E 2335 LNF 07 Pumasunta

Departamento de Eléctrica y Electrónica
Asignatura: Electrónica I
NRC: 2335
Docente: Ing. Bolívar Aguilera
Integrantes: Pumasunta William
Auz José
2015 - Sangolquí
Contenido
1. TEMA: .....................................................................................Error! Bookmark not defined.

2. OBJETIVOS..............................................................................Error! Bookmark not defined.
3. MATERIALES Y EQUIPOS ......................................................Error! Bookmark not defined.
4. MARCO TEÓRICO ...................................................................Error! Bookmark not defined.
5. PROCEDIMIENTOS ................................................................Error! Bookmark not defined.
6. CONCLUSION..........................................................................Error! Bookmark not defined.
7. RECOMENDACIONES.............................................................Error! Bookmark not defined.
8. BIBLIOGRAFÍA .......................................................................Error! Bookmark not defined.
1. TEMA:
POLARIZACIÓN DEL TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNTURA (BJT).
Realizado por:
NRC:
Departamento de Eléctrica y Electrónica, Electrónica I, Escuela Politécnica del
Ejército. Sangolqui Ecuador.
2. OBJETIVOS
 Identificar los terminales del transistor.

 Analizar la grafica Ib-VCE.
 Comparar datos calculados, simulados y medidos.
3. MARCO TEORICO
Polarización de un transistor
Circuito de polarización fija: este circuito es el más sencillo de todos los circuitos de
polarización. La resistencia Rc limita la corriente máxima que circula por el transistor
cuando este se encuentra en saturación, mientras que la resistencia de base RB regula la
cantidad de corriente que ingresa a la base del transistor (IB), la cual determina en que
zona se polarizará el transistor (saturación, activa o corte).
Eligiendo adecuadamente el valor de estas resistencias podremos determinar con

exactitud el punto de trabajo (Q) del transistor.
Análisis por medio de la recta de carga.
Las características del BJT se sobreponen en una gráfica de la ecuación de la red definida
por los mismos parámetros. El resistor de carga RC para la configuración de polarización
fija definirá la pendiente de la ecuación de la red y la intersección resultante entre las dos
gráficas. Cuanta más pequeña sea la resistencia, más pronunciada será la pendiente de la
recta de carga de la red. La red de la figura establece una ecuación de salida que relaciona
las variables IC y VCE de la siguiente manera:
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 𝑅𝐶 (1)
3 ANÁLISIS DE RESULTADOS
CIRCUITO 1.
Analizar la grafica Ib-VCE en el siguiente circuito, para un transistor tipo NPN.
Figura.1
SIMULACIONES
v = 4v IB = 3,40 mA IB = 5,68
Vce Ic v = 5v mA
3,41 3,46 Vce Ic
3 3,41 3,72 7,67
2,7 3,36 3,1 7,26
2,3 3,31 2,5 7,06
1,7 3,23 1,8 6,86
1,1 3,16 1,3 6,68
1 3,13 0,9 6,59
IB = 8,25
v = 8v mA
Vce Ic
4,04 12,4
3,85 12,11
3,2 11,46
2,7 11,2
1,6 10,8
1,1 10,58
14
12.4
12.11
11.2 11.46
12 10.58 10.8
10
7.26 7.67
8 6.68 6.86 7.06
6.59
Ic
3.16
3.13 3.23 3.31 3.36 3.41 3.46
4
0
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5
Vce
CALCULO DE ERRORES
𝑉𝑎𝑙𝑜𝑟 𝑚𝑒𝑑𝑖𝑑𝑜 − 𝑉𝑎𝑙𝑜𝑟 𝑐𝑎𝑙𝑐𝑢𝑙𝑎𝑑𝑜

𝑒𝑟𝑟𝑜𝑟% = 𝑋100
𝑉𝑎𝑙𝑜𝑟 𝑐𝑎𝑙𝑐𝑢𝑙𝑎𝑑𝑜
Error en VCB
3.39−3.51
 𝑒𝑟𝑟𝑜𝑟% = 3.51
𝑋100 = −3.41%
Error en VCE
3.99−4.1
 𝑒𝑟𝑟𝑜𝑟% = 𝑋100 = −2.68%
4.1
Error en IB
45.12−45.08
 𝑒𝑟𝑟𝑜𝑟% = 45.08
𝑋100 = 0.088%
4 CONCLUSIONES
Para realizar la polarización fija del BJT, se polarizo adecuadamente mediante la aplicación de
voltajes DC en las uniones B-E y B-C, al elegir correctamente el valor de las resistencias de
colector y de base se logró trabajar en la zona activa.
Se determinó que al variar la resistencia del colector la corriente del colector y la tensión entre
el emisor y el colector vario proporcionalmente al valor de la resistencia.
Al realizar la práctica se probó diferentes valores resistencia para no entrar en la zona de

saturación donde el voltaje entre el emisor y colector tiende a cero VCE ≈ 0, es decir como un
cortocircuito en los terminales de salida.
5 RECOMENDACIONES
Establecer nuevos parámetros para el correcto análisis de los BJT tipo NPN para seguir
estudiando el presente tema, con fuentes de voltaje variables y con componentes
electrónicos variados.
6 BIBLIOGRAFÍA
[1] Charles A. Schuler. Electrónica Principios y Aplicaciones. Editorial Reverte. Barcelona.
España. 2002.
[2] Robert L. Boylestad. Electrónica: Teoría de Circuitos y Dispositivos Electrónicos. Décima

Edición. Prentice Hall. México. 2009.
[3] BOYLESTAD, R. L. (2009). Electrónica: teoría de circuitos y dispositivos electrónicos. En

R. L. BOYLESTAD, Electrónica: teoría de circuitos y dispositivos electrónicos (pág. 132).
México, : PEARSON EDUCACIÓN.
[4] electronica 2000. (17 de 12 de 2008). curso básico de electrónica. Obtenido de

http://www.electronica2000.net/curso_elec/leccion44.htm

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POLARIZACIÓN DEL TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNTURA (BJT).

 Identificar los terminales del transistor.

Eligiendo adecuadamente el valor de estas resistencias podremos determinar con

𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 𝑅𝐶 (1)

Analizar la grafica Ib-VCE en el siguiente circuito, para un transistor tipo NPN.

𝑉𝑎𝑙𝑜𝑟 𝑚𝑒𝑑𝑖𝑑𝑜 − 𝑉𝑎𝑙𝑜𝑟 𝑐𝑎𝑙𝑐𝑢𝑙𝑎𝑑𝑜

Al realizar la práctica se probó diferentes valores resistencia para no entrar en la zona de

[2] Robert L. Boylestad. Electrónica: Teoría de Circuitos y Dispositivos Electrónicos. Décima

[3] BOYLESTAD, R. L. (2009). Electrónica: teoría de circuitos y dispositivos electrónicos. En

[4] electronica 2000. (17 de 12 de 2008). curso básico de electrónica. Obtenido de

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