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    Práctica 7 - Previo

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    Este documento presenta un previo para una práctica de laboratorio sobre la caracterización del transistor MOSFET. Contiene 12 puntos con preguntas conceptuales y ejercicios prácticos sobre el MOSFET, incluyendo su clasificación, características eléctricas, curvas de operación, ecuaciones y simulaciones de circuitos simples con MOSFET. El objetivo es que los estudiantes adquieran conocimientos básicos sobre el MOSFET antes de realizar la práctica de laboratorio.

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    Este documento presenta un previo para una práctica de laboratorio sobre la caracterización del transistor MOSFET. Contiene 12 puntos con preguntas conceptuales y ejercicios prácticos sobre el MOSFET, incluyendo su clasificación, características eléctricas, curvas de operación, ecuaciones y simulaciones de circuitos simples con MOSFET. El objetivo es que los estudiantes adquieran conocimientos básicos sobre el MOSFET antes de realizar la práctica de laboratorio.

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    Práctica 7_Previo

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    Este documento presenta un previo para una práctica de laboratorio sobre la caracterización del transistor MOSFET. Contiene 12 puntos con preguntas conceptuales y ejercicios prácticos sobre el MOSFET, incluyendo su clasificación, características eléctricas, curvas de operación, ecuaciones y simulaciones de circuitos simples con MOSFET. El objetivo es que los estudiantes adquieran conocimientos básicos sobre el MOSFET antes de realizar la práctica de laboratorio.

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    de 3

    Laboratorio de Dispositivos

    Electrónicos Semestre_2020-2
    Facultad de Ingeniería – UNAM

    PRÁCTICA 7
    (PREVIO)

    TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO (FET)

    Caracterización del MOSFET

    Integrantes:

    Trabajo en casa Profesor: M.I. Raúl Ruvalcaba Morales


    Fecha límite de envío por correo: Miércoles 15/abr/2020

    1
    Previo Práctica 7. MOSFET: Caracterización
    Objetivos de aprendizaje

    Caracterizar un MOSFET, para identificar cada una de sus regiones de operación.

    Trabajo previo

    1. ¿Qué es un Transistor de Efecto de Campo?

    2. Haga una clasificación sobe los tipos de FET’s existen y dibuje el símbolo de cada uno de ellos.

    3. ¿Cuál en la principal diferencia entre los transistores TBJ y FET?

    4. ¿Qué entiende por los siguientes conceptos?

    a) Corriente de saturación de drain-source (IDSS)


    b) Voltaje de corte o apagado o estrangulamiento (VGS(off) o VP)
    c) Voltaje de ruptura de gate-source (BVGSS)
    d) Voltaje de umbral (VT o VGS(th))
    e) Transconductancia de transferencia source (gm o gfs)
    f) Resistencia drain-source de encendido (rDS(on))

    5. Obtenga de algún manual las siguientes características eléctricas para el Transistor IRF 830:
    Tabla 1. Características eléctricas
    Tipo de FET Resistencia Drain-Source (rDS(ON))
    Corriente de Drain máxima (ID) Potencia de disipación (PTOT)
    Voltaje de umbral Gate-Source (VT o VGS(th)) Transconductancia (gm o gfs)
    Voltaje de ruptura Gate-Source (BVGSS) Tipo de encapsulado
    Voltaje máximo Drain-Source (BVDSS) Patigrama

    6. Dibuje las siguientes Curvas Características del MOSFET canal n de ENRIQUECIMIENTO:

    a) ID vs VDS (Indique sus regiones de operación)


    b) ID vs VGS (Característica de Transferencia)

    7. Para el MOSFET de empobrecimiento (vaciamiento), escriba la ecuación que representa la curva


    características de transferencia y la ecuación que define la transconductancia.

    8. Para el MOSFET de enriquecimiento (acrecentamiento), escriba la ecuación que representa la curva


    características de transferencia y la ecuación que define la transconductancia.
    9. Utilizando la ecuación de la curva de transferencia del MOSFET de enriquecimiento, calcule las
    corrientes de Drain (ID) para las condiciones que se solicitan en la tabla 2 y grafique la curva ID vs VGS
    Considere: Voltaje de umbral de VGS(th) = 4V y K = 0.3 mA/V2

    Tabla 2. Curva de Transferencia


    VGS ID VGS ID
    3.5 V 6.5 V
    4V 7V
    4.5 V 7.5 V
    5V 8V
    5.5 V 8.5 V
    6V 9V

    10. Para el circuito A, calcule la corriente IR

    Circuito A

    11. Realice la simulación del circuito B, inclúyala en el reporte y llene los datos que se solicitan en la tabla 3.
    Nota: Ir variando la fuente que va conectada en la terminal gate del transistor, desde 3.5V hasta 9V,
    con incrementos de 0.5V

    Tabla 3. Resultados de la simulación


    VGS ID VGS ID
    3.5 V 6.5 V
    4V 7V
    4.5 V 7.5 V
    5V 8V
    5.5 V 8.5 V
    6V 9V

    Circuito B

    12. Compare la corriente ID de saturación máxima que alcanzó el circuito B con la corriente IR calculada en
    el punto 11.

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