FACULTAD DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA, ELÉCTRICA Y

TELECOMUNICACIONES

CURSO: Circuitos Electrónicos 1

TEMA: Proyecto (Amplificador de audio)

ALUMNOS: Boulangger Ñañez Joan Manuel 17190247

Jaimes Soto Antonio 17190263
Salas Curo Jorge Leonardo 17190294

PROFESOR: Medina Calderón Alfredo

AÑO: 2019
Polarización y análisis del JFET.

De acuerdo a los componentes como los transistores JFET estos actúan con un
funcionamiento parecido al BJT, con ciertas diferencias. Estos transistores son de
efecto de campo de unión.

Material transistor JFET

Primero se debe saber del tipo de material con el que se trabaja dicho transistor, se
trabaja con semiconductor tipo p y n (material de silicio), de acuerdo como este
compuesto estos pueden ser de canal N y canal P. En este trabajo analizaremos los
de canal N, el análisis para el canal P es similar con ciertas variaciones.
Posee tres terminales como indica en la siguiente imagen Gate (G), Drain (D) y
Source(S); que traducida seria compuerta, drenador y fuente respectivamente.

Figura 1

El transistor JFET puede cumplir ciertas funciones, en este trabajo se hablara

específicamente cuando el JFET actué como amplificador. Para esto dicho material
debe estar polarizado inversamente en la entrada (G – S) y polarizado directamente en
la salida (D – S). Al estar polarizado en inversa en la entrada podemos decir que existe
una alta impedancia de entrada por el terminal de la compuerta que podría variar
desde los 470K a 2 M ohmios (valores aproximados). Con esta alta impedancia se
puede decir que la corriente en la compuerta es cero o aproximadamente cero.
Veremos la polarización del transistor JFET de canal N y lo analizaremos.
 Figura 2

Primero tenemos que tener en cuenta el valor de ID según los físicos mediante la
siguiente ecuación:

𝑉𝐺𝑆 2
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑠𝑠 (1 − )
𝑉𝑃

Dónde:
IDss es la corriente de saturación
VGS es el voltaje compuerta fuente
VP es el voltaje pinch – off

El voltaje IDss se obtiene por datos del fabricante del JFET al igual que el VP. Siendo el
VP una cantidad negativa al igual que el VGS es una cifra negativa. La ecuación anterior
es la corriente del drenador en función del VGS, en valores prácticos el VGS de trabajo
se encuentra entre los 1/3 y 1/4 del VP.
El IDss por lo general está entre los valores de 10mA a 15mA, el VP entre -5 y -8, todo
dependerá según el material JFET que se use. Analizaremos su grafica.
 Grafica 3

Podemos apreciar mediante la gráfica 3 el ID de trabajo que se aproxima a la mitad de

IDss.
La corriente de drenador es igual a la corriente source ID = IS

Lo siguiente es que para la malla de entrada la resistencia 1 y 2 se debe reducir a una

sola resistencia (RG), por lo que para la entrada aplicaremos Thevenin. Donde RG será
la resistencia equivalente entre el paralelo de R1 y R2. Como sabemos que el VGS es
negativo y está entre los 1/3 y 1/4 de VP que sería entre los -2V y –1,5V. Con esto
entendemos que el VS es de una cantidad pequeña, que por lo general su resistencia
oscila entre los 470 a los 1K ohmios.

Figura 4
Ahora en la malla de entrada aplicaremos la ley de voltajes.

−𝑉𝐺 − 𝑉𝐺𝑆 − 𝐼𝐷 × 𝑅𝑆 = 0

𝑉𝐺 𝑉𝐺𝑆
𝐼𝐷 = − − … . . (1)
𝑅𝑆 𝑅𝑆

En la ecuación (1) podemos notar que obtenemos una función con variable
independiente de VGS y variable dependiente ID. La grafica que forma es lineal y
además cuenta con una pendiente negativa, con solo saber dos puntos de la recta ya
se puede trazar su curva.

𝑉𝐺𝑆
Para VGS = 0 , 𝐼𝐷 = 𝑅𝑆

Para ID = 0 , VGS = - VG

Dicha recta se grafica dentro de la gráfica 3 que se apreciara en la gráfica 6.

Por finalizar analizaremos la malla de salida, dando algunos valores que se deben
tener en cuenta
El VDS para que amplifique debe estar alrededor de la mitad del VDD (voltaje de la
fuente), y la resistencia RD se puede variar para que VDS se aproxime.
La resistencia RD puede tomar valores desde 1k a 2k ohmios.
Obtenemos la gráfica entre la ID y VDS, dicha grafica se obtiene de acuerdo al JFET
que se utiliza por el fabricante.

Grafica 5
Aplicando la ley de voltajes para la malla de salida de la figura 2 obtenemos:

𝐼𝐷 × 𝑅𝐷 + 𝑉𝐷𝑆 + 𝐼𝐷 × 𝑅𝑆 − 𝑉𝐷𝐷 = 0

Despejando obtenemos:

𝑉𝐷𝐷 𝑉𝐷𝑆
𝐼𝐷 = −
𝑅𝐷 + 𝑅𝑆 𝑅𝐷 + 𝑅𝑆

En la ecuación obtenemos la variable independiente de VDS y la variable dependiente

de ID, con una pendiente negativa.
Al ser una recta de carga lineal con solo tener dos puntos ya se puede trazar su recta
de carga.

𝑉𝐷𝐷
Para VDS = 0 , 𝐼𝐷 =
𝑅𝑆 +𝑅𝐷

Para ID = 0 , VDS = VDD

La recta de carga se dibuja dentro de la gráfica 5 para apreciar la zona de trabajo en la

gráfica 6.

Con esto se terminaría de explicar cómo se debe polarizar el JFET para que funcione
como amplificador que para este proyecto será útil porque amplificaremos una señal
de audio.
Polarización y análisis del MOSFET.

Para empezar el análisis de este tipo de transistor primero lo definiremos; “es un

dispositivo semiconductor utilizado para la conmutación y amplificación de señales. El
nombre completo, Transistor de Efecto de Campo de Metal-Óxido-Semiconductor
(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, MOSFET)”.
Al igual que los dos tipos de transistores ya mencionados, el MOSFET posee también
3 terminales: Gate, Drain y Source; compuerta, drenaje y fuente respectivamente.

Al igual que los transistores ya mencionados, el MOSFET también posee dos tipos de
canal: N y P. Empezaremos por definir el canal n, este canal se forma a través de una
placa de material p a partir de una base de silicio. La fuente y el drenaje están unidos
mediante contactos metálicos a regiones de tipo n dopadas vinculadas a un canal n.
Algo similar sucede con la compuerta ya que está conectada a una superficie de
contacto metálico aunque permanece aislada del canal n en este caso sería por una
capa de SO2( Dióxido de silicio). Este compuesto es un tipo de aislante conocido como
dieléctrico, el cual establece campos eléctricos opuestos dentro del dieléctrico (SO 2),
cuando se expone a un campo externo. Por lo tanto no hay una conexión eléctrica
entre la terminal de la compuerta y el canal del MOSFET.
La capa aislante en la construcción del MOSFET, es la responsable de la alta
impedancia de entrada del dispositivo. Dicha impedancia puede variar entre 1MΩ y
10MΩ (este rango puede ser tomado como una regla, no como una ley), esto quiere
decir que puede tomar algunos valores mayores o menores que los extremos del
rango, pero no deben de estar tan alejados (del mismo orden).
Si VGS se ajusta a 0V y se aplica un voltaje entre el drenaje y la fuente del dispositivo,
la ausencia de un canal n, producirá una corriente de 0A. No es suficiente contar con
una gran acumulación de portadores en el drenaje y la fuente si una trayectoria deja
de existir entre las dos.
Tanto VGS como VDS se ajustaron a un determinado voltaje positivo, para GS V DS
establecer el drenaje y la compuerta a un potencial positivo con respecto a la fuente.
El potencial positivo de la compuerta ejercerá presión en los huecos en el sustrato p, a
lo largo del borde de la capa, para que abandonen el área y en las regiones más
profundas del sustrato p. Sin embargo, los electrones en el sustrato tipo p serán
atraídos a la compuerta positiva y se acumularán en la región cercana a la superficie
de la capa.
Ello impedirá que los portadores negativos sean absorbidos en la compuerta.
Conforme VGS aumenta la concentración cerca del aislante, se incrementa y con el
tiempo la región tipo n inducida puede soportar un flujo mensurable entre el drenaje y
la fuente.

A continuación veremos la polarización del transistor MOSFET

Primero debemos de tener en cuenta la siguiente ecuación:
ID = K (VGS-VTh) 2

Dónde:
ID: Corriente del drenador
VGS: Voltaje compuerta-fuente
VTh: Voltaje umbral
K: Constante

Los datos que se pueden conocer a través del datasheet o a veces dicha información
nos brinda el fabricante; son la constante (K), el voltaje umbral (VTh)
A diferencia del JFET, el MOSFET posee un voltaje compuerta-fuente positiva.
La grafica de dicha ecuación es la siguiente

En la malla de entrada, la resistencia RG1 y RG2 se debe reducir a una sola resistencia
RG, dicha resistencia es equivalente a la resistencia Thevenin, que se calcula de la
siguiente manera:
RG=RG1//RG2 (RG1 y RG2 resistencias en paralelo)

El valor de dicha resistencia está comprendida entre 1MΩ y 10MΩ (se puede elegir un
valor comprendido entre ese rango). Mientras que el voltaje VG, es el voltaje Thevenin
del circuito que se calcula de la siguiente manera:

𝑅𝐺2 𝑅𝐺
VG= VDD𝑅𝐺1+𝑅𝐺2 𝑜 𝑉DD𝑅𝐺1

El valor de dicho voltaje se aproxima a la tercera parte del voltaje de la fuente de

corriente continua.
Aplicando ley de Kirchhoff en la malla de entrada, tenemos lo siguiente:
-VG+VRG+VGS+VRS=0
VG= VRG+VGS+VRS
VG= IGRG+VGS+IDRS pero IG=0A
VG=IDRS+VGS
1 1
ID= 𝑅𝑠VG - 𝑅𝑠VGS

Variable dependiente: ID
Variable independiente: VGS

Si ID=0A → 𝑉 G=VGS
𝑉𝐺
Si VGS=0v → ID= 𝑅𝑠

 En la malla de salida

-VDD+VRD+VDS+VRS=0

VDD= VRD+VDS+VRS

VDD=IDRD+VDS+IDRS

VDD=VDS+ID(RD+RS)

1 1
ID= 𝑅𝐷+𝑅𝑠VDD - 𝑅𝐷+𝑅𝑠VDS

Variable Dependiente: ID

Variable Independiente: VDS

Si ID=0A → VDD=VDS

VDD
SI VDS=0v → ID=𝑅𝐷+𝑅𝑠

Debemos de tener en cuenta lo siguiente: el voltaje drenador surtidor (VDS) debe de

tener un valor aproximado de la mitad del valor del voltaje de la fuente (VDD).Dicha
aproximación se debe cumplir para que nuestro circuito logre su objetivo que es el de
amplificar la señal de audio.
Si lo dicho anteriormente no se da debemos de cambiar el valor de RD, para que así el
voltaje drenador fuente cumpla dicha regla.
BJT

𝑅𝐵
SI≅ 𝑅𝐸 ≅ 10 Si RB=500Ω → RE≅ 47Ω

 En la malla de entrada:
VTH=VRB+VBE+VRE
𝑅𝐵
VCC 𝑅1 =IBRB+0.7+IERE

IC=βIB
IB=IC/β . Asumimos IC=13mA pero IC≅IE≅13mA

Si β=50
IB=260𝜇A (este valor esta fuera del rango de IB)

Si β=150
IB=86.6𝜇A (valor dentro del rango de IB)
500
14 =(86.6𝜇)500+0.7+0.61
𝑅1

R1=5185Ω
Pero nosotros sabemos que:
RB=R1//R2
𝑅1∗𝑅2
RB=
𝑅1+𝑅2

Como sabemos que RB=500Ω y R1=5185Ω → R2=555.5Ω

 En la malla de salida:

VCC=VRC+VCE+VRE
14=ICRC+VCE+IERE pero VCE≅VCC/2 y IE≅IC
14=ICRC+7.3+ICRE
6.7=IC(RC+47)

Como asumimos IC=13mA, entonces la ecuación queda así

6.7
13𝑚𝐴
=RC+47
RC=468.3Ω
JFET

Sabemos que:

ID=IDSS(1-VGS/VP)2

Datos:
IDSS=3mA VGS=-1.6v VP=-6v

Reemplazando estos datos en la ecuación de los físicos nos da como resultado ID

ID=2mA

 En la malla de salida:

VCC=VRC+VDS+VRS
14=IDRD+7.3+ISRS VDS≅VCC/2≅7.3v e ID≅IS (ya que IG≅ 0𝐴)
14=IDRD+7.3+IDRS
6.7=ID(RD+RS)
6.7𝑣
RD+RS=
2𝑚𝐴

RD+RS=3350Ω
Asumimos: RD=2500Ω y RS=850Ω

 En la malla de entrada:

VTH=VRG+VGS+VRS
VCCRG/R1=IGRG+(-1.6)+ISRS pero IG≅ 0𝐴
14(1M)/R1=-1.6+(2mA)850
R1=4242424.2
R1=4.2MΩ

Pero nosotros sabemos que:

RG=R1//R2
𝑅1∗𝑅2
RG=𝑅1+𝑅2

Como sabemos que RG=1MΩ y R1=4.2MΩ → R2=1.3MΩ

MOSFET

Sabemos que:
ID=k(VGS-Vth)2

Asumiendo: RG=1MΩ e ID=9mA (Dato)

Reemplazando en la siguiente ecuación:

1
VTH=VCCRG/R1≅ 3VCC

Como VCC=14v entonces: VTH=5v

Hallando R1:
VCCRG/5=(14)(1M)/5
R1=2.4MΩ

Ahora hallaremos R2:

RG=R1//R2
𝑅1∗𝑅2
RG=𝑅1+𝑅2
2.4𝑀∗𝑅2
1M=2.4𝑀+𝑅2
R2=1.7MΩ

 En la malla de salida:

VCC=VRD+VDS+VRS
14=IDRD+7.3+IDRS VDS≅VCC/2≅7.3v e ID=IS (ya que IG= 0𝐴)
6.7=ID(RD+RS)
6.7𝑣
RD+RS=9𝑚𝐴
RD+RS=744.4Ω≈750Ω

Asumiendo: RD=500Ω y RS=250Ω

 En la malla de entrada:

VTH=VRG+VGS+VRS pero IG=0A → VRG=0v

VTH=VGS+VRS
5=VGS+(9mA)(250)
VGS=2.75v
TABLA DE DATOS EXPERIMENTALES

BJT JFET MOSFET

R1 4.7kΩ 1.2MΩ 2.2MΩ
R2 470Ω 500kΩ 1.2MΩ
RC / RD 470Ω 1000Ω 510Ω
RE / RS 41Ω 680Ω 220Ω

JFET MOSFET

VCC 14v VCC 14v

VDS 7.3v VDS 7.3v
VGS -1.6v VGS 2.4v
VDG 8.6v VDG 4.7v
R1 1.5MΩ R1 2.4MΩ
R2 600kΩ
R2 1.7MΩ
RD 2.5KΩ
RD 500Ω
RS 850Ω
RS 250Ω
IDSS 3.8mA
ID 9mA
ID 2mA
IG 0A IG 0A
IS 3.8mA IS 9mA

BJT

VCC 14v
VCE 7.3v
VCB 6.6v
VCE 0.7v
R1 5kΩ
R2 570Ω
RC 470Ω
RE 47Ω
IC 13mA
IE 13.11mA
IB 86.6𝜇A
β 150