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Escuela Politécnica Nacional, Facultad de ingeniería Electrónica y Control - Laboratorio de Electrónica de Potencia, 1

Informe 3.

ANÁLISIS E IMPLEMENTACIÓN DE
CIRCUITOS DE DISPARO
Roberto Pineda, Steve Rojas
[email protected]
[email protected]
Escuela Politécnica Nacional
LEP_Gr1_8

I. INFORME
1. Presentar las formas de onda obtenidas, analizar y comentar las mismas

2. Calcular la potencia de disipación del TBJ para carga R y RL. Compare los resultados entre las pérdidas medidas en
el laboratorio y las calculadas teóricamente.

*Carga R:
Recta voltaje:
𝑉𝐶𝐸 = 𝐸 + ((𝑉𝐶𝐸𝑠𝑎𝑡 – 𝐸)/𝑡𝑟𝑖 )∗t
𝐼𝐶 = 𝐼𝑙𝑒𝑎𝑘 +( 𝐼 − 𝐼𝑙𝑒𝑎𝑘 /𝑡𝑟𝑖) ∗ 𝑡
𝐼 = (𝐸 – 𝑉𝐶𝐸𝑠𝑎𝑡)/ 𝑅
𝑡𝑟𝑖 = 𝑡𝑜𝑛1 + 𝑡𝑜𝑛2 = 1.6µ𝑠 + 6.4µ𝑠 = 8µ𝑠
𝐸 = 40𝑉
𝑉𝐶𝐸𝑠𝑎𝑡 = 6𝑉
𝐼𝑙𝑒𝑎𝑘 = 72𝑚𝐴
𝐼 = (40𝑉 − 6𝑉 )/17𝛺 = 2A
t=tri/2=4µs (pico de potencia):

𝑃 = 𝑉𝐶𝐸 ∗ 𝐼𝐶 = (40 +( 6 – 40)/ 2 ) ∗ (72 ∗ 10−3 +( 2 − 0.72 ∗ 10−3)/ 2 ) = 24.648𝑊

*Carga RL:
𝑃 = (𝐸 + 𝑉𝑓) ∗ 𝐼𝑑𝑐 = (𝐸 + 𝑉𝑓) ∗ 𝐸 ∗ 𝛿/ 𝑅
𝐸 = 40𝑉
𝑉𝑓 = 0.88𝑉
𝑅 = 100Ω
𝛿 = 0.3
𝑃 = 4.906𝑊

Se consideró que, en los momentos de transición, las formas de onda son rectas y que tienen su pico de potencia en la mitad de
este tiempo de transición.

CONCLUSIONES
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Los sistemas de tierra tanto del circuito de control como de potencia deben de estar aislados el uno del otro
esto se debe a que el circuito de potencia aún en su tierra puede generar ruido y este ruido, debido a que el
circuito de potencia maneja voltajes y corrientes mayores que el circuito de control, puede afectar o incluso
dañar el circuito de control de forma permanente. Es por este motivo que es preferible que el circuito de control
tenga su tierra aparte del circuito de potencia.

Los TBJ son elementos que trabajan a bajas frecuencias y a su vez generan una cantidad de perdidas
considerables cuando se encuentran trabajando en la región activa. Es por esta razón que en lo que concierne
a electrónica de potencia este tipo de elementos solamente se ocupan en la zona de saturación para su uso
como interruptor. Para llegar a esta zona de trabajo del TBJ se debe de cumplir una corriente de base y un
voltaje de colector- emisor determinados, para este caso el TBJ deja de trabajar como un amplificador como
se lo usaba en anteriores materias y simplemente se convierte en un sistema de activación o desactivación
de un circuito.

Mediante una correcta manipulación de los circuitos de disparo en electrónica de potencia es posible
establecer el funcionamiento de dispositivos electrónicos tales como los TBJ, MOSFET o IGBT, logrando así
un control y manipulación de las señales de salida de los circuitos que involucran los elementos antes
mencionados, creando así señales distorsionadas.

RECOMENDACIONES

 Al momento de dimensionar los elementos resistivos de un circuito de potencia y de control, tomar en cuenta la potencia
que estos deben soportar, ya que es muy probable que en circuitos de potencia se necesite emplear resistencia de potencia,
y para circuito de control resistencia de baja potencia.

 Tener en cuenta que en un circuito de disparo existen etapas las cuales nos dan una señal provisoria cada una, teniendo
en cuenta esto y mediante el control de cada elemento que conforma cada etapa, es posible realizar modificaciones en el
diseño para lograr la señal esperada en la etapa final del circuito.

II. REFERENCIAS
[1] Semiconductores de potencia [Online].
http://riubu.ubu.es/bitstream/10259/3791/3/Semiconductores_de_potencia.pdf
[2] Dispositivos semiconductores de potencia [Online]
http://materias.fi.uba.ar/6625/Clases/Clase22_apunte.pdf
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