Qué Son Materiales Intrínsecos

CARACTERÍSTICAS ATÓMICAS DE LOS CONDUCTORES Y
SEMICONDUCTORES
Conductores: su número atómico es 29. Esto significa que en el núcleo hay 29

protones (cargas positivas) y girando alrededor de él hay 29 electrones girando
en diferentes órbitas.
Semiconductores: los semiconductores tienen valencia 4, esto es 4 electrones

en órbita exterior o de valencia.
Los conductores tienen 1 electrón de valencia, los semiconductores 4 y
los aislantes 8 electrones de valencia.
¿POR QUÉ EL SILICIO Y EL GERMANIO SON LOS DOS MATERIALES QUE
HAN RECIBIDO MAYOR ATENCIÓN EN EL DESARROLLO DE
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES?
Mayormente se utilizan para los semiconductores el silicio y el germanio
ya que tienen propiedades intermedias entre las de los metales y las de los no
metales, y por ello, se denominan elementos semiconductores.
Tanto el silicio como el germanio tienen 4 electrones en la órbita externa,
la que por su distancia a núcleo correspondería que tuviese 8 electrones para
lograr una configuración estable. Admitiremos como principio que entre varios
estados posibles los sistemas de la naturaleza tienden a tomar el de mayor
estabilidad, es por esto que tanto el germanio como el silicio cuando se
solidifican toman una estructura cristalina tal que cada átomo tiene otros 4 a su
alrededor compartiendo con ellos un electrón en coparticipación ignorando la
estabilidad de 8 electrones que necesitan en su última capa.
MATERIALES INTRÍNSECOS
Se dice que un semiconductor es “intrínseco” cuando se encuentra en
estado puro, o sea, que no contiene ninguna impureza, ni átomos de otro tipo
dentro de su estructura.
Se le llama así al cristal del semiconductor que es químicamente puro, y
que además no presenta defectos en su red cristalina. A 0°k no existen
portadores de carga libres, y el semiconductor se comporta como una aislante,
pero al incrementarse la temperatura empiezan a generar pares electrón -
hueco. Estos pares electrón -hueco se generan al romperse los enlaces entre
los átomos. Igualmente pueden ocurrir aniquilaciones de pares electrón hueco
cuando un electrón de la banda de conducción hace una transición a la banda
de valencia y ocupa un estado vacío (hueco), este proceso es denominado
recombinación.
MATERIALES EXTRÍNSECOS
Un semiconductor extrínseco es aquel al que se le añade átomos de
impurezas para modificar su conductividad eléctrica. A este hecho se le
denomina “dopar” un semiconductor, por lo que un semiconductor extrínseco
es lo mismo que un semiconductor dopado.
Se puede dopar un semiconductor para que tenga una un exceso de
electrones o huecos, por lo que existen dos tipos de semiconductores dopados.
SEMICONDUCTORES TIPO N
Un semiconductor tipo N se obtiene añadiendo un cierto tipo de átomos
al semiconductor para aumentar el número de portadores de cargas. Los
átomos que se añaden son átomos pentavalentes (5 electrones en el orbital de
valencia), como el arsénico, antimonio y el fósforo.
El átomo pentavalente estará rodeado de cuatro átomos de silicio, que
compartirán un electrón con el átomo central, pero en este caso quedará un
electrón adicional. Como en el orbital de valencia sólo pueden situarse cuatro
electrones, el electrón libre queda en un orbital mayor (orbital de conducción)
por lo que se trata de un electrón libre.
Como el número de electrones es mayor que el de huecos, los
electrones reciben el nombre de portadores mayoritarios, y los
huecos portadores minoritarios.
SEMICONDUCTORES TIPO P
Se producen igual que en el caso anterior pero añadiendo una impureza
trivalente (átomos con tres electrones en la capa de valencia, como el aluminio,
el boro o el galio).
Cada uno de estos átomos comparte uno de sus electrones de valencia
con la impureza. Así, tendremos siete electrones en la orbital valencia, lo que
significa que aparece un hueco en el orbital de valencia de cada átomo
trivalente. A un átomo trivalente se le denomina también impureza aceptadora
porque cada uno de los huecos que contribuye puede aceptar un electrón libre
durante la recombinación.
Ahora los huecos se denominan portadores mayoritarios, porque
superan en número a los electrones libres y éstos se denominarán portadores
minoritarios.
PROCESO CONOCIDO COMO “DOPADO”
En la producción de semiconductores se denomina dopaje al proceso de
agregar intencionalmente impurezas en el semiconductor puro con el fin de
cambiar sus propiedades eléctricas. Las impurezas utilizadas dependen del tipo
de semiconductor a dopar.
Con el proceso de dopado se controlan diferentes características del
semiconductor; las principales son el tipo de conductividad (tipo N o tipo P), el
valor de la resistividad y conductividad eléctrica, y el ancho de la banda
prohibida del semiconductor.
ESTRUCTURA ATÓMICA DEL SILICIO

El átomo de silicio presenta un enlace covalente, cada átomo está unido a otros
cuatro átomos y compartiendo sus electrones de valencia. Necesita 8
electrones para su estabilidad. El enlace covalente lo forman todos los
elementos del grupo IV de la tabla periódica, al cual pertenece el silicio.
ESTRUCTURA ATÓMICA DEL GERMANIO

El germanio tiene un total de 32 electrones cuya distribución es la
siguiente: en la primera capa tiene 2 electrones, en la segunda tiene 8
electrones, en su tercera capa tiene 18 electrones y en la cuarta, 4 electrones.
EFECTO DE LA TEMPERATURA EN UN MATERIAL SEMICONDUCTOR

A temperatura cercana al cero absoluto no hay electrones libres y el
semiconductor se comporta como un aislador o dieléctrico. A mayores
temperaturas algunos electrones adquieren suficiente energía para escapar del
enlace y se convierten en electrones “libres” (libres pero dentro del sólido
cristalino), dejando atrás una vacante en el enlace covalente. Dicha vacante se
conoce como un hueco y todo este proceso se conoce como producción
térmica de un par electrón-hueco.
DIODO SEMICONDUCTOR
Un diodo semiconductor está hecho de cristal semiconductor como el
silicio con impurezas en él para crear una región que contenga portadores de
carga negativa (electrones), llamada semiconductor de tipo n, y una región en
el otro lado que contenga portadores de carga positiva (huecos), llamada
semiconductor tipo p. Es decir, el diodo semiconductor está constituido
fundamentalmente por una unión P-N, añadiéndole un terminal de conexión a
cada uno de los contactos metálicos de sus extremos y una cápsula que aloja
todo el conjunto, dejando al exterior los terminales que corresponden al ánodo
(zona P) y al cátodo (Zona N).
COMPORTAMIENTO DE UN DIODO PARA CADA UNO DE LOS

SIGUIENTES CASOS:
POLARIZACIÓN DIRECTA DE UN DIODO
En este caso, la batería disminuye la barrera de potencial de la zona de

carga espacial, permitiendo el paso de la corriente de electrones a través de la
unión; es decir, el diodo polarizado directamente conduce la electricidad.
Para que un diodo esté polarizado directamente, se debe conectar el

polo positivo de la batería al ánodo del diodo y el polo negativo al cátodo. En
estas condiciones podemos observar que:
 El polo negativo de la batería repele los electrones libres del cristal n, con lo
que estos electrones se dirigen hacia la unión p-n.
 El polo positivo de la batería atrae a los electrones de valencia del cristal p,
esto es equivalente a decir que empuja a los huecos hacia la unión p-n.
 Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la batería es mayor que
la diferencia de potencial en la zona de carga espacial, los electrones libres del
cristal n, adquieren la energía suficiente para saltar a los huecos del cristal p,
los cuales previamente se han desplazado hacia la unión p-n.
 Una vez que un electrón libre de la zona n salta a la zona p atravesando la
zona de carga espacial, cae en uno de los múltiples huecos de la zona p
convirtiéndose en electrón de valencia. Una vez ocurrido esto el electrón es
atraído por el polo positivo de la batería y se desplaza de átomo en átomo
hasta llegar al final del cristal p, desde el cual se introduce en el hilo conductor
y llega hasta la batería.
De este modo, con la batería cediendo electrones libres a la zona n y

atrayendo electrones de valencia de la zona p, aparece a través del diodo una
corriente eléctrica constante hasta el final.
POLARIZACIÓN INVERSA DE UN DIODO
En este caso, el polo negativo de la batería se conecta a la zona p y el

polo positivo a la zona n, lo que hace aumentar la zona de carga espacial, y la
tensión en dicha zona hasta que se alcanza el valor de la tensión de la batería,
tal y como se explica a continuación:
 El polo positivo de la batería atrae a los electrones libres de la zona n, los

cuales salen del cristal n y se introducen en el conductor dentro del cual se
desplazan hasta llegar a la batería. A medida que los electrones libres
abandonan la zona n, los átomos pentavalentes que antes eran neutros, al
verse desprendidos de su electrón en el orbital de conducción, adquieren
estabilidad (8 electrones en la capa de valencia) y una carga eléctrica neta de
+1, con lo que se convierten en iones positivos.
 El polo negativo de la batería cede electrones libres a los átomos trivalentes de
la zona p. Recordemos que estos átomos sólo tienen 3 electrones de valencia,
con lo que una vez que han formado los enlaces covalentes con los átomos de
silicio, tienen solamente 7 electrones de valencia, siendo el electrón que falta el
denominado hueco. El caso es que cuando los electrones libres cedidos por la
batería entran en la zona p, caen dentro de estos huecos con lo que los átomos
trivalentes adquieren estabilidad (8 electrones en su orbital de valencia) y una
carga eléctrica neta de -1, convirtiéndose así en iones negativos.
 Este proceso se repite una y otra vez hasta que la zona de carga espacial
adquiere el mismo potencial eléctrico que la batería.
En esta situación, el diodo no debería conducir la corriente; sin embargo,

debido al efecto de la temperatura, se formarán pares electrón-hueco a ambos
lados de la unión produciendo una pequeña corriente (del orden de 1 μA)
denominada corriente inversa de saturación. Además, existe también una
denominada corriente superficial de fugas, la cual, como su propio nombre
indica, conduce una pequeña corriente por la superficie del diodo; ya que en la
superficie, los átomos de silicio no están rodeados de suficientes átomos para
realizar los cuatro enlaces covalentes necesarios para obtener estabilidad. Esto
hace que los átomos de la superficie del diodo, tanto de la zona n como de la p,
tengan huecos en su orbital de valencia con lo que los electrones circulan sin
dificultad a través de ellos. No obstante, al igual que la corriente inversa de
saturación, la corriente superficial de fuga es usualmente despreciable.
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CARACTERÍSTICAS ATÓMICAS DE LOS CONDUCTORES Y

Conductores: su número atómico es 29. Esto significa que en el núcleo hay 29

Semiconductores: los semiconductores tienen valencia 4, esto es 4 electrones

ESTRUCTURA ATÓMICA DEL SILICIO

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