UNIVERSIDAD DE PAMPLONA

FACULTAD DE INGENIERIAS Y ARQUITECTURA

DEPARTAMENTO DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA, ELÉCTRICA,
SISTEMAS Y TELECOMUNICIONES
“INFORME PRÁCTICA I 2019-I”

ELECTRÓNICA DE POTENCIA GRUPO: B

FUENTE CONMUTADORA ELEVADORA

Jhon Carlos león Quiñones1 Eyder Damián Jaimes Rangel2

1
Estudiante de ingeniería mecatrónica, Universidad de Pamplona, Pamplona, Colombia.
2
Estudiante de ingeniería mecatrónica, Universidad de Pamplona, Pamplona, Colombia.
3
Estudiante de ingeniería mecatrónica, Universidad de Pamplona, Pamplona, Colombia.

OBJETIVO GENERAL
 Obtener un voltaje de salida (19V) mayor al
voltaje de entrada (5V) aplicado en la fuente
conmutadora elevadora.
 Halla la inductancia de la bobina para
obtener el voltaje de salida deseado en la
configuración indicada por el docente.

MARCO TEORICO
Fuente: https://unicrom.com/onda-cuadrada-perfecta-con-555/
Una fuente conmutada elevadora es un convertidor DC a
DC que obtiene a su salida una tensión continua mayor Donde
que a su entrada. Es un tipo de fuente de 1
𝑇𝐶 = = 𝑡𝑂𝑛 + 𝑡𝑂𝑓𝑓
alimentación conmutada que contiene al menos 𝐹𝐶
dos interruptores semiconductores (diodo y transistor), y El rango apropiado para la fuente conmutadora elevadora es el
al menos un elemento para siguiente:
almacenar energía (condensador, bobina o combinación 25𝐾𝐻𝑧 ≤ 𝐹𝐶 ≤ 100𝐾𝐻𝑧
de ambos). Frecuentemente se añaden filtros construidos
con inductores y condensadores para mejorar el Criterios para el correcto funcionamiento de los dos posibles
rendimiento [1]. estados del generador 𝑡𝑂𝑛 y 𝑡𝑂𝑓𝑓 .

MOSFET en conducción ON (Zona Óhmica)

0 ≤ 𝑡 ≤ 𝑡𝑂𝑛 ; 𝑉𝐷𝑆 < 𝑉𝐷(𝑂𝑛) ; 𝐼𝐷 𝑅𝐷(𝑂𝑛) < 𝑉𝐷(𝑂𝑛)

CTO general para fuente conmutadora elevadora

el análisis del generador de pulsos anclado a la puerta del

transistor (MOSFET) se presenta en la siguiente imagen.
Realizamos una ley de Kirchhoff por la malla representada por la
línea azul punteada

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∑ 𝑉 = 0𝑉 ∑ 𝑉 = 0𝑉
−𝑉𝐼𝑁 + 𝑉𝐿 + 𝑉𝐷𝑆 = 0𝑉
−𝑉𝐼𝑁 − 𝑉𝐿 + 𝑉𝐷(𝑂𝑛) + 𝑉𝑂𝑈𝑇 = 0𝑉
𝑉𝐿 = 𝑉𝐼𝑁 − 𝑉𝐷𝑆
𝑉𝐿 = 𝑉𝐷(𝑂𝑛) + 𝑉𝑂𝑈𝑇 − 𝑉𝐼𝑁
𝑑𝐼𝐿
𝐿 = 𝑉𝐼𝑁 − 𝑉𝐷𝑆
𝑑𝑡 𝑑𝐼𝐿
𝐿 = 𝑉𝐷(𝑂𝑛) + 𝑉𝑂𝑈𝑇 − 𝑉𝐼𝑁
𝑑𝑡
𝑑𝐼𝐿 𝑉𝐼𝑁 − 𝑉𝐷𝑆
=
𝑑𝑡 𝐿 𝑑𝐼𝐿 𝑉𝐷(𝑂𝑛) + 𝑉𝑂𝑈𝑇 − 𝑉𝐼𝑁
=
𝑑𝑡 𝐿
𝑉𝐼𝑁 − 𝑉𝐷𝑆
𝑑𝐼𝐿 = ( ) 𝑑𝑡
𝐿 𝑉𝐷(𝑂𝑛) + 𝑉𝑂𝑈𝑇 − 𝑉𝐼𝑁
𝑑𝐼𝐿 = ( ) 𝑑𝑡
𝐼𝑃 𝑡𝑂𝑛
𝐿
𝑉𝐼𝑁 − 𝑉𝐷𝑆
∫ 𝑑𝐼𝐿 = ∫ ( ) 𝑑𝑡 0 𝑇𝐶
0 0 𝐿 𝑉𝐷(𝑂𝑛) + 𝑉𝑂𝑈𝑇 − 𝑉𝐼𝑁
∫ 𝑑𝐼𝐿 = ∫ ( ) 𝑑𝑡
𝐼𝑃 𝑡𝑂𝑛 𝐿
𝑉𝐼𝑁 − 𝑉𝐷𝑆
𝐼𝑃 = ( ) 𝑡𝑂𝑛 (1)
𝐿 𝑉𝐷(𝑂𝑛) + 𝑉𝑂𝑈𝑇 − 𝑉𝐼𝑁
Realizamos en la segunda malla representada por la línea 𝐼𝑃 = ( ) 𝑇𝐶 − 𝑡𝑂𝑛 (2)
𝐿
café una ley de Kirchhoff.
∑ 𝑉 = 0𝑉 Donde

𝑡𝑂𝑓𝑓 = 𝑇𝐶 − 𝑡𝑂𝑛
−𝑉𝑂𝑁 + 𝑉𝐺𝑆 = 0𝑉

𝑉𝑂𝑁 = 𝑉𝐺𝑆 Si igualamos 1 y 2 obtenemos la contante de diseño

𝑉𝐼𝑁 − 𝑉𝐷𝑆 𝑉𝐷(𝑂𝑛) + 𝑉𝑂𝑈𝑇 − 𝑉𝐼𝑁

MOSFET en corte (OFF) ( ) 𝑡𝑂𝑛 = ( ) 𝑡𝑂𝑓𝑓
𝐿 𝐿
𝑡𝑂𝑓𝑓 ≤ 𝑡 ≤ 𝑇𝐶
𝑡𝑂𝑛 𝑉𝐷(𝑂𝑛) + 𝑉𝑂𝑈𝑇 − 𝑉𝐼𝑁
𝐾𝐸 = =
𝑡𝑂𝑓𝑓 𝑉𝐼𝑁 − 𝑉𝐷𝑆

Asignando
𝑡𝑂𝑛 = 𝐾𝐸 ∗ 𝑡𝑂𝑓𝑓
Si
𝑇𝐶 = 𝑡𝑂𝑛 + 𝑡𝑂𝑓𝑓
𝑇𝐶 = 𝐾𝐸 ∗ 𝑡𝑂𝑓𝑓 + 𝑡𝑂𝑓𝑓 = 𝑡𝑂𝑓𝑓 (𝐾𝐸 + 1)

𝑇𝐶
𝑡𝑂𝑓𝑓 =
𝐾𝐸 + 1

Realizamos una ley de Kirchhoff por la malla representada

por la línea azul.
Para diseño se debe tener en cuenta los siguientes datos:

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𝑇𝐶 𝐼𝑃
𝐼𝑃 = 2𝐼𝑂𝑈𝑇 ( ) 2𝐼𝑃 𝑅𝐷(𝑂𝑛) 𝑉𝑂𝑁 = 𝐼𝑃 2 𝑅𝐷(𝑂𝑛) 2 + 2𝐼𝑃 𝑅𝐷(𝑂𝑛) 𝑉𝑇𝐻 +
𝑡𝑂𝑓𝑓 𝐾𝑁

𝑡𝑂𝑛 1
𝐶 = 𝐼𝑂𝑈𝑇 ( ) → 𝑉𝑟 < 0,01𝑉𝑂𝑈𝑇 2𝐼𝑃 𝑅𝐷(𝑂𝑛) 𝑉𝑂𝑁 = 𝐼𝑃 [𝐼𝑃 𝑅𝐷(𝑂𝑛) 2 + 2𝑅𝐷(𝑂𝑛) 𝑉𝑇𝐻 + ]
𝑉𝑟 𝐾𝑁

Aspectos a considerar 1
2𝑅𝐷(𝑂𝑛) 𝑉𝑂𝑁 = 𝐼𝑃 𝑅𝐷(𝑂𝑛) 2 + 2𝑅𝐷(𝑂𝑛) 𝑉𝑇𝐻 +
𝐾𝑁
 El calibre del conductor debe ser mayor o iguala a
2𝐼𝑃 para evitar que el conductor se caliente de esta 1
𝐼𝑃 𝑅𝐷(𝑂𝑛) 2 + 2𝑅𝐷(𝑂𝑛) 𝑉𝑇𝐻 +
manera. 𝐾𝑁
𝑉𝑂𝑁 =
 El diodo debe soportar una corriente en 2𝑅𝐷(𝑂𝑛)
polarización directa mayor a 𝐼𝑃
 El voltaje del diodo en polarización directa debe ser Si
mayor a al voltaje que se genere en 𝑉𝐷𝑆 cuando el 𝐼𝐷 ≥ 𝐼𝑃
MOSFET se encuentre en conducción (Zona Entonces
Óhmica).
 1
Se debe tener presente que cuando el diodo esta 𝐼𝑃 𝑅𝐷(𝑂𝑛) 2 + 2𝑅𝐷(𝑂𝑛) 𝑉𝑇𝐻 +
polarizado en directa y se presenta un flujo de 𝐾𝑁
𝑉𝑂𝑁 ≥
corriente en el mismo este aumenta ligeramente su 2𝑅𝐷(𝑂𝑛)
voltaje 𝑉𝐷(𝑂𝑛) Sí 𝑉𝑂𝑁 > 5𝑉 no se debe usar microcontroladores, en este caso se
 El límite de la corriente 𝐼𝑃 esta dada por el voltaje debe optar por utilizar el CTO integrado 555.
en el diodo (𝑉𝐷(𝑂𝑛) ) y la resistencia del transistor
(𝑅𝐷(𝑂𝑛) )
ESTIMACIÓN DE (L)
𝐼𝑃 𝑅𝐷(𝑂𝑛) < 𝑉𝐷(𝑂𝑛)
Una forma para hallar la inductancia de la bobina necesaria para
𝑉𝐷(𝑂𝑛) realizar la configuración correcta de la fuente conmutada
𝐼𝑃 <
𝑅𝐷(𝑂𝑛) elevadora es de hallarla experimentalmente utilizando una
Cundo el MOSFET se encuentre conduzca en Zona Óhmica resistencia variable, un generador de señal sinusoidal y un
no se debe olvidar osciloscopio.
𝐼𝐷 ≥ 𝐼𝑃
Si lo remplazamos en la ecuación que rige este modo de
operación en los transistores MOSFET

𝐾𝑁 [2(𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇𝐻 )𝑉𝐷𝑆 − 𝑉𝐷𝑆 2 ] ≥ 𝐼𝑃

2 𝐼𝑃
2(𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇𝐻 )(𝐼𝐷 𝑅𝐷(𝑂𝑛) ) − (𝐼𝐷 𝑅𝐷(𝑂𝑛) ) ≥
𝐾𝑁
Si hacemos
𝐼𝐷 = 𝐼𝑃 𝑌 𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝑂𝑁
Remplazando

2 𝐼𝑃
2(𝑉𝑂𝑁 − 𝑉𝑇𝐻 )(𝐼𝑃 𝑅𝐷(𝑂𝑛) ) − (𝐼𝑃 𝑅𝐷(𝑂𝑛) ) ≥
𝐾𝑁

𝐼𝑃
2𝐼𝑃 𝑅𝐷(𝑂𝑛) 𝑉𝑂𝑁 − 2𝐼𝑃 𝑅𝐷(𝑂𝑛) 𝑉𝑇𝐻 − 𝐼𝑃 2 𝑅𝐷(𝑂𝑛) 2 = Realizando un divisor de voltaje
𝐾𝑁

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𝑉𝑃 ∗ |𝑋𝐿 | del informe de la práctica.
0,5𝑉𝑃 =  Software de Hoja de Cálculo o Estadístico para el análisis
𝑅 + |𝑋𝐿 |
de datos, que permita realizar análisis de regresiones.
0,5(𝑅 + |𝑋𝐿 |) = |𝑋𝐿 |

0,5𝑅 + 0,5|𝑋𝐿 | = |𝑋𝐿 | DATOS TEÓRICOS DEL TRANSISTOR

0,5𝑅 = |𝑋𝐿 | − 0,5|𝑋𝐿 | Para la práctica necesitamos conocer los datos que nos ofrece el
fabricante del dispositivo, en este caso hallamos los datos de
0,5𝑅 = 0,5|𝑋𝐿 | interés en la hoja de datos (Datasheet).

𝑅 = |𝑋𝐿 | = 𝜔𝑐 𝐿

𝑅
=𝐿
𝜔𝑐
Donde
𝜔𝑐 = 2𝜋𝑓𝐶

𝑅
𝐿=
2𝜋𝑓𝐶

PRACTICA UINDICADA POR EL DOCENTE

Objetivo: 𝑉𝑂𝑈𝑇 ≥ 15𝑉; los cálculos se harán con 16V

Condiciones

 𝑉𝐼𝑁 = 9𝑉
 𝐼𝑂𝑈𝑇 = 700𝑚𝐴
 𝑓𝑪 = 36𝐾𝐻𝑧

Fuente:https://www.alldatasheet.com/datasheet-
MATERIALES, EQUIPOS E INSUMOS: pdf/pdf/52973/FAIRCHILD/IRF540A.html
 Multímetro Digital con escalas de corriente DC de
hasta 10A y voltaje DC de hasta 30V, con su
respectiva punta de medición.
 Protoboard PROCEDIMIENTO
 Cables de conexión con calibres 20 a 22.
 Fuente dual de Voltaje variable (0Vdc a 30Vdc) y Cálculos previos para determinar la capacitancia e inductancia
3A junto a su cable de poder y sus puntas de necesaria para cumplir con el determinado objetivo, además
conexión al circuito. debemos establecer si el transistor MOSFET requiere o no de
 MOSFET de Enriquecimiento Canal N de Potencia disipador de potencia.
IRF540 Iniciamos estableciendo la corriente 𝐼𝑃 con la relación antes
 Diodo mencionada en los criterios a consideración
 Capacitor
 Núcleo de ferrita para la bobina 𝑉𝐷(𝑂𝑛) 0.7𝑉
𝐼𝑃 < = = 9.090909𝐴
 6 Caimanes 𝑅𝐷(𝑂𝑛) 0.077Ω
 Software de Procesador de Texto para la confección

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Establecemos 𝐼𝑃 = 1.5𝐴 por motivos de seguridad ya que Continuamos con el cálculo del voltaje necesario que se debe
cumple con la condición antes descrita y además para dar aplicar a la compuerta del transistor para generar la señal de pulsos,
uso al calibre 20 en los conductores. en este caso se debe conocer el valor de la contante 𝐾𝑁 = 0,6722

El siguiente paso es calcular 𝑡𝑂𝑓𝑓

1
𝐼𝑃 𝑅𝐷(𝑂𝑛) 2 + 2𝑅𝐷(𝑂𝑛) 𝑉𝑇𝐻 + 𝐾
𝑇𝐶 𝑉𝑂𝑁 = 𝑁
𝐼𝑃 = 2𝐼𝑂𝑈𝑇 ( ) 2𝑅𝐷(𝑂𝑛)
𝑡𝑂𝑓𝑓
1
(1.5𝐴 ∗ 0.077Ω2 ) + (2 ∗ 0.077Ω ∗ 3𝑉) + ( )
𝑉𝑂𝑁 = 0.6722
𝑇𝐶 (1⁄ −1 3) 2 ∗ 0.077Ω
𝑡𝑂𝑓𝑓 = 2𝐼𝑂𝑈𝑇 ( ) = 2(700𝐴 ∗ 10 −3 )
[ 36𝑠 ∗ 10 ]
𝐼𝑃 1.5𝐴
𝑉𝑂𝑁 = 12.72𝑉

𝑡𝑂𝑓𝑓 = 25.93𝜇𝑠 Como observamos, la fuente generadora de pulsos debe ofrecer un

voltaje de salida superior a 16V, por esta razón se utiliza un circuito
Para calcular 𝑡𝑂𝑛 integrado 555 en modo astable.
𝑇𝐶 = 𝑡𝑂𝑛 + 𝑡𝑂𝑓𝑓
Análisis del CTO integrado N555 en modo astable
𝑡𝑂𝑛 = 𝑇𝐶 − 𝑡𝑂𝑓𝑓 = (1⁄ ) − (19.4444𝑠 ∗ 10−6 )
36𝑠 −1 ∗ 103

𝑡𝑂𝑛 = 1.85𝜇𝑠

Con la ayuda de los datos calculados podemos seguir

hallando la capacitancia e inductancia necesaria de los
dispositivos (capacitor, bobina) respectivamente:

Capacitancia
𝑡𝑂𝑛
𝐶 = 𝐼𝑂𝑈𝑇 ( ) → 𝑉𝑟 < 0,01𝑉𝑂𝑈𝑇
𝑉𝑟

1.85𝑠 ∗ 10−6
𝐶 = (700𝐴 ∗ 10−3 ) ( )
0.01(16)

𝐶 = 8.1018𝜇𝐹
Inductancia

𝑉𝐷(𝑂𝑛) + 𝑉𝑂𝑈𝑇 − 𝑉𝐼𝑁

𝐼𝑃 = ( ) 𝑡𝑂𝑓𝑓
𝐿
Fuente: https://gzalo.com/555/
𝑉𝐷(𝑂𝑛) + 𝑉𝑂𝑈𝑇 − 𝑉𝐼𝑁
𝐿=( ) 𝑡𝑂𝑓𝑓
𝐼𝑃
Donde:
16𝑉 + 0.7𝑉 − 9𝑉
𝐿=( ) ∗ (25.93𝑠 ∗ 10−6 )
1.5𝐴 𝑡𝑂𝑛 = 0.693(𝑅1 + 𝑅2 )𝐶 (1)

𝐿 = 133.086𝜇𝐻 𝑡𝑂𝑓𝑓 = 0.693(𝑅2 )𝐶 (2)

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Sin embargo la anterior configuración solo puede ser
aplicada cunado 𝑡𝑂𝑛 ≥ 𝑡𝑂𝑓𝑓 , y este caso no cumple, por Podemos estimar el valor de 𝑅1 y 𝑅2
consiguiente tenemos que acceder a implementar métodos no
convencionales y poco frecuentes. 𝑡𝑂𝑓𝑓(𝑏) 1.85𝑠 ∗ 10−6
𝑅2 = = = 26.7Ω
0.693𝐶 0.693 ∗ 100𝐹 ∗ 10−9
El siguiente esquema soluciona de forma eficaz este
inconveniente con la configuración del circuito integrado 𝑡𝑂𝑛(𝑏) 25.93𝑠 ∗ 10−6
N555 en modo astable para 𝑡𝑂𝑛 < 𝑡𝑂𝑓𝑓 . 𝑅1 = − 𝑅2 = − 120.25Ω
0.693𝐶 0.693 ∗ 100𝐹 ∗ 10−9

𝑅1 = 347.4Ω

Por ultimo resta calcular la resistencia de carga 𝑅𝐿 , en este caso

con un simple análisis con ley de Ohm podemos hallar la
resistencia requerido para nuestra fuente conmutadora elevadora.

𝑉 = 𝐼𝑅
𝑉
𝑅=
𝐼
𝑉𝑂𝑈𝑇 16𝑉
𝑅𝐿 = = = 22.85Ω
𝐼𝑂𝑈𝑇 700𝐴 ∗ 10−3

Todos los datos calculados se agrupan en la siguiente tabla:

Fuente: https://www.forosdeelectronica.com/attachments/1- Fuente Conmutadora Elevadora

jpg.39433/ 𝐼𝑃 1.5𝐴
𝐶 8.1018𝜇𝐹
Sin embargo, para utilizar las ecuaciones (1) y (2) en 𝐿 133.086𝜇𝐻
necesario invertir los tiempos de conmutación: 𝑅𝐿 22.85Ω
N555 en Modo Astable
𝑡𝑂𝑛(𝑏) = 𝑡𝑂𝑓𝑓 = 25.93𝜇𝑠 𝑅1 26.7Ω
𝑡𝑂𝑓𝑓(𝑏) = 𝑡𝑂𝑛 = 1.85𝜇𝑠 𝑅2 347.4Ω
𝐶1 100𝑛𝐹
De esta forma las ecuaciones quedarían:
Análisis de la potencia disipada por el transistor para
𝑡𝑂𝑛(𝑏) = 0.693(𝑅1 + 𝑅2 )𝐶 (1𝑎) establecer si requiere disipador de calor

𝑡𝑂𝑓𝑓(𝑏) = 0.693(𝑅2 )𝐶 (2𝑎) Como el transistor MOSFET de Enriquecimiento Canal N de

Potencia IRF540 se empleará en una constante conmutación, este
no disipará la misma potencia como si se empleara en conducción
Asumiendo los siguientes datos por largos intervalos de tiempo.

Parámetro Magnitud En este caso debemos hallar la potencia disipada promedio, esto
𝑓𝐶 36𝐾𝐻𝑧 se logra analizando la gráfica de conmutación:
𝑡𝑂𝑓𝑓 19.4444𝜇𝑠
𝑡𝑂𝑛 8.3333𝜇𝑠
𝐶1 100𝑛𝐹

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Como 𝐾𝐷 < 0,5 nos indica que el transistor MOSFET no requiere

de disipador de calor.

CONCLUSIONES

1 𝑡𝑂𝑛 2 BIBLIOGRÁFIA
̅̅̅
𝑃𝐷 = ∫ 𝐼 𝑅 𝑑𝑡
𝑇𝐶 0 𝐷 𝐷(𝑂𝑛)
1. https://es.wikipedia.org/wiki/Convertidor_Boost
2. Dispositivos.electrónicos,Thomas.L.Floyd.Octava.
1 Edición.Pearson.Hall.
̅̅̅
𝑃𝐷 = (𝐼 2 𝑅 )(𝑡 )
𝑇𝐶 𝐷 𝐷(𝑂𝑛) 𝑂𝑛 3. Circuitos.Microelectrónicos.Analisis.y.diseño.Rashid.
Evaluando 4. Dispositivos.electrónicos,Thomas.L.Floyd.Octava.
Edición.Pearson.Hall.
1 5. Circuitos.microelectrónicos..Adel.S.Sedra.Cuarta.Edición
̅̅̅
𝑃𝐷 = (1.5𝐴2 ∗ 0.077Ω)(1.85𝑠 ∗ 10−6 ) .Oxfford.University.Press
(1⁄ )
36𝑠 −1 ∗ 103 6. Electrónica.Téoria.De.Circuitos.y.Dispositivos.Electrónic
os.Robert.L.Boylestad,Louis.Nashelsy.Décima.Edición.P
̅̅̅
𝑃𝐷 = 0.01155𝑊 earson.HalL
7. https://pepegreen.com/awg-que-es/
Aplicando la ley de Ohm térmica del análisis sin disipador 8. https://www.alldatasheet.com/datasheet-
de calor. pdf/pdf/52973/FAIRCHILD/IRF540A.html
9. http://microhop.net/articulos/articulos-electronica-
𝑇𝑗 − 𝑇𝑎 = 𝑃𝐷 𝑅𝜃𝑗𝑎 general/calculo-de-disipadores/
Donde
𝑅𝜃𝑗𝑎 = 62.5 ℃⁄𝑊
𝑇𝑎 = 22℃ ↓
𝐻𝑖𝑠𝑡𝑜𝑟𝑖𝑐𝑎 𝑃𝑎𝑚𝑝𝑙𝑜𝑛𝑎 𝑁. 𝑆 + 5℃
𝑇𝑗(𝑚𝑎𝑥) = 150℃
El criterio para decidir si el componente requiere o no
disipador de calor es el siguiente:
Relación
𝑇𝑗 𝑇𝑎 + 𝑃𝐷 𝑅𝜃𝑗𝑎
= = 𝐾𝐷
𝑇𝑗(𝑚𝑎𝑥) 𝑇𝑗(𝑚𝑎𝑥)
Remplazando

22℃ + (0.01155𝑊 ∗ 62.5 ℃⁄𝑊)

𝐾𝐷 =
150℃

𝐾𝐷 = 0.15

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