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    Cuadro Comparativo

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    Santiago Escorza
    Este documento compara los transistores BJT y MOSFET, los cuales son los dos principales tipos de transistores. Los transistores BJT son bipolares, lo que significa que usan tanto electrones como huecos, mientras que los MOSFET son unipolares y usan solo un tipo de portador de carga. Los MOSFET también son más recientes, miniaturizados y tienen una corriente de fuga más baja que los BJT.

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    Este documento compara los transistores BJT y MOSFET, los cuales son los dos principales tipos de transistores. Los transistores BJT son bipolares, lo que significa que usan tanto electrones como huecos, mientras que los MOSFET son unipolares y usan solo un tipo de portador de carga. Los MOSFET también son más recientes, miniaturizados y tienen una corriente de fuga más baja que los BJT.

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    Este documento compara los transistores BJT y MOSFET, los cuales son los dos principales tipos de transistores. Los transistores BJT son bipolares, lo que significa que usan tanto electrones como huecos, mientras que los MOSFET son unipolares y usan solo un tipo de portador de carga. Los MOSFET también son más recientes, miniaturizados y tienen una corriente de fuga más baja que los BJT.

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    TRANSISTOR BJT TRANSISTOR MOS

    (MOSFET)
    GRUPO BJT GRUPO FET

    (del ingles, Bipolar Junction (del ingles Metal Oxide


    Transistor). Semiconductor Field Effect Transistor)
    Transistores Bipolares de Unión Transistores Metal Oxido
    Semiconductor de Efecto de campo

    El término bipolar refleja el hecho de


    que los huecos y los electrones En estos componentes, cada
    participan en el proceso de inyección transistor es formado por dos islas de
    hacia el material polarizado de forma silicio, una dopada para ser positiva, y
    opuesta. la otra para ser negativa, y en el
    medio, actuando como una puerta, un
    electrodo de metal.

    Simbología Simbología
    NPN N

    Simbología Simbología
    PNP P
    FUNCIONAMINETO FUNCIONAMIENTO

    Emisor (E): Se encarga de Drenador(D):donde fluye la corriente


    proporcionar portadores de carga. ID, que es controlada por la tensión
    Colector (C): Se encarga de recoger VGS entre la puerta (G) y la fuente.
    portadores de carga. Puerta(G): es el que controla la
    Base (B): Controla el paso de corriente entre la fuente y el drenador.
    corriente a traves del transistor. Es el Fuente(S):
    cristal de en medio.
    Es uno de los primeros transistores Es uno de los más recientes en la
    creado en 1965. actualidad, el cuales los pueden llevar
    los dispositivos portables muy
    miniaturizados.
    Dispositivo de tres terminales Dispositivo de tres terminales
    Corriente del emisor al colector Corriente desde la fuente al
    controlada por la corriente inyectada drenador, controlada por el campo
    a la base eléctrico generado por la puerta.
    La corriente de fuga es muy La corriente de fuga es muy mínima.
    inestable.
    Las zonas de puertas es pequeñas. En ausencia de voltaje de puerta, el
    semiconductor funciona como unión
    NPN, entre el drenador y la fuente.
    Entre la puerta y el drenado hay una No hay necesidad du na conexión
    conexión galvánica. galvánica.
    Su disparo es de corriente. Su disparo es de tensión.
    La potencia del circuito de mando es La potencia del circuito de mando es
    de media a alta. muy baja.
    Su complejidad es alta. Su complejidad es de baja a media.
    La densidad de corriente es de Su densidad de corriente baja a
    media a baja. media.
    Tensión inversa media. Tensión inversa baja.
    La pérdida en conmutación es alta. La pérdida en conmutación.
    Su potencia es media. Su potencia es baja.
    La frecuencia es media. La frecuencia es alta.
    Su corriente es menor de 700 A. Su corriente es menor de 100 A.
    Con una unión bipolar. Es unipolar.
    Definición de corte Definicion de corte

    IC= -α IE+IC0 ; -IE=IC+IB ;

    CUADRO
    COMPARATIVO

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