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    Resumen - Transistor FET

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    Marco Antonio Carvajal
    El documento describe las características y aplicaciones de los transistores de efecto de campo (FET). Explica que un FET controla la corriente entre el drenaje y la fuente mediante un campo eléctrico generado en la puerta. Luego describe varios tipos de FET como JFET, MOSFET, IGBT y sus usos comunes como amplificadores, osciladores y controladores de potencia. Finalmente, concluye que los FET funcionan como fuentes de corriente controladas por voltaje y que debido a su composición de semiconductores, factores

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    El documento describe las características y aplicaciones de los transistores de efecto de campo (FET). Explica que un FET controla la corriente entre el drenaje y la fuente mediante un campo eléctrico generado en la puerta. Luego describe varios tipos de FET como JFET, MOSFET, IGBT y sus usos comunes como amplificadores, osciladores y controladores de potencia. Finalmente, concluye que los FET funcionan como fuentes de corriente controladas por voltaje y que debido a su composición de semiconductores, factores

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    El documento describe las características y aplicaciones de los transistores de efecto de campo (FET). Explica que un FET controla la corriente entre el drenaje y la fuente mediante un campo eléctrico generado en la puerta. Luego describe varios tipos de FET como JFET, MOSFET, IGBT y sus usos comunes como amplificadores, osciladores y controladores de potencia. Finalmente, concluye que los FET funcionan como fuentes de corriente controladas por voltaje y que debido a su composición de semiconductores, factores

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    Resumen - Transistor FET

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    El documento describe las características y aplicaciones de los transistores de efecto de campo (FET). Explica que un FET controla la corriente entre el drenaje y la fuente mediante un campo eléctrico generado en la puerta. Luego describe varios tipos de FET como JFET, MOSFET, IGBT y sus usos comunes como amplificadores, osciladores y controladores de potencia. Finalmente, concluye que los FET funcionan como fuentes de corriente controladas por voltaje y que debido a su composición de semiconductores, factores

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    INSTITUTO TECNOLÓGICO DE TEHUACÁN

    INGENIERÍA ELECTRÓNICA

    MATERIA

    Física de Semiconductores

    TAREA

    Transistor de efecto de campo

    ALUMNO

    Carvajal Muñiz Marco Antonio

    DOCENTE

    Ing. Alberto Cortés


    Objetivo: Distinguir las principales características y aplicaciones de los transistores de efecto de campo.

    Desarrollo:
    El transistor de efecto de campo (abreviado FET), es un dispositivo de tres terminales conocidas como fuente,
    drenaje y puerta, controla la corriente entre drenaje y fuente a través de un campo eléctrico que se genera o
    establece con la tensión que se le aplique a la terminal puerta. Debido a que solo transporta un solo tipo de carga
    se le conoce también como transistor unipolar, su símbolo se muestra en la imagen 1° (S = Fuente y G = Puerta).

    Imagen 1°: Símbolo de


    transistor FET
    La composición de un FET típico se conforma de 3 zonas semiconductoras dopadas a conveniencia de la
    aplicación, ya sea con exceso de donadores o portadores, tenemos FET tipo N y tipo P como se muestra en la
    imagen 2° e imagen 3° respectivamente (Surtidor = Fuente).

    Imagen 2°: Transistor FET Imagen 3°: Transistor FET


    N P
    Tenemos dos zonas de funcionamiento del transistor FET, una de ellas en la zona óhmica en la cual, el transistor
    se comporta como una resistencia variable y la zona de saturación en donde el transistor como sus homólogos,
    amplifica y se comporta como una fuente de corriente.
    Se pueden clasificar los transistores de efecto de campo según el método de aislamiento entre el canal y la puerta,
    Algunos de estos se muestran en la imagen 4°:

    Imagen 4°: Transistores FET.


    Podemos encontrar muchas variedades de transistores tipo FET a parte de los mostrados en la imagen como lo
    son los IGBT, FREDFET, DNAFET, TFT, HEMT entre otros que algunos de ellos son usados para casos muy
    particulares, como ejemplo tenemos el transistor DNAFET que se usa como biosensor usando una puerta fabricada
    de moléculas de ADN de una cadena para detectar cadenas de ADN iguales.
    ▪ IGBT
    Componente electrónico diseñado para controlar principalmente altas potencias, en su diseño está compuesto por
    un transistor bipolar de unión BJT y transistor de efecto de campo de metal oxido semiconductor MOSFET.
    ▪ FREDET
    Transistor de efecto de campo creado para dar una recuperación casi instantánea del transistor.
    ▪ DNAFET
    Como ya se mencionó en un FET muy especial, utiliza el efecto de campo generado por las cargas parciales de
    las moléculas de ADN para actuar como un biosensor. La estructura de este es parecida a la de un MOSFET,
    pero con la diferencia de que la puerta es reemplazada por una capa de moléculas de cadenas sencillas de AND
    que actúan como receptores. Un uso de estos es como detectores de polimorfismos de nucleótido simple (que
    pueden causar varias enfermedades hereditarias).
    ▪ TFT
    O por sus siglas en inglés Thin-film transistor (transistor de películas finas) es una clase de transistor FET que se
    crea depositando finas películas de un SC activo como una capa de material dieléctrico y contactos metálicos
    sobre un sustrato como el vidrio.
    Una de sus aplicaciones de este tipo de transistores de efecto de campo son las pantallas de cristal líquido a
    diferencia de un transistor convencional que usan silicio.
    ▪ HEMT
    O por sus siglas en inglés High electron mobility transistor (Transistor de alta movilidad de electrones) son un tipo
    de transistor de efecto de campo que incorporan una unión entre dos materiales con diferentes bandas
    prohibidas, una hetero unión, como canal de conducción en vez de una región dopada como es generalmente el
    caso de los MOSFET.
    ▪ MOSFET
    El transistor de efecto de campo metal-oxido-semiconductor o por sus siglas MOSFET es un transistor utilizado
    para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es unos de los transistores más usados en el sector industrial de
    la microelectrónica tanto en circuitos analógicos y digitales. Su estructura se muestra en la imagen 5°.

    Imagen 5°: Estructura Metal-


    óxido-semiconductor construida
    con un sustrato de silicio tipo p.
    Las características de los transistores de efecto de campo son:
    ▪ Son menos ruidosos.
    ▪ Son altamente sensibles.
    ▪ Pueden operarse con el propósito de proporcionar una mayor estabilidad térmica.
    ▪ Son inmunes a la radiación hasta cierto momento.
    ▪ Su voltaje de unión es nulo cuando se utiliza como interruptor.
    ▪ Tiene una impedancia muy elevada (aproximadamente 100MΩ).
    Los transistores FET los podemos encontrar en varias aplicaciones, algunas de ellas se encuentran en la tabla 1°:
    Uso Aplicación
    Aislador (Buffer) Uso general, equipo de medida, receptores
    Amplificador de RF Sintonizadores de FM, equipo para comunicaciones
    Mezclador Receptores de FM y TV, equipos para comunicaciones
    Amplificador Instrumentos de medición, equipos de prueba
    Troceador Amplificadores de cc, sistemas de control de dirección
    Resistor variable por voltaje Amplificadores operacionales, órganos electrónicos, controlas de tono
    Amplificador de baja frecuencia Audífonos para sordera, transductores inductivos
    Oscilador Generadores de frecuencia patrón, receptores
    Tabla 1°: Principales aplicaciones y uso de los transistores tipo FET.

    Los transistores FET se rigen por la ecuación de Shockley ya que su corriente se presenta de forma exponencial,
    en internet podemos encontrar infinidad de analogías hidráulicas de los transistores, por ejemplo, para el transistor
    JFET se suele representar como una llave (Imagen 6°) donde la manija representa la puerta es decir, dependiendo
    de la manija dependerá el flujo del agua ( la corriente) que proviene de la fuente con dirección al drenaje, nos
    podemos apoyar en estas analogías para poder entender mejor el funcionamiento de los transistores que ya
    muchas veces solemos ver abstractamente su uso sin entender completamente su funcionamiento.

    Imagen 6°: Analogía de un


    transistor JFET.
    Conclusión

    Los transistores FET realizan la función de controlar la corriente eléctrica como los demás transistores por ser la
    característica básica de todos estos, mediante la tensión aplicada en una de las terminales, estas constituidos por
    uniones semiconductoras ya sean tipo N o tipo P que une dos de las 3 terminales como se mostró en la imagen 2°
    y 3°.
    El comportamiento de estos transistores efecto de campo se representa con sus curvas características en las que
    se representa la corriente que entra y sale de cada una de las terminales, estas gráficas se nos muestran en las
    hojas de características de los fabricantes, los transistores FET pueden funcionar como una fuente de corriente
    controlada por voltaje, los transistores son un elemento que nos han facilitado de muchas maneras al momento de
    querer diseñar circuitos electrónicos ya que en casi todos los aparatos electrónicos mínimo encontraremos un
    transistor inmerso. Los niveles de fermi, dopaje, temperatura, voltaje etc. Están presentes en estos componentes y
    debemos tener en cuenta para la utilización de los transistores FET ya sean tipo N o tipo P, debido a que se
    componen de semiconductores estos parámetros siempre estarán relacionados con los componentes electrónicos
    y se deben tener los conocimientos para manejarlos ya que son primordiales para crear un circuito de buena forma.
    Al haber infinidad de transistores FET debemos probar estos al momento que los queramos usar en un circuito
    electrónico ya que al ser de un uso particular cada uno hay que tener sumo cuidado al momento de manejarlos, la
    invención de estos componentes ha evolucionado su composición para que cada vez sean más precisos y fiables
    al momento de quererlos usar en nuestro respectivos aparatos, las analogías hidráulicas de estos dispositivos han
    sido creadas para obtener un mejor entendimiento de estos dispositivos cuando se nos dificulta poder comprender
    por qué los vamos a usar y el propósito que tiene cada uno y cada una de sus tres terminales.
    Este tipo de transistor se polariza de manera diferente comparado con el transistor bipolar. El terminal de drenaje
    se polariza positivamente respecto a la terminal de fuente, a mayor voltaje será más angosto el canal y a
    consecuencia más difícil para que la corriente circule del terminal drenaje a la fuente.

    Marco Antonio Carvajal Muñiz

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