Tecnológico Nacional de México
Instituto Tecnológico de la Laguna.
Departamento de Metal – Mecánica.
Ingeniería Mecatrónica.
Materia: Electrónica de Potencia Aplicada.
Investigación: Dispositivos Semiconductores de Potencia.
Docente: Ing. Miguel Marín Hernández.
Alumno: No. Control:
Puente Gonzalez Luis Alejandro. 17131356
Fecha de entrega: 04/02/2020
Diodos de potencia:
Componente electrónico ampliamente utilizado en la electrónica de potencia. A diferencia
de los diodos de baja potencia estos se caracterizan por ser capaces de soportar una alta
intensidad con una pequeña caída de tensión en estado de conducción y en sentido
inverso, deben ser capaces de soportar una fuerte tensión negativa de ánodo con una
pequeña intensidad de fugas.
Símbolo:
Tipos de diodos de potencia:
Diodos rectificadores de baja frecuencia:
Diodos rápidos (fast) y ultrarrápidos
(ultrafast):
Diodos Schotkky:
Diodos para aplicaciones especiales (alta
tensión):
Diodos para aplicaciones (alta corriente):
Característica I-V de un diodo de potencia:
Dónde:
VRRN: Tensión inversa máxima
VD: Tensión de codo
Características estáticas:
o Parámetros en bloqueo:
Tensión inversa de pico de trabajo (VRWM): es la que puede ser soportada por el
dispositivo de forma continuada, sin peligro de entrar en ruptura por avalancha.
Tensión inversa de pico repetitivo (VRRM): es la que puede ser soportada en picos de 1
ms, repetidos cada 10 ms de forma continuada.
Tensión inversa de pico no repetitiva (VRSM): es aquella que puede ser soportada una
sola vez durante 10ms cada 10 minutos o más.
Tensión de ruptura (VBR): si se alcanza, aunque sea una sola vez, durante 10 ms el diodo
puede destruirse o degradar las características del mismo.
Tensión inversa contínua (VR): es la tensión continua que soporta el diodo en estado de
bloqueo.
o Parámetros en estado de conducción:
Intensidad media nominal (IFAV):Es el valor medio de la máxima intensidad de impulsos
senoidales de 180º que el diodo puede soportar con la cápsula mantenida a determinada
temperatura (110 ºC normalmente).
Intensidad de pico repetitivo (IFRM):Máxima intensidad que puede ser soportada cada 20
ms por tiempo indefinido, con duración de pico de 1ms a determinada temperatura de la
cápsula.
Intensidad de pico único (IFSM):Es el máximo pico de intensidad aplicable por una vez
cada 10 minutos o más, con duración de pico de 10ms
o Características dinámicas:
Tiempo de recuperación inverso (trr).
Influencia del trr en la conmutación.
Tiempo de recuperación directo.
o Potencia:
Potencia máxima disipable.
Potencia media disipada.
Potencia inversa de pico repetitivo.
Potencia inversa de pico no repetitivo.
o Características térmicas:
Temperatura de la unión (Tjmáx): Es el límite superior de temperatura que nunca
debemos hacer sobrepasar a la unión del dispositivo si queremos evitar su inmediata
destrucción. En ocasiones, en lugar de la temperatura de la unión se nos da la "operating
temperature range" (margen de temperatura de funcionamiento), que significa que el
dispositivo se ha fabricado para funcionar en un intervalo de temperaturas comprendidas
entre dos valores, uno mínimo y otro máximo.
Temperatura de almacenamiento (Tstg): Es la temperatura a la que se encuentra el
dispositivo cuando no se le aplica ninguna potencia. El fabricante suele dar un margen de
valores para esta temperatura.
Aplicaciones:
Rectificadores de Red
Conmutación a alta frecuencia
UPS
Accionamiento de motores CA
Fuentes conmutadas
Convertidores
Cargadores de baterías
Aplicaciones de alta tensión
Aplicaciones de alta corriente
SITH (Tiristor de inducción estática):
Es un tipo de tiristor el cual tiene la posibilidad de activarse con un voltaje positivo de
compuerta y una de sus principales características es una baja resistencia en estado
activo.
Símbolo:
Características:
Un SITH tiene velocidades de conmutación muy rápidas y capacidades altas dv/dt y di/dt.
El tiempo de conmutación es de orden de 1 a 6 ms. La especificación de voltaje puede
alcanzar hasta 2500 V y la de corriente está limitada a 500 A. Este dispositivo es
extremadamente sensible a su proceso de fabricación, por lo que pequeñas variaciones
en el proceso de manufactura pueden producir cambios de importancia en sus
características.
GTO (Tiristor desactivado por compuerta):
Son semiconductores discretos que actúan como interruptores completamente
controlables, los cuales pueden ser encendidos y apagados en cualquier momento con
una señal de compuerta positiva o negativa respectivamente. Estos componentes están
optimizados para tener muy bajas perdidas de conducción y diseñados para trabajar en
las más demandantes aplicaciones industriales. Es tos componentes son altamente
utilizados en Convertidores de Alto Voltaje y Alta Potencia para aplicaciones de baja y
media frecuencia.
Símbolo:
Característica I-V de un GTO:
Estructura:
Un tiristor GTO tiene la estructura muy similar la estructura muy similar a un tiristor SCR
convencional. Con sus 4 capas de silicio (PNPN) y tres terminales: ánodo (A), cátodo (K),
y puerta (G).
Aplicaciones:
Trocadores y convertidores
Control de motores asíncronos
Inversores
Caldeo inductivo
Rectificadores
Soldadura al arco
Sistema de alimentación ininterrumpida (SAI)
Control de motores
Tracción eléctrica
MCT (Tiristor controlado por MOS):
El MCT es otro dispositivo semiconductor de potencia hibrido que combina los atributos
del MOSFET y el tiristor. Recientemente se puso en disponibilidad en el mercado y su
aplicación fundamental es en la electrónica de potencia.
Símbolo:
Estructura:
Está integrado por 2 MOSFET, uno de ellos enciende al tiristor y el otro lo apaga, Existen
diversos tipos de estructuras, pero todas ellas coinciden existe un tiristor PNPN que
determina las propiedades de conducción (y de bloqueo).
Aplicación:
El MCT se han utilizado en varias aplicaciones, algunas de las cuales se encuentran en la
zona de ac-dc y la conversión de corriente alterna-alterna, donde la entrada es de 60 Hz
de corriente alterna. Funcionamiento variable del factor de potencia se logró mediante el
MCT como una fuerza conmutado de interruptor de alimentación. El circuito de potencia
de un controlador de voltaje de corriente alterna capaz de operar a una de las principales,
por detrás, y el factor de potencia se muestra en la Ilustración 3. Debido a la frecuencia de
conmutación es baja, las pérdidas de conmutación son insignificantes. Debido a la caída
directa es baja, las pérdidas de conducción son también pequeñas. La MCT también se
utiliza en los interruptores. Comparación de los MCT con otros dispositivos de potencia
MTO:
Este es una combinación entre un GTO y un FET, y supera la limitación de apagado de un
GTO. Este componente tiene dos terminales de compuertas una para encendido y otra
para apagado.
Símbolo:
ETO:
Este es una combinación entre un GTO y un MOS, este tiristor también tiene dos
compuertas una de encendido y otra de apagado pero funciona totalmente diferente a un
MTO, ya que para activar el tiristor es necesario aplicar un voltaje positivo en las dos
compuertas y para apagarlo se debe aplicar un voltaje negativo en la puerta de apagado.
Símbolo:
IGCT (Tiristor controlado por una puerta integrada):
Es un dispositivo semiconductor empleado en electrónica de potencia para conmutar
corriente electrónica de potencia para conmutar corriente electrónica en equipos
industriales.
Símbolo:
TRIAC:
Es un componente electrónico que se utiliza para el control de corriente, básicamente
puede hacer la función de interruptor de un transistor, pero este componente lo hace en
corriente alterna a diferencia del transistor que lo hace en corriente directa.
Símbolo:
Característica I-V de un TRIAC:
Estructura:
Cuenta con 3 terminales, las cuales son 2 ánodos y una Gate. El símbolo del TRIAC son
dos diodos conectados como un puente rectificador uno a la inversa de otro, solo que
estos diodos son especiales ya que están configurados por 2 materiales P y 4 materiales
N.
Aplicaciones:
El triac es fácil de usar y ofrece ventajas de coste sobre el uso de dos tiristores para
muchas aplicaciones de baja potencia. Cuando se necesitan potencias superiores, casi
siempre se utilizan dos tiristores colocados en "anti-paralelo".
Son múltiples los usos del triac, pero por citar algunos:
- Para reguladores de luz.
- Para controles de velocidad de un ventilador eléctrico.
- Para el controles de motor pequeños.
- Para el control de pequeños electrodomésticos.
- Para el control de temperatura, control de iluminación, control de nivel de
líquido, los circuitos de control de fase, interruptores de potencia, etc.
LASCR:
Dispositivo semiconductor de cuatro capas que opera esencialmente como el SCR
normal, solamente que es activado por medio de energía luminosa que incide sobre una
de las junturas PN. Cuando la luz incidente es suficientemente intensa, el LASCR se
dispara y permanece en ese estado aunque desaparezca esta luz.
Símbolo:
Característica I-V de un LASCR:
Aplicación:
Se utilizan en aplicaciones de alto voltaje y corriente por ejemplo, transmisión de CD de
alto voltaje (HVDC) y compensación de potencia reactiva estática o de volt-amperes
reactivos (VAR). Un LASCR ofrece total aislamiento eléctrico entre la fuente de disparo
luminoso y el dispositivo de conmutación de un convertidor de potencia, que flota a un
potencial tan alto como unos cuantos cientos de kilovatios.
Se usa en equipos:
Alarmas antirrobo
Detectores de presencia en puertas y ascensores
Circuitos de control óptico en general
Relevadores
Control de fase
Control de motores
IGBT:
Componente electrónico diseñado para controlar principalmente altas potencias, en su
diseño está compuesto por un transistor bipolar de unión BJT y transistor de efecto de
campo de metal oxido semiconductor MOSFET.
Símbolo:
Característica I-V de un IGBT:
Estructura:
Es un dispositivo semiconductor de cuatro capas que se alternan (PNPN) que son
controlados por un metal-oxido- semiconductor (MOS), estructura de la puerta sin una
acción regenerativa.
Aplicaciones:
Este dispositivo funciona como un interruptor permite encender o apagar una línea
de corriente, tiene 3 terminales: Gate (Puerta), Colector y Emisor.
Se utiliza en cualquier clase de equipos o maquinas su capacidad de uso y sus
virtudes hace que sea un elemento indispensable en cualquier elemento que
necesite controlarse y maneje electricidad
SIT:
El SIT es un dispositivo portador mayoritario (unipolar) en el que el flujo de electrones de
la fuente al drenaje es controlado por un potencial de barrera en el semiconductor de dos
dimensiones con forma de silla de montar entre las compuertas metálicas. Si el dopado y
las dimensiones laterales son escogidas adecuadamente, la altura del potencial de
barrera será modulada por la compuerta y el drenaje.
Símbolo:
Característica I-V de un SIT:
Fuentes:
Boylestad, Nashelsky. Electrónica: Teoría de circuitos y dispositivos electrónicos. EU:
Pearson, 2003
EcuRed. (s.f.). Diodos de potencia - EcuRed. Recuperado 3 febrero, 2020, de
https://www.ecured.cu/Diodos_de_potencia
TIRISTORES. (s.f.). Recuperado 3 febrero, 2020, de
http://electronika2.tripod.com/info_files/tiristor.htm
MUHAMMAD H. RASHID, Electrónica de potencia, Ph.D.,Fellow IEE
