4 FETs

Máster en Mecatrónica
EU4M Master in Mechatronic and Micro-Mechatronic Systems
TRANSISTORES DE
EFECTO DE CAMPO
Fundamentos de Ingeniería Eléctrica

Contenidos
• Funcionamiento
Tipos de transistores FET
Curvas características
• Resolución de circuitos con FETs
• Modelos de transistor FET
• Circuitos de polarización
De base fija
Automática
• Ejemplos
Amplificador en fuente común
Interruptor digital
Funcionamiento. Tipos de transistores
Como en los BJTs, la tensión entre los terminales de entrada

determina el comportamiento eléctrico de la salida, que puede ser:
Fuente de corriente controlada (región de saturación)
Resistencia (región óhmica)
Circuito abierto (región de corte)
Hay distintos tipos de FET, pero nos centraremos en los MOSFETs

de acumulación.
D D
G G
S S
MOSFET de acumulación MOSFET de acumulación
de canal N de canal P
Los FET de canal P se comportan igual que los correspondientes

de canal N, salvo por las polaridades de las tensiones y los sentidos
de las corrientes.
Funcionamiento. Curvas características
También en este caso las curvas características dependen de la

configuración del transistor.
Curvas características de un MOSFET de canal N en fuente común.
Referencias
normalizadas ID
D
+
Curvas de salida
G VDS ID [mA]
+ S -
VGS VGS = 4,5V
- 4
VGS = 4V
Las curvas de entrada no 2 VGS = 3,5V

tienen interés porque se VGS = 3V
considera que la puerta se VGS = 2,5V VDS [V]
comporta como un circuito 0
abierto. 2 4 6
IG ≈ 0 VGS < VTH = 2V
Se estará trabajando en la región de corte siempre que la tensión

VGS no supere un valor umbral VTH.
En estas condiciones el FET

ID
no conduce ninguna corriente. +
VGS < VTH ID = 0 VDS
+ -
VGS
ID [mA]
-
4
VDS [V]
0 2 4 6
VGS < VTH = 2V
Para trabajar en la región óhmica hay que crear un canal de

conducción en el dispositivo, lo que se consigue si VGS > VTH.
En estas condiciones el MOSFET se ID

comporta prácticamente como una
resistencia entre el drenador y la fuente. +
A mayor VGS, menor resistencia. VDS
+ -
VGS
ID [mA]
-
4
2
El valor de la resistencia se puede
VDS [V] calcular como
0 2 4 6 RDS = VDS / ID
en cualquier punto de la curva
correspondiente al valor VGS elegido
Teniendo VGS > VTH, se entrará en la región de saturación si la

tensión VDS aumenta verificando VDS > VGS – VTH.
En la región de saturación se tiene ID
ID = cte +
VDS
+ -
VGS
ID [mA]
-
4
VDS [V]
0 2 4 6
Resolución de circuitos con transistores.
Resolución gráfica
ID [mA]
ID
2,5KΩ VGS = 4,5V
4
D VGS = 4V
+
G VDS 2 VGS = 3,5V
+ S - 10V VGS = 3V
VGS VGS = 2,5V
-
0 4 8 12 VDS [V]
Comportamiento resistivo
Comportamiento como fuente de corriente
Comportamiento como circuito abierto

Resolución de circuitos con transistores.
Mediante planteamiento de hipótesis ID

R
Se calcula VGS. D
+
VGS < VTH → Corte G VDS
+ S - VCC
VGS
-
VGS > VTH → Hipótesis: Región de saturación

ID = cte
VDS = VCC – R · ID
Si VDS > 0, entonces Saturación (Hipótesis correcta)
Si VDS < 0, entonces Resistencia (Hipótesis errónea)
También se podría considerar como hipótesis que el transistor está en región óhmica, en cuyo caso:
ID = VCC / (R+RDS)
Si ID < Isat (VGS), entonces la hipótesis es correcta → Resistencia
Si ID > Isat (VGS), entonces la hipótesis es errónea → Saturación
Modelos de transistor. Modelo de gran señal
Permiten analizar el punto de funcionamiento en continua.
D D D
ID ID ID=0
IG = 0 IG=0 IG=0
Canal N G ISAT G RDS G
S S S
Saturación Región óhmica Corte
S S S
IG = 0 IG=0 IG=0
Canal P G ISAT G RDS G
ID ID ID=0
D D D
Modelos de transistor. Modelo de pequeña señal
Permiten analizar el funcionamiento en alterna (amplificadores).
Consideran comportamiento del transistor como cuadripolo.
El circuito equivalente en pequeña señal más habitual queda tan

simplificado como el que se muestra.
ig id
G D
ugs gm·ugs uds
S S
Fuente común
Circuitos de polarización. Automática
Ecuaciones del circuito de polarización automática.

VDD
ID ID R1 · R2
RD RG =
R1 RD R1 + R2
RG
VDD
R2
VDS VDS VG = · VDD
R1 + R2
VG
R2 RS RS
VGS = VG – RS · ID
VCE = VDD – (RD + RS) · ID

Con estas ecuaciones y la ayuda de las curvas
características del MOSFET, se debe llevar a cabo un
proceso iterativo que de lugar al punto de Habitualmente se querrá trabajar en la
funcionamiento deseado. región de saturación y se conocerá el
valor de ID deseado, lo que fija el valor
de VGS a utilizar.
Ejemplos. Amplificador en fuente común
Esquema de un amplificador en fuente común.

VDD
R1 RD C2
C1
+ vs RL
ve CS
R2 RS
La parte en rojo corresponde al circuito de polarización. Los condensadores

adicionales no influyen en este circuito, ya que en continua son circuitos abiertos.
Dado que en alterna los condensadores son cortocircuitos, C1 y C2 acoplan la
señal y la carga respectivamente al amplificador (condensadores de acoplo). CS se
denomina condensador de desacoplo y hace que en alterna la fuente del transistor
sea común a entrada y salida.
Ejemplos. Amplificador en emisor común
El circuito equivalente en pequeña señal analiza sólo el

comportamiento en alterna, por lo que la fuente continua (VDD) se
considera como un cortocircuito.
ie
G D
+ gm·vgs
v e R1 R2 RD vs RL
S
Haciendo cálculos sobre este circuito, se consigue determinar la ganancia,

impedancia de entrada e impedancia de salida del amplificador.
Este circuito es válido únicamente a frecuencias medias. A bajas

frecuencias los condensadores ya no son cortocircuitos, y a altas frecuencias
podría ser necesario usar otro modelo de transistor.
Ejemplos. Amplificador en emisor común
Ganancia de tensión
RC · RL
ve = vgs id = gm · vgs vs = – · id
RC + RL
vs RC · RL
Av = =– · gm
ve RC + RL
Impedancia de entrada
ve R1 · R2
Ze = =
ie R1 + R2
Impedancia de salida
Zs = RD
Ejemplos. Interruptor digital
También el uso de un MOSFET como interruptor digital da lugar a

un inversor lógico.
VDD
RD
RG
Vs Carga
Ve
El funcionamiento deseado del circuito consiste en que el transistor esté en

la región óhmica cuando haya tensión a la entrada (Ve≠0 → Vs ≈ 0) y en corte
cuando la tensión de entrada sea nula (Ve=0 → Vs ≈ VDD)
La resistencia RD se conoce como resistencia de pull-up. Debido a su

presencia, cuanto más corriente demande la carga, más alejada de VDD estará
la tensión de salida.

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• Resolución de circuitos con FETs

• Modelos de transistor FET

Como en los BJTs, la tensión entre los terminales de entrada

Hay distintos tipos de FET, pero nos centraremos en los MOSFETs

Los FET de canal P se comportan igual que los correspondientes

También en este caso las curvas características dependen de la

Curvas características de un MOSFET de canal N en fuente común.

Las curvas de entrada no 2 VGS = 3,5V

Se estará trabajando en la región de corte siempre que la tensión

En estas condiciones el FET

Para trabajar en la región óhmica hay que crear un canal de

En estas condiciones el MOSFET se ID

Teniendo VGS > VTH, se entrará en la región de saturación si la

En la región de saturación se tiene ID

Comportamiento como fuente de corriente

Comportamiento como circuito abierto

Mediante planteamiento de hipótesis ID

VGS > VTH → Hipótesis: Región de saturación

Permiten analizar el punto de funcionamiento en continua.

Canal N G ISAT G RDS G

Saturación Región óhmica Corte

Permiten analizar el funcionamiento en alterna (amplificadores).

Consideran comportamiento del transistor como cuadripolo.

El circuito equivalente en pequeña señal más habitual queda tan

ugs gm·ugs uds

Ecuaciones del circuito de polarización automática.

VCE = VDD – (RD + RS) · ID

Esquema de un amplificador en fuente común.

La parte en rojo corresponde al circuito de polarización. Los condensadores

El circuito equivalente en pequeña señal analiza sólo el

Haciendo cálculos sobre este circuito, se consigue determinar la ganancia,

Este circuito es válido únicamente a frecuencias medias. A bajas

También el uso de un MOSFET como interruptor digital da lugar a

El funcionamiento deseado del circuito consiste en que el transistor esté en

La resistencia RD se conoce como resistencia de pull-up. Debido a su

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