistor. Por lo tanto, la base de un transistor NPN debe estar conectada a una tensión positiva
para corriente a flujo en la base.
¿Cómo podríamos determinar cuáles son los terminales de un transistor NPN utilizando un
multímetro digital?
Rta/: Midiendo la resistencia en modo diodo entre los terminales del transistor, cuando marca un
valor significa que la base está conectada a la pinza positiva del multímetro, ahora para hallar cual
es el colector y cual es el emisor se observa la resistencia que nos marca el multímetro digital,
cuando la resistencia es mayor significa que el multímetro está conectado a la base (positivo) y al
emisor (negativo), o por el contrario cuando la resistencia es inferior significa que el multímetro está
conectado a la base (positivo) y al colector (negativo).
Ilustración 7Transistor NPN con multímetro
Determine la ganancia promedio del transistor NPN en la zona activa, a partir de la tabla 3, y
compare este valor con el dato que se encuentra en el datasheet.
Tabla 5
Ic 10µA 20µA 30µA 40µA 50µA
β prom 217,66666
219 217,958333 7 217,375 217
β prom=217.8 β DataSheet =100 a 300
La ganancia promedio hallada experimentalmente se encuentra dentro del rango de la ganancia
encontrada en el DataSheet del transistor 2N2222A, la cual cambia con respecto a la corriente Ic del
circuito como lo podemos notar en la Ilustración 8 ubicada en los anexos.
¿En qué condiciones opera un transistor BJT en zona de saturación?
Rta/: El transistor está en saturación cuando la corriente en la base es muy alta o la resistencia de
la base sea muy baja; en ese caso se permite la circulación de corriente entre el colector y el
emisor y el transistor se comporta como si fuera un interruptor cerrado, lo que afecta al voltaje Vce,
que en ese caso marca valores muy cercanos a 0.
¿En qué condiciones opera un transistor BJT en zona activa?
Rta/: El transistor opera en zona activa cuando la corriente en la base es muy baja o la resistencia
de la base sea muy alta. En esta región la corriente de colector (Ic) depende principalmente de la
corriente de base (Ib), de β (ganancia de corriente, es un dato del fabricante) y de las resistencias
que se encuentren conectadas en el colector y emisor. Esta región es la más importante si lo que
se desea es utilizar el transistor como un amplificador de señal.
Conclusiones
De acuerdo con la investigación realizada se puede concluir que los transistores NPN se activan
cuando se suministra una corriente suficiente a la base del transistor, es decir debe estar a una
fuente positiva, a diferencia de los transistores PNP donde la corriente fluye fuera de la base
(corriente negativa a la base) dando a la terminal de base una más negativa (una inferior) tensión que
lo que es suministrado al terminal emisor.
El DataSheet de un transistor nos ayuda en entender el funcionamiento de este, como los cuidados
necesarios que hay que tener a la hora de manejar el transistor, como por ejemplo la corriente
máxima del colector, Vce máxima, Vbe máxima, y la potencia disipada máxima son valores muy
importantes para tener en cuenta debido a que si se sobrepasan estos valores se puede llegar a
dañar el transistor.
Los terminales de un transistor NPN se pueden identificar con un multímetro digital, donde la base
debe estar conectada a la pinza positiva del multímetro.
El voltaje Vce de un transistor operando en zona de saturación es 0 o un valor muy cercano a 0
debido a que la corriente Ib es muy alta.
La Ib es baja cuando un transistor está operando en zona activa, lo que logra que Vce tome valores
superiores a 0, y Vbe sea el voltaje del diodo encontrado entre Base y emisor.
La ganancia experimental del transistor se encuentra dentro del rango de la ganancia obtenida del
Data Sheet del transistor 2N2222A, por lo que quiere decir que los datos fueron tomados
correctamente.
En la tabla 4 los porcentajes de error mayores se deben a la inexactitud a la hora de hallar el β
teórico, debido a que estos β fueron obtenidos aproximadamente de la grafica h FE vs I c encontrada
en la ilustración 8.
Anexos
Ilustración 8 Hfe vs Ic
Ilustración 9 Preview Transistor Proteus
Bibliografía
Electrónica. Teoría de circuitos. Boylestad - Nashelsky. ISBN 968-880-347-2
Ingeniería Electrónica. Alley - Atwood. ISBN 968-18-0967-X
Diseño electrónico. Circuitos y sistemas C.J. Savant, M.S. Roden y G.L. Carpenter
Ed. Addison-Wesley Iberoamericana, 1ª edición, 1992
El transistor bipolar Gerold W. Neudeck
Ed. Addison-Wesley Iberoamericana, 2ª edición, 1994
