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EL
PREMIO NOBEL DE FÍSICA 1956

EL TRANSISTOR BIPOLAR

EL TRANSISTOR BIPOLAR

El transistor bipolar (BJT Bipolar Junction Transistor) fue desarrollado
en los Laboratorios Bell Thelephone en 1948. El nombre Bipolar viene
de que en los procesos de conducción intervienen tanto huecos como
electrones. Su invención marcó la era de todo el desarrollo tecnológico
e informático que tenemos hoy día.

Durante tres décadas fue el dispositivo utilizado en todos los diseños

de circuitos discretos o integrados. En los 70 y 80 apareció un
competidor muy fuerte: El transistor de Juntura, que dio origen a otros
componentes, los MOSFETs. Actualmente la tecnología CMOS es la más
utilizada en los diseños de circuitos integrados. Pero el BJT se sigue
usando en aplicaciones específicas, entre ellas circuitos de muy alta
frecuencia.

Uno de los dispositivos más utilizados en los sistemas de electrónica de
potencia es el IGBT, que combina las características de entrada de in
MOSFET con las de salida de un BJT.
ESTRUCTURA FÍSICA

Los transistores bipolares están constituidos por dos junturas pn
espalda contra espalda.

MODOS DE OPERACIÓN

Los transistores tienen dos junturas pn: La Emisor-‐Base (EB) y la
Colector-‐Base (CB). Según la polarización de las junturas, presentan
cuatro modos de operación.

MODO Juntura EB Juntura CB
Cortado Reversa Reversa
Activo Directa Reversa
Saturado Directa Directa
Activo inverso Reversa Directa

En el modo activo el transistor opera como amplificador.

Los modos Cortado y Saturado se usan en las aplicaciones donde los
dispositivos tienen que conmutar entre dos estados (circuitos lógicos)

El modo activo inverso tiene aplicaciones muy limitadas.
OPERACIÓN DEL TRANSISTOR NPN EN EL MODO ACTIVO

*Se tienen que polarizar las junturas como indican las baterías. La
fuente VBE polariza en directo la juntura Emisor-‐Base. La fuente VCB
polariza en inverso la juntura Colector -‐Base.
*En el análisis se van a considerar solamente las corrientes de difusión.
El emisor está mucho mas dopado que la base y mas dopado que el
colector.
*La corriente de Emisor a Base tiene dos componentes: Un flujo de
electrones de E a B y un flujo de huecos de menor magnitud de B a E.
*La corriente iE tiene dirección positiva saliendo del Emisor
*En la base los electrones se convierten en portadores minoritarios y
algunos se recombinan mientras que otros son arrastrados hacia el
Colector.
*La corriente de Base alimenta el flujo de huecos que va de la Base al
Emisor y los portadores que intervienen en la recombinación en la
base. Es por lo tanto un movimiento de huecos.
*La corriente iB tiene dirección positiva entrando en la Base.
*La corriente de Colector está formada por los electrones que pasaron
la juntura Colector-‐Base.
*La corriente iC tiene dirección positiva entrando en el Colector.
*De acuerdo con las Leyes de Kirchhoff:
iE = iC + iB
OPERACIÓN DEL TRANSISTOR PNP EN EL MODO ACTIVO

En ambos tipos de transistores la corriente de Colector es independiente
del voltaje VCB. Esta corriente es una fracción de la corriente de Emisor,
que está controlada por el voltaje VEB.
El colector se comporta como una fuente de corriente controlada por
voltaje.
PARÁMETROS BÁSICOS DEL TRANSISTOR BJT

Como la juntura EB está polarizada en directo, la corriente IE está dada
por la ecuación del diodo

n=1 para
i E = I ES e v BE VT
⎛⎜ vBE VT ⎞⎟
i E = I ES e −1
transistores ⎝ ⎠

Al Colector llega prácticamente toda la corriente del Emisor. Se

relacionan mediante un parámetro denominado α .
α: Ganancia
€ de corriente de Base €Común.
La corriente de Base es aproximadamente 1% la corriente de Emisor.
Del análisis matemático se puede concluir que la corriente de Base y la
de Colector están relacionadas por un parámetro identificado como β.
β: Ganancia de corriente de Emisor Común
Los parámetros α y β dependen de las características de los dispositivos
iC iC
β= iC = βiB α= iC = αiE
iB iE
RELACIÓN ENTRE LOS PARÁMETROS BÁSICOS DEL BJT

Los valores de α y β dependen de las características del dispositivo.

Valores típicos para β: 100, 200, 400
iC β +1
En todo transistor i E = iC + iB i E = iC + = iC

β β

β β α
iC = i E = αi E α= β=
β +1
€ β +1 1− α
€

Para β = 100 α = 0,99.
Pequeñas variaciones en α producen grandes cambios en β.
€ €
MODELO EQUIVALENTE DE GRAN SEÑAL EN LA REGIÓN ACTIVA
BASE COMÚN

Con este modelo el transistor se
va a usar como una red de dos
puertos, con el puerto de entrada
entre B y E y el puerto de salida
entre C y B. De ahí que:

α: Ganancia de corriente de
Base Común

La corriente por el Colector
también puede expresarse como
iC = I S e vBE VT
MODELO EQUIVALENTE DE GRAN SEÑAL EN LA REGIÓN ACTIVA
EMISOR COMÚN

Con este modelo el
transistor se va a usar
como una red de dos
puertos, con el puerto
de entrada entre B y E y
el puerto de salida entre
C y E. De ahí que:

β: Ganancia de
corriente de Emisor
Común
ESTRUCTURA FÍSICA DE LOS BJT
CURVAS CARACTERÍSTICAS DE UN BJT TIPO NPN
CARACTERISTICAS DE ENTRADA BASE-EMISOR

En estas características se

observa el efecto que tiene el
aumento del voltaje VCE.
Cuando VCE aumenta, crece la
zona de carga espacial de la
juntura BC polarizada en
inverso. La base se reduce

CURVAS CARACTERÍSTICAS DE UN BJT TIPO NPN
CARACTERISTICAS DE SALIDA EMISOR COMÚN
DEPENDENCIA DE IC CON EL VOLTAJE DE COLECTOR:
EL EFECTO EARLY

EL EFECTO EARLY

Las curvas características para cada valor de voltaje Base-‐Emisor o
cada valor de corriente de Base no son planas.
Extrapolando todas las curvas correspondientes a la región activa hacia
los valores negativos de VCE se obtiene que todas ellas intersectan el
mismo voltaje -‐VA, denominado voltaje de Early.
La pendiente de estas curvas, 1/rO, está dada por la relación:

⎛ ⎞−1
⎜ δiC ⎟ VA
ro = =
⎜ δvCE v =cons tan te ⎟ IC
⎝ BE ⎠

La resistencia rO, no afecta la polarización de los transistores,
pero sí los cálculos de ganancia cuando los BJT actúan como
amplificadores.
€
REGIÓN DE SATURACIÓN

*El transistor entra en la
región de saturación cuando
se cumple que
ICsat < βI B
*El valor de ICsat está dado
por los valores de los
componentes del circuito:
€
Máxima corriente que puede
circular por el transistor.
*Las curvas características
caen hacia cero con una
pendiente mucho mayor que la que tienen en la región activa.
*En el punto X la corriente es ICsat y el valor de ICsat está en el orden de
0,1 a 0,3 V para el ejemplo.
MODELO DEL TRANSISTOR EN LA REGIÓN DE SATURACIÓN

Las curvas características en la
región de saturación tienen una
pendiente pronunciada.

OTROS CONJUNTOS DE CURVAS CARACTERÍSTICAS

POLARIDADES DE LOS VOLTAJES Y LAS CORRIENTES EN BJTS
POLARIZADOS EN LA REGIÓN ACTIVA

EJEMPLO
El transistor npn tiene β =100 y un voltaje VBE = 0,7 a iC = 1mA. Diseñe
el circuito para que circule una corriente de colector de 2mA y el voltaje
de colector sea de 5V. Determine el voltaje VCE.

15V − 5V iC
VBE = VB − VE V
=− E RC = = 5kΩ iB = = 0,02mA
2mA β
IC2 eVBE 2 VT 2mA

€ iC = I S e v€
BE VT =
V €
V
=
IC1 e BE1 T 1mA
=2
VBE 2 VBE1 VBE 2 = 0,693xVT + VBE1 = 0, 717V = −VE

ln 2 = − = 0,693
VT VT €
€
−0, 717V +15
i E = iC + iB = 2mA + 0,02mA = 2,02mA RE = = 7,07kΩ
€ 2,02mA
€
VCE = VC − VE = 5V − (−0, 7V ) = 5, 717V
€
€
€

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PREMIO NOBEL DE FÍSICA 1956

Durante tres décadas fue el dispositivo utilizado en todos los diseños

Al Colector llega prácticamente toda la corriente del Emisor. Se

En estas características se

IC2 eVBE 2 VT 2mA

VBE 2 VBE1 VBE 2 = 0,693xVT + VBE1 = 0, 717V = −VE

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