Práctica 10 Lab Electrónica II 19-19

FORMATO: M-04-2015 (V. 1.
15)
GUÍA DE PRÁCTICA DE LABORATORIO
DATOS GENERALES:
CARRERA: INGENIERÍA EN ELECTRÓNICA DIGITAL Y TELECOMUNICACIONES
ASIGNATURA: ELECTRÓNICA II
TÍTULO DE LA PRÁCTICA: Amplificador JFET - Divisor de Voltaje - Fuente No. de práctica

Común.
NOMBRES:
10
HORARIO:
A. OBJETIVOS DE LA PRÁCTICA
A1. Analizar el comportamiento del amplificador JFET en la configuración de divisor de voltaje y las formas de onda
resultantes con pequeñas señales de entrada.
A2. Compara los resultados de amplificación teóricos con los prácticos en la configuración de divisor de voltaje.
B. FUNDAMENTO TEÓRICO
Modelo de pequeña señal para el FET
El análisis de ac de una configuración a FET requiere que se desarrolle un modelo de ac de pequeña señal para el FET. Un
componente principal del modelo de ac reflejará el hecho de que un voltaje ac aplicado a las terminales de compuerta-fuente
controlará el nivel de la corriente del drenaje a la fuente.
El voltaje compuerta-fuente controla la corriente de drenaje-fuente (canal) de un FET.
Recuerde del capítulo 6 que el voltaje de dc compuerta-fuente controlaba el nivel de la corriente de drenaje de dc mediante
una relación conocida como ecuación de Shockley:
El cambio en la corriente del drenador que se ocasionará por el cambio en el voltaje compuerta-fuente puede determinarse
mediante el uso del factor de transconductancia de la siguiente forma:
(9.1)
El prefijo trans de la terminología aplicada a indica que éste establece una relación entre una cantidad de entrada y una de
salida. La raíz conductancia se seleccionó debido a que se encuentra determinado por una relación voltaje a corriente
similar a la relación que define la conductancia de un resistor G = 1/R 0 = 1/V.
Al resolver para gm en la ecuación 9.1, tenemos:
Determinación gráfica de gm
Si ahora revisamos las características de transferencia de la figura 9.1, encontramos que gm es en realidad la pendiente de
las características en el punto de operación, es decir,
1
(9.3)
Al seguir la curvatura de las características de transferencia, queda claro que la pendiente, y por lo tanto gm, se incrementa a
medida que se va de VP a IDSS. O en otras palabras, a medida que VGS se acerca a 0V, la magnitud de gm se incrementa.
La ecuación 9.2 muestra que se puede calcular gm en cualquier punto Q sobre las características de transferencia,
simplemente al seleccionar un incremento finito en VGS (o en ID) cercano al punto Q y luego al localizar el cambio
correspondiente en ID (o VGS, respectivamente). Los cambios resultantes en cada cantidad posteriormente se sustituyen en
la ecuación 9.2 para determinar gm.
Definición matemática de gm
El procedimiento gráfico recién descrito se encuentra limitado por la precisión de la gráfica de transferencia y por el cuidado
con el que se determinen los cambios en cada cantidad. Naturalmente, mientras más grande sea la gráfica mejor será la
precisión, pero esto puede convertirse en un problema engorroso. Un enfoque alternativo para calcular gm utiliza el enfoque
empleado para encontrar la resistencia de ac de un diodo en el capítulo 1, dónde se estableció que:
La derivada de una función en un punto es igual a la pendiente de la línea tangente trazada en ese punto.
Si por tanto, tomamos la derivada de ID con respecto a VGS (cálculo diferencial) en la ecuación de Shockley, se puede
deducir una ecuación para gm de la siguiente forma:
Donde denota sólo la magnitud para asegurar un valor positivo de gm.
Se mencionó antes que la pendiente de la curva de transferencia es máxima cuando VGS = 0V; al sustituir en la ecuación
9.4 se obtiene la ecuación siguiente para el valor máximo de gm para un JFET en el que tanto IDSS como VP se han
especificado:
2
Donde el subíndice 0 añadido nos recuerda que se trata del valor de gm cuando VGS = 0V. La ecuación 9.4 se convierte
entonces en
Las hojas de especificaciones proporcionan gm comoYfs donde Y indica que es la parte de admitancia del circuito
equivalente. La f significa que se trata de un parámetro de transferencia directo (del inglés forward), y la s (del inglés source)
revela que la terminal de la fuente es la referencia del modelo.
En forma de ecuación,
Configuración de divisor de voltaje para el JFET
La configuración popular de divisor de voltaje puede también aplicarse para los JFET´s como se demuestra en la figura 9.22.
Al sustituir el modelo equivalente de ac del JFET se obtendrá la configuración de la figura 9.23. El reemplazo de la fuente de
dc VDD por un corto circuito equivalente, conecta a tierra una terminal de R1 y de RD. Debido a que cada red posee una
tierra común R1 se conecta en paralelo con R2 como se muestra en la figura 9.24. También es posible conectar RD a tierra
pero en el circuito de salida a través de rd. La red equivalente de ac que se obtiene ahora cuenta con la forma básica de
algunas de las redes que hemos analizado.
3
Zi: R1 y R2 se encuentran en paralelo con el equivalente de circuito abierto del JFET lo que da por resultado:
Observe que las ecuaciones para Zo y Av son las mismas que las obtenidas para las configuraciones de polarización fija y de
autopolarización (con RS en desvío). La única diferencia es la ecuación de Zi que ahora es sensible a la combinación en
paralelo de R1 y R2.
C. LISTADO DE MATERIALES Y EQUIPOS
C1. Resistencias: 100kΩ; 100Ω; 10kΩ y 220Ω, potenciómetro 5 KΩ todas a ¼W.
C2. Resistencias: 10MΩ o la más alta que pueda conseguir; 1MΩ; 2 de 4,7kΩ, todas a ¼W.
C3. 2 Condensadores de 10uF a bajo voltaje.
C4. 1 Condensador de 20uF a bajo voltaje.
C5. Transistor FET canal-N 2N5951.
C6. Multímetro.
C7. Puntas de prueba osciloscopio y de generador de funciones.
C8. Protoboard, cables 24AWG, corta frío, pinza puntas media, estilete.
D. INSTRUCCIONES PARA REALIZAR LA SIMULACIONES (PREPARATORIO)
D1. Monte el circuito en el simulador livewire como se ilustra en la Figura 1. Nótese que el transistor JFET a utilizar es el,
BF256B (solo para la simulación).
D2. Mida los voltajes VD, VDS. Anótelos en la Tabla 1.

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D3. Desarrolle el circuito teóricamente, para ello debe utilizar los valores de I DSS y VP de SU transistor FET encontrado en
laboratorio, con esos datos trace la curva de Shockley para resolver el circuito en polarización de divisor de voltaje,
encontrando el punto de operación Q, con el cruce de la recta determinada por V GS = VG – ID * RS.
D4. Anote los valores calculados de los voltajes VD, VDS en la Tabla 1.
D5. Coloque el osciloscopio y obtenga los oscilogramas del V IN y VO. (adjunte en la sección G simulaciones).
E. INSTRUCCIONES PARA REALIZAR LA PRÁCTICA
E1. Monte el circuito en el protoboard como se ilustra en la Figura 1.
E2. Con el multímetro mida los voltajes VD, VDS. Anótelos en la Tabla 1.
E3. Coloque las puntas de prueba del osciloscopio en VIN y VO. Observe la forma de onda trazada por el osciloscopio y
compárelas con las obtenidas en simulación. (adjunte en la sección H).
E4. Responda las preguntas que se encuentran en el punto de Anexos del informe.
F. ACTIVIDADES A DESARROLLAR, DIAGRAMAS Y FIGURAS
Figura 1: Diagrama circuital - Amplificación JFET – Divisor de Voltaje.
G. RESULTADOS OBTENIDOS
DATOS VD (V) VDS (V)

Medido
Calculado
Simulado
Tabla 1: Tabla correspondiente a los valores de la Figura 1.
5
H. SIMULACIONES, CALCULOS.
H1. Adjuntar los gráficos de las simulaciones correspondientes a la Figura 1. Además se espera señal de entrada, señal
de salida y señal de entrada-salida (en una sola gráfica, montadas ambas señales) del osciloscopio virtual.
H2. Realizar los cálculos respectivos solicitados en los puntos anteriores pero diferenciándolos de cuáles son de la
simulación y su análisis matemático; y, cuáles son de la práctica y su análisis matemático.
H3. Pero, para los cálculos teóricos usted debe usar el IDSS y VP que encontró para su transistor en las prácticas
anteriores, por ejemplo, para el autor se encontró que I DSS = 12mA y VP = -2V.
H4. Utilice la curva de Shockley y la recta para encontrar el punto de trabajo Q.
I. CONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES
I1. Exponga sus conclusiones respecto a la presente práctica.
I2. Exponga sus recomendaciones respecto a la presente práctica.
J. BIBLIOGRAFÍA
K. ANEXOS
K1. ¿Coinciden las señales de la simulación con las obtenidas en el osciloscopio? Explique.
K2. ¿Se amplifica la onda? ¿En cuánto?, Calcule y de un valor aproximado del número de veces que amplifica la onda.
K3. ¿Cuál es la única diferencia entre esta configuración y las de polarización fija y autopolarización?
K4. Calcule Zi, Zo y Av para el equivalente aproximado híbrido de la Figura 1.

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TÍTULO DE LA PRÁCTICA: Amplificador JFET - Divisor de Voltaje - Fuente No. de práctica

Modelo de pequeña señal para el FET

El voltaje compuerta-fuente controla la corriente de drenaje-fuente (canal) de un FET.

Al resolver para gm en la ecuación 9.1, tenemos:

Donde denota sólo la magnitud para asegurar un valor positivo de gm.

Configuración de divisor de voltaje para el JFET

C. LISTADO DE MATERIALES Y EQUIPOS

C1. Resistencias: 100kΩ; 100Ω; 10kΩ y 220Ω, potenciómetro 5 KΩ todas a ¼W.

C3. 2 Condensadores de 10uF a bajo voltaje.

C4. 1 Condensador de 20uF a bajo voltaje.

C5. Transistor FET canal-N 2N5951.

C7. Puntas de prueba osciloscopio y de generador de funciones.

D. INSTRUCCIONES PARA REALIZAR LA SIMULACIONES (PREPARATORIO)

D2. Mida los voltajes VD, VDS. Anótelos en la Tabla 1.

encontrando el punto de operación Q, con el cruce de la recta determinada por V GS = VG – ID * RS.

E. INSTRUCCIONES PARA REALIZAR LA PRÁCTICA

E1. Monte el circuito en el protoboard como se ilustra en la Figura 1.

compárelas con las obtenidas en simulación. (adjunte en la sección H).

F. ACTIVIDADES A DESARROLLAR, DIAGRAMAS Y FIGURAS

Figura 1: Diagrama circuital - Amplificación JFET – Divisor de Voltaje.

DATOS VD (V) VDS (V)

Tabla 1: Tabla correspondiente a los valores de la Figura 1.

H4. Utilice la curva de Shockley y la recta para encontrar el punto de trabajo Q.

I1. Exponga sus conclusiones respecto a la presente práctica.

I2. Exponga sus recomendaciones respecto a la presente práctica.

K4. Calcule Zi, Zo y Av para el equivalente aproximado híbrido de la Figura 1.

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