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    Tarea 2 FV

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    Tatiana Vásquez
    Este resumen describe una tarea de electrónica sobre circuitos con diodos. Se analizan varios circuitos utilizando modelos de diodo aproximado e ideal para determinar corrientes, voltajes y resistencias. Se comparan los resultados de cada modelo.

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    Este resumen describe una tarea de electrónica sobre circuitos con diodos. Se analizan varios circuitos utilizando modelos de diodo aproximado e ideal para determinar corrientes, voltajes y resistencias. Se comparan los resultados de cada modelo.

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    ejercicios de boylestad

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    tarea 2 fv

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    UNIVERSIDAD ISRAEL

    NOMBRE FRANK VARGAS

    CARRERA ING EN TELECOMUNICACIONES

    MATERIA ELECTRONICA 1

    PERIODO ACADEMICO 2019-2020

    PARALELO C
    Nombre: Frank Vargas
    Fecha: 06/11/2019
    TAREA 2

    1)a. Utilizando de las características de la figura 2.147, determine ID, VD y VR para el circuito de
    la figura 2.147a.

    𝐸 8𝑉
    LA LINEA DE CARGA SE CRUZA EN : 𝐼𝐷 = 𝑅 = 330Ω = 24.24𝑚𝐴 𝑦 𝑉𝐷 = 8𝑉

    QDV ≅ 0.92 V QDI ≅ 21.5 mA VR = E − Q DV = 8 V − 0.92 V = 7.08 V


    b. Repita la parte (a) utilizando el modelo aproximado del diodo y compare los resultados.
    QDV ≅ 0.7 V QDI ≅ 22.2 mA VR = E − Q DV = 8 V − 0.7 V = 7.3 V

    c. Repita la parte (a) utilizando el modelo ideal del diodo y compare los resultados

    QDV ≅ 0 V QDI ≅ 24.24 mA VR = E − Q DV = 8 V − 0 V = 8 V


    Para (a) y (b), los niveles de 𝑽𝑫𝑸 y 𝑰𝑫𝑸 son bastante cercanos. Los niveles de la parte (c)
    son razonablemente cercanos, pero como se esperaba debido al nivel de voltaje aplicado E.

    2). a. Con las características de la figura 2.147b, determine ID y VD para el circuito de la figura
    2.148.
    𝐸 5𝑉
    𝐼𝐷 = = 2.27𝑚𝐴 ⟹ 𝐿𝐴 𝐿𝐼𝑁𝐸𝐴 𝐷𝐸 𝐶𝐴𝑅𝐺𝐴 𝑆𝐸 𝐸𝑋𝑇𝑅𝐼𝐸𝑁𝐷𝐸 𝐷𝐸𝑆𝐷𝐸: 𝐼𝐷 = 𝟐. 𝟐𝟕 𝒎𝑨 𝑡𝑜 𝑉𝐷 = 5 𝑉.
    𝑅 2.2𝐾Ω
    𝑉𝐷𝑄 ≅ 𝑶, 𝟕𝑽 𝐼𝐷𝑄 ≅ 𝟐𝒎𝑨

    b. Repita la parte (a) con R 0.47 k


    𝐸 5𝑉
    𝐼𝐷 = = 10.64𝑚𝐴 ⟹ 𝐿𝐴 𝐿𝐼𝑁𝐸𝐴 𝐷𝐸 𝐶𝐴𝑅𝐺𝐴 𝑆𝐸 𝐸𝑋𝑇𝑅𝐼𝐸𝑁𝐷𝐸 𝐷𝐸𝑆𝐷𝐸: 𝐼𝐷 = 10.64 𝒎𝑨 𝑡𝑜 𝑉𝐷 = 5 𝑉.
    𝑅 0,47𝐾Ω

    𝑉𝐷𝑄 ≅ 𝑶, 𝟖𝑽 𝐼𝐷𝑄 ≅ 𝟗𝒎𝑨

    c. Repita la parte (a) con R 0.18 kΩ


    𝐸 5𝑉
    𝐼𝐷 = = 27.78𝑚𝐴 ⟹ 𝐿𝐴 𝐿𝐼𝑁𝐸𝐴 𝐷𝐸 𝐶𝐴𝑅𝐺𝐴 𝑆𝐸 𝐸𝑋𝑇𝑅𝐼𝐸𝑁𝐷𝐸 𝐷𝐸𝑆𝐷𝐸: 𝐼𝐷 = 𝟐𝟕. 𝟕𝟖 𝒎𝑨 𝑡𝑜 𝑉𝐷 = 5 𝑉.
    𝑅 0,18𝐾Ω

    𝑉𝐷𝑄 ≅ 𝑶, 𝟗𝟑𝑽 𝐼𝐷𝑄 ≅ 𝟐𝟐. 𝟓𝒎A

    d. ¿El nivel de VD es relativamente cercano a 0.7 V en cada caso?

    Los valores resultantes de 𝑽𝑫𝑸 son bastante cercanos


    ¿Cómo se comparan los niveles resultantes de ID? Comente como corresponda?

    𝑰𝑫𝑸 se extiende de 2 mA a 22,5 mA

    3. Determine el valor de R para el circuito de la figura 2.148 que producirá una corriente a
    través del diodo de 10 mA si E = 7 V. Use las características de la figura 2.147b para el diodo.

    La línea de carga a través de 𝐼𝐷𝑄 = 10 mA de características y 𝑉𝐷 = 7 V intersectará el eje de como


    𝐼𝐷 = 11.25 mA.

    𝐸 7𝑉 7𝑉
    𝐼𝐷 = 11,25𝑚𝐴 = 𝑅= = 𝟎, 𝟔𝟐𝑲𝛀
    𝑅 𝑅 11.25𝑚𝐴

    4) a. Con las características aproximadas del diodo de Si, determine 𝑉𝐷 , 𝐼𝐷 y 𝑉𝑅 para el circuito
    de la figura 2.149.

    𝐸−𝑉𝐷 30𝑉−𝑂,7𝑉
    𝐼𝐷 = 𝐼𝑅 = = 𝟏𝟑. 𝟑𝟐𝒎𝑨 𝑉𝐷 = 𝟎, 𝟕𝑽 𝑉𝑅 = 𝐸 − 𝑉𝐷 = 30𝑉 − 0,7𝑉 = 𝟐𝟗. 𝟑
    𝑅 2.2𝐾Ω

    b. Realice el mismo análisis de la parte (a) con el modelo ideal para el diodo.
    𝐸−𝑉𝐷 30𝑉−𝑂𝑉
    𝐼𝐷 = 𝐼𝑅 = = 𝟏𝟑. 𝟔𝟒𝒎 𝑉𝐷 = 𝟎𝑽 𝑉𝑅 𝟑𝟎𝑽
    𝑅 2.2𝐾Ω

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