DISEÑO DE AMPLIFICADOR MULTIETAPA

CON BJT

Resumen--Este informe consiste en conocer el diseño Se denomina amplificador multietapa al acople de dos o más
estructurado de un amplificador con transistores BJT (Bipolar configuraciones de transistores, esto con la finalidad de obtener un
Junction Transfer), usando conocimientos básicos de incremento mayor en la señal de salida (comparando con la
electrónica, para conseguir este objetivo se comenzara desde configuración de un solo transistor); este acoplamiento se realiza
análisis matemático pasando por simulación en el software mediante el uso de condensadores permitiendo parámetros en su
Orcad hasta su montaje físico en ProtoBoard. Se simularon y se análisis en DC o AC; la ganancia total de esta configuración es el
probaron las diferentes etapas del diseño para poder comparar resultado de la multiplicación de la ganancia individual de cada
los resultados obtenidos en cada caso. etapa.

PALABRAS CLAVE. Entre las configuraciones usadas en este texto se encuentra: está
emisor común (inversor) y colector común (emisor seguidor); al
BJT (Bipolar Junction Transfer), Transistor emisor común, referirse al producto de cada etapa se incluye también la inversión
transistor colector común, Orcad, ProtoBoard, Transistor 2N2222 de cada señal de salida, por lo tanto, al aplicar un prototipo con el
acople de dos inversores, se obtendrá una señal afectada en su
I. INTRODUCCIÓN. amplitud por un factor AV=AV1*AV2 pero sin desfase alguno.

En siguiente trabajo recoge el análisis e implementación de un

modelo de amplificador multietapa utilizando transistores BJT
(Bipolar Junction Transfer), su finalidad principal es hacer los
procesos necesarios para su elaboración.

Para este diseño se utilizarán procedimientos básicos usados en

electrónica; con esto se pretende poner en práctica los
conocimientos adquiridos y demostrarlos mediante cálculos
analíticos, usando el software respectivo y finalmente la
implementación física. El desarrollo de este tipo de proyectos
permite adquirir competencias necesarias en el área de ingeniería
electrónica.

II. OBJETIVOS.

A. Objetivo General.
Fig. 1 Ejemplo de amplificador BJT
Conocer conceptos fundamentales sobre el transistor BJT que se
usa en un circuito amplificador, sus métodos de aplicación y B. Transistor.
conexiones que son utilizados realizando una tarea de investigación
y la construcción del circuito en un ProtoBoard para comprender de Los transistores son los semiconductores, que puede comportarse
mejor manera la materia que se imparte en las aulas de clase y como conductor o aislante, que se pueden en un circuito eléctrico,
poder tener una formación profesional adecuada. integrados también en el grupo de elementos electrónicos. Puede
ampliar el poder la energía que reciba, además de crear
B. Objetivos Específicos. perturbaciones en ella, modificar el camino que pueden llevar los
electrones y puede convertir a la corriente alterna, en la que su
• Describir los elementos que conforman el amplificador y sus magnitud varía constantemente, en corriente continua, la cual no
respectivas conexiones. cambia su ruta en todo el trayecto. Mayormente son fabricados con
silicio y germanio, sin embargo, los más adquiridos son los de
• Montar el circuito en el ProtoBoard, y armarlo con todos los silicio pues son más baratos; éste, por su parte, es un
componentes necesarios para cumplir con las condiciones. semiconductor, por lo que se le agregan algunas impurezas para
convertirlo en un conductor.
• Presentar el trabajo y comprobar la veracidad de los procesos
realizados.

C. Transistor 2N2222.
III. MARCO TEORICO.
Transistor 2N2222. Es un transistor de silicio y baja potencia,
A. Amplificador. diseñado para aplicaciones de amplificación lineal y conmutación.
Es un transistor de silicio de mediana potencia con una polaridad
npn, construido mediante el proceso de base epitaxial y designado
para aplicaciones de amplificación lineal y conmutación. Puede IV. DISEÑO.
amplificar pequeñas corrientes a tensiones pequeñas o medias y
trabajar a frecuencias medianamente altas. Es fabricado en Para iniciar el diseño del multietapa se inicia desde la última etapa
diferentes formatos, los más comunes son los TO-92, TO-18, SOT- y se va desarrollando hasta llegar a la primera, En este caso se
23, y SOT-223. plantean tres etapas.

A. Tercera Etapa.
D. Principales Características. [2]
Para esta etapa utilizamos un transistor emisor seguidor sin Rc
• Voltaje colector emisor en corte 60V (Vceo)
Se asume el valor de Rl=1 k Ω Vce=6 v Vbe=0.7 v
• Corriente de colector constante 800mA (Ic)
• Potencia total disipada 500mW (Pd) Vcc=30 V Vee=15 v
• Ganancia o hfe 35 mínima Para el caso de ℜ3=Rl
• Frecuencia de trabajo 250 Mhz (Ft) ℜ3=1 k Ω
• Encapsulado de metal TO-18
Vcc +Vee Vcc
• Estructura NPN I CQ = =
Rc+ Re R E 3+( R E 3 ∕ ∕ Rl)
• Su complementario PNP es el Transistor 2N2907.
I CQ =20 mA
Para este caso se asume un β ≅ 200
Rth=0.1∗β∗ℜ 3
Rth=20 k Ω
Vth=V B

V B =1.1∗Icq∗ℜ 3−V BE

V B =21.3 v

Rth
Fig. 2 Transistor 2N2222 y 2N2222A. R 2= =69 k Ω
VB
IV. PARÁMETROS DE DISEÑO. 1−
V cc
Diseñar, simular e implementar un amplificador discreto con las
siguientes características: R2 ≅ 68 kΩ → Valor comercial
a) Ganancia de voltaje 25
Rth∗V CC
b) Fuente de alimentación de 30v. R 1= =28.2 kΩ
VB
c) Señal de entrada: 200mVpp. (Medido a 1 kHz).
R1 ≅ 27 kΩ → Valor comercial
d) Carga de 1KΩ.

e) El amplificador debe estar compensado con respecto a

Ahora haciendo el análisis con R1=27 kΩ y R2=68 kΩ
variaciones de temperatura.
R 1∗R2
Rth=
R1 + R2
Rth=19.33 kΩ
R 2∗V CC
Vth=
R1 + R2
Vth=21.472 v
Vth−Rth∗I B −V BE −R E∗( β +1 )∗I B
 Vth−V BE Rth∗V CC
I B= R 1= =245.73 kΩ
Rth+ ( β +1 )∗R E VB

I B=94.29uA R1 ≅ 270 kΩ →Valor comercial

I C =( β +1 ) I B =18.95 mA Ahora con R1 y R2 de la segunda etapa

β∗VT R 1∗R2
R π= Rth=
IC R1 + R2
R π=274.39Ω Rth=24.55Ω

Zi n3=Rth /¿(R π + ( β +1 )∗R E 3 ) R2∗V CC

V b =Vth=
R 2+ R 1
Zi n3=17.64 kΩ
Vth=2.73 v
A. Segunda Etapa.
Vth−I B∗Rth−V BE −R E ( β +1 )∗I B =0
Rl=Zi n3
Vth−V BE
β ≅ 200 I B=
Rth+ R E (β +1)
RC Deberá tener un valor de la mitad de RL o hasta el mismo
valor de RL I B=7.64 uA

RC 2 ≅ 10 kΩ I C =β∗I B

Av=−5 I C =1.53 mA

−RC 2 /¿ R L β∗VT
Av ≅ R π=
RE 2 I CQ

−6.7 kΩ R π=3.39 kΩ
R E 2= =1.3 kΩ
Av −β∗RC 2 /¿ R l
Av=
R E 2 ≅ 1.2 kΩ→ Valor comercial R π + ( β+1 ) R E 2

V CC A v =−5.22
I CQ =
R DC + R AC
Zi n2=( Rπ + R E 2 ( β +1 ) ) /¿ Rth
V CC
I CQ = Zi n2=22.31kΩ
RC 2 + R E 2 +[ R ¿ ¿ C 2/¿( Rl + R E 2)]¿
A. Primera Etapa.
I CQ =1.69 mA
Rl=Zi n2
Rth=0.1∗β∗R E
β ≅ 200
Rth=24 kΩ
RC =5.6 kΩ
Vth=V B =1.1¿ I CQ∗R E∗+V BE
Av=−5
V B =2.93 v
−RC 1 /¿ R L
Rth Av ≅
R 2= =26.597 kΩ RE1
VB
1− −RC 1 /¿ RL
V CC R E= =895.72Ω
Av
R2 ≅ 27 kΩ → Valor comercial
R E ≅ 920 Ω→Valor comercial − β∗RC /¿ Rl
Av=
R π + ( β+1 ) R E
V CC
I CQ =
R DC + R AC A v =−4.79
V CC Zi n1=( Rπ + RE 1 ( β +1 ) ) /¿ Rth
I CQ =
RC + R E +[ R ¿ ¿C /¿( Rl + R E)]¿
Zi n1=17.4 kΩ
I CQ =2.72mA
A v Total =(−5.22 )∗(−4.79)
Rth=0.1∗β∗R E
A v Total =25.0038
Rth=18.4 kΩ
V. ANÁLISIS EN SOFTWARE Y MONTAJE
Vth=V B =1.1¿ I CQ∗R E∗+V BE EXPERIMENTAL.
Después de realizar los respectivos cálculos matemáticos se
V B =3.45 v
procede a simular el circuito en el software Orcad y su respectivo
montaje en protoboard para realizar las mediciones experimentales.
Rth
R 2= =20.79 kΩ
VB A. Simulación En Orcad.
1−
V CC
R2 ≅ 22 kΩ →Valor comercial

Rth∗V CC
R 1= =160 kΩ
VB
R1 ≅ 150 kΩ →Valor comercial

Ahora con R1 y R2 de la primera etapa

R 2∗R1
Rth=
R2 + R1
Rth=19.19 kΩ
Fig. 3a Esquemático primera etapa.
R ∗V
V b =Vth= 2 CC
R 1+ R 2
Vth=3.84 v
Vth−I B∗Rth−V BE −R E ( β +1 )∗I B =0

Vth−V BE
I B=
Rth+ R E (β +1)
I B=13.47uA

I C =β∗I B
Fig. 3b Señales de salida de la segunda etapa en el dominio del tiempo.
I C =2.7 mA
De acuerdo con el valor de amplitud máximo de cada señal, se
β∗VT obtiene la ganancia:
R π=
I CQ Vo
Av= =4.78 v
R π=1.92kΩ Vs
 Fig. 7 Señal de salida de la primera etapa.

De acuerdo con el valor de amplitud máximo de cada señal, se

Fig. 4a Esquemático segunda etapa.
obtiene la ganancia:

Vo 1.00 v
Av= = =5 v
Vs 200 mv

Fig. 4b Señales de salida de la primera etapa en el dominio del tiempo.

De acuerdo con el valor de amplitud máximo de cada señal, se

Fig. 8 Señal de salida de la segunda etapa.
obtiene la ganancia:
De acuerdo con el valor de amplitud máximo de cada señal, se
Vo obtiene la ganancia:
Av= =5.2 v
Vs
Vo 1.54 v
B. Montaje En ProtoBoard.
Av= = =7 v
Vs 200 mv

Fig. 9 Señal de salida de la 3 etapa.

Fig. 6 Montaje del diseño en la ProtoBoard.
De acuerdo con el valor de amplitud máximo de cada señal, se
Al realizar el montaje de los implementos en la protoboard y obtiene la ganancia:
efectuar las respectivas mediciones, se obtuvo:
Vo 248 mv
Av= = =1 v
Vs 200 mv

VI. TABLA DE RESULTADOS.

A. Tercera Etapa. manera quedan con la polaridad positiva hacia la señal de entrada y
la polaridad negativa hacia la 3 etapa o hacia la carga.
TABLA 1
• En el proceso de diseño hubo varios prototipos, en las primeras
COMPARACIONES DE PROCESOS DE DISEÑO.
prueba utilizamos capacitores paralelos a las resistencias del emisor
Valor Valor Valor de la etapa 1 y 2. En los cálculos y en la simulación nos daba muy
practico teórico simulado buenos resultados pero en el momento del montaje físico la señal de
salida no era generada, Por esta razón se optó por crear un diseño
IB 80uA 94.29uA 93.75uA sin capacitores en las resistencias del emisor de la etapa 1 y 2.

IC 15.30mA 18.95mA 18.85mA • En el montaje físico del diseño donde se siguió la simulación de
Orcad hubo cambios de valores de resistencias en el colector y en el
emisor esto se dio porque la ganancia medida no entraba en el
V CE 8.48v 6v 6.5v
rango de los parámetros de diseño mostrando un valor más bajo se
incrementó el valor de las resistencias para que la ganancia subiera.
B. Segunda Etapa.
TABLA 2
VIII. REFERENCIAS.

COMPARACIONES DE PROCESOS DE DISEÑO. A. Bibliografia.

Valor Valor Valor R. Boylestad and L. Nashelsky, Electronic devices and circuit
practico teórico simulado theory. Harlow: Pearson, 2014.

IB 27.3uA 7.64uA 8.73uA SAVANT, Cj. RODEN, MARTIN.S, CARPENTER, GORDON.

DISEÑOS ELECTRÓNICOS DE SISTEMAS.3.ra.Ed.California
IC 1.3mA 1.53mA 1.54mA E.E.U.U: Prentice-Hall, 1999.

B. Referencias web
V CE 12v 6v 6.5v
[1] “El transistor,” Circuitos y Esquemas Electrónicos - Electrónica
Fácil. https://www.electronicafacil.net/tutoriales/El-transistor.php
[Consultado: 4-Jun-2018].

[2] “Transistor 2N2222,” Juan Gualberto Gómez - EcuRed.

C. Primera Etapa.
https://www.ecured.cu/Transistor_2N2222. [Consultado: 5-Jun-
TABLA 3 2018].

COMPARACIONES DE PROCESOS DE DISEÑO. [3] “transistor,” temas de tecnologia.

http://www.areatecnologia.com/TUTORIALES/EL
Valor Valor Valor TRANSISTOR.htm. [Consultado: 5-Jun-2018].
practico teórico simulado

IB 24.68uA 13.47uA 16.92uA

IC 2.7mA 2.7mA 3.08mA

V CE 6.76v 6v 6.5v

VII. CONCLUSIONES.
• Durante el montaje de uno de los primeros prototipos, donde el
diseño tenía capacitores paralelos en las resistencias del emisor de
la etapa 1 y 2, se observó que los resultados de ganancia no eran los
esperados, el circuito no generaba la señal de salida y notamos que
al momento de retirarlos los capacitores se generaba la señal, pero
no con la ganancia de 30 si no una más baja, saliéndose de los
parámetros de diseño se llegó a concluir que estos capacitores
obstruían el paso de la señal de entrada en las primeras etapas
impidiendo mostrar la señal de salida.

• Se observó que el capacitor de acople entre la etapa 2 y 3 tenía

una dirección de polaridad diferente al de los demás, donde estos
tenían la polaridad positiva hacia la carga y la polaridad negativa
hacia la señal de entrada, mientras que la polaridad del capacitor de
acople de la etapa 2 y 3 iba en sentido contrario. Se determinó que
los capacitores electrolíticos tienden a polarizarse de la siguiente