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Equation Chapter 1 Section 1
LABORATORIO
DE
ELECTRÓNICA BÁSICA
GRADO EN INGENIERÍA DE TECNOLOGÍAS DE

TELECOMUNICACIÓN
Electrónica Básica
2º Curso
INDICE
Introducción, Pág. 1
Práctica 1.- Análisis de la configuración inversora y no-inversora de un amplificador

operacional, Pág. 5
Práctica 2.- Consideraciones prácticas del amplificador operacional: Análisis mediante
simulación, Pág. 9
Práctica 3.- Consideraciones prácticas del amplificador operacional: Medidas
experimentales, Pág. 15
Práctica 4.- Aplicaciones del amplificador operacional, Pág. 21
Práctica 5.- Oscilador de puente de Wien, Pág. 25
Práctica 6.- Generador de diente de sierra y cuadrada basado en un disparador de Schmitt,
Pág. 27
Práctica 7.- Análisis de transistores MOS en DC, Pág. 33
Práctica 8.- Realización de fuentes de corriente MOS, Pág. 37
Práctica 9.- Amplificadores CMOS, Pág. 41
Práctica 10.- Amplificadores CMOS en alta frecuencia, Pág. 45
Práctica 11. Respuesta en frecuencia y compensación de amplificadores operacionales
CMOS, Pág. 49
Práctica 12. Simulación de circuitos lógicos CMOS, Pág. 55
Práctica 13. Edición de layouts de circuitos CMOS, Pág. 63
Hojas de características de componentes, Pág. 75

• UA741
• TL081/82/83
• MC14007UB
Manual de instrucciones del osciloscopio digital serie DS03000, Pág. 95

1.- Introducción
2.- Compensación de las sondas
3.- Visualizar una señal automáticamente
4.- Configuración vertical
5.- Configuración vertical (Escala de tiempos)
5.1. Disparo del osciloscopio
6.- Control de medida
6.1. Medida a través de cursores
6.2. Medida automática
7.- Control de formas de onda
Tutorial de LTspice© IV, Pág. 111
1.- Introducción
2.- Instalación del programa
3.- El entorno gráfico
4.- Simulando un circuito básico
5.- Medidas en la zona de simulación
5.1. Simulación del análisis AC
5.2. Medida de potencia
6.- Varios
6.1. Combinaciones de ratón y teclado interesante
6.2. Etiquetas para expresar las unidades en los componentes de los circuitos
6.3. Lista de materiales utilizados en el circuito
7.- Sitios WEB con modelos de SPICE
Introducción
A lo largo del curso se tiene programadas un conjunto de prácticas:
Práct. 1.- Análisis de la configuración inversora y no-inversora de un amplificador

operacional, Pág. 5
Práct. 2.- Consideraciones prácticas del amplificador operacional: Análisis
mediante simulación, Pág. 9
Práct. 3.- Consideraciones prácticas del amplificador operacional: Medidas
experimentales, Pág. 15
Práct. 4.- Aplicaciones del amplificador operacional, Pág. 21
Práct. 5.- Oscilador de puente de Wien, Pág. 25
Práct. 6.- Generador de diente de sierra y cuadrada basado en un disparador de
Schmitt, Pág. 27
Práct. 7.- Análisis de transistores MOS en DC, Pág. 33
Práct. 8.- Realización de fuentes de corriente MOS, Pág. 37
Práct. 9.- Amplificadores CMOS, Pág. 41
Práct. 10.- Amplificadores CMOS en alta frecuencia, Pág. 45
Práct. 11.- Respuesta en frecuencia y compensación de amplificadores
operacionales CMOS, Pág. 49
Práct. 12. Simulación de circuitos lógicos CMOS, Pág. 55
Práct. 13. Edición de layouts de circuitos CMOS, Pág. 63
Nota: No todas las prácticas son obligatorias.
Los resultados de cada práctica se recopilarán en un cuaderno de prácticas que va a ser el

único material de referencia utilizado en el examen final de la asignatura. Se debe recordar que el
objetivo de las prácticas es doble: por una parte, obtener destreza en la simulación y montaje de
circuitos y, por otra, recopilar correctamente los resultados para su posterior utilización.
— Realización de las prácticas

Todas las prácticas se realizarán de forma individual (siempre que lo permita el
limitado número de puestos del Laboratorio). Se recomienda realizar las prácticas en
el orden que se han programado, y no saltarse ninguna, a no ser que no se tenga
previsto realizar.
Grado en Ingeniería de Tecnologías de Telecomunicación

Electrónica Básica 1
En la realización de las prácticas se encuentran dos tipos de símbolos cuyo significado
es el siguiente:
☺ Este símbolo aporta ideas y sugerencias asociados a apartados.
 Este símbolo indica cuestiones relacionadas con un apartado que deben ser
resueltas.
Este símbolo indica que el resultado debe ser aprobado por el profesor.
Este símbolo indica que se puede descargar a través del Moodle el

esquemático de LTspice para realizar su simulación.
Algunas prácticas tienen asignado valores individualizados que se pueden descargar

de la página Web de la asignatura. Realizar el trabajo previo utilizando como
referencia estos valores.
— Trabajo en grupo
Las prácticas propuestas están basadas en desarrollos teóricos y problemas abordados
en las clases de teoría. Por ello, en la mayoría de las prácticas se presentan un apartado
denominado “Trabajo previo de laboratorio” donde se pretende que el alumno
adquiera los conocimientos necesarios para realizar las medidas experimentales y de
simulación durante las horas de laboratorio. Es recomendable que este análisis previo
constituya un trabajo de grupo fuera de las horas lectivas con objeto de adquirir las
competencias relacionadas con el trabajo en equipo. Diferentes alumnos pueden
reunirse para realizar una labor en equipo e intercambiar conocimientos que faciliten
la realización de cada práctica. No obstante, se procederá, antes de iniciar la práctica,
a una evaluación individual de este trabajo para evitar que alumnos que carecen de los
conocimientos necesarios puedan acceder a la realización de la práctica.
— Algunas sugerencias interesantes

En electrónica, los datos experimentales muchas veces no son exactos y difieren con
los calculados teóricamente. Cuando esto sucede, averiguar las posibles causas del
error. Cuando se pida realizar una gráfica de los resultados experimentales, también
se deberán incluir en una tabla los correspondientes datos de medida. Redacta la
información en el cuaderno de una manera clara y concisa que te permita acceder
rápidamente a la información que necesitas.
Los valores de resistencia y capacidad utilizados en el montaje de las prácticas deben

redondearse a los valores disponibles en el Laboratorio indicados en las siguientes
tablas.
Ingeniería en Tecnologías de la Telecomunicación

2 Electrónica Básica
Valores de Resistencias disponibles en el Laboratorio
10 Ω 330 Ω 1k5 Ω 6k8 Ω 33 kΩ 150 kΩ 680 kΩ 3M9 Ω
33 Ω 390 Ω 1k8 Ω 8k2 Ω 39 kΩ 180 kΩ 820 kΩ 3M9 Ω
100 Ω 470 Ω 2k2 Ω 10 kΩ 47 kΩ 220 kΩ 1 MΩ 4M7 Ω
120 Ω 560 Ω 2k7 Ω 12 kΩ 56 kΩ 270 kΩ 1M5 Ω 5M6 Ω
150 Ω 680 Ω 3k3 Ω 15 kΩ 68 kΩ 330 kΩ 1M8 Ω 6M8 Ω
180 Ω 820 Ω 3k9 Ω 18 kΩ 82 kΩ 390 kΩ 2M2 Ω 8M2 Ω
220 Ω 1 kΩ 4k7 Ω 22 kΩ 100 kΩ 470 kΩ 2M7 Ω
270 Ω 1k2 Ω 5k6 Ω 27 kΩ 120 kΩ 560 kΩ 3M3 Ω
Valores de Capacidades disponibles en el

Laboratorio
1 nF 10 nF 1 µF
1.5 nF 33 nF 4.7 µF
2.2 nF 47 nF 47 µF
4.7 nF 100 nF
— Valoración de las prácticas

Consultar la guía docente de la asignatura.

1 ANÁLISIS DE LA CONFIGURACIÓN INVERSORA Y
1 NOINVERSORA DE UN AMPLIFICADOR OPERACIONAL
Objetivos
El amplificador operacional es un amplificador diferencial de altas prestaciones, con una

elevadísima ganancia en tensión cuando trabaja en lazo abierto (sin realimentación). Su uso está
extendido en una gran variedad de aplicaciones lineales y no lineales. Ofrece todas las ventajas
de los circuitos integrados monolíticos tales como pequeño tamaño, bajo precio, versatilidad, etc.
En esta práctica se analizan las características amplificadoras de un amplificador operacional
ideal en sus configuraciones más conocidas: inversora y no inversora. Este análisis se realizará
utilizando el simulador eléctrico LTSpice como herramienta para estudiar su comportamiento en
los diferentes tipos de análisis.
Valores individualizados extraídos de la tabla de valores: AV y VDC
1.- Trabajo previo de laboratorio
En la figura 1 se muestra el esquema de la configuración inversora de un amplificador

operacional conectada a una fuente de entrada modelada con una fuente de tensión VS en serie
con una resistencia interna de RS=600.
R2
Fuente de entrada
RS R1
Vi
Vo
VS
R1||R2
Figura 1. Amplificador inversor.
A) Determinar el valor de R1 y R2 para obtener la ganancia del amplificador AV(=Vo/Vi)

especificada. Asignar valores de forma que R1 > 2k.
B) Con los anteriores valores de R1 y R2, ¿Calcular el valor de AVs=Vo/VS?

C) Si VS es una fuente alterna de 100mV de amplitud, representar gráficamente VS, Vi y Vo.
D) ¿Cuál es la corriente que circula por R1||R2? ¿Cuál es la tensión en la entrada + del OA?
Justificar la respuesta.
E) Si VS es una fuente DC de valor VDC, calcular teóricamente las corrientes que circulan por
R1 y R2 .
F) Si el valor de la fuente de entrada es VS =VDC+50mV·sen(2·1kHz·t), calcular el valor VO
de salida; representar gráficamente está señal.
2.- Desarrollo práctico
Utilizando las herramientas de edición de LTspice, realizar el esquemático del circuito (Figura
2). Usar los valores de R1 y R2 asignados en la sección anterior.
[EditLabel Net [Opamps]opamp [EditLabel Net
[Misc]signal
Vs Vi
Punto de
trabajo DC
Reemplazar por VDC Análisis
transistorio
; significa que
DC Amplitud Frecuencia
está desactivado
Figura 2. Esquema en LTspice.
☺ En LTspice, el modelo ideal del OA que se encuentra en EditComponent [Opamps]. Al final de la lista
de componentes seleccionar opamp. El generador de señal se denomina signal y se encuentra en
EditComponent [Misc]
☺ Antes de simular el circuito, es necesario incluir el modelo añadiendo la librería específica. Para ello,
ejecutar Edit op SPICE directive y añadir la línea .lib opamp.sub y pegar ese texto sobre el esquemático
del circuito.
G) En primer lugar, a través de LTspice se van a determinar las corrientes y tensiones DC del
circuito. Comprobar que las corrientes que circulan por R1 y R2 coinciden con las calculadas
previamente en el apartado E).

☺ Para ello, en la ventana que se abre al ejecutar SimulateEdit Simulation cmd seleccionar la pestaña DC
op pnt. Al pulsar ok pega la instrucción .op sobre el esquemático. A continuación, realizar la simulación
del circuito (SimulateRun) en donde se muestra en un fichero todas las componentes DC del circuito.
☺ Especificar el generador de señal de VS como SIN(VDC 50mV 1k), donde VDC representa la componente DC
individual asignada a la práctica, 50mV representa la amplitud de la señal sinusoidal de frecuencia 1kHz.
☺ En un análisis DC, las componentes de alterna no se tienen en cuenta. El generador de señal de entrada
VS de la figura 2 tiene dos componentes, una DC de valor VDC y una alterna de 50mV de amplitud. En el
análisis DC solo se tiene en cuenta la componente DC de VS.
Ventana de Edit Simulation cmd donde se selecciona la simulación DC (.op)
H) Realizar un análisis transitorio del circuito. A partir de las formas de onda correspondientes
a VS, Vi y Vo calcular el valor de AV y AVS.
 Justificar el signo – en la expresión de AV y AVS y relacionarlo con las formas de onda de Vs, Vi y Vo.
☺ Para realizar un análisis transitorio, ejecutar SimulateEdit Simulation cmd seleccionar la pestaña
Transient. Asignar un Stop time de 3ms. Este parámetro está relacionado con el número de ciclos de la
señal que se quiere visualizar. De esta manera, una frecuencia de señal de entrada de 1kHz corresponde
a un T=1/1kHz=1ms. Un Stop time de 3ms indicaría la visualización de 3 ciclos. Simular el circuito
(SimulateRun).
☺ Para medir esta ganancia es necesario activar la opción de medida de LTspice. Para ello, abrir dos paneles
de simulación, uno para Vi y otro para Vo. Sobre la etiqueta de esos nudos dar un click con el botón
derecho. Se despliega la siguiente ventana y seleccionar tal como se indica 1st&2nd.
☺ Sobre los paneles de simulación aparecen dos cursores de medida que se pueden desplazar y una ventana
adicional con los valores de las tensiones y sus diferencias. Al pasar por encima con el ratón por esos
cursores, estos se identifican como 1 o 2. Seleccionar una etiqueta de los nudos del panel mediante un
click. Arrastrar los cursores de medida hasta los puntos deseados. En la ventana adicional se muestran las
coordenadas X e Y que indican tiempo y valor de la tensión. Dando un click en otra etiqueta de otro nudo,
los valores de la ventana de medida se actualizan reflejando los valores específicos para ese nudo. Las
ganancias en tensión AV y AVs se calculan como

V (2)  VO (1) VO (2)  VO (1)
AV  O y AVS 
Vi (2)  Vi (1) Vs (2)  Vs (1)
I) Configura VS como una fuente de tensión sinusoidal idéntica a la indicada en F). Simular el
circuito y comprobar que el resultado de VO obtenido en LTspice y el valor teórico obtenido
en el apartado F) coinciden.
☺ Para calcular la amplitud y el offset de la onda sinusoidal VO, medir la tensión de pico positiva, VO(+), y
la tensión pico negativa VO(-). Entonces, la amplitud vale
VO ( )  VO ( )
Vamp 
2
y la tensión offset o DC vale
VO ( )  VO ( )
VDC 
2
Observar que para obtener correctamente la Vamp con LTspice es necesario que el cursor 1 de medida debe
posicionarse sobre VO(+) y el cursor 2 sobre VO(-).
Como resultado, la tensión VO se puede expresar como
VO  VDC  Vamp  sin(t)
3.- Análisis de un amplificador
J) En la figura 3 se presenta el esquema de un amplificador que tiene dos tipos de señales de

entrada: Alterna (VS) y continua (Vdc). Editar el esquemático con LTspice y asignar: R1=1k,
R2=30k, R3=60k, R4=90k, R5=30k, RL=10k y Vdc=1V. Calcular la ganancia del
amplificador AV=VO/VS y la tensión offset de salida.
☺ En LTspice, el símbolo de la fuente DC se encuentra en EditComponent y seleccionar [Misc]Cell o
[Misc]Battery.
☺ VS solamente debe tener componente en alterna. Su componente DC es nula.
Figura 3.

CONSIDERACIONES PRÁCTICAS DEL AMPLIFICADOR
2
2
OPERACIONAL: ANÁLISIS MEDIANTE SIMULACIÓN
Objetivos
El UA741 es el más popular amplificador operacional desarrollado por Fairchild al final de

los 60 y que ha sido implementado por otros muchos fabricantes de circuitos integrados.
Idealmente, un OA tiene la una ganancia en lazo abierto infinita con independencia de su
frecuencia, corrientes de entrada nulas y sin limitación de corriente y tensión a su salida. El
objetivo de esta práctica es caracterizar por simulación con LTspice y con medidas experimentales
los principales parámetros del OA 741 como son: las corrientes de polarización (I IB) y offset (IIO)
de entrada, la tensión offset de entrada (VIO), los límites de la tensión de salida (VOH y VOL),
corriente de corto-circuito de salida (IOS), ganancia en lazo abierto (AVOL), el producto de ganancia-
ancho de banda (GBP), el tiempo de subida de pequeña señal (tR) y el slew-rate (SR).
Valor individualizado extraído de la tabla de valores: AV
A) Utilizando las hojas de características del UA741, extraer los siguientes parámetros (valores
típicos) e indicar su significado: IIB, IIO, VIO, IOS, AVOL, fCS, f1 y SR.
B) A partir de esos parámetros, determinar el valor de las corrientes de entrada In e Ip.

C) Para el circuito de la figura 1, determinar el valor de R1 (> 2k) y R2 para que la ganancia
sea AV.
☺ El modelo 741 en LTspice se encuentra dentro de la carpeta Private de componentes con el nombre
UA741.
R1 R2
R1||R2 UA741 Vo
Vs
Figura 1. Amplificador no-inversor.

D) Calcular la aportación por separado de las corrientes offset IIO (EOI) y la tensión offset VIO
(EOV) a la tensión de salida offset Eo. Estimar el valor Eo de peor caso a partir de esos valores.
E) Determinar su ancho de banda y dibujar su diagrama de Bode indicando el valor numérico

de los puntos de interés.
En esta práctica consiste en extraer mediante simulación las características frecuenciales y

parámetros del OA UA741 mediantesimulación con LTspice. En el proceso de simulación, los
parámetros obtenidos pueden diferir del data-sheet de l UA741.
Figura 2. Esquemático en LTspice.
F) Realizar el esquemático del amplificador no-inversor de la figura 1 utilizando los datos del
apartado C), tal como se indica en la figura 2.
☺ El generador de señal se encuentra en [Misc]signal y las
fuentes DC en [Misc]battery.
☺ Editar los atributos de la fuente VS y añadir en el campo de la

derecha AC amplitud 1.
☺ El componente UA741 se encuentra en la carpeta Private de la

librería de componentes.
☺ Es necesario modificar los atributos del componente del

UA741. Hacer un click con el botón derecho del ratón sobre el
componente y modificar los campos tal como aparecen a en la
figura de la derecha.

 10  Electrónica Básica
G) En primer lugar, se realizará un análisis DC del circuito para calcular las tensiones y
corrientes en continua de todos los componentes del OA (Apartado G) de la Práctica 1). Se
genera un texto .op que se debe ser pegado al lado del circuito. Simular el circuito y analizar
el fichero de salida.
☺ En la figura 3 se muestra el fichero de salida de simulación de LTspice que representa tensiones y
corrientes en los diferentes nudos, ramas y dispositivos del circuito. De esta manera, Ix(u1:1)
representa la corriente en la entrada (-) o In, Ix(u1:2) en la entrada (+) o Ip, Ix(u1:21) e
Ix(u1:22) en los nudos de la alimentación del OA. Además, V(20) representa la tensión de salida.
--- Operating Point ---
V(21): 15 voltage
V(22): -15 voltage
V(vo): 0.0685309 voltage
V(vp): -2.74832e-006 voltage
V(vn): 0.000681848 voltage
V(vs): 0 voltage
…
I(Vee): -0.00437268 device_current
I(Vcc): -0.00437947 device_current
Ix(u1:1): 2.75108e-008 subckt_current
Ix(u1:2): 2.77845e-008 subckt_current
Ix(u1:21): 0.00437947 subckt_current
Ix(u1:22): -0.00437268 subckt_current
Ix(u1:20): -6.84627e-006 subckt_current
Figura 3. Resultado de salida de LTspice para el análisis del punto de operación.
☺ Otra opción para visualizar estos valores de corriente y tensión es usar el modo interactivo. Para ello,
cerrar la ventana correspondiente al fichero de salida. A continuación se puede observar que poniendo el
puntero del ratón cerca de un cable o un dispositivo, aparece en la barra de estado (parte inferior izquierda
de la ventana) los valores DC de corriente y/o tensión y/o potencia de los diferentes elementos del circuito.
A partir de los datos del fichero de salida, obtener el valor de IIB e IIO. La tensión de salida
corresponde al valor offset Eo.
H) Calcular la potencia de disipación del OA.

☺ La potencia de disipación es P=VCCICC+VEEIEE. Ojo con los signos, ambos términos son positivos.
☺ Después de realizar un análisis .op, LTspice proporciona información de modo interactivo sobre las
corrientes y tensiones DC, así como las potencias que disipan cada uno de los componentes del
esquemático. Para ello, posicionar el cursor del ratón sobre el símbolo del UA741 del esquemático.
Observar como en la parte inferior izquierda de la ventana se muestra la potencia disipada por este
componente. Si se posiciona el cursor sobre el terminal de alimentación (+) del UA741, se indica además
la corriente de entrada por ese terminal. Lo mismo sucede para el terminal (-) de alimentación. El convenio
es que una corriente de entrada a un componente es positiva si es entrante, y negativa si es saliente. Este
proceso se puede repetir para todos los componentes del esquemático.
I) El diagrama de Bode para obtener la respuesta en frecuencia se obtiene realizando un análisis

AC (SimulateEdit Simulation cmd) escogiendo la pestaña AC analysis y rellenando los campos
tal como se indican a continuación.

Electrónica Básica  11 
Después de simular el circuito (SimulateRun) se selecciona el nudo de salida Vo para
visualizar el diagrama de Bode. Aparecen dos gráficas: una corresponde a la magnitud y
otra a la fase. Para una mejor visualización del diagrama de Bode, activar el grid. Para ello,
seleccionar la ventana de simulación y seleccionar Plot settingsGrid o Ctrl+G.
J) Determinar a partir de su diagrama de Bode los siguientes parámetros: f1 o frecuencia de

ganancia unidad, fS o la frecuencia de corte superior y AV=AN. Dado que AN=1+R2/R1,
comprobar que se verifica que el producto ganancia por ancho de banda (GBW) es una
constante, es decir,
GBW  ANfS  f1
☺ La frecuencia de corte superior, fS, en un diagrama de Bode se define como la frecuencia a la cual la
ganancia del amplificador decae en 3dB respecto a la ganancia a frecuencias bajas.
K) Si se aplica al amplificador una señal de entrada de 10mV de amplitud y frecuencia 2∙fS (fS
es la frecuencia de corte superior previamente calculada) es posible obtener su tensión de
salida VO a partir de su diagrama de Bode. Para ello:
1. Generar el diagrama de Bode del amplificador. Obtener a partir de sus curvas el valor
de Av(dB) y la fase para la frecuencia 2∙fS. Con esta información dibujar la forma de
VO, indicando tanto su amplitud como el retraso respecto a Vi.
☺ La amplitud de VO se obtiene como VO=AV(lin)·Vi.
☺ La fase indica el retraso entre Vi y VO. Una fase negativa indica que la VO está a la derecha de Vi.
Una fase positiva lo contrario. Para pasar esta fase a escala de tiempo, es decir, calcular el retraso
temporal entre ambas señales, hacer una sencilla regla de tres ya que sabemos que un periodo de
la señal de entrada vale T=1/(2∙fS) y corresponde a 360º.
2. Para comprobar el resultado anterior, realizar un análisis transitorio (.trans) de la señal

de entrada de partida de 10mV de amplitud y frecuencia 2∙fS. Observar que la amplitud
de VO y su retraso con respecto a Vi es el calculado anteriormente.

☺ La fase es negativa si Vo se encuentra retrasada respecto a Vi y es positiva si está adelantada.
Fase (-) Fase (+)
V V
Vi Vi
t t
Vo Vo
L) Aplicar a la entrada una onda sinusoidal de 5 voltios de amplitud y 10kHz de frecuencia.

Realizar un análisis transitorio (.trans) para medir su Slew-Rate.
☺ El Slew-Rate (SR) se expresa en V/s y se mide

calculando la pendiente de la tensión de salida VO cuando
tiene forma de onda triangular. Para ello, utilizar los dos
cursores de medida y posicionarlos sobre dos puntos de
una rampa. En la ventana de medidas directamente se
muestra el SR en el campo (Slope) expresado en V/s; Hay
que convertirlo a V/s.
M) El circuito de protección del UA741 limita la corriente máxima de salida para evitar
cualquier deterioro del dispositivo. Aplicar a la entrada una onda sinusoidal de 100mV de
amplitud y 1kHz de frecuencia y determinar la amplitud de la tensión de salida. A
continuación y para activar el circuito de protección, añadir a su salida una resistencia de
carga de 100. Observar la tensión de salida y determinar la corriente máxima de salida.
Determinar el valor máximo de esa corriente de salida definida como IOS.
☺ Se puede medir la corriente de salida del OA poniendo el cursor sobre su nudo de salida hasta que aparezca
el símbolo . Al pulsar con un clic, se visualizará su corriente de salida que permite obtener
directamente la corriente IOS.
N) A bajas frecuencias, la ganancia en lazo de abierto (open-loop) AVOL de un OA no es infinita

pero tiene un valor muy alto. Aplicar una onda sinusoidal de 5mV de amplitud y 1Hz de
frecuencia y realizar un análisis transitorio con Stop Time 2s y Maximum Timestep 10u (puede
tardar varios minutos en realizar la simulación). Mostrar en tres paneles diferentes las
tensiones Vp, Vn y Vo. A partir de los resultados de simulación y utilizando las opciones de
medida, comprobar que la ganancia del amplificador es muy alta El valor de la ganancia en
lazo abierto o AVOL se obtiene como
Vo (2)  Vo (1)
A VOL 
Vp (2)  Vp (1)   Vn (2)  Vn (1) 
☺ Para obtener suficiente precisión el valor de AVOL es necesario tomar las medidas en los picos (+) y (-) de
las señales y utilizar todas las cifras decimales que proporciona LTspice.

O) Existe la alternativa de calcular la f1 o fS a partir de la respuesta del amplificador a un pulso
de pequeña amplitud. Para ello, configurar la fuente de tensión VS como un pulso con los
siguientes parámetros
Realizar una simulación transitoria con un Stop time de 8ms. En el nudo Vo se define el
tiempo de subida, tR, como el tiempo que tarda la señal de variar entre el 10% al 90% de su
amplitud A máxima. Entonces, fS se calcula como
0.35
fS 
tR
En la figura inferior se muestra el esquema para determinar tR.
VO
0.1· A o 10% de A
A90% de AA
AAA
0.1· A o 10% de A
RtRR
t

3 CONSIDERACIONES PRÁCTICAS DEL AMPLIFICADOR
3 OPERACIONAL: MEDIDAS EXPERIMENTALES
Objetivos
En esta práctica se medirán a través de equipos de instrumentación básicos los principales

parámetros característicos del OA obtenidos mediante simulación en la anterior práctica. Algunos
de estos parámetros precisan de específicos circuitos de test al presentar cierta dificultad a la
hora de su medida. La adquisición de cierta destreza en el manejo de osciloscopios, generadores
de señal y multímetros será fundamental para la realización de esta práctica.
Valores individualizados extraídos de la tabla de valores: AV
A) En la figura 1 se muestra el esquema de un amplificador no-inversor basado en el UA741.

Utilizando solo los valores de resistencias estándar disponibles en el laboratorio (Tabla de la
página 3), asignar el valor de R1 (> 1k) y R2 para que la ganancia en tensión tenga el valor
de AV asignado a la práctica con un error menor al 10%. Utilizar a partir de ahora estos
valores de las resistencias. ¿Cuál es el valor adecuado de R3?
B) Determinar el ancho de banda teórico del amplificador. Dibujar su diagrama de Bode.

¿Cómo se define la frecuencia de corte superior? ¿Y la frecuencia f1?
C) Utilizando valores típicos, estimar el valor teórico de peor caso de la tensión offset de salida.
D) Calcula la tensión máxima de salida para que la frecuencia en el que aparece el Slew-Rate
coincide con la frecuencia de corte superior calculada en el apartado B).
R1 R2
R3 UA741 Vo
Vi
Figura 1. Amplificador no-inversor.

Realizar el montaje del circuito con los valores de las resistencias calculadas anteriormente.
Para ello, se dispone del prototipo configurable mostrado en la figura 2 para facilitar su montaje.
La alimentación se introduce a través de tres conectores superiores: negativa (negro), positiva
(rojo), y masa (verde); Cuando se aplica alimentación al circuito se encienden los dos LED rojos
próximos. Además, está constituido por cuatro conectores atornillados que permiten añadir
diferentes componentes externos y, de acuerdo al interconexiado indicado en la figura, realizar el
montaje de distintas configuraciones básicas del amplificador operacional. Por ejemplo, para
construir el circuito de la figura 1, hay que conectar la resistencia R3 entre los terminales 1 y 2,
R1 entre los terminales 6 y 7, y R2 entre los terminales 7 y 8.
5 6 7 8
Vi Vo
1 2 3 4
Figura 2. Prototipo de montaje.
E) Medir experimentalmente la ganancia de tensión AV del amplificador a frecuencias medias.

Para ello, aplicar una señal sinusoidal a la entrada Vi y observar simultáneamente con dos
sondas del osciloscopio, la señal de entrada Vi y de salida Vo. Se pide:
1. Medir el valor de AV=Vo/Vi y expresarlo en términos de dB.
☺ Para calcular la AV es necesario medir la tensión pico-pico (Vpp) de la entrada y de la salida del
Source Type
Measure CH1 Vpp
amplificador. Para ello, utilizar las opciones del osciloscopio: Voltage
.
Repetir para el canal 2 o CH2.
2. Comprobar el desfase entre la entrada y salida.

☺ Comprobar el desfase entre la entrada y la salida para estar seguros que se está trabajando a
frecuencias bajas. Para ello, observar que entre la entrada y la salida el desfase debe de ser 0º al
ser un amplificador no inversor (debería ser 180º para la configuración inversora). A la hora de
calcular la AV, comprobar que las diferentes señales de entrada y salida en el osciloscopio son las
correctas. A continuación se muestran algunos problemas que pueden aparecer a la hora de tomar
medidas:

Vo Vo Vo
Vi Vi
Vi
 BIEN  MAL  MAL

Desfase de 0º entre la entrada y Desfase incorrecto. Se soluciona Recorte en la salida. 1) Puede ser
salida (180º si fuera configuración disminuyendo la frecuencia de la debido a una amplitud de entrada
inversora). señal de entrada. excesiva; utilizar botón de
atenuación (Att -20dB o -40dB) del
generador de señal. 2) La entrada
puede presentar alguna componente
en DC (offset); cancelar esa
componente.
☺ Es posible que la señal de entrada que se observa en el

osciloscopio presente ruido. Para eliminar ese ruido,
Acquire
pulsar el botón y cambiar el Mode a Average
como se indica en la figura siguiente. El campo Averages
contiene el número de medidas (varía de 2 a 256) que se
van a leer sobre mismo un punto para calcular el valor
promedio. Valores adecuados son 4, 8 o 16 (valor
recomendado 8 o 16).
F) Dibujar el diagrama de bode del amplificador. Para ello,
1. Calcular la frecuencia de corte fS superior. Calcular el desfase  a esta frecuencia.

☺ La fS se define como la frecuencia a la cual la ganancia a frecuencias medias decae en 1/√2.
Para ello, aplicar una onda sinusoidal a la entrada baja frecuencia (por ejemplo, fS teórica
dividida por 10) que genere a la salida Vo una tensión pico-pico entre 500mV y 1V para
evitar problemas debido al Slew-Rate (Apartado D)). Aumentar la frecuencia hasta que la
ganancia disminuya en un factor de 1/√20.7. Esa frecuencia es la fS.
☺ Para medir fácilmente el desfase entre Vi y Vo realizar las siguientes operaciones sobre el
osciloscopio cuando se visualizan ambas señales:
Source Type
Measure CH1 Time Period
a) Calcular el periodo T de la señal de entrada:
Source Type Time Time Time
Measure CH1 Time
b) Medir el retraso T: 1/3 2/3 3/3 Delay12
. El desfase
T
 en grados se define como:   360º , siendo TS=1/fS. El valor teórico de  es de
TS
45º.
2. Medir la frecuencia de ganancia unidad (f1).

☺ Aplicar a la entrada una tensión de 100mV de amplitud. Aumentar la frecuencia de entrada
hasta que la amplitud de la tensión de salida y entrada tenga el mismo valor. Esa frecuencia
es la f1.

3. A partir de los resultados experimentales anteriores, dibujar el diagrama de Bode
del amplificador indicando sus valores más significativos.
G) Aplicar una cuadrada a la entrada y aumentar su amplitud y frecuencia hasta observar una
onda triangular a la salida. La pendiente de esa onda triangular corresponde al ”Slew-Rate”
del amplificador.
☺ Utilizar los mandos del osciloscopio para obtener en la pantalla una ampliación de la pendiente de salida.
El cálculo de esa pendiente, VO/t, proporciona directamente el “Slew-Rate” dado en términos de V/μs.
Observar que puede variar considerablemente respecto al indicado por el fabricante en las hojas de
características del OA.
☺ A continuación se explica los pasos a seguir para medir, utilizando el modo seguimiento del osciloscopio,
la pendiente de la señal de salida que proporciona el valor de “Slew-Rate”. Para ello:
1. Pulsar el botón cursores
2. En el menú que se despliega:

Mode
2.1. Seleccionar Track .

2.2. Seleccionar el canal del cursor A donde se quiere realizar la medida. En nuestro caso el CH2
Cursor A
ya que se encuentra conectado a la salida del amplificador: CH2

2.3. Seleccionar el canal del cursor B donde se quiere realizar la medida. En nuestro caso el mismo
Cursor B
canal CH2: CH2
3. Desplazamiento de los cursores para seleccionar dos puntos, A y B, que permiten calcular la
pendiente de la recta de salida:
CurA
 Seleccionar el primer punto A: Pulsar y girar el mando para mover el cursor “A” a
un punto específico de la pendiente.
CurB
 Seleccionar el segundo punto B: Pulsar y girar el mando para mover el cursor “B”
a otro punto de la pendiente.
En la pantalla aparecen diferentes valores numéricos. Entre todos ellos, ΔX representa diferencia de
tiempo entre los puntos A y B seleccionados anteriormente, y ΔY representa su diferencia de tensión.
Por consiguiente, el cociente ΔY/ΔX proporciona la pendiente buscada que correspondiente al valor de
“Slew-Rate” pedido. Hay que proporcionar ese dato en V/μs.
H) Medir la tensión offset de salida (Eo) en dos casos: a) con R3=0, b) con R3. R1||R2.
Comprobar la importancia de R3 a hora de reducir esa tensión offset.
☺ Medir con un multímetro la tensión de salida DC en ausencia de señal de entrada. Para ello, desconectar
la sonda del generador de señal y conectar la entrada a masa.
I) Medir la corriente máxima de salida definida como IOS (short-circuit current). Para ello,
aplicar una entrada sinusoidal y aumentar su amplitud hasta que la tensión de salida sea de
5 V de amplitud. A continuación conectar a la salida una resistencia de carga 100 y
observar el recorte de la tensión de salida. La corriente de máxima de salida del OA IOS es
definida como IOS(+)VO(máx)/RL e IOS( ̶ )VO(mín)/RL.

☺ El UA741 posee un circuito de protección que limita la corriente de salida a un máximo especificado en
el data-sheet de IOS=±25mA, tanto si es corriente entrante (+) como saliente (-). No obstante, en las
medidas experimentales este valor puede diferir y además no ser simétrico.
☺ Para ello, medir en el osciloscopio el valor de tensión máxima y mínima de Vo:
Coupling
1. El canal CH2 asociado a VO debe estar en modo DC: DC .

Source Type
Measure CH2 Voltage Vmax
2. Para medir el valor de VO(máx), seleccionar
Source Type
Measure CH2 Voltage Vmin
3. Para medir el valor de VO(mín), seleccionar
J) La tensión máxima positiva (VO(máx)=VOH) y negativa (VO(mín)=VOL) a la salida del OA

están limitadas por las tensiones de alimentación. Para medir estas tensiones montar el
circuito de la figura 1 con R1=2k2, R2=100k, y R3=2k2 y aplicar una onda sinusoidal
de 1kHz de frecuencia y 1 V de amplitud. Medir el valor de VOH y VOL para diferentes valores
de resistencia de salida (carga): RL=560, 1k, 2k2 y 10k. Comparar el resultado
obtenido con el proporcionado por el fabricante.
☺ Para medir las tensiones VOH y VOL utilizar el procedimiento indicado en el apartado anterior.
☺ Observar que el valor de VOH y VOL se degrada entre 1 V y 3 V respecto a las tensiones de alimentación.
El fabricante proporciona una curva que representa la máxima tensión de salida (V OM o maximum peak
output voltaje, tanto para tensiones positivas (VOH) como negativas (VOL), en función de la resistencia de
carga (RL). En la gráfica inferior se muestra la VOM para el UA741cuyo valor varía con la resistencia de
carga. Los amplificadores operacionales Rail-to-Rail se caracterizan por reducir al mínimo la degradación
de la tensión máxima de salida.

4 APLICACIONES LINEALES DEL AMPLIFICADOR
4 OPERACIONAL
Objetivos
Existe gran variedad de aplicaciones lineales del amplificador operacional, algunas de las
cuales se van a analizar en esta práctica. Para ello se propone, en primer lugar, la implementación
de un integrador para estudiar su respuesta a diferentes tipos de señales de entrada. La
implementación de una fuente Howland es útil para introducir el concepto de fuente corriente
controlado por tensión. Por último, una aplicación interesante como es el circuito de
desplazamiento de fase permite descubrir las múltiples posibilidades que ofrece el amplificador
operacional.
Valores individualizados extraídos de la tabla de valores: R1, C1, Vi, .
R2
C1
C1 R1
R1
Vi
Vi
TL081 Vo
TL081 Vo
R1
1 1
R1C1  R1C1 
Vo   Vi dt Vo   Vi dt  Cte
Figura 1. Integrador ideal. Figura 2. Integrador práctico.
Vi 2ms 2ms
0.1V
t
-0.1V
Figura 3. Señal cuadrada.

A) Analizar teóricamente y dibujar la tensión de salida si se aplica al integrador ideal de la

figura 1 la señal de entrada cuadrada mostrada en la figura 3. Calcular la tensión pico-pico
de la salida.
☺ Para comprobar el resultado, se puede descargar el fichero LTspice en la página web de la asignatura y
simular el circuito.
B) Leer detenidamente el apartado 3. Calcular el valor de R2 para que el desfase  sea el asignado
a la práctica cuando se aplica a la entrada una onda sinusoidal de 1 V de amplitud y 1kHz de
frecuencia. Comprobar el resultado simulando el circuito; se puede descargar el esquemático
de Moodle. Datos: R1=22k y C=10nF.
C) Determinar el valor teórico de IL para la fuente Howland de la figura 6 cuando se aplica el
valor Vi asignado a la práctica. Datos: R1=12k y R2=3.3k.
2.- Análisis de un integrador
D) Realizar el montaje del integrador práctico de la figura 2 utilizando los valores individuales
asignados; la resistencia R2 es utilizada para la estabilización del circuito. A continuación,
aplicar las diferentes señales y dibujar su salida para dos casos dependiendo del valor de C1
asignado a la práctica: a) R2=820k (cuando C1=10nF) o R2=330k (cuando C1=33nF) o
R2=220k (cuando C1=47nF) o R2=82k (cuando C1=100nF), y b) R2=.
1. Una onda sinusoidal de 0.1 V de amplitud (aprox.) y 200Hz de frecuencia.

2. Una onda cuadrada de ±0.1 V de amplitud (aprox.) y 4ms de periodo.
☺ Si el desfase entre la entrada y la salida en 1) no es el esperado, aumentar R 2.
☺ En el caso de R2=, el integrador tiene tendencia a ser inestable y puede comenzar a oscilar dependiendo
del valor de R1 y C1.
3.- Circuito desplazador de fase
El circuito ideal desplazador de fase (ideal phase-shifting circuit) transmite una onda
sinusoidal manteniendo la amplitud pero cambiando la fase. En la figura 4 se muestra la respuesta
de este circuito a una entrada Vi sinusoidal. La salida Vo está desfasada con respecto a la entrada
un ángulo  cuyo signo es:
a) Negativo (lag) si la salida está retrasada con respecto a la entrada.
b) Positivo (lead) si la salida está adelantada con respecto a la entrada.

R1 R1

Vi Vo (-)
R2 TL081 Vo
Vi
t C
T
T
Figura 4. Desfase entre entrada Vi y salida Vo. Figura 5. Circuito desplazador de fase.
En el caso de la figura 4, el signo de  es negativo puesto que la salida Vo es posterior (lag)

en el tiempo con respecto a la entrada Vi. Matemáticamente, esta tensión de salida se puede
expresar en términos de la tensión de entrada utilizando terminología de fasores como
Vo  Vi 
Por ejemplo, si Vi=A∙sen(t) entonces Vo=A∙sen(t-). Para obtener en el dominio temporal

el valor de , simplemente hay que calcular la proporción que existe entre en tiempo de desfase
de ambas señales con respecto al periodo T de la señal de entrada, de forma que
T
  360  en grados
T
T
  2  en radianes
T
El signo de  va a depender de si la señal de salida está retrasada (lag) o adelantada (lead)

con respecto a la entrada.
En la figura 5 se presenta el esquema de un excelente desplazador de fase basado en un
amplificador operacional. El potenciómetro R2 permite ajustar el ángulo  a un valor específico.
Para analizar este circuito, apliquemos KVL a las entradas del OA:
R1 R1 V V
Vn  Vi  Vo  i  o
R1  R1 R1  R1 2 2
1 / Cj Vi
Vp  Vi 
1 / Cj  R 2 1  R 2Cj
En un OA ideal se verifica que Vn=Vp, y después de realizar algunas operaciones sencillas

se demuestra que
Vo 1  R 2Cj

Vi 1  R 2Cj

En esta ecuación compleja se puede comprobar que
V
 Amplitud: o  1 , las amplitudes de la onda sinusoidal de Vi y Vo son iguales.
Vi
 Fase:   arctan g   R 2C  arctan g  R 2C  2  arctan g  R 2C
Luego la fase depende de R2, C y  a través de la siguiente ecuación:

R 2C   tag  
2
E) Montar el circuito de la figura 5 siendo R1=22k, C=10nF y R2 un potenciómetro variable

de 47k. Aplicar una onda sinusoidal de 1 V de amplitud y 1kHz de frecuencia. Observar
cómo al variar el valor de R2 cambia el desfase  entre la entrada y la salida. Medir el valor
de R2 cuando el desfase  tenga el valor asignado a la práctica.
☺ Para medir fácilmente los tiempos T y T , realizar las siguientes operaciones:
Mode Source
1. Seleccionar el disparo en el canal 1: Coupling CH1
2. Medidas de tiempos:
Source Type
Measure Time Period
a) Tiempo T: CH1
Type
Measure Time
b) Tiempo T: Delay12
F) Medir el valor de R2 para los siguientes valores de : 15º, 30º, 60º y 90º.
4.- Análisis de una fuente de corriente Howland
En la figura 6 se muestra el esquema de una fuente de Howland que es una fuente de corriente
controlada por tensión. En este caso, la corriente que circula por la carga RL depende de la tensión
de entrada y es independiente del propio valor de la carga.
G) Realizar el montaje de la
fuente de Howland de la
figura 6 con R1=12k y
R2=3.3k. En el caso de que
Vi sea una fuente DC cuyo
valor es el asignado a la
práctica, medir la corriente IL
a través de VL para tres
valores de RL: 1) 2k2, 2)
1k, y 3) 560.
Figura 6. Fuente de corriente Howland.

5 OSCILADOR DE PUENTE DE WIEN
5
Objetivos
Los osciladores o fuentes de excitación sinusoidal son piezas fundamentales en muchos

sistemas electrónicos. Un sistema realimentado oscilará si la señal transmitida a lo largo del
amplificador y red realimentación tiene desfase 0+2kπ, y si la ganancia en magnitud del
amplificador por el factor de la red de realimentación es ligeramente superior a 1. En esta
práctica se analiza un oscilador de puente de Wien constituido por un amplificador lineal a tramos
y una red basada en un puente equilibrado de Wien. Se analizarán individualmente ambos circuitos
y se comprobará que cuando se conectan (y se verifican las anteriores condiciones) el circuito
comenzará a oscilar con la frecuencia de oscilación establecida.
Valor individualizado extraído de la tabla de valores: f.
1N4007
R3
1N4007
R2
R1
UA741 Vo
B R A
C
R C
Red de
realimentación
Figura 1. Oscilador de puente de Wien.

La figura 1 describe un oscilador de puente de Wien constituido por una amplificador lineal
a tramos, para estabilizar y linealizar la onda sinusoidal de salida, y una red de realimentación en
puente de Wien.
A) ¿Cuál es la ecuación que define la frecuencia de oscilación? Asignar valores a los

componentes para que esa frecuencia sea f con un error del 10%. Utilizar solo valores de
componentes que se disponen en el laboratorio
B) ¿Cuál es la relación que debe cumplir las resistencias R1, R2 y R3 para que se cumplan las
condiciones de oscilación? Si R1=R3=1k, ¿cuál sería el valor adecuado y práctico de R2?
C) Realizar la simulación del circuito con los valores obtenidos. Se puede descargar el
esquemático de la página web en donde sólo es necesario personalizar los valores.
☺ Para poder simular el circuito con LTSpice, es necesario descargar en la página de la asignatura el fichero
ConfiguracionLTspice.zip y seguir las indicaciones especificadas en el fichero readme.txt .
D) Realizar el montaje en el laboratorio del amplificador de la figura 1 con los valores

anteriores. La resistencia variable R2 tiene dos objetivos: cumplir la condición de oscilación
y limitar la amplitud máxima de salida. Ajusta esa resistencia para que oscile el circuito y la
amplitud de la tensión de salida sea de 5 V.
E) Retirar los diodos del esquema y observar la onda resultante. Comparar ambas señales
sinusoidales. ¿Qué ha ocurrido? ¿Por qué?
F) Aislar la red de realimentación del amplificador. Representar gráficamente el desfase y la

ganancia entre la entrada (nudo A) y salida (nudo B) en función de la frecuencia (entre 100Hz
y 5kHz).
☺ Aplicar una onda sinusoidal a la entrada y medir el desfase de la salida con respecto a la entrada para
diferentes frecuencias.
☺ Comprobar que el desfase es de 0 a la frecuencia de oscilación.

 ¿Cuál es la magnitud de la ganancia de la red de realimentación a la frecuencia de oscilación?
G) A continuación se procederá a obtener la curva de transferencia de tensión o VTC del

amplificador. Para ello, retirar la red de realimentación del circuito de la figura 1. Aplicar
una fuente DC variable al nudo B con distintos valores de tensión desde -10V a +10V.
Representar gráficamente la Vi frente a la Vo, representación conocida como VTC del
circuito.

6 GENERADOR DE DIENTE DE SIERRA Y CUADRADA BASADO
6 EN UN DISPARADOR DE SCHMITT
Objetivos
La integración de la salida de un disparador Schmitt con retroalimentación es un circuito que

permite obtener simultáneamente una onda cuadrada y triangular; ésta última puede derivar en
una onda en forma de diente de sierra (onda triangular no simétrica). El objetivo de esta práctica
consiste en montar y analizar un generador de estas características en base a dos circuitos muy
comunes y de fácil realización con amplificadores operacionales: un disparador de Schmitt y un
integrador RC. También se introducen los conceptos básicos de los LEDs y se presenta un
multivibrador astable como caso práctico de realización de un intermitente luminoso.
Valores individualizados extraídos de la tabla de valores: VLED, VTH, VTL y T.
En el circuito de la figura 1 se presenta un comparador regenerativo también denominado

comparador con histéresis o disparador de Schmitt. Para este circuito, se pide:
TL082 Vo
1 8 VCC
R2
2 7
3 6
R1
VEE 4 5
Vi TL082 (Top View)
Figura 1. Disparador Schmitt y encapsulado del TL082

Figura 2. Circuito generador de diente de sierra y onda cuadrada.
A) Determinar el valor de las resistencias R1, R2 (ambas >8k) para que el disparador Schmitt
tenga los valores VTH y VTL (error 10%) especificados en la práctica. Dibujar su curva de
transferencia de tensión o VTC teórica.
☺ Aproximar los valores de los componentes a alguno de los valores estándares que se disponen en el
laboratorio.
☺ Estimar el valor de VOH y VOL a la salida del amplificador operacional para una tensión de alimentación
de ±15 V.
B) Con el disparador de Schmitt anterior construye el circuito generador de diente de sierra y

onda triangular de la figura 2, siendo C=10nF. Determinar el valor de R3 para que el periodo
de la señal T tenga el valor especificado.
☺ Para simplificar el análisis de este circuito, utilizar las ecuaciones de simetría.
C) Realizar la simulación del circuito con los valores obtenidos. Se puede descargar el
esquemático de la página web en donde sólo es necesario personalizar los valores de los
componentes. Representar gráficamente Vo1 y Vo2.
☺ Para poder simular el circuito con LTSpice, es necesario descargar en la página de la asignatura el fichero
ConfiguracionLTspice.zip y seguir las indicaciones especificadas en el fichero readme.txt .
D) En la figura 3 se muestra el esquema de un multivibrador astable basado en un disparador

Schmitt. Utilizando los valores de R1 y R2 obtenidos en el apartado A), representar
gráficamente la VTC de este disparador. Observar las diferencias entre el disparador de la
figura 1 y éste.
E) Si C=100nF, asignar un valor a R para que la frecuencia de salida sea aproximadamente de

2 Hz. Simular el circuito personalizando los valores en el esquemático que se puede
descargar de la página web. Asegurarse de que la frecuencia de la señal de salida es
aproximadamente la pedida.
☺ Para simplificar el análisis de este circuito, utilizar las ecuaciones de simetría de este multivibrador.

R1 R2
TL082 Vo
C R
Figura 3. Multivibrador astable.
2.- Desarrollo práctico del generador de diente de sierra
NOTA: En esta práctica, las medidas experimentales deben realizarse con los canales de
Coupling
entrada del osciloscopio CH1 y CH2 en modo DC o DC .
F) Montar el circuito de la figura 1 y medir los valores de VOH, VOL, VTL y VTH, y compararlos
con los resultados teóricos. Aplicar a la entrada del disparador una onda sinusoidal de 10 V
de amplitud y 100Hz de frecuencia. Representar gráficamente el resultado. Comprobar que
los cambios en el estado del comparador se produce para las tensiones de entrada obtenidas
en el anterior apartado.
☺ El TL081/2/4 es un AO de propósito general y bajo costo con entrada JFET que tiene mejores prestaciones
que el clásico μA741. El TL081 encapsula un único OA, el TL082 dos AO y el TL084 hasta cuatro AOs.
El conexionado se puede encontrar en el datasheet de este dispositivo.
☺ Las tensiones de entrada de disparo y las tensiones de salida definen las características de este disparador
Schmitt. Para visualizar gráficamente su VTC, se puede eliminar el barrido del osciloscopio y ponerlo en
Main Time Base
modo XY. Para ello, en el panel frontal pulsar Delayed

y cambiar la base de tiempos de Y-T a
Time Base
X-Y . Aumentar la amplitud de la onda de entrada si fuera necesario hasta que se observe su curva
VTC característica.
G) Repetir el apartado F) retirando la resistencia R2 del circuito (equivalente a hacer R2=).

Discutir las diferencias obtenidas en ambos casos.
 ¿Explicar las diferencias que existen entre un comparador de Schmitt y un comparador simple?
H) Montar el circuito de la figura 2 y medir el periodo de la señal de salida. Representar
gráficamente Vo1 y Vo2. Indicar claramente los valores de tensión más característicos de
este circuito.

3.- Diodo emisor de luz o LED: Conceptos básicos
El diodo LED o light-emiting diode es un tipo especial de diodo realizado con compuestos
de Arseniuro de Galio (GaAs) o Fósforo de Galio (GaP) que emite radiación luminosa cuando es
polarizado directamente. Los diodos más utilizados son los que emiten radiación visible con
colores amarillo, verde y rojo, y su principal campo de aplicación se encuentra en paneles
luminosos. Hay otro tipo de diodos LED menos utilizados que emiten radiación no visible
(infrarroja) para realizar transmisión de señales en equipos de comunicaciones y de control
remoto.
3.1 Polarización de un LED
Para que un diodo LED emita luz hemos de polarizarlo directamente con unos niveles de
tensión y corriente determinados. La cantidad de luz de emisión es proporcional a la corriente
eléctrica que pasa por él. La mayoría de los LED emiten un nivel razonable de luz cuando se les
aplica una corriente de 5mA a 20mA. Sin embargo, cuanta más luz emita menor será su vida útil;
un LED correctamente polarizado (<20mA) puede permanecer hasta 20 años permanentemente
encendido.
Tipos de LEDs más comunes

Parámetro
Miniatura Estándard Alta eficiencia Alta intensidad
Diámetro (mm) 3 5 5 5
Máx. corriente (mA) 40 30 30 30
Corriente típica (mA) 12 10 7 10
Típica caída de tensión (V) 2.1 2.0 1.0 2.2
Máx. tensión inversa (V) 5 3 5 3
Máx. potencia disipada (mW) 150 100 27 135
Longitud de onda pico (nm) 690 635 635 635
La conducción en directa de un diodo normal de unión PN (diodo de Silicio) requiere de una

caída de tensión entre sus terminales de aproximadamente 0.7V (típico), pero en un diodo LED
esta tensión es un poco mayor y varía su el color: verde (GaP) 2.2V, rojo (GaP) 1.6 V, infrarrojo
(GaAs) 1.2V, y azules y blancos de 4V.

@afrank99
Formas típicas de LEDs. El formato rojo redondo de 5mm (el quinto por la izquierda) es el
más común con cerca del 80% de la producción mundial.
3.2 Aplicación de corriente alterna a un LED
Cuando se aplica corriente alterna a un LED, el cambio de polaridad hace que se apague y
se encienda de forma intermitente. Durante un semiciclo se polariza directamente (LED
encendido) y durante el siguiente semiciclo la polarización inversa apaga el LED.
El cathode en un LED se distingue

porque su terminal es más corto y por
el corte en el laterial del encapsulado.
A K
CATHODE (K)
ANODE (A)
Un diodo LED polarizado inversamente no emite luz pero hay que tener cuidado con la
tensión inversa de ruptura (con un comportamiento similar a la de un diodo Zener) la cual suele
ser relativamente pequeña del orden de 5 a 40V, muy inferior a la de un diodo normal PN (100V).
Por ello, en algunas aplicaciones se utiliza un diodo de protección basado en un diodo normal
conectado en modo anti-paralelo paralelo con el LED para evitar que el LED entre en modo de
conducción inverso y, por consiguiente, su deterioro.
I) Montar el circuito de la figura 4. Para ello, calcular la resistencia R para que el diodo LED
del circuito esté polarizado aproximadamente a VAK=2V e IAK=5mA: utilizar el valor de
VLED asignado a la práctica. Medir el valor experimental de VAK e IAK.
☺ Aproximar esta resistencia R a uno de los valores estándares que se disponen en el laboratorio.

Figura 4. Polarización directa de un LED.
J) Cambiar de posición el LED para que esté polarizado en inversa y deje de emitir luz. En éste
caso, ¿cuánto vale la tensión VAK?
☺ Hay que tener en cuenta que en este caso la V AK es negativa.
4.- Realización de un astable
K) Montar el circuito de la figura 5 con los valores asignados en los apartados D) y E). Como
caso práctico, se ha añadido una carga basado en dos LED de diferentes colores polarizados
en contra-fase para que se enciendan alternativamente, uno cuando la salida está en VOH y el
otro cuando está en VOL. Asignar un valor a la resistencia de salida RC para que la
polarización de los LEDs sea de aproximadamente VAK=2V e IAK=5mA.
☺ En el laboratorio se disponen de LEDs de diferentes colores. Escoger dos cualesquiera.
☺ Se puede utilizar la misma RC para ambos LED, ya que cuando uno conduce el otro no. Además, el que
está polarizado directamente provoca una caída de tensión entre sus terminales de unos 2 V, que protege
al diodo inversamente polarizado de una tensión inversa excesiva.
R1 R2
TL082 Vo
RC
C R
Figura 5. Multivibrador astable con dos LED de salida.

7 7 ANÁLISIS DE TRANSISTORES MOS EN DC
Objetivos
El circuito integrado MC14007UB, cuyo esquema y encapsulado se muestran en la figura 1,

consiste en tres transistores PMOS y tres NMOS que pueden ser interconectados para construir
diferentes circuitos analógicos y digitales. El objetivo de esta práctica de laboratorio es analizar
experimentalmente el funcionamiento de los transistores MOS en corriente continua (DC).
14 13 2 1 11
VDD
MP1 MP2 MP3
6 12
MN2 MN3
MN1
VSS
7 8 3 4 5 10 9
Figura 1. Encapsulado y esquemático del circuito integrado MC14007UB.
Analizar los circuitos de la figura 2 utilizando: el modelo simple de los transistores, los
parámetros característicos de los transistores MOS mostrados en la tabla I, y los valores de las
resistencias asignadas a cada grupo de prácticas de la tabla II. La tensión de alimentación usada
en esta práctica es de VDD = 10V.
A) Leer y descargar el datasheet del MC14007UB que se puede descargar de la página web.
B) Calcular el valor teórico de I1 e I3.
C) Obtener los valores teóricos de VG2 y VG4 que permiten conseguir VDS2 = 5Vy VSD4 = 5V.

VDD VDD
I1 R1 I2 R2
M1 + M2 +
VDS1 VDS2
+ +
VG2 −
VGS1 − VGS2
− −
a) PROTO_1 b) PROTO_2
VDD VDD
+ +
VSG3 + VSG4 +
− VSD3 − VSD4
M3 − VG4 M4 −
I3 R3 I4 R4
c) PROTO_3 d) PROTO_4
Figura 2. Circuitos con transistores MOS.
K’W/L (A/V2) VTO (V)

NMOS 1065 1.72
PMOS 942 -0.91
Tabla I. Características de los transistores MOS.
R1 (k) R2 (k) R3 (k) R4 (k)

GRUPO A 2.2 2.2 3.3 3.3
GRUPO B 3.3 3.3 2.2 2.2
GRUPO C 4.7 4.7 5.6 5.6
GRUPO D 5.6 5.6 4.7 4.7
Tabla II. Asignación de valores a los grupos de prácticas.

NOTA: Para la correcto funcionamiento de los transistores del MC14007UB, no hay que
olvidar la conexión del pin 7 (VSS) a tierra y del pin 14 (VDD) a alimentación.
En la figura 3 se muestra el esquema del montaje realizado sobre el MC14007UB

correspondiente al circuito PROTO_1 (figura 2.a).
D) Medir y anotar el valor de R1. Medir VGS1 y calcular I1.

correspondiente al circuito PROTO_2 (figura 2.b).
E) Medir y anotar el valor de R2. Montar el circuito de la figura 4, utilizando una fuente de DC
variable para generar VG2. Actuar sobre la fuente de tensión variable (VG2) hasta conseguir
que VDS2  5V. Medir VGS2, VDS2 y calcular I2.
VDD VDD
14 14
I1 R1 I2 R2
5 + 5 +
3 22k 3
+ VDS1 + VDS2
VGS1 MN2 4 7 VG2 VGS2 MN2 4 7
− − − −
Figura 3. Montaje del PROTO_1. Figura 4. Montaje del PROTO_2.

correspondiente al circuito PROTO_3 (figura 2.c).
F) Medir y anotar el valor de R3. Montar el circuito de la figura 5. Medir VSG3 y calcular I3.

correspondiente al circuito PROTO_4 (figura 2.d).
G) Medir y anotar el valor de R4. Montar el circuito de la figura 6, utilizando una fuente de DC
variable para generar VG4. Actuar sobre la fuente de tensión variable (VG4) hasta conseguir
que VSD4  5V. Medir VSG4, VSD4 y calcular I4.

VDD VDD
+ +
VSG3 2 14 VSG4 2 14
− 3 + − 3 +
MP2 VSD3 22k MP2 VSD4
1 VG4 1
− −
I3 R3 I4 R4
7 7
Figura 5. Montaje del PROTO_3. Figura 6. Montaje del PROTO_4.
2.1 Característica de transferencia en tensión (VTC) del inversor CMOS
H) Montar el circuito inversor CMOS de la figura 7 y medir las tensiones VOUT y VIN, para
R=1M. Identificar la región de operación de cada uno de los transistores.
I) Montar el circuito inversor CMOS de la figura 8 y medir VOUT para los valores de VIN
asignados en la hoja de evaluación. Identificar, en cada caso, la región de operación de los
transistores.
J) A continuación, representar gráficamente la VTC, tensión de salida (VOUT) frente a la de

entrada (VIN), variando VIN entre 0V y VDD (10V), con incrementos de 0.1V en el intervalo
3V<VIN<7V y de 0.5V en los demás intervalos de entrada.
VDD
2 14 VDD
2 14
MP2 1
VOUT
VIN 3 MP2 1
5 22k
3 VOUT
5
VIN
MN2 4 7
MN2 4 7
R
Figura 7. Inversor CMOS con resistencia. Figura 8. Inversor CMOS.

8 8 REALIZACIÓN DE FUENTES DE CORRIENTE MOS
Objetivos
El objetivo de esta práctica es caracterizar mediante simulación cuatro fuentes de corriente

MOS utilizando el modelo simple de los transistores del IC MC14007UB.
La simulación de los circuitos se realizará utilizando los parámetros de los transistores de la

tabla I y los datos asignados a cada grupo de prácticas de la tabla II.
W (m) L (m) K’ (A/V2) VTO (V)  (V-1)  (V1/2)

NMOS 300 10 36.5 1.72 0.013 2.02
PMOS 600 10 15.7 -0.91 0.069 0.27
IO1 (mA) IO2 (mA)

GRUPO A 1.4 1.5
GRUPO B 1.9 2.1
GRUPO C 1.2 1.3
GRUPO D 2.7 3.0
VDD VDD
+ M3 M4
R1 IR1 RO1
VSG3
− IO2
+ IO1 + RO2
+
VGS1 VO1 IR2
R2 VO2
− M1 M2 − −
Figura 1. Espejo de corriente simple NMOS. Figura 2. Espejo de corriente simple PMOS.

En las figuras 1 y 2 se muestran los esquemas de dos espejos de corriente MOS. La tensión
de alimentación usada en esta práctica es VDD = 10V. Para estos circuitos se pide:
A) Calcular los valores de las resistencias R1 y R2 que permiten conseguir respectivamente las
corrientes de salida IO1 e IO2 asignadas en la tabla II.
B) Obtener las tensiones extremas de salida VO1(min) y VO2(max).
C) Calcular las resistencias de salida RO1 y RO2.
En el laboratorio se realizarán los trabajos de edición esquemática y simulación que se

describen en los siguientes apartados, utilizando el programa LTspice.
2.1. Espejos de corriente
D) Editar los circuitos de las figuras 1 y 2 en dos ficheros diferentes, utilizando los símbolos de
los transistores nmos4 y pmos4 respectivamente. Para ello,
1.- Cambiar los modelos de los transistores que aparecen por defecto en los símbolos
(NMOS y PMOS) por N14007 y P14007.
2.- Los parámetros de geometría de los transistores se especifican situando el cursor

del ratón sobre el símbolo, pulsando el botón derecho y rellenando los valores de
W y L en la ventana que aparece en la pantalla, de acuerdo con los datos
especificados en la tabla I.
3.- Para seleccionar la visibilidad de los parámetros basta con situar el cursor sobre el
símbolo del transistor, pulsar simultáneamente la tecla de control y el botón
derecho del ratón y marcar (X) o no las casillas correspondientes.
E) En cada fichero, editar las directivas de spice (Edit→SPICE Directive) correspondientes a los
modelos de los transistores:
.model N14007 nmos kp=36.5u vto=1.72 lambda=0.013 gamma=2.02
.model P14007 pmos kp=15.7u vto=-0.91 lambda=0.069 gamma=0.27
F) Utilizar el símbolo misc\battery para realizar la fuente de alimentación DC de 10V.

G) Conectar otra fuente DC de 5 V entre la salida de cada espejo de corriente y masa, y
etiquetarla como VTST. A continuación realizar un análisis del punto de operación (.op).
Comprobar que la corriente de los transistores se aproximan a los obtenidos teóricamente.
H) Utilizar esa fuente VTST para realizar un barrido de tensión (DC Sweep) entre 0 y 10 V con un
paso de 0.01V. A continuación, visualizar IO1 en función de VO1, e IO2 en función de VO2.
☺ Para visualizar la corriente por el terminal de un transistor MOS, poner el cursor sobre un terminal
drenador o fuente hasta que aparezca el símbolo . Al pulsar con un clic, se visualizará la corriente
por ese terminal.
I) Obtener las tensiones extremas de salida y la resistencia de salida de cada circuito a partir
de los datos obtenidos mediante simulación. Comparar estos resultados con los obtenidos
teóricamente.
☺ Las tensiones extremas de salida se pueden definir identificando el momento en que la corriente de salida
cambia de curva a recta. No es una frontera clara.
VO
☺ La resistencia de salida, RO, se define como RO  . Para ello, desplegar el medidor y seleccionar
I O
dos puntos en la recta de la corriente de salida. El valor de RO se obtiene directamente como el inverso de
la pendiente (1/slope).
2.2. Fuentes de corriente cascode
Caracterizar mediante simulación las fuentes de corriente cascode mostradas en las figuras
3 y 4. Los grupos de prácticas A y B analizarán la fuente NMOS (figura 3) y los grupos C y D la
PMOS (figura 4).

VDD VDD
+ M8 M9
R4 VSG8
RO3
IO3 −
IR3 M10
R3 + IR5
R5 IO4
+ M7 RO4
VO3 +
VGS5
R6 VO4
− M5 M6 −
−
Figura 3. Fuente cascode NMOS. Figura 4. Fuente cascode PMOS.
J) Siguiendo el procedimiento descrito en el apartado anterior, editar el circuito asignado a cada

grupo, utilizando las resistencias indicadas en la hoja de evaluación.
K) Conectar una fuente DC de 5 V (etiquetar como VTST) en la salida de la fuente y analizar el

punto de operación (.op) del circuito.
L) Utilizar la fuente DC conectada en la salida para realizar un barrido de tensión (.dc) entre 0
y 10 V con un paso de 0.01V. Dibujar IO3 e IO4 en función de VO3 y VO4 respectivamente.
M) Deducir la tensión mínima o máxima de salida y la resistencia de salida de cada circuito a

partir de los datos obtenidos mediante simulación.

9 9 AMPLIFICADORES CMOS
Objetivos
El objetivo de esta práctica es realizar dos amplificadores simples CMOS, con fuente de
corriente como carga, utilizando los transistores del circuito integrado MC14007UB. El diseño
teórico de ambos circuitos se llevará a cabo con anterioridad a la sesión de laboratorio, en la que
se implementarán y caracterizarán experimentalmente los circuitos.
Utilizar los parámetros de los transistores incluidos en la tabla I y los valores asignados a
cada grupo en la tabla II para realizar los cálculos teóricos de los amplificadores que se describen
en los apartados siguientes. La tensión de alimentación usada en esta práctica es VDD = 10V.
K’W/L (A/V2) VTO (V)  (V-1)

NMOS 1065 1.72 0.013
PMOS 942 -0.91 0.069
IREF1 (mA) IREF2 (mA)

GRUPO A 2.1 1.3
GRUPO B 1.5 3.0
GRUPO C 3.0 1.5
GRUPO D 1.3 2.1
1.1. Amplificador fuente común con fuente de corriente PMOS
A) Para el amplificador mostrado en la figura 1, se pide calcular:
1. El valor de la resistencia RREF1 para conseguir la corriente de referencia IREF1

asignada a cada grupo en la tabla II.
2. El valor de la fuente de tensión VGG1.

3. La resistencia de salida RO1.
4. La ganancia de tensión en baja frecuencia (LF).
5. La frecuencia de corte superior, tomando CL1 = 1 nF.

VDD
M3 M2
RO1
vO1=VO1+vo1
IREF1 M1
RREF1 CL1
vs
VGG1
Figura 1. Amplificados NMOS en fuente común.
1.2. Seguidor de fuente PMOS
B) Para el seguidor de fuente mostrado en la figura 2, se pide calcular:
1. El valor de la resistencia RREF2 para conseguir la corriente de referencia IREF2

asignada a cada grupo en la tabla II.
2. El valor de la fuente de tensión VGG2, para que la tensión de salida del amplificador
tome un valor intermedio entre el mínimo y el máximo.
3. La resistencia de salida RO2.
4. La ganancia de tensión en baja frecuencia (LF).
5. La frecuencia de corte superior, tomando CL2 = 10 nF.
VDD
M6 M5
RO2
vO2=VO2+vo2
IREF2 M4
RREF2 CL2
vs
VGG2
Figura 2. Amplificador seguidor de fuente PMOS.

En el laboratorio se implementarán los amplificadores CMOS descritos anteriormente,

utilizando los transistores del circuito integrado MC14007UB, y se realizará su caracterización
experimental.
VDD
VDD
14 13 2 1 11
Circuito de
MP1 MP2 MP3 Entrada
12 vO1
6 MN2 MN3
RG2
MN1 vI1
VDC
VSS
7 8 3 4 5 10 9 CL1 RG1

VGEN
RREF1
Figura 3. Implementación del circuito de la figura 1.
2.1. Amplificador fuente común con fuente de corriente PMOS
La implementación del amplificador de la figura 1 y su caracterización experimental se

realizaran de acuerdo con el procedimiento siguiente:
C) Seleccionar RREF1, de acuerdo con el resultado obtenido en el apartado [A.1]; medir y anotar
su valor. Montar el amplificador fuente común siguiendo el esquema de la figura 3, sin
conectar el condensador CL1 y siendo RG1 = 10 k y RG2 = 1 k. Verificar la conexión del
pin 14 (VDD) del circuito integrado a la fuente de tensión continua de 10 V y la del pin 7
(VSS) a tierra. Medir la caída de tensión en RREF1 y calcular IREF1.
D) Anular la tensión de offset del generador de señal (VGEN), seleccionar la salida sinusoidal
con una frecuencia de 1 kHz y reducir al mínimo su amplitud. Actuar sobre la fuente de
tensión VDC, de forma que el nivel de continua en la salida del amplificador tome un valor
intermedio entre el mínimo y el máximo. Aumentar la amplitud del generador de señal hasta
conseguir una señal de salida sinusoidal, sin distorsión y con la máxima amplitud posible.
Medir la ganancia de tensión en LF respecto de la puerta del transistor (pin 3).

E) Medir la frecuencia de corte. Conectar el condensador de salida (CL1) y volver a medir la
frecuencia de corte.
2.2. Seguidor de fuente PMOS
La implementación del seguidor de fuente de la figura 2 y su caracterización experimental

se realizaran de acuerdo con el procedimiento siguiente:
F) Seleccionar RREF2, de acuerdo con el resultado obtenido en el apartado [B.1]; medir y anotar
su valor. Montar el amplificador seguidor siguiendo el esquema de la figura 4, sin conectar
el condensador CL2 y siendo RG3 = 10 k y RG4 = 1 k. Verificar la conexión del pin 14
(VDD) del circuito integrado a la fuente de tensión continua de 10 V y la del pin 7 (V SS) a
tierra. Medir la caída de tensión en RREF2 y calcular IREF2.
G) Anular la tensión de offset del generador de señal (VGEN), seleccionar la salida sinusoidal
con una frecuencia de 1 kHz y reducir al mínimo su amplitud. Actuar sobre la fuente de
tensión VDC, de forma que el nivel de continua en la salida del amplificador tome un valor
intermedio entre el mínimo y el máximo. Aumentar la amplitud del generador de señal hasta
conseguir una señal de salida sinusoidal, sin distorsión y con la máxima amplitud posible.
Medir la ganancia de tensión en LF respecto de la puerta del transistor (pin 3).
H) Medir la frecuencia de corte. Conectar el condensador de salida (CL2) y volver a medir la

VDD
VDD
14 13 2 1 11
Circuito de
MP1 MP2 MP3 Entrada
12 vO2
6 MN2 MN3
RG4
MN1 vI2
VDC
VSS
7 8 3 4 5 10 9 CL2 RG3

VGEN
RREF2
Figura 4. Implementación del circuito de la figura 2.

10
10 AMPLIFICADORES CMOS EN ALTA FRECUENCIA
Objetivos
El objetivo de esta práctica es analizar mediante simulación los fundamentos que producen
la limitación de frecuencia en los amplificadores CMOS.
Analizar el amplificador mostrado en la figura 1, utilizando los parámetros tecnológicos

incluidos en la tabla I, los valores de geometría asignados a cada grupo en la tabla II, RREF =
192k, RS = 800 k y VDD = 5V.
Parámetro NMOS PMOS

KP 120 A/V 2
40 A/V2
VTO 0.8 V -0.9 V
 0.01 V-1 0.0125 V-1
Cox 1.73 fF/m2 1.73 fF/m2
CJ 0.4 fF/m2 0.4 fF/m2
CJSW 0.3 fF/m 0.3 fF/m
MJ 0.5 0.5
MJSW 0.5 0.5
PB 1V 1V
CGDO 0.2 fF/m 0.2 fF/m
CGSO 0.2 fF/m 0.2 fF/m
CGBO 0.1 fF/m 0.1 fF/m
NMOS PMOS
W L ADAS PDPS W L ADAS PDPS
GRUPO A 10 m 2 m 50 m 2
30 m 30 m 2 m 150 m2 70 m
GRUPO B 15 m 2 m 75 m2 40 m 45 m 2 m 225 m2 100 m
GRUPO C 20 m 2 m 100 m2 50 m 60 m 2 m 300 m2 130 m
GRUPO D 25 m 2 m 125 m2 60 m 75 m 2 m 375 m2 160 m

Para el amplificador mostrado en la figura 1, se pide:
A) Dibujar el circuito equivalente de pequeña señal en alta frecuencia (HF) y calcular sus
parámetros.
B) Calcular la ganancia de tensión, la resistencia de salida y la frecuencia de corte.
VDD
M3 M2
RO
vO=VO+vo
IREF RS
RREF
vs M1
VGG
Figura 1. Amplificador fuente común NMOS.
En el laboratorio se analizarán mediante simulación las prestaciones de los amplificadores

CMOS descritos en este apartado, utilizando los modelos de los transistores N_1u y P_1u incluidos
en el fichero de tecnología cmosedu_models.txt, que se encuentra en la carpeta Practica 10 y que
puede ser descargado de la página Moodle. Utilizar la carpeta Practica 10 para salvar los sucesivos
diseños realizados con LTspice.
2.1. Amplificador fuente común NMOS
La caracterización experimental del amplificador de la figura 1 se realizara con el simulador

LTspice de acuerdo con el procedimiento siguiente:
C) Editar el circuito de las figura 1, utilizando los símbolos de los transistores nmos4 y pmos4.
Cambiar los modelos de los transistores que aparecen por defecto en los símbolos (NMOS y
PMOS) por N_1u y P_1u. Los parámetros de geometría de los transistores se especifican
situando el cursor del ratón sobre el símbolo, pulsando el botón derecho y rellenando los
valores en la ventana que aparece en la pantalla. Inicialmente se especificarán sólo los
valores de W y L, de acuerdo con los datos asignados a cada grupo en la tabla II. Para

seleccionar la visibilidad de los parámetros basta con situar el cursor sobre el símbolo del
transistor, pulsar simultáneamente la tecla de control y el botón derecho del ratón y marcar
(X) o no en las casillas correspondientes. Editar la directiva de spice (Edit→SPICE Directive)
para incluir el fichero de tecnología:
.include cmosedu_models.txt
Guardar el esquemático en una carpeta e incluir en ella el fichero de tecnología.
D) Asignar inicialmente a VGG 0V. Realizar un barrido de tensión (dc sweep) variando la VGG
entre 0 y 5 V, con un paso de 1 mV. Dibujar la característica de transferencia en tensión y
determinar sobre ella el valor de VGG que genera una tensión de salida intermedia entre los
extremos del tramo lineal de máxima pendiente. Asignar este valor a VGG con tres cifras
decimales de precisión y analizar el punto de operación (.op) de los transistores.
E) Realizar un análisis en frecuencia (.ac) eligiendo el intervalo adecuado para medir la

ganancia de tensión y la frecuencia de corte. Medir la ganancia de tensión relativa a la fuente
de señal y la frecuencia de corte.
☺ No olvidar asignar al generador de señal de entrada AC 1
F) Realizar un análisis transitorio (.tran) eligiendo los valores adecuados, de amplitud y

frecuencia de la señal de entrada, para poder medir la ganancia de tensión relativa a la fuente
de señal.
G) Añadir a los transistores los parámetros de geometría de restantes (AD, AS, PD, PS)
asignados a cada grupo en la tabla II. Repetir el análisis en frecuencia (.ac) y medir la
☺ Para especificar los parámetros de geometría en LTspice, el m se representa como um mientras que
m2 como pm.
2.2. Amplificador fuente común PMOS
Analizar el amplificador mostrado en la figura 2 utilizando los parámetros de la tabla I, los

valores asignados en la tabla II, RREF = 192 k, RS = 800 k y VDD = 5V.
H) Dibujar el circuito de pequeña señal y calcular teóricamente la ganancia de tensión, la

resistencia de salida y la frecuencia de corte.
I) Aplicar paso a paso el procedimiento descrito en el apartado 2.1 para caracterizar

experimentalmente las prestaciones del amplificador.

VDD
RS
RREF IREF vs M1 RO
VGG vO=VO+vo
M3 M2
Figura 2. Amplificador fuente común PMOS.
2.3. Seguidores de fuente
Los grupos A y B analizarán el amplificador mostrado en la figura 3 y los grupos C y D el

de la figura 4. Utilizar los parámetros de la tabla I, los valores asignados en la tabla II, RREF= 192
k, RS = 800 k y VDD = 5V.
J) Dibujar el circuito de pequeña señal y calcular la ganancia de tensión y la resistencia de

salida.
K) Aplicar paso a paso el procedimiento descrito en el apartado 2.1 para caracterizar

experimentalmente las prestaciones.
VDD
VDD
RS
M3 M2
RO
RREF IREF vs M1 RO
VGG IREF RS vO=VO+vo
vO=VO+vo RREF
vs M1
M3 M2 VGG
Figura 3. Seguidor de fuente NMOS. Figura 4. Seguidor de fuente PMOS.

11 RESPUESTA EN FRECUENCIA Y COMPENSACIÓN DE
11 AMPLIFICADORES OPERACIONALES CMOS
Objetivos
El objetivo de esta práctica es analizar mediante simulación las características de

comportamiento en DC y respuesta frecuencial de un amplificador operacional (OA) CMOS de tres
etapas, primero en cadena abierta y luego con realimentación.
Leer detenidamente este documento y volver a estudiar los conceptos relativos a respuesta
en frecuencia, realimentación, estabilidad y compensación de circuitos y sistemas lineales,
necesarios para realizar esta práctica.
Realizar los trabajos de edición esquemática y simulación que se describen en los siguientes
apartados, utilizando el programa LTspice.
1.1. Edición del esquemático del OA
En la carpeta Practica 11 se encuentra el fichero tecnológico de spice cn20_lev1models.txt, cuyo

contenido se muestra en la figura 1. Utilizar esta carpeta para salvar los sucesivos diseños
realizados con LTspice. Este fichero puede ser descargado de la página Moodle
* CMOSN and CMOSP level 1 models
.model cmosn nmos level=1 vto=0.83 kp=50u lambda=0.06 gamma=0.25

+ tox=431e-10 cgdo=3.8e-10 cgso=3.8e-10
+ cj=1.0375E-04 mj=0.6604 cjsw=2.1694E-10 mjsw=0.178543 pb=0.8
.model cmosp pmos level=1 vto=-0.91 kp=17u lambda=0.06 gamma=0.55
+ tox=431e-10 cgdo=0.5e-9 cgso=0.38e-9
+ cj=3.2456E-04 mj=0.6044 cjsw=2.5430E-10 mjsw=0.244194 pb=0.8
Figura 1. Modelo Spice de los transistores MOS.
Abrir LTspice y editar (Edit New Schematic) el esquemático del amplificador operacional de
tres etapas mostrado en la figura 2, utilizando la geometría de los transistores que se muestran en
la Tabla 1. Seguidamente, añadir los puertos de alimentación continua (Vdd, Vss), entrada (In-,

In+), compensación (cp1, cp2) y salida (Out). Finalmente, incluir el fichero de modelos (.include
cn20_lev1models.txt)
usando la opción Edit op SPICE directive y guardar el esquemático con el
nombre OACmos en la carpeta de trabajo.
Figura 2. Amplificador operacional MOS de tres etapas.
Transistores MODEL L W AD AS PD PS
M1, M2, M5, M8 CMOSN 5u 15u 105p 105p 44u 44u
M3, M4, M7 CMOSP 5u 70u 490p 490p 154u 154u
M6 CMOSN 5u 30u 210p 210p 74u 74u
M9 CMOSN 2u 150u 1050p 1050p 314u 314u
M10 CMOSP 2u 700u 4900p 4900p 1414u 1414u
M11 CMOSN 2u 15u 105p 105p 44u 44u
M12 CMOSP 2u 70u 490p 490p 154u 154u
Tabla 1. Geometría de los transistores MOS.
1.2. Edición del símbolo del amplificador operacional
Editar el símbolo (Edit New Symbol) de amplificador operacional siguiendo el modelo de la

figura 3. Dibujar el símbolo y añadir los pines (puertos), teniendo en cuenta que las etiquetas de
los pines del símbolo y las de los puertos del esquemático de la figura 2 tienen que coincidir. Se
recomienda utilizar la opción de ocultar las etiquetas de los pines del símbolo y escribir texto
resumido para identificarlos. Guardar el símbolo en la carpeta de trabajo con el nombre OACmos.

Figura 3. Símbolo del OA.
2.- Simulación del amplificador operacional
El siguiente objetivo a realizar en el Laboratorio es obtener la característica de transferencia

en tensión (VTC) y la respuesta en frecuencia del amplificador operacional, respuesta que varía
cuando se utilizan redes RC externas de compensación. Para ello, se propone editar el esquemático
mostrado en la figura 4, utilizando tres configuraciones diferentes del OACmos y diferentes
componentes de la librería general. El primer amplificador carece de red de compensación, el
segundo tiene sólo un condensador C de compensación y el tercero está compensado con una red
RC. Los tres amplificadores tienen la misma fuente de tensión de entrada y están alimentados con
±2.5V.
Una vez editado el esquemático y guardado en la carpeta de trabajo, realizar las siguientes
tareas:
A) Ejecutar el comando de simulación DC (.dc Vs -6m 6m 10u), dibujar la VTC y medir el rango
de operación lineal del amplificador.
B) Ejecutar el comando de simulación AC (.ac dec 10 10 100meg), dibujar la respuesta en

frecuencia y medir la ganancia de tensión, la frecuencia de corte, el margen de amplitud y el
margen de fase de cada amplificador.
C) Comentar los resultados.

Figura 4. Esquemático de tres configuraciones del OACmos.
3.- Aplicaciones básicas
Editar el esquemático de la figura 5, correspondiente a un amplificador seguidor compensado

con la red RC, guardarlo en la carpeta de trabajo y realizar las siguientes tareas:
Figura 5. Amplificador operacional en configuración seguidora.
D) Simular en DC (.dc Vs -2.5 2.5 0.1), dibujar la VTC y estimar del rango de operación lineal.

E) Simulación temporal (.tran 0 7m 0 1u) y dibujo de las formas de onda de entrada y salida.
F) Simular en AC (.ac dec 10 100 10meg), dibujar la respuesta frecuencial y medir la ganancia de
tensión y la frecuencia de corte.
G) Comentar los resultados.
Editar el esquemático de la figura 6, correspondiente a un amplificador inversor compensado

con la red RC, guardarlo en la carpeta de trabajo y realizar las siguientes tareas:
H) Simular en DC (.dc Vs -2.5 2.5 0.1), dibujar la VTC y estimar el rango de operación lineal.
I) Simulación temporal (.tran 0 7m 0 1u) y dibujo de las formas de onda de entrada y salida.
J) Simular en AC (.ac dec 10 100 10meg), dibujar la respuesta frecuencial y medir la ganancia de
tensión y la frecuencia de corte.
K) Comentar los resultados.
Figura 6. Amplificador operacional en configuración inversora.

12
12 SIMULACIÓN DE CIRCUITOS LÓGICOS CMOS
Objetivos
Las puertas lógicas CMOS son diseñados siguiendo un conjunto de reglas asociativas de
transistores PMOS y NMOS que permiten construir bloques funcionales complejos. El simulador
Dsch es una herramienta muy útil y fácil de usar que permite validar de una manera sencilla
diferentes puertas complejas CMOS realizando una simulación a nivel de transistor. El objetivo de
esta práctica es simular puertas complejas CMOS, FFD y circuitos lógicos básicos mediante su
simulación a nivel de transistor.
Valor individualizado extraído de la tabla de valores: F
En la carpeta DCSH del escritorio se encuentra todo el material necesario para realizar esta
práctica. El ejecutable es Dsch3. Dentro de esta carpeta está a su vez la carpeta Practica 12 que
incluye diferentes esquemáticos, los cuales pueden ser usados y modificados para realizar los
diferentes apartados.
No intentar abrir un fichero directamente. Para abrir un esquemático es preciso primero
arrancar la herramienta Dsch3 y seleccionar la tecnología de 0.12µm. Para ello, ejecutar File→Select
foundry y escoger el fichero cmos012.tec. A continuación, File→Open o F3 y escoger el fichero a abrir.
A) Dibujar el esquemático a nivel de transistor que realice la función lógica F asignada a la

práctica.
B) Analizar el biestable FFD de la figura Figura 4.sch. Proponer una modificación para que
utilizando una señal adicional realice una operación de reset o set asíncrono de ese biestable
de acuerdo a las especificaciones asignadas en la tabla I.
Reset Set
GRUPO A 0 No
GRUPO B 1 No
GRUPO C No 0
GRUPO D No 1
Tabla I. Asignación de valores a los grupos de prácticas.

Visualización gráfica
Abrir y guardar Rotar y girar
Copiar Simulación de las señales
ficheros
Mover Cablear Mover la ventana
Borrar Zoom
Lista de símbolos
Vdd
PMOS
LED
Pulsador
NMOS Control de
simulación
Gnd
Run Pausa Simulación y activación de

la ventana de símbolos
Figura 1. Entorno gráfico comentado de Dsch.
2.- Simulador DSCH© de puertas digitales CMOS
En primer lugar se va a realizar un pequeño tutorial para diseñar un inversor y su posterior

simulación. En el circuito de la figura 1 se muestra el entorno gráfico comentado de Dsch con una
barra de menús desplegables y una barra de herramientas básicas formadas por una paleta de
símbolos y el control de simulación. A continuación se indica las operaciones básicas para realizar
la edición y simulación del inversor CMOS mostrado en la figura 2.
Figura 2. Ejemplo de inversor CMOS.
Arrancar el simulador Dsch3 que se encuentra en la carpeta DCSH del escritorio del
ordenador. A continuación se especifica la tecnología que se va a utilizar; en nuestro caso 0.12µm.
Para ello, ejecutar File→Select foundry y escoger el fichero cmos012.tec. Para editar el inversor,
arrastrar en primer lugar los transistores NMOS y PMOS del menú de símbolos. Al pulsar dos
clicks sobre uno de esos transistores se abre una ventana donde se indica los parámetros de ese

transistor. Entre esos parámetros destacan su anchura (Channel width) y longitud (Channel length)
que en esta caso corresponde a una tecnología de 0.12um. Seleccionar Show pin Names y Show name
and properties tal como se muestra a continuación.
En el esquemático es importante la posición de los terminales de los transistores. Los

terminales source (s) de los transistores PMOS deben estar orientados hacia Vdd y los de NMOS
a Gnd. En caso contrario, el DCSH es incapaz de simular correctamente el circuito.
A continuación, añadir los componentes Vdd, Gnd, el pulsador de entrada que presenta dos
estados para modelar una señal digital y el LED de salida para visualizar su estado lógico
(encendido es “1” y “0” si está pagado). Dando dos clicks sobre el pulsador o sobre el LED se
puede editar su nombre y el color para indicar su estado lógico “1”.
Finalmente, se cablea todos los componentes utilizando la opción . Una vez

seleccionado, un cable se inicia pulsando un click del ratón y sin soltar arrastrar el puntero hasta
el otro extremo y soltar; Los cables son líneas rectas que solo se trazan sobre el grid del fondo.
La simulación del circuito se activa pulsando el botón . Se puede observar como los
transistores son modelados como llaves cuyo estado cambia cuando se clickea el pulsador de
entrada. Se puede visualizar el estado lógico de los nudos además del estado de los cables (azul
“0” Y rojo “1”) y del LED (rojo o encendido “1” y apagado “0”). Aplica algunos cambios a la
entrada y observa su salida. Para visualizar gráficamente los cambios en la entrada y salida pulsar
.
C) Arrancar Dsch. Desde Dsch y utilizando la opción FileOpen o F3 o , abrir el fichero Figura
3.sch que se encuentra en la carpeta Practica 12. Analizar el circuito basado en puertas de
transmisión y obtener su función lógica. Comprobar el resultado simulando el circuito con
Dsch. ¿De qué circuito se trata?

Figura 3.sch
D) Una vez aprendido el funcionamiento básico, realizar con Dsch una puerta compleja CMOS
que implemente la siguiente función lógica: F=A+BC . Utilizando los pulsadores de entrada
generar la tabla de verdad del circuito buscando las 8 combinaciones de entrada.
☺ Aviso. Para el correcto funcionamiento de los transistores, es necesario posicionar correctamente a los
transistores PMOS y NMOS. De esta manera, el terminal fuente (s) de los PMOS debe estar más próximo
a la tensión de alimentación que su terminal drenador (d). Al contrario, el terminal fuente (s) de un NMOS
debe estar más próximo a masa que el drenador (d). Es decir, el terminal d de un transistor debe estar
conectado al terminal s del transistor contiguo, y viceversa. Para mostrar el terminal de los transistores,
no olvidar seleccionar la opción Show pin Names.
s
s
g
 MAL  BIEN
g
d
d
d
d
 BIEN
g
g
 MAL
s s
El transistor NMOS superior tiene el El transistor PMOS inferior tiene el

terminal s y d en posición incorrecta. terminal s y d en posición incorrecta.
Realizar un giro horizontal a ese Realizar un giro horizontal a ese
dispositivo para intercambiar los dispositivo para intercambiar los
terminales. terminales.
E) Realizar usando Dsch una puerta lógica CMOS que implementa la función lógica F asignada
a la práctica. Para comprobar que se ha sido diseñada correctamente, generar 5
combinaciones de entrada aleatorias y aplicarlas a su entrada. Comprobar que su salida
coincide con la prevista.

3.- Diseño de un registro de desplazamiento
F) En el fichero Figura 4.sch se encuentra el esquema de un biestable o flip-flop D (FFD)

disparado por flanco de bajada de reloj CLK. En este circuito, cuando CLK=1 el dato D es
almacenado en la sección Master. Por el contrario, para CLK=0, el dato del Master es
transferido a la sección Slave; en este caso, el Master está aislado a cualquier cambio de D
y la salida Q muestra el último estado leído en cuando CLK=0.
Figura 4.sch. Esquemático de un FFD.
Realizar las siguientes operaciones sobre este circuito:
1. Poner CLK=1. Cambiar el estado de la entrada D y observar cómo afecta a la sección

Master. Indicar las llaves de paso que se encuentran en conducción y en corte. ¿Por
qué no cambia la sección Slave?
2. Poner CLK=0. Cambiar el estado de la entrada D y observar el comportamiento del

circuito. Indicar las llaves de paso que se encuentran en conducción y en corte.
G) Basado en este FFD, a continuación se va a realizar el diseño de un registro de

desplazamiento. En primer lugar se construye un bloque o símbolo de ese FFD que consiste
en una caja con las entradas y salidas. Para ello, ejecutar FileSchema to new symbol que abre
la siguiente ventana. Modificar sus parámetros para generar el símbolo indicado en la figura,
guardar el directorio y nombre del símbolo y pulsar Ok.

Situación en cada cara:
L o Left
Orden de R o Right
posición en D o Down
Nombre de las cada cara U o Up
entradas/
salidas
Actualizar
los cambios
Cambiar el
tamaño de la
caja
Nombre del
símbolo
Directorio
H) Abrir un nuevo diseño, Filenew e insertar el símbolo creado anteriormente (InsertUser

symbol (.SYM)). Repetir la operación cuatro veces, insertar pulsadores y LEDS y cablear el
circuito tal como se indica a continuación.
Realizar la simulación del circuito para comprobar que se comporta como un registro de
desplazamiento. Para ello, aplicar la siguiente secuencia:
1. Con IN=1, aplicar un pulso de CLK. La salida del primer FFD debe ser 1.
2. Con IN=0, aplicar sucesivos pulsos de CLK y observa como ese 1 se va

transmitiendo a lo largo de la cadena de FFD.
4.- Diseño de un contador asíncrono
En la figura 5 se muestra un esquema alternativo al FFD de la figura 4.sch. En este caso, las
puertas de transmisión han sido reemplazadas por multiplexores que se encuentran localizados en
la sección Switches dentro de la pestaña Avanced del menú de símbolos. Además, se ha realizado

una modificación de este FFD para incorporar una señal de reset asíncrona que permita su
inicialización a 0 mediante puertas NAND de dos entradas. Nótese que el reset se activa por nivel
bajo. Esto significa que cuando R=0, el biestable se inicializa a 0 (Q=0 y Q =1) con independencia
de la señal de clock (CLK).
I) Realizar el esquemático del FFD indicado en la figura 5 y simular el circuito para comprobar
su funcionamiento. Generar el símbolo de este circuito.
Figura 5. FFD con reset.
CLK T
D Q
FFD t
Q 2T
CLK
Q
t
R
Figura 6. Divisor frecuencial.
Basado en el FFD de la figura 5 es posible construir un divisor frecuencial, cuya salida es de

frecuencia mitad de la entrada. En la figura 6 se muestra el esquema de este circuito en donde la

salida Q se realimenta con la entrada D. En este caso, la salida Q es de frecuencia mitad que CLK
como se puede observar en su diagrama temporal.
J) Realizar el esquemático del contador asíncrono de 4 bits de la figura 7 basado en la conexión

en cascada de 4 divisores frecuenciales de la figura 6. En este caso la salida Q de un FFD
constituye la señal de reloj del siguiente FFD dividiendo por 2 la frecuencia del FFD anterior.
Así, Q1 divide la frecuencia de CLK, Q2 la de Q1 y por consiguiente divide por 4 la de CLK,
y así sucesivamente; por último, Q4 tiene una frecuencia de operación 16 veces inferior a la
del CLK. Simular el circuito teniendo en cuenta que inicialmente hay que resetear los
biestables. Nótese que el contador es decreciente. ¿Qué sucede si el display hexadecimal se
conecta a las salidas complementadas de los FFD?
☺ Para visualizar mejor el funcionamiento del circuito, conectar un display hexadecimal a cada una de las
salidas. Q1 debe estar conectado al conector más a la derecha del display, Q2 al siguiente y así
sucesivamente.
Display
hexadecimal
Q1 Q2 Q3 Q4
Q1 Q2 Q3 Q4
FFD FFD FFD FFD
CLK
Q1 Q2 Q3 Q4
R
Figura 7. Contador asíncrono.

13
13 EDICIÓN DE LAYOUTS DE CIRCUITOS CMOS
¡1
Objetivos
En esta práctica se introducirá los conceptos básicos para la edición de layouts en circuitos
digitales CMOS. Para ello, se utilizará como herramienta de trabajo Microwind©
(http://www.microwind.org) que permite realizar de una manera sencilla las operaciones básicas
relacionadas con el diseño y simulación de circuitos CMOS. Esta práctica puede considerarse como
un tutorial de esta herramienta donde a través de sencillos ejemplos se podrá adquirir unas
nociones básicas útiles para adquirir los conocimientos necesarios en esta materia.
Valor individualizado extraído de la tabla de valores: F
Antes de realizar el trabajo de laboratorio es imprescindible leer con detalle la sección 4 de la

práctica.
A) Dibujar el esquemático a nivel de transistor de la puerta CMOS que realiza la función lógica
F asignada a la práctica.
B) A partir del anterior esquemático, realizar el pre-diseño del layout utilizando el esquema de
la figura 2.
2.- Tutorial de Microwind©: Realizacion de un inversor CMOS
El objetivo de este pequeño tutorial consiste en la realización de un inversor simétrico en

una tecnología estándar de 0.25µm y simularlo para obtener los parámetros temporales más
importantes. En primer lugar se arranca el software Microwind2 que se encuentra en la carpeta
Microwind2.6s del escritorio del ordenador.
C) Seleccionar la tecnología de 0.25µm; esto significa que la longitud mínima del transistor es
de ese valor. Para ello, FileSelect foundry y escoger cmos025.rul.

Dibuja Estirar Recreación
Copiar o Desplazamiento
una caja mover Zoom Simulación tecnológica
DRC ventana
Borrar
Contactos
Transistores
Dispositivos pasivos
Vdd
Gnd
Elementos de
simulación
Layers
Tecnología
Figura 1. Entorno gráfico comentado de Microwind.
Microwind permite visualizar las características eléctricas de los transistores MOS para una
tecnología determinada. Pulsar (o SimulatedMOS characteristics) y aparecerá la ventana
inferior.
Modelo del MOS
Tipo de análisis
Ajustar pantalla
Geometría del transistor Temperatura
Tipo del transistor

Sobre esta ventana se puede realizar las siguientes operaciones:
1. Cambiar la geometría del transistor. En la parte inferior, existe un menú donde se
puede seleccionar un conjunto representativo de geometrías del transistor y a su
derecha el tipo de transistor Nmos o Pmos. Las curvas reflejan sus características
eléctricas IDS frente a la VDS para diferentes valores de VGS que en este caso tiene
un paso de 0.5V que se puede modificar. Cualquier cambio permite actualizar las
curvas con los botones y .
2. Modelo de transistor MOS. Microwind permite la selección de tres modelos:
a) Level 1 o modelo simple.
b) Level 3 o modelo más preciso.
c) BSIM (Berkeley Short-channel IGFET Model) o modelo estándar y

comercial utilizado por muchos simuladores analógicos.
En la figura anterior se puede extraer a partir del modelo del transistor la corriente
de drenador para VGS=2V. Para esta tecnología, UO=0.06m/s, TOX=5·10-9m,
ox=3.5·10-11F/m, VTO=0.45V, de forma que
1 W 2 1  W
I DS    VGS  VT0   UO ox  VGS  VT0 2  20.2mA
2 L 2 TOX L
3. Obtener el valor teórico de la corriente de drenador para el caso de VGS=1.5V.
4. Seleccionar diferentes modelos y observar su efecto en las características eléctricas

del transistor.
5. Efecto de la temperatura. Observar el efecto de la temperatura sobre las curvas. ¿Qué

sucede cuando aumenta o disminuye la temperatura?
Cerrar esta ventana para continuar con el tutorial.
D) Insertar un transistor NMOS cuya geometría es W=0.75µm y L=0.25µm. Para ello, ejecutar
EditGeneratenMOS Device y rellenar en la ventana los campos Width MOS y Length MOS.
Seleccionar la opción Add polarization. Pulsar finalmente .

A continuación, pulsar un click en la posición que se desea insertar el transistor. Repetir la
operación con un transistor PMOS (EditGeneratepMOS Device) de geometría W=2µm y
L=0.25µm. Los contactos a Vdd y Gnd permiten la correcta polarización de los transistores.
Salvar el diseño .
PMOS (W=2m, L=0.25m)
Contacto Vdd
Contacto Gnd
NMOS (W=0.75m, L=0.25m)
Resultado de D) Resultado de E)
E) A continuación procederemos a girar 180º el transistor PMOS. Para ello, ejecuta EditFlip
and Rotate90º. Selecciona por área todo el transistor PMOS y se girará 90º. Repetir la
operación para girar otros 90º. Salvar el diseño .
Resultado de F) Resultado de G) Resultado de H)
F) Para conectar las puertas de ambos transistores, seleccionar en primer lugar para dibujar
un rectángulo. En la paleta de layers (si ésta no está abierta pulsar sobre o ViewPalette
of layers) y seleccionar el layer cuyo texto pasará a color rojo. Con el ratón
dibujar una caja que conecte la puerta de ambos transistores.

G) Repetir la operación para conectar ambos drenadores utilizando el layer .
Salvar el diseño .
H) El etiquetado de los nudos del layout se realiza a través de los símbolos definidos en la paleta
de layers. El procedimiento es sencillo, se selecciona un símbolo y se pega sobre un nudo
del layout mediante un click. Realizar el etiquetado de los nudos pegando los siguientes
símbolos:
1. Vdd o . Para esta tecnología tiene asignado 2.5 V.
2. Vss o Gnd o .
3. Visualización de un nudo o . Indica aquellos nudos que van a ser visualizados

en la gráficas de salida del simulador. Aplicar esta opción al nudo de salida y
etiquetarlo con out.
4. Clock de entrada o . Se definen una serie de pulsos para su posterior simulación

del circuito.
I) Para finalizar, es preciso comprobar que el layout no viola ninguna regla de diseño y cumple
con todos los requerimientos geométricos. Esta operación la realiza el DRC (Design Rule
Checker). Cuando se clickea sobre (o AnalysisDesign Rule Checker), el DRC muestra
sobre el layout un mensaje de un error debido a que no se cumple la distancia mínima entre
el contacto a Gnd y el transistor NMOS. Para corregir este error es necesario alejar ese
contacto mediante los siguientes pasos:
1. Pulsar y seleccionar por área el contacto, lo que va a permitir desplazarlo y

alejarlo del transistor.
2. Conectar mediante Metal 1 el contacto y el transistor. Para ello, seleccionar y

dibujar una caja que los una.

Al volver a ejecutar el DRC se observa que el contacto de Vdd asociado al transistor PMOS
presenta el mismo problema. Repetir la misma operación y corregir ese error. El layout está libre
de errores cuando el DRC no muestre ningún mensaje. Salvar el diseño .
J) tiene una herramienta muy interesante que permite recrear las principales etapas
Microwind2
del proceso de fabricación del layout que acabamos de diseñar. Para ejecutar esta
herramienta pulsar (o SimulateProcess steps in 3D). En la ventana abierta, a la derecha se
muestra la lista de los pasos del proceso de fabricación. Estos se pueden ejecutados paso a
paso (Botón inferior ) o dejar que la herramienta lo muestre como en una
película ( ).
Resultado de I)
K) El proceso de simulación del layout permite extraer sus características eléctricas. de ese
inversor Al ejecutar (o SimulateRun Simulation …Voltage vs. Time) se despliega una
ventana con dos gráficas, una corresponde a la entrada del inversor, y la inferior a su salida.
Para una mejor visualización, poner el parámetro Time scale situado a la derecha a 2ns y pulsar
; pulsar este botón cada vez que se modifica alguna opción de la ventana. En la
gráfica inferior, se muestra de manera automática el tiempo de propagación tPHL=14ps y el
tPLH=12ps. En la parte inferior de la ventana existen diferentes pestañas a parte de la que se
encuentra activa (Voltage vs. Time), como son:
1. Voltages and current. En la gráfica superior se muestra las características temporales

del consumo de corriente suministrada por la fuente Vdd. Nótese que ese consumo
solo se produce durante las transiciones del nudo de salida, siendo el resto

despreciable. Como resultado, la potencia promedio de la puerta es de P=40.667µW
tal como se especifica en la parte inferior derecha.
2. Voltages vs. Voltages. Permite visualizar la VTC o curva de transferencia en tensión de

la puerta. En este caso, el punto medio de la tensión de salida (Vdd/2) corresponde
a una tensión de entrada de 1.299V. Para ello, marcar la ventana x50 en el menú
Evaluate situado a la derecha.
3. Frequency vs. Time. No usado aquí.
4. Eye diagram. Permite una visualización más detallada de las transiciones de la puerta.
L) A continuación, se va a analizar el incremento del tiempo de propagación de la puerta cuando

se añade una capacidad extra al nudo de salida. Para añadir una carga, seleccionar en la paleta
de layers el símbolo del condensador, , y clikear sobre el nudo de salida. Se despliega una
ventana donde se indica el valor de esa capacidad en pF. Modificar ese valor a 0.05 y pulsar
ok. El condensador y su valor quedarán dibujados en el layout. Volver a simular el circuito
y observar las diferencias en términos de tiempos de propagación, consumo de corriente y
potencia.
3.- Edición del layout de un circuito CMOS
En esta sección se procederá a realizar el layout de un circuito CMOS que implementa la

función F especificada en la práctica. Observar que la función que se pide es no inversora. Esto
significa que hay que añadir un inversor a la salida para complementar la función de la puerta
compleja CMOS.
3.1. Sugerencias en la realización del layout

En la edición del layout se va a utilizar como punto de partida una estructura similar a la
mostrada en la figura de la página siguiente. Está constituido por dos arrays de 4 transistores,
PMOS en la parte superior y NMOS en la parte inferior, cuyas puertas están conectadas a través
de polisilicio. Las entradas A, B, C y D se suponen conectadas a este polisilicio sin ningún orden
predeterminado. Dos líneas horizontales metálicas anchas conforman la alimentación (Vdd en la
parte superior) y la masa (Gnd en la parte inferior). Sobre estas líneas se colocan los contactos a
pozo o N-well ( ) sobre Vdd y los contactos a substrato ( ) sobre Gnd; Ojo, es necesario
extender el N-well para que contenga los contactos a pozo tal como se indica en la figura. Se ha
añadido el inversor a la salida en la parte derecha como celda independiente pero que dependiendo
del diseño puede ser colocado a la izquierda. La salida de este inversor es la salida F de la celda.

Sobre esta estructura se realizará el interconexionado entre los transistores PMOS y NMOS
y a su vez con el inversor de salida para que le celda realice la función lógica F especificada. Las
conexiones solo se pueden realizar con líneas metálicas de Metal 1. Esto implica que a veces es
necesario aumentar la distancia entre los transistores PMOS y Vdd, entre los transistores PMOS
y NMOS o entre los transistores NMOS y Gnd con objeto de crear más espacio libre para situar
esas líneas metálicas. Cada diseño necesita unos requerimientos de espacio diferentes. Por ello,
antes de realizar el layout es necesario efectuar un análisis previo de nuestra celda que permita
conocer la distribución real de las líneas de interconexión.
Contacto a N-well
Vdd
N-well
4 transistores
PMOS
Inversor
de salida
4 transistores
NMOS
Vss o Gnd
Contacto a Substrato
En la parte inferior se muestra un esquema a nivel de transistor del layout superior. Observar
la relación directa que existe entre el layout y la distribución de los transistores de la figura
inferior. Conceptualmente ambas representaciones tienen la misma distribución de los
transistores.

Vdd
Gnd
Figura 2. Pre-diseño del layout.

3.2. Ejemplo simple de edicción de un layout
A continuación se muestra como ejemplo el procedimiento para realizar el layout de una
puerta CMOS que realice la función lógica F   A  B  C .
Paso 1: Descripción a nivel de transistor. Aplicando algebra de Boole, se obtiene

F   A  B  C . La descripción a nivel transistor de este circuito incluye un inversor de salida y
sería
B
C
A
F
C
A B
Paso 2: Realización de un prediseño: Diagrama de stick. Se realiza el pre-diseño a nivel de

transistor o diagrama de stick del layout de la puerta. Se puede observar que la primera puerta
necesita tres transistores NMOS y PMOS cuya salida está conectada a un inversor. El pre-
layout permite definir las interconexiones metálicas de los transistores para construir el
esquemático del paso anterior. Como resultado se obtendría la siguiente estructura:

Vdd
Gnd
A B C
Paso 3: Realización del layout final. Se traslada la estructura definida anteriormente para
realizar el layout siguiendo unas directrices que previamente se han especificado. No olvidar
las conexiones a substrato y a pozo. El layout final toma la siguiente forma:

3.3. Edición del layout asignado a la práctica
En esta sección se procederá a realizar el layout que implemente la función F asignada a la

práctica. El punto de partida es el esquemático a nivel de transistor del apartado A y su
correspondiente traslado a una descripción pre-layout desarrollada en el apartado B.
M) En primer lugar se generan todos los transistores del layout. Para ello, arrancar Microwind2 y
seleccionar la tecnología 0.25µm (FileSelect foundry y escoger cmos025.rul). La generación
de varios transistores en serie se puede realizar automáticamente en la ventana generada por
EditGeneratenMOS Device o pMOS Device:
1) Asignar la geometría a los transistores: W=1.5µm y L=0.25µm para los NMOS y
W=5µm y L=0.25µm para los PMOS.
2) Modificar las opciones de Nbr of fingers (4 en nuestro caso).
3) Deseleccionar la opción Add polarization.
N) Una vez generado y alienados todos los transistores, el paso siguiente es completar el layout
siguiendo la estructura del pre-diseño realizado en el apartado B. Para ello, conectar las
puertas de polisilicio y añadir la líneas metálicas anchas de Vdd y Gnd. Para añadir los
contactos a substrato y pozo, en la parte superior de la Palette, seleccionar y colocarlo
sobre la línea metálica de Gnd, y añadir sobre Vdd y dentro del pozo (N-Well). Debe
haber al menos un contacto por cada uno de los pozos. Pasar el DRC y corregir todos
los posibles errores de diseño.

O) Simular el circuito aplicando los estímulos correspondientes. Para ello, buscar una
combinación de entrada que genere una transición 0→1 o 1→0 a la salida. A partir de la
salida de la simulación, indicar el valor de tiempo de propagación tpHL o tpLH de peor caso.
4.- Generación automática de Layouts
Una opción muy interesante de Microwind2 es la posibilidad de generar automáticamente de

layout a partir de una descripción funcional o leyendo un fichero verilog©. Verilog es un lenguaje
de descripción hardware y se utiliza para describir circuitos digitales.
P) Arranca el Microwind2 y ejecuta CompileCompile one line. En la ventana que se despliega, existe
un conjunto de funciones predefinidas. Escoger por ejemplo la descripción de una puerta or2
y pulsar Compile como se muestra a continuación.
Utilizando los caracteres | (operación lógica or), & (and) y ~ (not), compilar la siguiente
ecuación SAL  AB  CD .
Q) Microwind2es capaz de sintetizar descripciones de alto nivel. Arrancar la herramienta Dsch,

seleccionar la tecnología 0.25µm (FileSelect foundry y escoger cmos025.tec) abrir el fichero
figura5.schde la práctica 12. Esta herramienta es capaz de generar la descripción verilog de
este circuito. Para ello, ejecutar FileMake verilog file y al pulsar Ok se genera un fichero
figura5.v con su descripción verilog en el mismo directorio donde se encuentra el anterior
fichero. A continuación, arrancar Microwind2 y seleccionar la misma tecnología (FileSelect
foundry y escoger cmos025.rul). Ejecutar CompileCompile verilog file y seleccionar el fichero
anterior; para ver este fichero seleccionar el tipo: Any file. Como resultado se genera
figura5.v
de manera automática el layout.

HOJAS DE CARACTERÍSTICAS
DE LOS
COMPONENTES
UTILIZADOS EN LA
REALIZACIÓN DE ESTAS PRÁCTICAS
Componentes:
• μA741, Pág. 77
• TL081/82/83, Pág. 84
• MC14007UB, Pág. 89

OA741

OA741

OA741

OA741

OA741

OA741

OA741

TL081/82/83

TL081/82/83

TL081/82/83

TL081/82/83

TL081/82/83

MC14007UB

MC14007UB

MC14007UB

MC14007UB

MC14007UB

MANUAL DE INSTRUCCIONES DEL
OSCILOSCOPIO DIGITAL
AGILENT SERIE DS03000

1.- Introducción
El osciloscopio AGILENT serie DS03000 es un osciloscopio digital de dos canales. En la
Fig 1. se muestra el panel frontal de este osciloscopio. Tiene a su izquierda una pantalla en color
y a su derecha teclas y mandos; las teclas son pulsadores y los mandos son giratorios. La mayoría
de las teclas y mandos se agrupan bajo alguno de los siguientes descriptores: Control horizontal
y vertical, control de formas de onda., control de ejecución, disparo, control de medida y control
del menú. Las teclas situados en la parte derecha de la pantalla debajo de pulsador MENU
MENU
ON/OFF
ON/OFF muestran en pantalla los menús de los pulsadores programables que permiten
acceder a las funciones del osciloscopio.
Figura 1. Disposición frontal de mandos y teclas.
Este manual de instrucciones tiene solamente como finalidad describir las operaciones
básicas para el manejo de este osciloscopio enfocadas a la realización de las prácticas de esta
asignatura. Para un manejo más avanzado es necesario recurrir al manual completo proporcionado
por el fabricante y que se puede descargar de la página Web de la asignatura.
2.- Compensación de las sondas

Antes de usar el osciloscopio, es necesario efectuar un ajuste en frecuencia de las sondas,
operación conocida como compensación de la sonda. Esta operación debe realizarse cuando se
conecte por primera vez una sonda a un canal y sólo es válido para esa sonda y ese canal. En caso

contrario, hay que repetir la operación. Por ello, se recomienda que una vez compensada una
sonda se deje conectada permanentemente al canal.
La compensación se realiza de la siguiente manera:

1 2
1.- Conectar una sonda al canal y seleccionar ese canal o (la tecla se ilumina). En
el menú Probe seleccionar la atenuación de 10X, es decir, pulsar el botón de la derecha
Probe
de la pantalla correspondiente a la opción Probe hasta que aparezca 10 X . Opciones
de Probe son: 1X, 10X, 100X y 1000X. En nuestro caso, las sondas que utilizamos
tienen una atenuación de 10X.
2.- Conectar la sonda a la salida de la onda cuadrada de compensación de sonda (esquina
inferior derecha).
Auto-
3.- Pulsar Scale del panel frontal.
4.- Utilizar un destornillador y girar el tornillo hasta que aparezca una onda cuadrada
perfecta, tal como se indica la figura 2.
Figura 2. Compensación de la sonda para baja frecuencia.
3.- Visualizar una señal automáticamente

Las teclas de ejecución son
Figura 3. Teclas de ejecución.
Run
 Stop
(iluminada en verde): El osciloscopio obtiene los datos y muestra la traza más
reciente. Modo normal de operación.

Run
 Stop
(iluminada en rojo): Se congela la pantalla.
Single
 Adquiere una traza sencilla.
Auto-
El osciloscopio tiene una función de autoescala (tecla blanca Scale ) que lo configura
Auto-
automáticamente para visualizar lo mejor posible la señal de entrada. Para utilizar Scale se
necesitan señales de frecuencia mayor o igual a 50Hz, un ciclo de trabajo superior a 1% y una
Auto-
amplitud de al menos 10mV pico a pico. Cuando se pulsa Scale , cambia la escala de todos los
canales que tengan señales aplicadas y selecciona un rango de base de tiempos en función de la
fuente de disparo. Se elige automáticamente como fuente de disparo la entrada con señal de mayor
amplitud(si hay señal conectada a la entrada del disparador externo, se elige ésta como fuente de
disparo).
4.- Configuración vertical
1
Cada canal tiene un menú de control vertical que aparece después de presionar el canal
2
o del panel central. Los mandos y teclas del control vertical se indican en la figura 4 y en la
figura 5 se muestra las distintas informaciones que aparecen en pantalla. El mando position knob
mueve la forma de onda verticalmente. El valor numérico de tensión es mostrado durante

un corto intervalo de tiempo en la esquina inferior izquierda y corresponde al punto indicado por
1 2
los símbolos de masa o . Estos símbolos situados a la izquierda se mueven
simultáneamente con el position knob. El mando Scale knob permite modificar la

sensibilidad vertical, es decir, el valor de Volts/Div en un rango de 20mV/div a 50V/div; el valor
seleccionado es visualizado en la línea inferior de estado.
1 2
Pulsando o se activa el canal si aún no lo estaba (la tecla se ilumina) y aparece en
pantalla a la derecha la configuración de ese canal. Para desactivar el canal, se presiona
nuevamente la tecla hasta que se apague. El menú asociado al canal se activa o desactiva pulsando
MENU
.

Figura 4. Controles verticales de los canales 1 y 2.
Figura 5. Información que proporciona la pantalla del osciloscopio.

Este menú permite seleccionar entre otras opciones:
 Coupling o acoplamiento. Tipo de acoplamiento de la señal de entrada: DC
Coupling Coupling Coupling
DC , GND GND y AC AC . Al pulsar la tecla se selecciona
alternativamente uno de estos tipos.
BW limit
 BW Limit o límite de ancho de banda. Dejar por defecto al valor de OFF OFF
.
 Probe. Atenuación de la sonda. Las sondas utilizadas en el laboratorio tienen una
Probe
atenuación de 10X 10 X .
Invert Invert
 Invert. Invierte la señal de entrada ON o no OFF .
 Digital Filter. Aplicación de un filtro digital para eliminar señales de entrada de
un rango de frecuencia. Opción avanzada no utilizada en el laboratorio.
Figura 6. Operación suma entre ambos canales.
MATH
La tecla (la tecla se ilumina cuando está activada) permite realizar operaciones
matemáticas entre los dos canales tales como suma (A+B), resta (A-B) o multiplicación (AxB).
Esta función también permite realizar la FFT de un canal. Como ejemplo, en la figura 6 se muestra
el resultado de realizar una operación suma entre ambos canales. En la pantalla se vería en amarillo
el canal 1 (CH1), en verde el canal 2 (CH2) y en rosa el resultado. Para seleccionar otra operación
Operate
aritmética se pulsa nuevamente el botón A+B . De este modo se selecciona alternativamente las
MATH
operaciones de A+B, A-B, AxB y FFT. Para desactivar esta opción volver a pulsar y la
luz se apagará.

Ref
La tecla guarda en memoria no-volátil (permanente) las formas de onda de los
canales para visualizarlas posteriormente.
5.- Configuración horizontal (Escala de tiempos)

El control horizontal asociada a la escala de tiempos se encuentra en la zona superior
izquierda y está constituido por los controles indicados en la figura 7. La velocidad de barrido se
selecciona a través del mando Scaled knob que varía con un rango 5ns/div a 50s/div.
Asimismo, en la parte superior de la pantalla (figura 8) se muestra gráficamente el rango de datos
almacenados en memoria, de los cuales solamente se visualiza en pantalla la zona indicada a través
T
de dos corchetes. Esta zona se modifica utilizando el mando Position knob . El símbolo
indica la posición del disparo (Trigger).
Figura 7. Control horizontal.
Almacenamiento en memoria
Visualización en pantalla
Figura 8. Selección de la zona de visualización en pantalla.
Main
Delayed
La tecla despliega un menú que especifica la configuración vertical tal como se
indica en la figura 9.

Figura 9. Pantalla de control de la configuración vertical.
Delayed
Figura 10. Visualización para la opción ON o ampliación de una zona.
Delayed
La opción ON despliega dos formas de onda: una principal (arriba) correspondiente a
la señal principal y un secundaria (abajo) que amplia la zona seleccionada en la Delayed Sweep
window, tal como aparece en la figura 10. Esta zona se puede modificar utilizando los mandos
Scaled know y Position knob. Esta operación es equivalente a pulsar el mando Scaled knob
para realizar una ampliación (zoom) de una zona de la señal.
Time Base Time Base
La base de tiempos puede ser temporal, Y-T , o no temporal, X-Y , cuando se desea
estudiar las relaciones de fase entre dos señales.
El resto de las opciones es mejor dejarlas a su valor de defecto.

5.1. Disparo del osciloscopio
Para estabilizar una señal en la pantalla es necesario controlar el disparo (Trigger) del
osciloscopio a través de los mandos y teclas situados en la esquina inferior derecha (figura 11).
Existen varios modos de disparo, pero aquí solo se describen los más básicos.
El mando selecciona el nivel de disparo. Si se gira, se observa en la pantalla una

línea horizontal amarilla que indica la tensión de disparo. Si esta línea se sale fuera de los límites
50%
de la señales entonces se vuelve inestable la imagen. La tecla selecciona
automáticamente un nivel de tensión de disparo correspondiente a la mitad de la amplitud de la
señal de entrada, el cual puede ser posteriormente modificada mediante el mando .
Figura 11. Control de disparo.
Mode
La tecla Coupling permite modificar los parámetros de disparo. Si una señal en pantalla es
inestable, generalmente es debido a que no se ha seleccionado adecuadamente el canal 1 (CH1) o
Source
canal 2 (CH2) sobre el que actúa el disparo. Para ello, se escoge el canal 1 ( CH1 ) o canal 2
Source
CH2 pulsando la tecla correspondiente. Si se sigue pulsando de nuevo cambia alternativamente
Source Source Source Slope Slope
a EXT , EXT/5 y AC line

. La ópción o indica un disparo por flanco positivo o
Coupling
negativo. Por último, es recomendable que el acoplamiento sea AC, AC .
5.2. Estabilización de señales en pantalla

En el caso de encontrar problemas para estabilizar las señales en pantalla, es necesario
aplicar algunas de estas indicaciones:
Mode Mode Sweep
 Pulsar Coupling y comprobar que los parámetros mostrados son: Edge , Auto y
Coupling
AC .
 Seleccionar el canal con mayor amplitud de señal de entrada especificándolo a través de
Source Source
CH1 o CH2 .
50%
 Pulsar .
Auto-
 Si no se estabiliza con las anteriores teclas, pulsar Scale .
6.- Control de medida
El osciloscopio puede realizar medidas sobre las señales visibles en pantalla. Estas
Measure
mediadas pueden ser de dos tipos, medidas automáticas a través de la tecla , o medidas a
Cursors
través de cursores pulsando la tecla (figura 12).
Figura 12. Teclas de medida.
6.1. Medida a través de cursores
Cursors
La tecla permite realizar medidas a través de cursores y se activa cuando al pulsar
se ilumina en verde; si se pulsa nuevamente se desactivará esta opción y se apagará. Los cursores
son líneas discontinuas verticales y horizontales mostradas en pantalla que indican los valores del
eje X y del eje Y de una señal seleccionada, y se utilizan para hacer medidas personalizadas de
tiempo y de tensión sobre la señal. Existen dos modos de operación:
Mode
Manual
A.- Manual o . Calcula una medida sobre la señal correspondiente al canal 1
Source Source
CH1 o canal 2 CH2 . Esta medida consiste en calcular la diferencia en tiempo

Type Type
Time Voltage
o tensión entre los puntos especificados por los cursores A (CurA) o
CurA
B (CurB). Para ello, seleccionar el cursor A ( ) de color azul claro o cursor B (
CurB
) de azul oscuro. El mando permite desplazar la línea del cursor

especificado. Las intersecciones de las líneas de ambos cursores con la señal del canal
permiten especificar dos puntos. En la pantalla aparece sobre-impresionado el
Type
resultado en términos de diferencia temporal para Time

a través del parámetro ΔX
Type
(o en términos de frecuencia 1/ ΔX ) o de tensión para Voltage

a través del parámetro
ΔY.
Mode
Track
B.- Puntual o . Realiza una medida sobre dos puntos cualesquiera de la pantalla.
Para especificar el punto correspondiente al cursor A, se selecciona el cursor A
CurA Cursor A
poniendo la tecla a y se indica el canal pulsando CH1 para canal 1 o
Cursor A Cursor A
CH2 para canal 2; None desactiva este cursor. Para especificar el punto
correspondiente al cursor B, se repite la operación pero ahora utilizando los botones
correspondientes a este cursor. En la pantalla se mostrará sobre impresionado la
diferencia temporal ΔX, frecuencia 1/ ΔX y diferencia de tensión ΔY.
6.2. Medida automática
Measure
La tecla activa el sistema automático de medida realizado sobre una señal del
Source Source Display All
canal 1 CH1 o del canal 2 CH2 . Si se pulsa la tecla OFF se activa el sistema automático
Display All
de medida, cambiando a ON , donde se muestra en la pantalla todos los parámetros

característicos de esa señal. Estos parámetros son:
 Vmax: Tensión máxima.
 Vmín: Tensión mínima.
 Vpp: Tensión pico a pico.
 Vtop: Tensión superior.
 Vbase: Tensión inferior.
 Vamp: Vtop - Vbase

 Vavs: Tensión promedio.
 Vrms: Tensión eficaz.
 Vovr: Sobre-tensión superior.
 Vpre: Sobre-tensión inferior.
 Prd: Periodo.
 Freq: Frecuencia.
 Rise: Tempo de subida.
 Fall: Tiempo de caída.
 +Wid: Anchura de pulso positivo.
 -Wid: Anchura de pulso negativo.
 +Duty: Ciclo de ocupación positivo.
 -Duty: Ciclo de ocupación negativo.
Estos parámetros se definen gráficamente en las siguientes figuras.
Figura 13. Parámetros de tensión.
Figura 14. Parámetros de Frecuencia y periodo.

Figura 15. Parámetros de tiempos de subida y bajada.
Figura 16. Parámetros de -Wid y +Wid.
7.- Control de formas de onda
Figura 17. Control de formas de onda.
Acquire
La tecla permite alterar el modo de adquisición de datos. Es preferible dejarlo a
Mode
Normal
su modo normal .
Display
La tecla permite modificar la forma de visualización en pantalla de las señales.
Entre otras opciones, tenemos:
Grid Grid
1) Tres opciones de rejilla: rejilla completa , rejilla solo con ejes y sin
Grid
rejilla .

Persist
OFF
2) Persistencia. Con persistencia OFF ( ) se borra las formas de onda anteriores
Persist
Infinite
antes de mostrar en pantalla una nueva. Con persistencia Infinite ( )
mantienen las formas de onda anteriores mientras se muestran nuevas en pantalla.
Clear
3) Refresco de pantalla.
1/2
Pulsando se accede a estas otras opciones:
4) Brillo: más o menos brillo.

5) Duración de las opciones de menú. Por defecto es infinito, esto significa que las
opciones asociadas al menú permanecerán indefinidamente en la pantalla. Si se cambia
el tiempo a 1s, 2s, 5s, 10s o 20s, estas opciones de las teclas permanecerán ese tiempo
antes de desaparecer.
Screen Screen
Normal Inverted
6) Pantalla normal o invertida

TUTORIAL DE LTspice© IV
http://www.linear.com/designtools/software/#LTspice
Para instalar algunos modelos de componentes utilizados en esta

práctica, leer el fichero readme.txt dentro de la carpeta Practicas y
seguir los pasos indicados.

1.- Introducción
LTspice es un simulador de circuitos electrónicos de alto rendimiento basado en Spice
(Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis) que es un simulador de propósito general
de circuitos electrónicos cuyo código abierto. Básicamente, LTspice es una interfaz gráfica para
poder utilizar fácilmente todo el poder de Spice. Este tutorial pretende ser una pequeña guía para
que el alumno que no conoce LTspice pueda trabajar en el mismo, diseñando esquemas de
circuitos y simulaciones básicas.
2.- Instalación del programa
La compañía que ha desarrollado LTspice, Linear Technology pone a disposición del

usuario de forma libre en su página Web http://www.linear.com/designtools/software/ todo el
software necesario para su instalación, así como diferentes manuales de utilización y multitud de
ficheros de circuitos y aplicaciones electrónicas que pueden ejecutarse con LTspice.
LTspice en su última versión IV, puede ser ejecutado en plataformas PC con sistemas
operativos Windows 98, 2000, NT4.0, Me, XP, Vista, ó Windows 7. Así mismo también se ha
podido ejecutar con sistema operativo LINUX en su versión de RedHat 8.0 with WINE.
Debido que la simulación puede generar muchos megabytes de datos en pocos minutos, es
aconsejable disponer de 10 Gbytes de espacio libre de disco duro, así como 1 Gbyte de memoria
RAM.
3.- El entorno gráfico
Una vez instalado y

ejecutado el programa, entramos
en el LTspice y nos encontramos
con un agradable entorno gráfico
como el que se muestra en la
siguiente imagen, en la que
podemos ver una barra de menús
desplegables y una barra de
herramientas básicas. El resto
del escritorio está dedicado en principio como zona de trabajo para dibujar el esquemático del

circuito.
Nada más entrar en el entorno LTspice, lo primero que hacemos es abrir la zona de trabajo
con “Nuevo
esquemático”, (File ― New
Schematic), seguidamente,
situamos los componentes
necesarios en la zona de
trabajo y procedemos a
cablear. Finalmente,
ejecutamos la simulación
(Run). En éste momento la
zona de trabajo se ha
dividido en dos, por una parte tenemos la pantalla de trazas ó zona de simulación y por otra la
zona del esquemático del circuito.
En la figura siguiente se indica el significado de algunos iconos de la barra de herramientas
4.- Simulando un circuito básico

Vamos a iniciar los primeros pasos buscando la simulación de un sencillo circuito RC tipo
paso bajo. Comenzaremos insertando cada uno de los componentes que vamos a necesitar: una
resistencia, un condensador, una toma de tierra y una fuente de señal (fuente de voltaje,
seleccionado en la ventana “Select Component Simbol”) dentro del icono Component.
A continuación vamos a posicionar cada uno de los elementos (icono Move) y cablearemos
adecuadamente (icono Wire). Por último daremos valores a cada uno de los componentes (click
derecho sobre cada uno de los elementos).
Podemos insertar cada valor del componente, ó elegir el componente y su valor de la

biblioteca interna del programa, para ello basta con hacer click sobre el botón Select Resistor, Select
Capacitor, etc.
Especial mención es necesaria para definir la fuente de tensión para definir una fuente de
continua (fuente DC). En el caso que se precise una fuente de señal variable en el tiempo,
seleccionaremos el botón Advanced, obteniendo otra nueva ventana en donde configuramos nuestra
fuente de señal periódica adecuada. En donde se ha configurado una función senoidal de amplitud
5 voltios y frecuencia 1 KHz, Dependiendo del tipo de señal seleccionada, el número de
parámetros a configurar será distinto.

Nuestro circuito hasta ahora tiene el aspecto siguiente que se representa en la figura adjunta
en donde también se han insertado dos etiquetas (In / Out) utilizando el icono Label Net.
Es el momento adecuado para comenzar a ejecutar la simulación, para ello hacemos clic
sobre el icono Run.
El programa nos solicita determinados parámetros temporales, abriéndose la ventana

siguiente antes de la simulación, en nuestro caso configuramos un tiempo final de simulación de
2 mseg.
En éste momento el área de trabajo del escritorio se ha dividido en dos zonas como
indicamos anteriormente. Vamos a indicar como podemos ver las formas de onda.

Si nos ubicamos con el cursor sobre un
nodo, nos aparecerá una punta de
prueba, correspondiente a un medidor
de voltaje, si hacemos click izquierdo
sobre el nodo obtendremos la forma de onda del voltaje respecto
de tierra (GND).
Para obtener el voltaje entre dos nodos basta hacer click en un nodo y manteniendo el
click, arrastrarlo al otro nodo respecto del cual quiero medir.
Al poner el cursor sobre un elemento,

este se convertirá en un amperímetro,
si hacemos click izquierdo sobre un
elemento obtendremos la forma de onda de la corriente que circula
por él.
Para medir la corriente por un cable, basta hacer click izquierdo sobre el cable mientras
mantenemos presionado "Alt".

En cualquier momento podemos conocer el nombre de un nodo sin más que pasar por
encima de él el cursor, apareciéndonos dicho nombre en la parte inferior izquierda de la pantalla.
El nodo de masa siempre es el 0 .Los demás nodos se van numerando, automáticamente, como:
N001, N002, etc.
5.- Medidas en la zona de simulación
En la zona gráfica de formas de onda vamos a poder realizar diversas medidas interesantes,
veamos:
Si hacemos click izquierdo sobre la zona gráfica y mantenemos pulsado dibujando una
recta horizontal ó vertical, estamos midiendo la diferencia de magnitudes entre la posición inicial
y final del cursor. Esta medida se representa en la esquina inferior izquierda del escritorio.
Medidas utilizando cursores:

1. Click derecho sobre el nombre de la señal
2. Sobre el icono Attached Cursor seleccionar 1st&2nd
3. Posicionar los dos cursores para obtener la medida deseada

5.1. Simulación del Análisis AC
En la simulación anterior, estudiamos el modelo transitorio, ahora vamos a cambiar

seleccionado en la ventana Edit Simulation Command (en barra de menús: Simulate – Edit Simulación
Cmd) la pestaña AC Análisis configurando los parámetros que nos piden.
Es importante indicar que para éste estudio en AC hay que definir algún parámetro
suplementario en la fuente de señal, por tanto hacemos Click derecho sobre la fuente de señal en
el esquema de nuestro circuito, y en la ventana de configuración de la fuente añadimos en la
sección de “Small AC Analysis” el valor de la amplitud de la señal de AC (5 voltios en éste caso).

Volvemos a realizar la simulación: click sobre el icono Run. Podemos ver en la zona de
simulación dos gráficas correspondientes a la variación de la señal de salida respecto a la entrada
y su desfase todo en función de la frecuencia (Diagrama de BODE), pudiéndose realizar sobre el
área de dibujo de las señales (como anteriormente se indicó) medidas interesantes como
frecuencia de corte, etc..
5.2. Medida de potencia
Por omisión LTspice visualiza trazas de V e I. Si se desea visualizar otras trazas habrá que
utilizar la directiva Add.Trace. Por ejemplo, si deseamos ver la traza de la potencia en una
resistencia R1, conectada entre los nodos N001 y N002, procederíamos de la siguiente forma:

Comenzamos la simulación y sobre la pantalla de trazas hacemos clic con el derecho. En el menú
desplegable que nos aparece elegimos Add Trace y en el campo: Expression(s) to Add escribimos:
V(N001-N002)*I(R1)
Representado en la zona de simulación, la gráfica de la potencia instantánea de la

resistencia R1, en sus unidades correspondientes.
Otra forma de haber obtenido ésta gráfica de una manera más directa, es colocar el cursor
en el centro del elemento que vamos a analizar (en éste caso la resistencia R1) y pulsar la tecla
ALT, haciendo click simultáneamente.

6.- Varios
6.1. Combinaciones de teclado y ratón interesantes
Comandos especiales en la edición de esquemáticos:

1. ALT+click izq sobre un wire. Muestra la forma de onda de ese wire.
2. ALT+click izq sobre un componente. Muestra la potencia de disipación de ese
componente.
3. CTRL+click der. sobre un componente. Permite editar las propiedades de ese
componente.
Comandos especiales en la edición en las formas de onda:
1. CTRL+click izq sobre el título de la forma de onda. Muestra el RMS para esa forma de
onda.
2. Click izq sobre la forma de onda. Activa el cursor de medida simple.
6.2. Etiquetas para expresar las unidades en los componentes de los circuitos
Nota: Usa MEG (no M) para especificar MEG. Usa 1 (no 1F) para 1 Faraday.
6.3. Lista de materiales utilizados en el circuito
En el menú View, seleccionar la opción “Bill of Material” (BOM) obteniéndose la lista de

los componentes utilizados.

7.- Sitios WEB con modelos de SPICE
Analog Devices
http://products.analog.com/products_html/list_gen_spice.html
Apex Microtechnology
http://eportal.apexmicrotech.com/mainsite/index.asp
Coilcraft
http://www.coilcraft.com/models.cfm
Comlinear
http://www.national.com/models
Elantec
http://www.elantec.com/pages/products.html
Epcos Electronic Parts and Components
http://www.epcos.de/web/home/html/home_d.html
Fairchild Semiconductor Models and Simulation Tools
http://www.fairchildsemi.com/models/
Infineon Technologies AG
http://www.infineon.com/
Intersil Simulation Models
http://www.intersil.com/design/simulationModels.asp
International Rectifier
http://www.irf.com/product-info/models/
Johanson Technology
http://www.johansontechnology.com/
Linear Technology
http://www.linear-tech.com/software/
Maxim
http://www.maxim-ic.com/
Microchip
http://www.microchip.com/index.asp
Motorola Semiconductor Products
http://www1.motorola.com/
National Semiconductor
http://www.national.com/models
Philips Semiconductors
http://www.semiconductors.philips.com/
Polyfet
http://www.polyfet.com/
Teccor
http://www.teccor.com/asp/sitemap.asp?group=downloads
Texas Instruments
http://www.ti.com/sc/docs/msp/tools/macromod.htm#comps
Zetex
http://www.zetex.com/
Analog & RF Models
http://www.home.earthlink.net/~wksands/
Analog Innovations
http://www.analog-innovations.com/
Duncan’s Amp Pages
http://www.duncanamps.com/
EDN Magazine

http://www.e-insite.net/ednmag/
Intusoft Free SPICE Models
http://www.intusoft.com/models.htm
MOSIS IC Design Models
http://www.mosis.org/
Planet EE
http://www.planetee.com/
PSpice.com
http://www.pspice.com/
SPICE Models from Symmetry
http://www.symmetry.com/
SPICE Model Index
http://homepages.which.net/~paul.hills/Circuits/Spice/ModelIndex.html
Otros sitios interesantes con modelos SPICE

http://www.diodes.com/products/spicemodels/index.php
http://www.onsemi.com/PowerSolutions/supportDoc.do?type=models&category=823
http://www.emwonder.com/spicemodels/


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Equation Chapter 1 Section 1

GRADO EN INGENIERÍA DE TECNOLOGÍAS DE

Práctica 1.- Análisis de la configuración inversora y no-inversora de un amplificador

Hojas de características de componentes, Pág. 75

Manual de instrucciones del osciloscopio digital serie DS03000, Pág. 95

A lo largo del curso se tiene programadas un conjunto de prácticas:

Práct. 1.- Análisis de la configuración inversora y no-inversora de un amplificador

Nota: No todas las prácticas son obligatorias.

Los resultados de cada práctica se recopilarán en un cuaderno de prácticas que va a ser el

— Realización de las prácticas

Grado en Ingeniería de Tecnologías de Telecomunicación

Este símbolo indica que se puede descargar a través del Moodle el

Algunas prácticas tienen asignado valores individualizados que se pueden descargar

— Algunas sugerencias interesantes

Los valores de resistencia y capacidad utilizados en el montaje de las prácticas deben

Ingeniería en Tecnologías de la Telecomunicación

Valores de Capacidades disponibles en el

— Valoración de las prácticas

Grado en Ingeniería de Tecnologías de Telecomunicación

El amplificador operacional es un amplificador diferencial de altas prestaciones, con una

Valores individualizados extraídos de la tabla de valores: AV y VDC

1.- Trabajo previo de laboratorio

En la figura 1 se muestra el esquema de la configuración inversora de un amplificador

Figura 1. Amplificador inversor.

A) Determinar el valor de R1 y R2 para obtener la ganancia del amplificador AV(=Vo/Vi)

B) Con los anteriores valores de R1 y R2, ¿Calcular el valor de AVs=Vo/VS?

Grado en Ingeniería de Tecnologías de Telecomunicación

2.- Desarrollo práctico

[EditLabel Net [Opamps]opamp [EditLabel Net

Ingeniería en Tecnologías de la Telecomunicación

Ventana de Edit Simulation cmd donde se selecciona la simulación DC (.op)

Grado en Ingeniería de Tecnologías de Telecomunicación

Como resultado, la tensión VO se puede expresar como

VO  VDC  Vamp  sin(t)

3.- Análisis de un amplificador

J) En la figura 3 se presenta el esquema de un amplificador que tiene dos tipos de señales de

Ingeniería en Tecnologías de la Telecomunicación

OPERACIONAL: ANÁLISIS MEDIANTE SIMULACIÓN

El UA741 es el más popular amplificador operacional desarrollado por Fairchild al final de

Valor individualizado extraído de la tabla de valores: AV

1.- Trabajo previo de laboratorio

B) A partir de esos parámetros, determinar el valor de las corrientes de entrada In e Ip.

Figura 1. Amplificador no-inversor.

Grado en Ingeniería de Tecnologías de Telecomunicación

E) Determinar su ancho de banda y dibujar su diagrama de Bode indicando el valor numérico

2.- Desarrollo práctico

En esta práctica consiste en extraer mediante simulación las características frecuenciales y

Figura 2. Esquemático en LTspice.

☺ Editar los atributos de la fuente VS y añadir en el campo de la

☺ El componente UA741 se encuentra en la carpeta Private de la

☺ Es necesario modificar los atributos del componente del

Ingeniería en Tecnologías de la Telecomunicación

--- Operating Point ---

Figura 3. Resultado de salida de LTspice para el análisis del punto de operación.

H) Calcular la potencia de disipación del OA.

I) El diagrama de Bode para obtener la respuesta en frecuencia se obtiene realizando un análisis

Grado en Ingeniería de Tecnologías de Telecomunicación

J) Determinar a partir de su diagrama de Bode los siguientes parámetros: f1 o frecuencia de

☺ La amplitud de VO se obtiene como VO=AV(lin)·Vi.