Ejercicios de Microondas (segundo parcial)

Eugenio Jiménez Yguácel

Laboratorio de Electrónica de Comunicaciones

Ejercicio 1
Sea un cuadripolo cargado a su entrada y salida con impedancias Zg y Zl (figura 1).
Calcule los coeficientes de reflexión ρin y ρout
Suponga ahora que las impedancias de generador y carga son iguales y del mismo valor que la
impedancia caracterı́stica Z0 .
Calcule de nuevo los coeficientes de reflexión ρin y ρout . Razone sobre el resultado obtenido.
|b2 |2 −|a2 |2
Calcule la ganancia de potencia definida como |a1 |2 −|b1 |2
¿ Es máxima la transferencia de
potencia ?
Considere ahora el caso unilateral (s12 = 0)
¿ Qué condiciones tienen que cumplir los parámetros s11 y s22 para que el dispositivo sea
incondicionalmente estable y adaptable mediante dos redes de entrada y salida pasivas,
lineales y sin pérdidas ?

¿ Cuánto vale la ganancia de potencia anteriormente definida si adaptamos entrada y

salida simultáneamente ?

ρout

Zg
[S]
Z0 Zl
Vg

ρin

Figura 1: Circuito del ejercicio 1.

Ejercicio 2
Un dispositivo ampliamente utilizado como conmutador en microondas es el diodo PIN. En un
modelo muy simplificado y cuando utilizamos la configuración paralelo, el diodo puede actuar
como una pequeña resistencia conectada a masa de valor Rf cuando se polariza en directa o
como una pequeña capacidad Cj cuando se polariza en inversa. De esta manera, el circuito
equivalente del diodo es el cuadripolo mostrado en la figura 2 donde la admitancia Y toma
el valor 1/Rf con el diodo en directa y jωCj con el diodo en inversa. Definimos las pérdidas
de transmisión como |s21 |2 . Cuando el diodo conduce estas pérdidas deben ser altas, refleja la
señal, y cuando está en inversa deben ser bajas, deja pasar la señal.
El diodo PIN modelo MMP7069 de la casa MicroMetrics tiene las siguientes caracteristicas:
Cj =.5 pF (V=-10V) Rf =0.7Ω (Id =100 mA).
Calcule el aislamiento, en decibelios, de dicho diodo para los estados de conducción y corte.
La impedancia de referencia, Z0 , es de 50Ω y la frecuencia de funcionamiento 10 GHz.
Una posible aplicación de un conmutador de este tipo es la realización de duplexores. Dichos
dispositivos permiten que una misma antena pueda servir para recibir y transmitir manteniendo
 Y

Figura 2: Modelo simple del diodo en configuración paralelo.

aisladas las etapas de emision y recepción. En la figura 3 se muestra un modelo simple de un

dispositivo de este tipo. Los acopladores son de tipo branch line ideales; 3dB y 90 grados. Los
conmutadores son diodos del mismo tipo que hemos estudiado antes (MMP7069)
Calcule la potencia que llega a la antena y al receptor procedente del transmisor cuando
los diodos conducen y cuando están en inversa. Calcule la potencia que llega de la antena al
transmisor y al receptor en las mismas circustancias (conducción y corte). Calcule tambien la
potencia que se disipa en la carga adaptada en cada uno de los casos anteriores.
Tx Rx

Ant 3 dB 3 dB
90o 90o

Figura 3: Modelo de duplexor.

Ejercicio 3
Sea un cuadripolo cargado a su entrada y salida con impedancias Zg y Zl (figura 4). Calcule
2 2
la ganancia de potencia definida como |b 2 | −|a2 |
|a1 |2 −|b1 |2
Considere ahora el caso unilateral (s12 = 0)
¿Cuánto vale, en función de los parámetros S, la ganancia de potencia anteriormente definida
si adaptamos entrada y salida simultáneamente?

ρout

Zg
[S]
Z0 Zl
Vg

ρin

Figura 4: Circuito del ejercicio 3.

Ejercicio 4
Sea un cuadripolo del que se conocen sus parámetros S medidos respecto a 50Ω. s11 = 0,2+0,1j,
s12 = 0, s21 = 4,0 y s22 = 0,1 Calcule la estabilidad y la posibilidad de adaptar simultáneamente
ambas puertas. Si fuera posible la adaptación, calcule las impedancias de máxima transferencia
|b2 |2 −|a2 |2
de potencia y la ganancia definida como |a 2
1 | −|b1 |
2

Ejercicio 5.
Obtenga los parámetros S de un cuadripolo constituido por una lı́nea ideal en λ/4 que adapta dos
lı́neas de impedancias caracterı́sticas Z01 y Z02 . Tenga en cuenta que en este caso las impedancias
de referencia en cada puerto son distintas.
Ejercicio 6
Se quiere transmitir una señal de 10 GHz usando una guı́a circular rellena de aire. Calcule
qué diámetro deberı́a tener de modo que la frecuencia de corte más baja sea un 20 % inferior a
la señal a transmitir. Si la guı́a tuviera que operar a 15 GHz ¿Qué modos se propagarı́an?

2
 pnl
Las frecuencias de corte de los modos TMnl son fc (T Mnl ) = √
2πa µ y las de los modos TEnl
p0nl
son fc (T Enl ) = √
2πa µ tomando pnl y p0nl los valores de la siguiente tabla

n pn1 pn2 pn3 p0n1 p0n2 p0n3

0 2.405 5.520 8.654 3.832 7.016 10.174
1 3.832 7.016 10.174 1.841 5.331 8.536
2 5.315 8.417 11.620 3.054 6.706 9.970

Ejercicio 7
Sea un cuadripolo formado por un transformador ideal de relación de espiras entre primario y
secundario de n : 1 Con las corrientes y tensiones definidas tal y como muestra la figura 5 las
realciones entre ellas son: V1 = nV2 e I2 = nI1 Calcule los parámetros S de dicho cuadripolo
respecto a una impedancia caracterı́stica Z0
I1 I2

V1 V2

n:1

Figura 5: Transformador.

Ejercicio 8
Un circuito muy utilizado en la práctica es el acoplador branch line cuya implementación en
tecnologı́a microstrip se muestra en la figura 6. Este hı́brido consta de cuatro tramos de lı́nea
de longitud λ/4 con los valores de impedancia caracterı́stica indicados. Su funcionamiento es el
siguiente. La señal que entra por la puerta 1 se divide a partes iguales entre las puertas 2 y 3 no
llegando nada a la puerta 4. Las señales en las puertas 2 y 3 tienen una diferencia de fase entre
ellas de 90 grados; esto es si tomamos como origen de fases (0 grados) la puerta 2, la fase de la
señal en la puerta 3 es de 90 grados. Suponga que las puertas 1 y 2 no tienen desfase entre sı́.
A partir de estos razonamientos y sabiendo que todas las puertas están adaptadas calcule los
parámetros s11 , s21 , s31 y s41 .

λ/4

1 Z0 2 2

Z0 λ/4 Z0

4 Z0 2 3

Figura 6: Hı́brido branch line.

Para fabricar un hı́brido de este tipo disponemos del substrato MC5 de la casa Glasteel
Industrial Laminates. La altura del substrato, h, es de 30 mils (1mil=0.0254mm) y su constante
dieléctrica, r , es de 3.26. Las ecuaciones de diseño que pueden utilizarse son.
Lı́nea estrecha: Z0 > (44 − 2r )Ω

−1 p
eH
   
w 1 2(r + 1) 1 r − 1
Z0 π 1 4
= − H H= + ln + ln
h 8 4e 119, 9 2 r + 1 2 r π
(  1/2   )2
r + 1 29, 98 2 r − 1 π 1 4
ef f = 1+ ln + ln
2 Z0 r + 1 r + 1 2 r π

3
Lı́nea ancha Z0 < (44 − 2r )Ω

59, 95π 2
 
w 2 r − 1 0, 517
= {(d − 1) − ln(2d − 1)} + ln(d − 1) + 0, 293 − d = √
h π πr r Z0 r
r
ef f =
0, 96 + r (0, 109 − 0, 004r ){log10 (10 + Z0 ) − 1}

Calcule las longitudes y anchuras de las lı́neas si la frecuencia de trabajo es de 10 GHz y

√
Z0 = 50Ω. Recuerde que λg = λ0 / ef f
Ejercicio 9
En una guı́a circular de radio a=3cm trabajando en el modo dominante TE11 a una frecuencia
de 3 GHz, se coloca un iris circular de diámetro d=1cm (figura 7). Dicho iris está centrado
en la guı́a y tiene un espesor que puede considerarse despreciable. A todos los efectos, el iris
puede considerarse como una admitancia en paralelo de valor jB, que, normalizada respecto a
la admitancia del modo dominante Y0T E11 tiene un valor

λg (2a)3 d3
 
B
= − 2, 344 M =
Y0T E11 4a 8, 4M 6

L L

d 2a

2a

Figura 7: Guia circular con iris inductivo.

Calcule la matriz de parámetros S referida a la impedancia del modo dominante situando

los puertos de referencia en el punto donde está localizado el iris. A partir de la matriz obtenida,
determinar los nuevos parámetros referidos a planos situados simétricamente a una distancia L
del iris.
s  2
√ fc λ η 1,84
β = ω µ 1 − λg = r ZT E = r fc (T E11 ) = √
f 
fc
 2 
fc
 2 2πa µ
1− f 1− f

Ejercicio 10
Sea el atenuador mostrado en la figura 8. El parámetro s21 calculado respecto a una impedancia
2Z Z
Z0 vale s21 = Z 2 +2Z Z +2Z0 Zp+2Z Z +Z 2 La atenuación de potencia que introduce el circuito es
0 p s 0 s 0 p s
α2 = |s21 |2 Calcule el valor de las impedancias Zp y Zs en función de α y Z0 si el circuito debe
tener la entrada y la salida adaptadas a Z0 (s11 = s22 = 0)

Zs Zs

Zp

Figura 8: Atenuador en T.

4
 Ejercicio 11
Un circuito muy utilizado cuando se necesitan grandes atenuaciones controlables de una manera
muy precisa es el atenuador de pistón (figura 9). El funcionamiento es como sigue: por medio
de un conector coaxial se inyecta señal en una cavidad. Dicha cavidad está acoplada a una guı́a
cilı́ndrica mediante un iris y tiene un poste dieléctrico variable que permite adaptar la transición
cavidad-guı́a. La guı́a, para el rango de frecuencias de funcionamiento, está siempre al corte
siendo la constante de propagación real y negativa. En estas condiciones, los campos sufren una
atenuación exponencial con la distancia. La guı́a está situada sobre una junta deslizante y se
mueve mediante un tornillo micrométrico. Por tanto, al variar la longitud del tramo de guı́a,
varı́a la atenuación.

Junta deslizante

Salida Entrada

Guia cilindrica al corte Cavidad

Figura 9: Atenuador de pistón.

1,84
Sabiendo que la frecuencia de corte del modo dominante en la guı́a es fc (T E11 ) = 2πa √
µ
obtenga la fórmula de la atenuación introducida (dB/m) en función de la frecuencia y el radio
de la guı́a (1 Nep/m=8.686 dB/m) Puede utlizar las fórmulas del ejercicio 9.
Ejercicio 12
Se ha medido un transistor a la frecuencia de 4 GHz montado sobre un circuito microstrip como
se muestra en la figura 10. Las lı́neas de entrada y salida tienen una longitud de 20 y 16 mm
respectivamente, una impedancia de 50Ω y una constante dieléctrica efectiva, ef f , de 1,5. Los
valores medidos sobre los planos de referencia de los conectores son para 50Ω los siguientes:
|S11 | = −4dB Arg(S11 ) = 80o |S12 | = −16dB Arg(S12 ) = −60o
|S21 | = +12dB Arg(S21 ) = 25o |S22 | = −10dB Arg(S22 ) = −10o
Determine los valores de los parámetros S medidos en los planos de referencia del transistor.

Planos de referencia originales

20 mm 16 mm

Nuevos planos de referencia

Figura 10: Amplificador en tecnologı́a microstrip.

Ejercicio 13
El circuito mostrado en la figura 11 es un dispositivo del que se quiere conocer su funcionamiento.
La matriz de los acopladores teniendo en cuenta la numeración de los puertos indicada es
 
0 1 j 0
1  1 0 0 j 
[S] = √  
2 j 0 0 1 
0 j 1 0

5
 ρl

Entrada Zl 1 2

4 3
Salida
Acop.
ρ Zl
l

Figura 11: Circuito del ejercicio 13.

Calcule la matriz S del conjunto. ¿Qué tipo de impedancias deberı́amos utilizar para con-
vertir este dispositivo en un amplificador?
Ejercicio 14
El circuito mostrado en la figura 12 es un amplificador balanceado. Los amplificadores son
idénticos, no están adaptados y conocemos sus parámetros S. La matriz de los acopladores
teniendo en cuenta la numeración de los puertos indicada es
 
0 1 j 0
1  1 0 0 j 
[S] = √  
2 j 0 0 1 
0 j 1 0

Carga

Entrada Amp. 1 2

Salida 4 3
Acop. Acop.
Carga
Amp.

Figura 12: Amplificador balanceado.

Calcule la matriz S del conjunto, compárela con la matriz S de uno de los amplificadores y
comente los resultados
Ejercicio 15
Sea un conjunto de cuadripolos conectados en cascada tal y como muestra la figura 13 y de los
que conocemos su matriz de parámetros S

ak bk+n+1

k k+1 k+n

bk a k+n+1

Figura 13: Cuadripolos en cascada.

Para calcular la matriz S del conjunto se utiliza un nuevo conjunto de parámetros, los T.

6
Dichos parámetros se definen a partir de los S.

t11 = s21 − s11

s12
s22 t12 = ss22
12
t21 = − ss11
12
t22 = s112
s11 = − tt21 s12 = t 1 s21 = t11 − t12 t21
t22 s22 = tt12
22 22 22

La ventaja de estos nuevos parámetros es que la matriz del conjunto se puede escribir como el
producto de las matrices de cada uno de los cuadripolos.
   
bk+n+1 ak
  = Tk+n Tk+n−1 · · · Tk  
ak+n+1 bk

Utilizando estos parámetros, queremos calcular la matriz de parámetros S del circuito mos-
trado en la figura 14

L L

Figura 14: Circuito del tercer ejercicio.

Calcule primero los parámetros S de un tramo de lı́nea de transmisión de longitud L y

los del stub en abierto (considérelo como una admitancia en paralelo). Una vez que tenga
dichos parámetros, calcule los parametros T de cada uno de los tres cuadripolos, la matriz T
del conjunto y la matriz S del conjunto. Compare los resultados con los obtenidos utilizando
las matrices de desplazamiento de puertos. Calcule directamente (a partir de su definición) el
parámetro s11 del conjunto.
Ejercicio 16
En el dibujo de la figura 15 se muestra un desfasador construido mediante diodos PIN usando
tecnologı́a microtira. Los diodos funcionan como conmutadores pudiendo poner en paralelo con
el tramo de lı́nea las dos admitancias cuyo valor normalizado es B. Cuando estén polarizados
en directa supondremos que los diodos actuan como un corto y cuando estén en inversa como
un abierto.

DC

λg/4 Polarización
λg/4

λg/4

Y=jB Y=jB

Figura 15: Desfasador con diodos PIN.

7
 Calcule los parámetros S del circuito con los diodos polarizados en directa y en inversa.
Utilice como impedancia de normalización la de la lı́nea en la que están conectados los
diodos. ¿ Qué desfase introduce el circuito ?
Nota: El circuito de polarización no afecta a la hora de calcular los parámetros S
Ejercicio 17
Sea un cuadripolo pasivo y sin pérdidas cuya matriz de parámetros S medidos respecto a Z0 es
 
a exp(jφ1 ) b exp(jφ2 )
 
c exp(jφ3 ) d exp(jφ4 )

donde a, b, c y d son números reales cuyo valor absoluto es menor o igual que uno.
Teniendo en cuenta que la matriz de un dispositivo de ese tipo es unitaria, [S]h [S] = [I] y
[S][S]h = [I] siendo [S]h la traspuesta conjugada e [I] la matriz unidad, demuestre que la matriz
del cuadripolo se puede escribir como
 
cos τ exp(jφ1 ) sin τ exp(jφ2 )
 
sin τ exp(jφ3 ) − cos τ exp(j(φ2 − φ1 + φ3 ))

siendo a = cos τ y b = sin τ .

Si el cuadripolo además es recı́proco, s12 = s21 , justifique por qué la matriz se puede escribir
como  
cos τ sin τ exp(jφ2 )
 
sin τ exp(jφ2 ) − cos τ exp(2jφ2 )
Haciendo uso de la propiedad anterior, demuestre que si cargamos el cuadripolo a la salida
de manera que haya máxima transferencia de potencia en la salida, el coeficiente de reflexión a
la entrada es nulo, ρin = 0 si la impedancia del generador es Z0

ρout

Z0
[S]
Z0 Zl
Vg

ρin

Figura 16: Cuadripolo del ejercicio 17.

Ejercicio 18
La figura 17 es un conmmutador realizado con tecnologı́a micrstrip y diodos PIN. El diodo
PIN, cuando está polarizado en directa, se comporta como una pequeña resistencia de valor Rf .
Cuando se polariza en inversa, se comporta como un condensador de valor Cj .
Definimos el aislamiento como −10 log |s21 |2 cuando el diodo está en directa; conmutador
en OFF y definimos las pérdidas de inserción de la misma manera pero cuendo el diodo está en
inversa; conmutador en ON. La impedancia de normalización Z0 es la misma en los dos puertos
e igual a la de la lı́nea de longitud λ/4.
Calcule el aislamiento y las pérdidas de inserción del conmutador.

8
 DC

λg/4 Polarización
λg/4

In Out

λg/4

Figura 17: Conmutador con diodo PIN paralelo.

Ejercicio 19
Una posible técnica de estabilización es el padding. Dicha técnica consiste en añadir una resis-
tencia en serie o en paralelo en alguno de los puertos (o en los dos) del dispositivo que se quiere
estabilizar (figura 18)

[S] R
1 Z0 2

Figura 18: Estabilización mediante padding

Calcule los nuevos valores de los parámetros s11 y s22 del conjunto.
Ejercicio 20
Sea el circuito mostrado en la figura 19

C C

Figura 19: Transformador el λ/4 discreto

Dicho circuito se suele usar para sustituir un tramo de lı́nea de longitud eléctrica λ/4 a la
frecuencia f0 e impedancia caracterı́stica Z0 . Demuestre que esto es ası́ cuando los valores de
Z0
la bobina y el condensador son L = 2πf 0
y C = 2πf10 Z0 . Esto es; demuestre que una impedancia
cualquiera Z puesta en uno de los dos puertos, aparece en el otro reflejada como Z02 /Z y calcule
los parámetros S respecto a Z0

9
 Ejercicio 21
Un dispositivo ampliamente utilizado como atenuador en microondas es el diodo PIN. En un
modelo muy simplificado y utilizando la configuración serie, el diodo puede funciona como una
resistencia de valor Rf cuando se polariza en directa. El valor de esta resistencia se puede variar
modificando el punto de polarización del diodo; la corriente que lo atraviesa.
En la figura 20 se muestra un modelo simple de un atenuador de este tipo. El acoplador es
un branch line ideal; 3dB y 90 grados. Los diodos son PIN y la matriz S del hı́brido definida
respecto a la impedancia Z0 es
 
0 1 j 0
 
1 0 0 j 
 
1 
[S] = √   
2 j 0 0 1  
 
0 j 1 0

Entrada
Z0
1 2
Polarización
4 3

Salida
Z0

Figura 20: Atenuador a diodos PIN

Calcule la matriz de parámetros S del diodo PIN considerándolo como un cuadripolo

formado por una impedancia serie (0.5 pt.)
Calcule la relación entre la potencia de entrada y la de salida en función de la Rf del diodo
y la impedancia de carga Z0 . Los condensadores son bloqueos de contı́nua o desacoplos
de alimentación y las bobinas son bloqueos de RF. No influyen en el modelo simplificado;
las bobinas se comportan como abiertos y los condensadores como cortos (2.0 pt.)
Ejercicio 22
En la figura 21 se puede ver un modelo muy simplificado de un amplificador con FET y reali-
mentación de fuente.
Calcule la matriz de parámetros S del amplificador respecto a la impedancia de referencia
Z0 (1 pt.)
1 2
D 2
1 G
S Vg gmVg
Z0
Z0

Figura 21: Amplificador con FET

Consideremos ahora el transistor como un multipolo de tres puertos tal y como muestra la
figura 22. En esas condiciones, la correspondencia entre los parámetros S del transistor y los del
amplificador con realimentación de fuente es la siguiente:
Los restantes parámetros del transistor se pueden calcular sabiendo que la suma de culaquier
columna y de cualquier fila es la unidad. Esto es:
i=3
X
sij = 1 j = 1 . . . 3
i=1
i=3
X
sji = 1 j = 1 . . . 3
i=1

10
 Amplificador Transistor
s11 s11
s12 s13
s21 s31
s22 s33

D
G
S
1 2 3

Z0 Z0 Z0

Figura 22: FET como multipolo de tres puertos

Calcule la matriz de parámetros S del transistor respecto a la impedancia de referencia

Z0 . Si no hubiera resulto el primer apartado del ejercicio, exprese el resultado en función
de los parámetros S del amplificador de forma genérica (sa11 ,sa12 ,sa21 ,sa22 ) (1.5 pt.)
Sea ahora un multipolo al que en su puerto k se le ha conectado un dipolo que introduce un
coeficiente de reflexión ρk (figura 23). En esas condiciones, los parámetros S del nuevo multipolo,
que tiene un puerto menos que el original, son
sik skj ρk
sTij = sij +
1 − skk ρk

1 j
3 2
2 D S
ρk
k G 1
i

Figura 23: Conexión multipolo con dipolo

Calcule los parámetros S de un amplificador en configuración de puerta común (figura 23)

utilizando la propiedad enunciada. Si no hubiera resuelto el segundo apartado del ejercicio,
exprese el resultado en función de los parámetros S del transistor de forma genérica (stij i =
1 . . . 3 j = 1 . . . 3) (1.5 pt.)

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