02-02celda RSRP

Descargar como pdf o txt
Descargar como pdf o txt
Está en la página 1de 42

Circuito equivalente de

las celdas solares.


Influencia de la
temperatura y la
radiación.
Dr. Julio C. Rimada Herrera
[email protected]
2017
CELDA SOLAR
creación de

portadores generados
por la luz
recolección de los

portadores generados
por la luz para crear
una co-rriente
generación de un

voltaje a través de los


terminales de la celda
solar

disipación de la
potencia en la
resistencia de carga y
las resistencias
parásitas
CARACTERÍSTICA VOLTAJE-CORRIENTE
  qV  
I  I 0 exp   1
  nkT  

  qV  
I  I 0 exp   1  I L
  nkT  

La dependencia I-V de una celda solar en oscuridad y bajo iluminación.


También se muestran los circuitos correspondientes a ambos casos.
CARACTERÍSTICA VOLTAJE-CORRIENTE

Curva I-V (línea roja) y curva de potencia versus voltaje (línea azul). El área A
es el producto de Imp*Vmp (área roja) en tanto el área B es el producto de
Isc*Voc.
P max I mp ×V mp FF × I sc ×V oc
η= = =
P inc P inc P inc
Corriente de corto circuito
La corriente de cortocircuito depende esencialmente del
número de fotones que son absorbidos y de cuantos pares
electrón-hueco alcanzan la zona de empobrecimiento.
 El área de la celda solar
• El número de fotones incidentes
 El espectro de la radiación incidente
 Las propiedades ópticas del material semiconductor, es decir,
cuanto absorbe y cuanto refleja el material. A mayor ancho de
la banda prohibida menor es el valor de la corriente de corto
circuito
 Las propiedades eléctricas del material semiconductor

J sc  qG  Ln  L p 
CARACTERÍSTICA VOLTAJE-CORRIENTE

Curva I-V (línea roja) y curva de potencia versus voltaje (línea azul). El área A
es el producto de Imp*Vmp (área roja) en tanto el área B es el producto de
Isc*Voc.
Voltaje a circuito abierto
El voltaje a circuito abierto (Voc) es el máximo voltaje que
aparece entre los terminales de la celda solar y ocurre
para valores de corriente nulos. En la ecuación:

  qV   nkT  I L 
I  I 0 exp   1  I L si I  0  Voc  ln  1
  nkT   q  I0 

Voc depende de I0 que a su vez depende de los mecanismos


de recombinación y de la temperatura
Voc depende del ancho de la banda prohibida, mientras
mayor es Eg mayor es el valor de Voc
CARACTERÍSTICA VOLTAJE-CORRIENTE

Curva I-V (línea roja) y curva de potencia versus voltaje (línea azul). El área A
es el producto de Imp*Vmp (área roja) en tanto el área B es el producto de
Isc*Voc.
Celdas solares: Recolección de pares electrón - hueco

Probabilidad de recolección en dependencia de la distancia a partir de


la superficie frontal de la celda solar como función de la longitud de
difusión y de la velocidad de recombinación superficial
Celdas solares: corriente foto-generada

La corriente foto-generada depende de la generación de pares


electrón-hueco y la probabilidad de recolección
Celdas solares: Eficiencia cuántica
La eficiencia cuántica de una celda solar es la rezón entre la cantidad de
portadores recolectados en una celda solar y el número de fotones
incidentes, para una energía (longitud de onda) determinada

Eficiencia cuántica de una celda solar en función de la longitud de


onda de la radiación incidente
Celdas solares: Respuesta espectral
Respuesta espectral de una celda solar es conceptualmente similar a la
eficiencia cuántica y no es más que la razón entre la corriente generada
por la celda solar y la potencia incidente en la celda.

La respuesta espectral es importante, porque ésta es la


dependencia que se mide en la realidad, y entonces la eficiencia
cuántica se determina por la siguiente expresión
RESISTENCIA CARACTERÍSTICA DE LA CELDA
SOLAR
Resistencia Característica
de una celda solar:
Es la resistencia de salida de la
celda solar al punto de máxima
potencia. Si la resistencia de la
carga es igual a la resistencia
característica de la celda solar,
entonces la máxima potencia es
transferida a la carga y la celda
solar opera al punto de máxima
potencia.
Curva I-V y resistencia Este es un parámetro útil para
característica RCH
analizar las celdas solares,
sobretodo cuando analizamos
el impacto de los mecanismos
de pérdidas parásitas.
RESISTENCIA CARACTERÍSTICA DE LA CELDA
SOLAR
La resistencia característica
puede expresarse como:

Esta puede venir dada


también como:

Curva I-V y resistencia


característica RCH
INFLUENCIA DE LAS RESISTENCIAS
PARASITAS EN LA CARACTERÍSTICA I-V
Efectos resistivos en las celdas solares, reducen la eficiencia de la
celda solar por disipación o pérdidas de potencia en las
resistencias. Las más comunes resistencias parásitas son la
resistencia serie y la resistencia paralelo.
La inclusión de las resistencias serie y paralelo en el modelo o
circuito eléctrico equivalente de una celda solar, se muestra en la
figura.

Circuito equivalente de
una celda solar con su
resistencia en serie y
paralelo
INFLUENCIA DE LAS RESISTENCIAS
PARASITAS EN LA CARACTERÍSTICA I-V

Circuito equivalente de
una celda solar con su
resistencia en serie y
paralelo
Circuito equivalente con la influencia
de resistencias parásitas
Where does the power go?

Series
resistance

(minimize)
Photocurrent

resistance

(maximize)
source

Diode

Shunt

Load
INFLUENCIA DE LA RESISTENCIA SERIE EN
LA CARACTERÍSTICA I-V
La resistencia serie en una celda solar tiene tres causas.
1- El movimiento de la corriente a través del emisor y la base
de la celda
2- La resistencia de contacto entre el contacto metálico y el
semiconductor
3- La resistencia de los metales de contacto superior y
posterior
INFLUENCIA DE LA RESISTENCIA SERIE EN
LA CARACTERÍSTICA I-V

El impacto principal de la resistencia serie es la


reducción del factor de llenado, aunque valores
excesivamente elevados pueden reducir también la
corriente de cortocircuito.

La resistencia serie no afecta a la celda solar a voltaje a


circuito abierto puesto que la totalidad de la corriente
que fluye a través de la celda solar, y por tanto la
resistencia serie, es cero . Sin embargo, cercano al
voltaje a circuito abierto, la curva IV es fuertemente
afectada por la Rs.
INFLUENCIA DE LA RESISTENCIA SERIE EN
LA CARACTERÍSTICA I-V

Característica volt-ampérica para diversos valores de Rs


Un método directo para estimar la resistencia serie de una celda
solar es encontrar la pendiente de la curva IV en el punto de
Voc.
INFLUENCIA DE LA RESISTENCIA SERIE EN
LA CARACTERÍSTICA I-V

Característica volt-ampérica para diversos valores de Rs


INFLUENCIA DE LA RESISTENCIA
PARALELO EN LA CARACTERÍSTICA I-V
La presencia de una resistencia paralelo, Rsh, provoca
significativas pérdidas de potencia. Las causas se deben
fundamentalmente a los defectos de manufactura más que a
un mal diseño de la celda solar.
Baja resistencia paralelo causa pérdidas de potencia en celdas
solares al proveer un paso de corriente alternativo a la
corriente generada por la luz. Como una desviación reduce la
cantidad de corriente que esta fluyendo a través de la juntura
de la celda solar se reduce el voltaje de la celda solar.
El efecto de una resistencia paralelo es particularmente severo
a bajos niveles de iluminación, ya que allí será menor la
corriente generada por la luz. La pérdida de esta corriente
desviada tiene por lo tanto un impacto mayor.
En adición, a bajos voltajes, donde la resistencia efectiva de la
celda solar es elevada, el impacto de una resistencia en
paralelo es mayor.
INFLUENCIA DE LA RESISTENCIA
PARALELO EN LA CARACTERÍSTICA I-V

Un método simple y aproximado para determinar la resistencia


paralelo es calculando la pendiente de la curva I-V en la zona
de la corriente de cortocircuito.
INFLUENCIA DE LA RESISTENCIA
PARALELO EN LA CARACTERÍSTICA I-V

Característica volt-ampérica para diversos valores de Rsh


INFLUENCIA DE LAS RESISTENCIAS
PARASITAS EN LA CARACTERÍSTICA I-V

Circuito equivalente de
una celda solar con su
resistencia en serie y
paralelo
INFLUENCIA DE LA TEMPERATURA EN LA
CARACTERÍSTICA I-V
Como todos los dispositivos semiconductores, las celdas solares
son sensibles a la temperatura. El aumento de la temperatura
reduce el gap del material, provocando cambios en todos los
demás parámetros.
En una celda solar el parámetro mas afectado por la temperatura
es el voltaje a circuito abierto
INFLUENCIA DE LA TEMPERATURA EN LA
CARACTERÍSTICA I-V
La expresión de I0 para un solo lado de la unión p-n está dada
por:

Es esta expresión, varios parámetros dependen de la


temperatura, pero el efecto mas significativo es debido a la
concentración intrínseca de portadores

Donde EG0 es la banda prohibida linealmente extrapolada al cero


absoluto y B es una constante esencialmente independiente de
la temperatura.
INFLUENCIA DE LA TEMPERATURA EN LA
CARACTERÍSTICA I-V
Sustituyendo las ecuaciones anteriores dentro de la expresión para I 0 y
asumiendo que la dependencia de los otros parámetros con la temperatura
se puede despreciar, obtenemos

Una constante, γ, es usada en lugar del número 3 para incorporar la


posible dependencia con la temperatura de otros parámetros del material.
Para celdas solares de silicio a temperatura cercanas a la temperatura
ambiente, I0 aproximadamente se duplica por cada 10 °C de incremento en
la temperatura.
El impacto de I0 sobre el Voc puede calcularse sustituyendo la ecuación para
I0 dentro de la ecuación para Voc como se muestra a continuación

Donde EG0 = qVG0


INFLUENCIA DE LA TEMPERATURA EN LA
CARACTERÍSTICA I-V
Asumiendo que dVoc/dT no depende de dIsc/dT, dVoc/dT puede
determinarse como

La ecuación de arriba muestra que la sensibilidad a la temperatura de una


celda solar depende del voltaje a circuito abierto de la celda solar, celdas
solares con mayores voltaje son menos afectadas por la temperatura. Para el
silicio EG0 es 1.2 eV, y usando  como 3 obtenemos una reducción en el
voltaje a circuito abierto de alrededor de 2.2 mV/°C:

La corriente de cortocircuito, Isc, incrementa ligeramente con la temperatura,


puesto que la banda de energías prohibidas, Eg, decrece y mas fotones tienen
suficiente energía para crear pares e-h. Sin embargo, este efecto es pequeño y
la dependencia con la T de la Isc para una celda solar de silicio es
INFLUENCIA DE LA TEMPERATURA EN LA
CARACTERÍSTICA I-V

El voltaje a circuito abierto decrece con la temperatura debido a la


dependencia con la temperatura de I0
INFLUENCIA DE LA INTENSIDAD LUMINOSA
Cambiando la intensidad de la luz incidente sobre una celda solar,
cambian todos los parámetros de la celda solar, incluyendo la Isc, el
Voc, el FF, la η y el impacto de las Rs y Rsh.

La intensidad de la luz sobre una celda solar se denota como número de


soles, donde 1 sol corresponde a la iluminación Standard a AM1.5, o
1kW/m2. Por ejemplo, un sistema con 10 kW/m2 incidiendo sobre la
celda solar se dice que está operando a 10 soles, o a 10x. Un modulo
PV diseñado para operar sobre condiciones de 1 sol se denomina como
modulo “plano plato” (“flat plate”), mientras los que usan luz solar
concentrada son denominados “concentradores”.
INFLUENCIA DE LA INTENSIDAD LUMINOSA
Concentradores
Un concentrador es una celda solar diseñada para operar sobre
iluminación más grande que 1 sol. La luz solar incidente es enfocada
por elementos ópticos tales que una elevada intensidad de haz de luz
brille sobre una pequeña celda solar. Los concentradores tienen varias
ventajas potenciales, incluyendo una mayor eficiencia potencial que
una celda solar de un sol y la posibilidad de disminuir costos. La
corriente de cortocircuito de una celda solar depende linealmente con
la intensidad de la luz, tal que un dispositivo operando bajo 10 soles
puede tener 10 veces mas corriente de cortocircuito que igual
dispositivo operando a un sol. Sin embargo este efecto no provee un
incremento eficiente, puesto que la potencia incidente también se
incrementa linealmente con la concentración. En su lugar los beneficios
de la eficiencia provienen de la dependencia logarítmica del voltaje a
circuito abierto con la corriente de cortocircuito. Por lo tanto, bajo
concentración, Voc se incrementa logaritmicamente con la intensidad
de la luz como se muestra en la ecuación siguiente
INFLUENCIA DE LA INTENSIDAD LUMINOSA
Concentradores
El costo del sistema fotovoltaico con concentrador puede ser menor que
el correspondiente al de un sistema plano plato, ya que se necesita un
área pequeña de celda solar.
Los beneficios en la eficiencia pueden ser reducidos por las pérdidas
incrementadas en la resistencia serie, debido al incremento de la Isc, y
también por la temperatura de operación mas alta de la celda. Como las
pérdidas debido a la Isc dependen del cuadrado de la corriente, la
pérdida de potencia debido a la resistencia serie se incrementa como el
cuadrado de la concentración.
INFLUENCIA DE LA INTENSIDAD LUMINOSA
Concentradores
El costo del sistema fotovoltaico con concentrador puede ser menor que
el correspondiente al de un sistema plano plato, ya que se necesita un
área pequeña de celda solar.
Los beneficios en la eficiencia pueden ser reducidos por las pérdidas
incrementadas en la resistencia serie, debido al incremento de la Isc, y
también por la temperatura de operación mas alta de la celda. Como las
pérdidas debido a la Isc dependen del cuadrado de la corriente, la
pérdida de potencia debido a la resistencia serie se incrementa como el
cuadrado de la concentración.
1000 m
INFLUENCIA DE LA INTENSIDAD LUMINOSA
Baja intensidad de radiación
Las celdas solares experimentan variaciones diarias de la intensidad
luminosa entre 0 y 1 kW/m². A bajos niveles de iluminación, el
efecto de la resistencia paralelo se convierte en muy importante.
Mientras la intensidad luminosa decrece, el voltaje y la corriente a
través de la celda también disminuyen, y el valor de la resistencia
equivalente de la celda puede comenzar a acercarse al de la
resistencia paralelo. Cuando esas dos resistencias son similares, la
fracción de la corriente que fluye a través de la resistencia paralelo
aumenta, incrementando la fracción de pérdida de potencia debido a
la resistencia paralelo. Como consecuencia, una celda con una
resistencia paralelo alta, conserva una mayor fracción de su
potencia que una celda con una resistencia paralelo baja.
RESPUESTA ESPECTRAL

Montaje experimental para la medición de la respuesta


espectral
Celdas solares: caracterización

Instalación experimental para la medición de la eficiencia


cuántica
Celdas solares: caracterización I-V

Esquema de medición de la dependencia volt-ampérica


Instalación experimental para la medición de la
característica corriente-voltaje bajo iluminación
Instalación experimental para la medición de la
característica corriente-voltaje bajo iluminación
Eficiencia de conversión
I mp  Vmp I sc  Voc
  FF
Pinc Pinc

Esquema de medición de la característica corriente-voltaje

También podría gustarte