Scribd Logo
Cargar

¡Te damos la bienvenida a Scribd!

  • 68 vistas

    Potencia de Electronica Unad

    Cargado por

    YEISON EDUARDO CAICEDO GARZON
    Este documento presenta los resultados de una práctica de laboratorio realizada en Proteus para caracterizar un IGBT G30N60A4. Se midieron las características de transferencia variando el voltaje de compuerta Vge de 5V a 8V y anotando los valores de voltaje colector Vce e intensidad de colector Ic. Luego se midieron las características de colector variando Vce e ignorando la fuente V3, determinando el voltaje de pinch-off en -0.01V. Finalmente se graficaron Vge vs I

    Copyright:

    © All Rights Reserved
    Descargue como DOCX, PDF, TXT o lea en línea desde Scribd

    Potencia de Electronica Unad

    Cargado por

    YEISON EDUARDO CAICEDO GARZON
    68 vistas6 páginas
    Este documento presenta los resultados de una práctica de laboratorio realizada en Proteus para caracterizar un IGBT G30N60A4. Se midieron las características de transferencia variando el voltaje de compuerta Vge de 5V a 8V y anotando los valores de voltaje colector Vce e intensidad de colector Ic. Luego se midieron las características de colector variando Vce e ignorando la fuente V3, determinando el voltaje de pinch-off en -0.01V. Finalmente se graficaron Vge vs I

    Descripción original:

    Documento de tarea de la universidad nacional abierta y a distancia

    Título original

    POTENCIA DE ELECTRONICA UNAD

    Derechos de autor

    © © All Rights Reserved

    Formatos disponibles

    DOCX, PDF, TXT o lea en línea desde Scribd

    ¿Le pareció útil este documento?

    ¿Este contenido es inapropiado?

    Este documento presenta los resultados de una práctica de laboratorio realizada en Proteus para caracterizar un IGBT G30N60A4. Se midieron las características de transferencia variando el voltaje de compuerta Vge de 5V a 8V y anotando los valores de voltaje colector Vce e intensidad de colector Ic. Luego se midieron las características de colector variando Vce e ignorando la fuente V3, determinando el voltaje de pinch-off en -0.01V. Finalmente se graficaron Vge vs I

    Copyright:

    © All Rights Reserved
    Descargue como DOCX, PDF, TXT o lea en línea desde Scribd
    Descargar como docx, pdf o txt
    68 vistas6 páginas

    Potencia de Electronica Unad

    Cargado por

    YEISON EDUARDO CAICEDO GARZON
    Este documento presenta los resultados de una práctica de laboratorio realizada en Proteus para caracterizar un IGBT G30N60A4. Se midieron las características de transferencia variando el voltaje de compuerta Vge de 5V a 8V y anotando los valores de voltaje colector Vce e intensidad de colector Ic. Luego se midieron las características de colector variando Vce e ignorando la fuente V3, determinando el voltaje de pinch-off en -0.01V. Finalmente se graficaron Vge vs I

    Copyright:

    © All Rights Reserved
    Descargue como DOCX, PDF, TXT o lea en línea desde Scribd
    Descargar como docx, pdf o txt
    de 6

    UNIVERSIDAD NACIONAL ABIERTA Y A DISTANCIA – UNAD

    ESCUELA DE CIENCIAS BÁSICAS TECNOLOGÍA E INGENIERÍA

    Electrónica de Potencia
    Laboratorio

    Presentado por:
    Diana Gutiérrez

    Grupo:

    Presentado a:

    Universidad Nacional Abierta y a Distancia – UNAD


    Escuela de ciencias básicas, tecnología e ingeniería

    Noviembre 2018
    UNIVERSIDAD NACIONAL ABIERTA Y A DISTANCIA – UNAD
    ESCUELA DE CIENCIAS BÁSICAS TECNOLOGÍA E INGENIERÍA

    TABLA DE CONTENIDO

    1. ACTIVIDAD 3 LABORATORIO (PROTEUS)

    Practica No.3: Características V-I Del IGBT

    G30N60A4

    Figura
    No.3

    Procedimiento:

    Características de transferencia

    1. Realice el montaje del circuito de la figura.


    UNIVERSIDAD NACIONAL ABIERTA Y A DISTANCIA – UNAD
    ESCUELA DE CIENCIAS BÁSICAS TECNOLOGÍA E INGENIERÍA

    Fig1. Montaje de la actividad 3 en proteus.

    2. Inicialmente mantenga V1 y V2 al valor mínimo.

    3. Seleccione el valor de V1=VCE1=10V.

    4. Lentamente varié V2 (VGE) y anote VCE e IC en cada 0.5V de cambio tenga en cuenta
    que el VGE máximo debe ser 8 voltios.

    Teniendo en cuenta que Vge = V2, variaremos V2 desde 5v a 8v y anotaremos los


    valores de Vce e Ic.

    Valor Vge (V) Vce(V) Ic(A)


    5.0 1 13.2
    5.5 1 18.7
    6.0 1 22.5
    6.5 1 25.4
    7.0 1 27.5
    7.5 1 29.2
    8.0 (valor maximo) 1 30.6
    UNIVERSIDAD NACIONAL ABIERTA Y A DISTANCIA – UNAD
    ESCUELA DE CIENCIAS BÁSICAS TECNOLOGÍA E INGENIERÍA

    5. El mínimo voltaje de compuerta VGE, el cual es requerido para que el IGBT conduzca
    es llamado VTH.

    Probando con diferentes valores para Vge, con Vge=1v hasta 3.5V el transistor no
    conduce y su corriente es 0, cuando pasamos a 4v ya conduce. Para términos
    prácticos tomaremos entonces Vth=4v.

    6. Repita los pasos anteriores con diferentes valores de VGE y dibuje la gráfica de VGE
    vs IC.

    Vge(V)(eje x) vs Ic(A)(eje y)
    6

    0
    0 2 4 6 8 10

    Características de Colector

    1. Inicialmente ajuste el valor de V2 hasta que el VGE1 sea 5V mayor o igual al VTH.
    Dejaremos el valor de Vge1 igual al Vth = 4V.

    2. Lentamente varié V1 y anote los valores de VCE e IC para un particular voltaje de


    compuerta (VG) existe un valor de voltaje de apagado VP(voltaje Pinch-off) entre
    colector y emisor.

    Nota: para estas mediciones, se desconectara la fuente V3.

    Valor Vge (V) Vce(V) Ic(A)


    4.0 -0.08 -0.5
    4.5 -0.03 -0.5
    5.0 -0.02 -0.5
    UNIVERSIDAD NACIONAL ABIERTA Y A DISTANCIA – UNAD
    ESCUELA DE CIENCIAS BÁSICAS TECNOLOGÍA E INGENIERÍA

    5.5 -0.02 -0.5


    6.0 -0.01 -0.5
    6.5 -0.01 -0.5
    7.0 -0.01 -0.5
    7.5 -0.01 -0.5
    8.0 (valor maximo) -0.01 -0.5

    Nota: seguimos aumentado el valor de V1 pero el valor mas cercano a 0 fue -0.01V.
    Asi que concluimos que ese fue el voltaje de Pinch-Off.

    3. Si VGE es menor que VP el dispositivo trabaja en la región de ganancia constante e


    IC es directamente proporcional a VGE.

    4. Si VGE es mayor que VP, una corriente constante fluye por el dispositivo y esta región
    es llamada región de corriente constante.

    5. Repita los pasos anteriores con diferentes valores de VGE y anote los valores de IC
    vs VGE.

    Nota: la corriente se mantuvo constante después de que ignoramos la fuente V3, por lo
    tanto la gráfica se hará de Vge vs Vce.

    Vce
    0
    4 4.5 5 5.5 6 6.5 7 7.5 8
    -0.01

    -0.02

    -0.03

    -0.04

    -0.05

    -0.06

    -0.07

    -0.08

    -0.09

    Podemos notar que desde 6v, el voltaje Vce es prácticamente 0, asi aumentemos el voltaje
    entre compuerta y emisor Vge=V1.
    UNIVERSIDAD NACIONAL ABIERTA Y A DISTANCIA – UNAD
    ESCUELA DE CIENCIAS BÁSICAS TECNOLOGÍA E INGENIERÍA

    También podría gustarte