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    Informe Previo 1 EE422M

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    Oscar Hernan Herrera Janampa
    Este documento describe el diseño, simulación e implementación de un amplificador de 2 etapas. Explica las ecuaciones que rigen el comportamiento de los transistores BJT y presenta los diagramas de Bode obtenidos de la simulación, que muestran que el amplificador cumple con los parámetros de diseño requeridos como una ganancia de aproximadamente 350 a frecuencias medias y una respuesta en frecuencia entre 100Hz y 5kHz.

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    Oscar Hernan Herrera Janampa
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    Este documento describe el diseño, simulación e implementación de un amplificador de 2 etapas. Explica las ecuaciones que rigen el comportamiento de los transistores BJT y presenta los diagramas de Bode obtenidos de la simulación, que muestran que el amplificador cumple con los parámetros de diseño requeridos como una ganancia de aproximadamente 350 a frecuencias medias y una respuesta en frecuencia entre 100Hz y 5kHz.

    Descripción original:

    Amplificador multietapa

    Título original

    Informe previo 1 EE422M

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    Este documento describe el diseño, simulación e implementación de un amplificador de 2 etapas. Explica las ecuaciones que rigen el comportamiento de los transistores BJT y presenta los diagramas de Bode obtenidos de la simulación, que muestran que el amplificador cumple con los parámetros de diseño requeridos como una ganancia de aproximadamente 350 a frecuencias medias y una respuesta en frecuencia entre 100Hz y 5kHz.

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    Este documento describe el diseño, simulación e implementación de un amplificador de 2 etapas. Explica las ecuaciones que rigen el comportamiento de los transistores BJT y presenta los diagramas de Bode obtenidos de la simulación, que muestran que el amplificador cumple con los parámetros de diseño requeridos como una ganancia de aproximadamente 350 a frecuencias medias y una respuesta en frecuencia entre 100Hz y 5kHz.

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    LABORATORIO DE ELECTRÓNICA II (EE-442M)

    FIEE-UNI: Ciclo académico: 2019-1


    INFORME PREVIO N°1: Amplificador Multietapa
    Herrera Janampa, Oscar Hernán
    20160110C
    [email protected]
    [email protected]

    Resumen—En esta experiencia de laboratorio analizaremos


    (Vbb1 − VBE ) + Rb1 ∗ Icbo
    IE1 = (4)
    un amplificador de 2 etapas para analizar una señal de baja Rb1 ∗ (1 − α) + Re1
    amplitud (mV) y baja frecuencia y ası́ poder comparar los
    resultados con la simulación realizada. Realizamos los mismos calculos en el transistor Q2(ver
    Objetivo— Diseñar. simular, implementar y analizar, la ganan- Figura 1).
    cia y respuesta en frecuencia de un amplificador lineal
    Vbb2 = VBE + Re2 ∗ Ie2 (5)
    I. I NTRODUCCI ÓN
    Las señales de salida de los transductores o sensores son Ic2 − Icbo
    débiles (dentro del rango de los microvoltios (µV ) o los Re1 ∗ Ie1 = VBE + Re2 ∗ ( ) (6)
    α
    milivoltios (mV )) y poseen una cantidad de energı́a muy
    pequeña. Por lo general, estas señales son de magnitud muy −α ∗ VBE α ∗ Re1 (Vbb1 − VBE ) + Rb1 ∗ Icbo
    IC2 (VBE , ICBO ) = +( )∗ + Icbo
    pequeña para ser procesadas de manera confiable para realizar Re2 Re2 Rb1 ∗ (1 − α) + Re1
    (7)
    cualquier función útil. El procesamiento de las señales es
    Derivando respecto a la temperatura y reemplazando los
    mucho mas fácil si la magnitud de la señal es grande (en
    valores (ver Figura 1), obtenemos:
    el rango de los voltios) [1].
    Por lo tanto un amplificador incrementa la intensidad de una dIc2
    señal para su mejor análisis. = 8,9 ∗ 10−18 ∗ e0,07T − 1,9 ∗ 10−6 (8)
    dT
    II. I NFORME P REVIO
    3. Fundamente las razones por los que se diseña la ganancia
    1. Detallar las condiciones para los que un BJT y/o FET y otros parámetros de un amplificador independiente del hf e ,
    puede operar en baja frecuencia hie , etc, del BJT por ejemplo.
    Para que un BJT o FET opere a frecuencias bajas debe
    cumplir ciertas condiciones: Es conveniente que, al realizar el diseño de un circuito
    amplificador, la función de ganancia no sea dependiente de
    Estos dispositivos deben trabajar en su zona lineal, es
    términos como hfe, hie, etc., ya que estos términos son varia-
    decir que deben estar correctamente polarizados.
    bles ante los cambios de temperatura, en un momento dado
    La temperatura de los dispositivos debe mantenerse prac-
    podemos obtener una buena (representativa) amplificación y
    ticamente constante, para evitar distorsiones en la señal
    luego resultados que difieren de los calculados teóricamente.
    de salida.
    Es mejor que términos como la ganancia sean funciones de-
    2. Para la primera etapa Q1 − Q2 del circuito en estudio, pendientes de los valores de los componentes del cicuito, para
    escriba la ecuación dIc2 /dT , tal que Ic2 = f (ICBo , VBE ) y obtener resultados fiables, asumiendo que estos componentes
    considerando que los BJT son de silicio. varian muy poco con la temperatura.
    Además uno de los parámetros para diseñar un amplificador,
    Del transistor Q1 se obtienen las siguientes ecuaciones (ver
    es tener en cuenta la carga con la que se va a trabajar.
    Figura 1):
    4. Diseñe el circuito amplificador ARGOS 1 bajo las
    VbQ1 = Rb ∗Ib +VBEQ1 +Re ∗IeQ1 IC1 = ICBO +α∗Ie1 (1) siguientes premisas: :
    − Fuente de Operación DC 12V
    IC1 = ICBO + α ∗ Ie1 (2) − Elementos Activos 2N2222A o similar
    − Señal de prueba 1 KHz 10mV con resistencia 10KΩ
    De las ecuaciones (1) y (2) obtenemos: − Corrientes ICQ mayor o igual a 1mA
    α ∗ (Vbb1 − VBE ) + (Rb1 + Re1 ) ∗ Icbo − Frecuencia de Corte f i = 100Hz y f s = 5KHz
    IC1 = (3) − Ganancia a frecuencias medias 350 (aprox.)
    Rb1 ∗ (1 − α) + Re1
    6. Comprobar que las junturas Base-Emisor trabajan en el
    régimen lineal y de mı́nima distorsión armónica, basado en
    los diagramas de bode del circuito ARGOS 1 obtenidos de la
    simulación.

    Del análisis en DC se obtuvo lo siguiente:

    Q1 Q2 Q3 Q4
    VBE 0.655V 0.664V 0.664V 0.671V
    Cuadro II
    Figura 1. Amplificador ARGOS I. P OLARIZACI ÓN DE LOS TRANSISTORES

    5. Simular el circuito y grafique los principales parámetros


    del amplificador.
    7. Presente los diagramas de bode obtenidos de la simuación.

    V2/V1

    Figura 2. Diagrama de Amplitud del amplificador

    Figura 5. Diagrama de Bode (Ganancia)

    Figura 3. Diagrama de Fase del amplificador

    Ganancia Fase
    Frecuencia de corte inferior 101.843 Hz 48.233db 95.111°
    Frecuencia de corte superior 4.924KHz 48.199db -50.384° Figura 6. Diagrama de Bode (Fase)
    Cuadro I
    PAR ÁMETROS DEL AMPLIFICADOR
    V6/V1

    Figura 4. Respuesta transitoria del Amplificador Figura 7. Diagrama de Bode (Ganancia)


    Figura 8. Diagrama de Bode (Fase) Figura 12. Diagrama de Bode (Fase)

    V7/V6 V12/V9

    Figura 9. Diagrama de Bode (Ganancia) Figura 13. Diagrama de Bode (Ganancia)

    Figura 10. Diagrama de Bode (Fase) Figura 14. Diagrama de Bode (Fase)

    V9/V1 V15/V12

    Figura 11. Diagrama de Bode (Ganancia) Figura 15. Diagrama de Bode (Ganancia)
    Figura 16. Diagrama de Bode (Fase) Figura 20. Diagrama de Fase del amplificador

    R EFERENCIAS
    V16/V12 [1] Rashid, Muhammad H, “Circuitos Microelectrónicos”, México D.F.
    Internacional Thomson Editores , 2000.

    Figura 17. Diagrama de Bode (Ganancia)

    Figura 18. Diagrama de Bode (Fase)

    V16/V1

    Figura 19. Diagrama de Amplitud del amplificador

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