PRÁCTICA 5:

POLARIZACIÓN EN DC DEL TRANSISTOR BJT

María E. Sempértegui

Resumen —El uso de este nuevo semiconductor conocido como III. MATERIALES
transistor es indispensable dentro de la electrónica analógica pues el
mismo permite amplificar la corriente con la que se está trabajando, - Multímetro.
mediante la práctica se observaran las diferentes configuraciones que - Fuente de corriente continua
pueden recibir estos transistores para funcionar dentro de la zona de - 4 transistores 2n3904
trabajo, además se notaran características de este elemento que nos - Protoboard
ayudaran a entenderlo y ocuparlo de excelente manera. - Cables de conexión
- Resistencias
Palabras clave — transistor, colector, emisor, saturación.
- Cautín
I. INTRODUCCIÓN - Datasheet transistor 2n3904
Los transistores del tipo BJT pudiendo ser canal N o
canal P son herramientas muy útiles en la electrónica por su III. MARCO TEÓRICO
sin número de aplicaciones por lo mismo en la práctica se
analizaran diferentes configuraciones para los mismos, que
darán ecuaciones diferentes y con eso podremos elegir la A. Transistor BJT
mejor configuración para la aplicación que necesitemos
elaborar, en este caso trabajaremos con el transistor 2n3904 El transistor de unión bipolar (del inglés bipolar junction
Canal N transistor, o sus siglas BJT) es un dispositivo electrónico de
estado sólido consistente en dos uniones PN muy cercanas
II. OBJETIVOS entre sí, que permite aumentar la corriente y disminuir el
voltaje, ademas de controlar el paso de la corriente a través
.
de sus terminales. La denominación de bipolar se debe a que
A. Objetivo General: la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de
portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones
Analizar y comprar los diversos tipos de circuitos de negativos), y son de gran utilidad en gran número de
polarización para un transistor BJT aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos
su impedancia de entrada bastante baja.
B. Objetivos Específicos:
Los transistores bipolares son los transistores más
conocidos y se usan generalmente en electrónica analógica
Definir el concepto y utilidad de un circuito de polarización aunque también en algunas aplicaciones de electrónica
para un transistor BJT digital, como la tecnología TTL o BICMOS.
Conocer los diversos tipos de polarización
Un transistor de unión bipolar está formado por dos
Analizar y calcular un circuito de polarización Uniones PN en un solo cristal semiconductor, separados por
Determinar mediante cálculos y mediciones, el punto de una región muy estrecha. De esta manera quedan formadas
operación de un transistor BJT tres regiones:
Analizar y comprar la dependencia del factor beta, en un
Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar
circuito de polarización
fuertemente dopada, comportándose como un metal. Su
Comparar y analizar el comportamiento de los distintos nombre se debe a que esta terminal funciona como emisor de
circuitos de polarización, en función de la estabilidad del portadores de carga.
punto de trabajo
Identificar, conectar y comprobar correctamente el Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del
funcionamiento de un transistor. colector.

Colector, de extensión mucho mayor.

E. Aguirre, Universidad de Cuenca. Laboratorio Electrónica Analógica
([email protected]).
M. Sempértegui. Universidad de Cuenca. Laboratorio Electrónica Analógica
La técnica de fabricación más común es la deposición
([email protected]). epitaxial. En su funcionamiento normal, la unión base-emisor
 está polarizada en directa, mientras que la base-colector en
inversa. Los portadores de carga emitidos por el emisor
atraviesan la base, porque es muy angosta, hay poca
recombinación de portadores, y la mayoría pasa al colector.
El transistor posee tres estados de operación: estado de corte,
estado de saturación y estado de actividad.

Figura 1 Representación gráfica transistor.

Figura 2 Grafica Ic-Vce

B. Principio de funcionamiento.

. En una configuración normal, la IV. DESARROLLO DE LA PRÁCTICA

unión base-emisor se polariza en directa y la unión base-
colector en inversa.6 Debido a la agitación térmica los
1. Completar la siguiente tabla, en relación a los circuitos
portadores de carga del emisor pueden atravesar la barrera de
de polarización.
potencial emisor-base y llegar a la base. A su vez,
prácticamente todos los portadores que llegaron son Tabla 1 Ecuaciones para las diferentes configuraciones
impulsados por el campo eléctrico que existe entre la base y
el colector. Polarizaci Ecuación Ecuaci Ecuaci Punto
ón para la Ib ón ón de
Un transistor NPN puede ser considerado como dos diodos
para el para la saturaci
con la región del ánodo compartida. En una operación típica,
Vce Ic ón Icsat
la unión base-emisor está polarizada en directa y la unión Circuito de 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸 𝑉𝐶𝐶 𝛽𝐼𝐵 𝑣𝑐𝑐
base-colector está polarizada en inversa. En un transistor polarización 𝑅𝐵 − 𝐼 ∗ 𝑅𝐶 𝑅𝐶
NPN, por ejemplo, cuando una tensión positiva es aplicada fija
en la unión base-emisor, el equilibrio entre los portadores Circuito de 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸 𝑉𝐶𝐶 𝛽𝐼𝐵 𝑉𝐶𝐶
polarización 𝑅𝐵 + 𝛽𝑅𝐸 − 𝐼𝐶 (𝑅𝐶 𝑅𝐶 − 𝑅𝐸
generados térmicamente y el campo eléctrico repelente de la estabilizada
región agotada se desbalancea, permitiendo a los electrones + 𝑅𝐵 )
en emisor
excitados térmicamente inyectarse en la región de la base. Circuito de 𝐸𝑇𝐻 − 𝑉𝐵𝐸 𝑉𝐶𝐶 𝛽𝐼𝐵 𝑉𝐶𝐶
Estos electrones "vagan" a través de la base, desde la región polarización 𝑅𝑇𝐻 + 𝛽𝑅𝐸 − 𝐼𝐶 (𝑅𝐶 𝑅𝐶 − 𝑅𝐸
por divisor de + 𝑅𝐵 )
de alta concentración cercana al emisor hasta la región de voltaje
baja concentración cercana al colector. Estos electrones en la Circuito de 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸 𝑉𝐶𝐶 𝛽𝐼𝐵 𝑉𝐶𝐶
base son llamados portadores minoritarios debido a que la polarización 𝑅𝐵 + 𝛽(𝑅𝐸 + 𝑅𝐸 )− 𝐼𝐶 (𝑅𝐶 𝑅𝐶 − 𝑅𝐸
base está dopada con material P, los cuales generan "huecos" DC por + 𝑅𝐵 )
retroalimenta
como portadores mayoritarios en la base. ción de
voltaje
La región de la base en un transistor debe ser
constructivamente delgada, para que los portadores puedan
difundirse a través de esta en mucho menos tiempo que la 2. Regular Vcc=10v, en la fuente de alimentación variable,
vida útil del portador minoritario del semiconductor, para disponible en el laboratorio. Defina un valor para la
minimizar el porcentaje de portadores que se recombinan intensidad de colector de saturación Icsat a emplearse en
antes de alcanzar la unión base-colector. El espesor de la base los cálculos, tome en cuenta que la máxima intensidad de
debe ser menor al ancho de difusión de los electrones. colector para el transistor 2N3904 es 200mA (sugerencia:
emplee un valor de hasta 20mA).

VCC= 10V
Icsat= 20mA
Q=(5, 10*10^-3)
VCE=5V
 IC=10mA Tabla 3. Medición del Punto de Trabajo Circuito de Polarización
B=210 Fija
IB=47.62uA
Parámetro Valores Medidos
Icq 9.85mA
3. CIRCUITO DE POLARIZACIÓN FIJA Vceq 5.25V

3.1. Emplear la opción hFE, del multímetro, determinar la

ganancia del transistor 2N3904. Completar la tabla.

Tabla 2. Medición de hFE transistor 2N3904

Transistor hFE (beta)

Q1 210

3.2. Para el circuito de polarización fija de la figura 3.

Determine el punto de trabajo del transistor en Q
(Vcc/2, Icsat/2). De acuerdo a los valores fijados en el
punto 2.

a. Realice los cálculos necesarios y determine los valores Gráfico 1: Simulación

de las resistencias para establecer el punto de trabajo
requerido. Amar el circuito de polarización. Medir Icq
y Vce. Completar la tabla 3. b. Realizar un gráfico de la recta de carga del transistor,
acotar los puntos: saturación, corte y trabajo (Medido
y calculado).

Figura 3 Circuito configuración polarización fija Gráfico 2: Punto de carga medido y calculado

Cálculos:
Malla entrada c. Conectar y acercar el cautín al transistor. Medir Q;
𝑉𝐶𝐶 = 𝐼𝐵 𝑅𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 De acuerdo al incremento de temperatura. Acotar la
nueva ubicación del punto e trabajo en el grafico del
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸 punto anterior. Completar la tabla 4.
𝑅𝐵 =
𝐼𝐵
10 − 0,7 Tabla 4. Variación del Punto de Trabajo debido al incremento de
𝑅𝐵 = temperatura
10 ∗ 10−3
340 % de Variación
𝑅𝐵 = 195.3𝐾Ω
Valores medidos (respecto a
Malla salida
Parámetro con incremento valores medidos a
𝑉𝐶𝐶 = 𝐼𝐶 𝑅𝐶 + 𝑉𝐶𝐸
de temperatura temperatura
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐶𝐸 ambiente)
𝑅𝑐 = Icq 9.85mA 0.07
𝐼𝐶
10 − 5𝑣 Vceq 5.1V 0.02
𝑅𝑐 =
10𝑚𝐴
𝑅𝑐 = 500Ω
 Malla entrada
𝑉𝐶𝐶 = 𝐼𝐵 𝑅𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 + 𝐼𝐸 𝑅𝐸

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸 = 𝐼𝐵 (𝑅𝐵 + 𝐵 ∗ 𝑅𝐸 )

𝑅𝐵 = 174.3𝑘Ω

Malla salida
𝑉𝐶𝐶 = 𝐼𝐶 𝑅𝐶 + 𝑉𝐶𝐸 + 𝐼𝐸 𝑅𝐸
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐶𝐸 = 𝐼𝐶 (𝑅𝐶 +𝑅𝐸 )
Gráfico 3: Punto de carga aplicado calor
𝑅𝐶 +𝑅𝐸 = 500Ω
𝑅𝑐 > 𝑅𝐸

d. A partir de los resultados obtenidos en la tabla 4. 𝑅𝐸 = 100Ω

Realice un análisis del comportamiento de un circuito 𝑅𝐶 = 500 − 100 = 400Ω
de polarización fija.

Cuando se acerca el cautín al transistor y la Tabla 6. Medición del Punto de Trabajo Circuito de Polarización
Estabilizado en Emisor
temperatura empieza a aumentar, el voltaje decrece y
la corriente aumenta rápidamente.
Parámetro Valores Medidos
Icq 10.30mA
4. CIRCUITO DE POLARIZACIÓN ESTABILIZADOR Vceq 5.32V
EN EMISOR

4.1 Empleando la opción hFE, del multímetro, determine la

ganancia del transistor 2N3904. Complete la tabla 5.

Tabla 5. Medición de hFE, transistor 2N3904

Transistor hFE
Q1 210

4.2 Para el circuito de polarización fija de la figura.

Determine el punto de trabajo en Q (Vcc/2, Icsat/2).

a. Realice los cálculos necesarios y determine los

valores de las resistencias para establecer el punto de
trabajo requerido. Amar el circuito de polarización,
medir Icq y Vce. Completar la tabla 6. Gráfico 4: Simulación

b. Realizar un gráfico de la recta de carga del transistor,

acotar los puntos: saturación, corte y trabajo (
Medido y calculado)

Figura 4. Circuito de polarización estabilizado en emisor.

Cálculos: Gráfico 5: Punto de carga medido y calculado

 requerido. Amar el circuito de polarización, medir Icq
c. Conectar y acercar el cautín al transistor Medir Q y Vce. Completar la tabla 9.
(Icq, Vceq): De acuerdo al incremento de
temperatura. Acotar la nueva ubicación del punto de
trabajo, en el grafico del punto anterior.

Tabla 7. Variación del Punto de trabajo debido al incremento de

temperatura

% de Variación
Valores medidos (respecto a
Parámetro con incremento valores medidos a
de temperatura temperatura
ambiente)
Icq 9.76mA 0.022
Vceq 5.15V 0.025 Figura 5. Circuito de polarización DC por retroalimentación de
Voltaje.

Cálculos:

Malla entrada
𝑉𝐶𝐶 = 𝐼𝐶 𝑅𝐶 + 𝐼𝐵 𝑅𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 + 𝐼𝐸 𝑅𝐸

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸 = 𝐼𝐵 (𝑅𝐵 + 𝐵 ∗ 𝑅𝐸 + 𝐵 ∗ 𝑅𝐶 )

𝑅𝐵 = 90.3KΩ

Gráfico 6: Punto de carga aplicado calor

Malla salida
𝑉𝐶𝐶 = 𝐼𝐶 𝑅𝐶 + 𝑉𝐶𝐸 + 𝐼𝐸 𝑅𝐸
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐶𝐸 = 𝐼𝐶 (𝑅𝐶 +𝑅𝐸 )
d. A partir de los resultados obtenidos, en las tablas 6 y 𝑅𝐶 +𝑅𝐸 = 500Ω
7. Realice un análisis del comportamiento de un 𝑅𝑐 > 𝑅𝐸
circuito con resistencia estabilizador.

Cuando el transistor está sometido a temperatura, el voltaje 𝑅𝐸 = 100Ω

decrece y la corriente aumenta, lo que no sucede cuando está a 𝑅𝐶 = 400Ω
temperatura ambiente.
Tabla 9. Medición del Punto de Trabajo C.P. Retroalimentación de
5. CIRCUITO DE POLARIZACIÓN DC POR Voltaje
RETROALIMENTACIÓN DE COLECTOR
Parámetro Valores Medidos
5.1 Empleando la opción hFE, del multímetro, determine la Icq 9.36mA
ganancia del transistor 2N3904. Complete la tabla 8. Vceq 5.2V

Tabla 8. Medición de hFE, transistor 2N3904

Transistor hFE (beta)

Q1 210

5.2 Para el circuito de polarización dc por

retroalimentación de voltaje, de la figura 3. Defina el
punto de trabajo del transistor con los mismos valores
que el circuito de polarización fija. Q (Vcc/2, Icsat/2).

a. Realice los cálculos necesarios y determine los valores

de las resistencias para establecer el punto de trabajo
 Gráfico 9: Punto de carga aplicado calor

d. A partir de los resultados obtenidos, en la tabla 10.

Gráfico 7: Simulación Realice un análisis del comportamiento de un circuito
con resistencia estabilizador.
b. Realizar un gráfico de la recta de carga del transistor,
acotar los puntos: saturación, corte y trabajo ( Medido Con el incremento de temperatura, se puede observar que la
y calculado) corriente es mayor y el voltaje menor, a comparación cuando se
realizan las mediciones en temperatura ambiente.

6. CIRCUITO DIVISOR DE TENSIÓN

6.1 Empleando la opción hFE, del multímetro, determine la

ganancia del transistor 2N3904. Complete la tabla 11.

Tabla 11. Medición de hFE, transistor 2N3904

Gráfico 8: Punto de carga medido y calculado Transistor hFE

Q1 210
c. Conectar y acercar el cautín al transistor Medir Q
(Icq, Vceq); de acuerdo al incremento de temperatura.
6.2 Para el circuito de polarización fija de la figura 6.
Acotar la nueva ubicación del punto de trabajo, en el
Defina el punto de trabajo del transistor con los
grafico del punto anterior. Completar la tabla 10.
mismos valores que en el circuito de polarización fija.
Q (Vcc/2, Icsat/2).

a. Realice los cálculos necesarios y determine los

Tabla 10. Variación del Punto de Trabajo debido al incremento de
temperatura valores de las resistencias para establecer el punto de
trabajo requerido. Amar el circuito de polarización,
% de Variación medir Icq y Vce. Completar la tabla 12.
Valores medidos (respecto a
Parámetro con incremento valores medidos a
de temperatura temperatura
ambiente)
Icq 9.80mA 0.028
Vceq 5.1V 0.016
 Figura 6. 4 Circuito de Polarización por Divisor de Voltaje
Gráfico 10: Simulación
Cálculos:

Voltaje y resistencia de Thevenin b. Realizar un gráfico de la recta de carga del transistor,

acotar los puntos: saturación, corte y trabajo (
𝑅1 ∗ 𝑅2 Medido y calculado)
𝑅𝑇𝐻 =
𝑅1 + 𝑅2
𝑅2
𝑉𝑇𝐻 = ∗𝑉
𝑅1 + 𝑅2 𝐶𝐶
Condición

𝐵 ∗ 𝑅𝐸 ≥ 10𝑅2
210 ∗ 100 ≥ 10𝑅2
𝑅2 = 2.1𝐾Ω

Gráfico 11: Punto de carga medido y calculado

Malla entrada
𝑉𝑇𝐻 = 𝐼𝐵 𝑅𝑇𝐻 + 𝑉𝐵𝐸 + 𝐼𝐸 𝑅𝐸

𝑅2 𝑅1∗𝑅2
( ∗ 𝑉𝐶𝐶 ) = 𝐼𝐵 ( ) + 𝑉𝐵𝐸 + 𝐼𝐸 𝑅𝐸 ) c. Conectar y acercar el cautín al transistor. Medir Q
𝑅1+𝑅2 𝑅1+𝑅2
(Icq, Vceq); de acuerdo al incremento de temperatura.
𝑅1 (𝐼𝐵 𝑅2 + 𝑉𝐵𝐸 + 𝐼𝐸 𝑅𝐸 ) = 𝑅2 (𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸 − 𝐼𝐸 𝑅𝐸 ) Acotar la nueva ubicación del punto de trabajo, en el
grafico del punto anterior. Completar la tabla 13.

𝑅1 = 9.683𝑘Ω
Tabla 13. Variación del Punto de Trabajo debido al incremento de
temperatura
Malla salida
𝑉𝐶𝐶 = 𝐼𝐶 𝑅𝐶 + 𝑉𝐶𝐸 + 𝐼𝐸 𝑅𝐸
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐶𝐸 = 𝐼𝐶 (𝑅𝐶 +𝑅𝐸 ) % de Variación
𝑅𝐶 +𝑅𝐸 = 500Ω Valores medidos (respecto a
𝑅𝑐 > 𝑅𝐸 Parámetro con incremento valores medidos a
𝑅𝐸 = 100Ω de temperatura temperatura
𝑅𝐶 = 400Ω ambiente)
Icq 9.88mA 0.008
Vceq 4.5V 0.046
Tabla 12. Medición del Punto de Trabajo Circuito de Polarización
de Voltaje.

Parámetro Valores Medidos

Icq 9.82 mA
Vceq 4.6V
 María E. Sempértegui estudió en el colegio La
Asunción de la ciudad de Cuenca y culminó sus
estudios en el año 2014. Actualmente estudia en la
Facultad de Ingeniería Eléctrica, cursando quinto
ciclo.

Gráfico 12: Punto de carga aplicado calor

d. A partir de los resultados obtenidos, en la tabla 13.

Realice un análisis del comportamiento de un circuito
con resistencia estabilizador.

Con el incremento de temperatura, el voltaje emisor – colector

disminuyó su valor y la corriente de colector aumentó su valor,
aproximándose a al valor ideal que es 10mA.

V. CONCLUSIONES
1. Los valores medidos de voltaje y corriente son
similares a los valores calculados. La diferencia entre
estos dos puede darse debido a la imprecisión de los
potenciómetros utilizados.
2. El punto de carga se encuentra en la zona activa de la
gráfica del transistor.
3. Cuando se calienta el transistor, la corriente aumenta
rápidamente y el voltaje decrece.
4. El punto de carga medido cuando el transistor está
sometido a temperatura se encuentra siempre en la
mitad del valor del punto de carga calculado y el punto
de carga medido a temperatura ambiente.

VI. RECOMENDACIONES
1. Conectar correctamente los transistores.
2. Verificar que el transistor esté funcionando
correctamente y no se haya quemado.
3. Medir beta cuando se utiliza un nuevo transistor.

REFERENCIAS
[1] Robert Boylestad y Louis Nashelsky, Electrónica: Teoría de Circuitos y
Dispositivos Electrónicos, 10.a ed. Pearson, 2009.

BIOGRAFÍAS

Ivania C. Aguirre estudió en la Unidad Educativa

Santa Mariana de Jesús y culminó sus estudios en el
año 2014. Actualmente estudia en la Facultad de
Ingeniería Eléctrica.