Universidad tecnológica de Pereira

Laboratorio de

Electrónica análoga y digital

Ingeniería eléctrica
Características del BJT

Resumen – En este laboratorio se busca identificar II. PROCEDIMIENTO

y reconocer correctamente los terminales de un
transistor BJT, para posteriormente conformar A. Identificación de tipo de BJT y sus
distintos circuitos en los que se utilizaron terminales.
transistores de unión bipolar con el fin de obtener
algunos valores de corriente y tensión que permiten se procedió a identificar el tipo de transistor, NPN
entender las características y funcionamiento que O PNP para ello se usó un multímetro.
definen el transistor al cambiar los parámetros de
los circuitos estudiados para así obtener su curva
característica.

Índice de Términos – Transistor, unión PN,

semiconductor , amplificador.

I. INTRODUCCIÓN

El transistor bipolar o BJT es un dispositivo

electrónico, su principio básico de Procedimos mediante el multímetro a clasificar
funcionamiento es el uso de la tensión existente cada uno de los transistores, el primero tenía una
entre dos de sus terminales para controlar la resistencia muy alta entre el colector y el emisor,
corriente que circula a través del tercero de ellos, por lo cual sabemos que un tipo NPN, lo cual fue
este dispositivo consta de 3 terminales (colector, comprobado en la hoja de datos y seguidamente el
la base y el emisor). El transistor bipolar está segundo transistor tenía una resistencia alta entre
formado por capas de material semiconductor tipo la base y el emisor, lo cual lo identificamos como
n y tipo p, de acuerdo a la distribución de material uno tipo PNP, por su composición y lo descrito en
pueden ser NPN o PNP, el transistor bipolar tiene el preinforme.
3 zonas diferentes en los cuales puede operar, los
cuales se conocen como región activa, región de
corte y región de saturación. B. Obtención de las curvas características
Ic vs Vce, con Ib como parámetro.
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Vcc=8 Vcc=10 Vcc=12

Ib Ic Vce Ic Vce Ic Vce

(uA) (mA ) (mA ) (mA )

0 0 8 0 10 0 12

50 0,002 0,13 0,005 0,17 0,010 9,16

91 73 45

100 0,003 0,1 0,005 0,12 0,000 0,018

82 01

150 0,003 0,084 0,005 0,11 0,000 0,015

82 01

200 0,003 0,07 0,005 0,097 0,000 0,015

05 82 01

250 0,003 0,065 0,005 0,087 0,000 0,012

05 82 02

Procedemos a tomar nuevamente los datos de la

tabla anterior pero esta vez se acerca el circuito a
Se procedió a armar el circuito de la figura 3,
una fuente de calor
donde se obtuvieron los siguientes datos, variando
la tensión Vcc en pasos de 2 voltio, hasta alcanzar A partir de los datos anteriores se graficó la curva
los 12 voltios. del transistor BJT, para cada uno de los valores de
Vcc.

Vcc=2 Vcc=4 Vcc=6

Ib Ic Vce Ic Vce Ic Vce

(uA) (mA ) (mA ) (mA )

0 0,000 10,16 0 4 0 5,99

43

50 0,008 0,208 0,001 0,1 0,002 0,11

14 5

100 0,008 0,15 0,001 0,079 0,002 0,08

2 5

150 0,008 0,12 0,001 0,062 0,002 0,072

2 5 De la gráfica obtenida y comparándola con los
curva que nos presenta el datasheet se puede
200 0,008 0,11 0,001 0,055 0,002 0,061 verificar la gran similitud entre estas, la única
23 5
diferencia es la curva suave para el datasheet, pero
250 0,008 0,1 0,001 0,047 0,002 0,053 esto se presenta debido a que en la práctica los
24 5 05 instrumentos no son precisos.

Curva característica presente en la base de

datos(datasheet)
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Ib Ic Vce Ic Vce Ic Vce

(uA) (mA ) (mA ) (mA )

0 0,000 10,16 0,000 4 0,000 5,99

44 01 01

50 0,008 0,208 0,001 0,1 0,002 0,11

15 51 01

100 0,008 0,15 0,001 0,079 0,002 0,08

21 51 01

150 0,008 0,12 0,001 0,062 0,002 0,072

21 51 01

200 0,008 0,11 0,001 0,055 0,002 0,061

24 51 01
Cálculo de resistencia estatica base-emisor
250 0,008 0,1 0,001 0,047 0,002 0,053
Con Vcc= 6 voltios 25 51 06

VBE=0.7 V

Ib=50 microamperios

RBE= (0.7 V) / 50*10^-6=14 Megaohmios Vcc=8 Vcc=10 Vcc=12

Cálculo de ganancia estática

Ib Ic Vce Ic Vce Ic Vce
Ib= 50 microamperios (uA) (mA ) (mA ) (mA )

Ic= 0,00200 A 0 0,000 8 0,000 10 0,000 12

01 01 01
Hfe=(0,00200 A) / (50*10^-6)
50 0,002 0,13 0,005 0,17 0,010 9,16
Hfe= 40 92 74 46

Cálculo de resistencia estática colector-emisor 100 0,003 0,1 0,005 0,12 0,000 0,018
01 83 02
VCE=0,072 V
150 0,003 0,084 0,005 0,11 0,000 0,015
Ic= 0,00200 A 01 83 02

RCE= (0,072 V) / (0,002) 200 0,003 0,07 0,005 0,097 0,000 0,015
06 83 02
RCE= 36 ohmios
250 0,003 0,065 0,005 0,087 0,000 0,012
Dependencia de los parámetros del BJT con la 06 83 03
temperatura.

Se armo el circuito de la figura 3, y se expuso el

transistor a una fuente de calor, de este se Cálculo de resistencia estatica base-emisor
obtuvieron los siguientes resultados y la siguiente Con Vcc= 6 voltios
gráfica respectivamente.
VBE=0.7 V

Ib=150 microamperios
Vcc=2 Vcc=4 Vcc=6
RBE= (0.7 V) / 150*10^-6=4666.6 ohmios

Cálculo de ganancia estática

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Ib= 50 microamperios

Ic= 0,00201 A

Hfe=(0,00200 A) / (50*10^-6)

Hfe= 40.2

Cálculo de resistencia estática colector-emisor

VCE=0,072 V

Ic= 0,00201 A Se montó el circuito de la figura 4, donde se usó

un generador con una amplitud de 5V a una
RCE= (0,072 V) / (0,002) frecuencia de 60 ciclos, se ajustó la tensión de la
RCE= 35,820 ohmios fuente hasta obtener una corriente de base de
200uA.

valor de la fuente =2.3V

Debido a fallas en los aparatos o errores en la

medición, no obtuvimos oscilaciones en la curva
característica, la muestra más clara de ello se
a. Para explicar la dependencia de puede evidenciar en la gráfica anterior.
los parámetros del BJT con
temperatura se puede decir que
la corriente depende III. CONCLUSIONES
directamente de las resistencias
● Los transistores BJT son muy
que conforman el circuito del
constantes con sus puntos de activación y
BJT tanto internas a él como
mantienen sus características a lo largo
externas, y estas resistencias se
de su manejo, lo podemos ver a la hora
ven ligeramente mayores
de hacer una identificación, conocer sus
cuando están expuestas a un
partes y el hecho de que su curva
aumento de temperatura.
característica tuviera una tendencia muy
específica de manejo.
C. Obtención directa de la curva ● La practicidad de un transistor depende
característica Ic vs Vce, con Ib como mucho de su análisis circuital o mejor
parámetro. dicho del circuito que esté conectado y
de la forma que lo haga, en este caso la
curva característica fue distinta debido a
ya sea errores en el circuito o en el
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osciloscopio, pero su característica es

muy confiable.
● Observamos la alta resistencia interna en
un transistor y pudimos destacar que
mediante a esta es que se lleva a cabo la
activación de este y su funcionamiento.
● El transistor se comporta como una
fuente de corriente controlada por
corriente, es decir, una fuente de
corriente que no es de valor fijo; sino
que, varía produciendo más o menos
corriente en la medida en que hay más o
menos corriente en la base.

IV. BIBLIOGRAFÍA
http://ares.cnice.mec.es/gtm/web/index_es_re
sultado_final.php?
num=239870%7C&Buscar=Factor%20de
%20Rizado%7C&volver=Factor%20de
%20Rizado&cual=0&gtm=733ea069987e91d
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https://bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/1604
/1/CD-2320.pdf