Defectos de Las Estructuras Cristalinas

DEFECTOS DE LAS
ESTRUCTURAS CRISTALINAS
Describir los distintos tipos de
imperfecciones en la red cristalina y por qué
las aleaciones se prefieren sobre los metales
puros para aplicaciones estructurales
IMPERFECCIONES DE LA RED
CRISTALINA
Los cristales perfectos no existen. En 1 𝑚3 de un
metal con una pureza de 99,9999% contiene del
orden de 1022 a 1023 átomos de impurezas.
Muchas propiedades son sensibles a las
imperfecciones, y no siempre estas son
negativas:
DEFECTOS DE LA ESTRUCTURA
CRISTALINA
Son imperfecciones o desviaciones en relación a
los arreglos atómicos perfectos e ideales y pueden
ser de 4 tipos:
(a) Defectos puntuales (vacancias, átomos

intersticiales y átomos sustitucionales);
(b) Defectos lineales (dislocaciones, maclas)
(c) Defectos superficiales (limites de grano)
(d) Defectos volumétricos (rechupes, poros,
inclusiones, grietas)
DEFECTOS PUNTUALES
Las vacancias son espacios vacíos de la red,
Para calcular la cantidad de vacancias se utiliza
la ecuación de ARRHENIUS
𝑛𝑣 = n exp (- Q)/RT)
Los átomos intersticiales son átomos de
menor tamaño que los átomos originales y se
sitúan en los “huecos” de la red tridimensional.
Los átomos sustitucionales sustituyen
átomos originales de la red tridimensional. Son
distintos del átomo “anfitrión”, ocupando sus
posiciones en la red
ÁTOMOS INTERSTICIALES EN LAS CELDAS
UNITARIAS CÚBICAS BCC Y FCC
ATOMOS INTERSTICIALES EN
CELDA UNITARIA BCC
Los átomos intersticiales octaédricos se
sitúan en: (a) los centros de las caras y
equivalentes, (b) centro de las aristas y
equivalentes, hay un total de 6
intersticios octaédricos por celda. En un
intersticio octaédrico puede alojarse un
átomo con un radio máximo igual a
0.155 r (sin distorsionar la red).
ÁTOMOS INTERSTICIALES OCTAÉDRICOS
DE LA ESTRUCTURA BCC
ÁTOMOS INTERSTICIALES TETRAÉDRICOS
EN CELDA UNITARIA BCC
Los átomos intersticiales
tetraédricos se sitúan en las caras
del cubo. Hay un total de 12
intersticios tetraédricos por celda
unitaria. Estos huecos pueden alojar,
sin distorsión de la red, un átomo con
un radio máximo igual a 0.291 r. En la
estructura BCC, los huecos intersticiales
tetraédricos son mayores que los
huecos intersticiales octaédricos.
INTERSTICIOS TETRAÉDRICOS DE LA
ESTRUCTURA BCC
INTERSTICIOS OCTAÉDRICOS EN
CELDA UNITARIA FCC
Los intersticios octaédricos se encuentran en
el centro del cubo y en el punto medio
de cada una de las aristas de la celda
unitaria. Hay un total de 4 intersticios
octaédricos por celda: 1 (en el centro del
cubo) + 3 (en mitad de las aristas. El radio
máximo de un átomo que pudiera alojarse
en el interior de estos intersticios es de
0.414 r.
INTERSTICIOS OCTAÉDRICOS DE LA
ESTRUCTURA FCC
ÁTOMOS INTERSTICIALES TETRAÉDRICOS
EN CELDA UNITARIA FCC
Se sitúan en los centros de los ocho cubitos en
que se puede dividir la celda unitaria, o sea, en la
posición (1/4,1/4,1/4) y equivalentes. Hay un
total de 8 intersticios tetraédricos por celda
unitaria y cada hueco puede albergar un átomo
extraño de radio máximo igual a 0.225 r. Así
pues, para la estructura FCC, a diferencia de la
BCC, los huecos mayores son los octaédricos y no
los tetraédricos.
INTERSTICIOS TETRAÉDRICOS DE LA
ESTRUCTURA FCC
CUADRO RESUMEN DE LOS
INTERSTICIALES
FORMACIÓN DE ALEACIONES
Cuando todos los átomos que se añaden del
metal “invitado” son capaces de incorporarse a
la red anfitriona la aleación es monofásica.
Las aleaciones multifásicas son disoluciones
sólidas en las que cuando hay más cantidad de
átomos sustitucionales de los que la red
anfitriona es capaz de acomodar, se forma una
(o varias) nueva fase.
REGLAS DE SOLUBILIDAD SÓLIDA DE
HUME-ROTHERY.
1. El tamaño de los átomos de cada uno de los dos
elementos no debe diferir en más de 15 por ciento.
2. Los elementos no deben formar compuestos
entre sí, esto es, no debe haber una diferencia
apreciable en las electronegatividades de los dos
elementos.
3. La estructura cristalina de cada elemento de la
solución sólida debe ser la misma.
4. Los elementos deben tener la misma valencia
ESQUEMA DE ÁTOMOS
SUSTITUCIONALES EN UNA ALEACIÓN
MORFOLOGÍA DE FASES SECUNDARIAS EN
UN BRONCE AL ESTAÑO
VACANCIAS, INTERSTICIALES Y
SUSTITUCIONALES Y DEFECTOS IÓNICOS
FRENKEL Y SCHOTTKY
DEFECTOS IONICOS: FRENKEL
Y SCHOTTKY
• El defecto de Frenkel es un tipo de defecto
puntual en sólidos en el que un ion se desplaza
de su posición en la red a un sitio intersticial,
creando una vacante en el sitio original.
• El defecto Schottky es típico de los materiales
cerámicos, pues es un defecto que aparece para
mantener la electro neutralidad del material. Se
generan vacantes de iones de signo contrario con
el fin de mantener una carga total neutra. Cada
vacante es un defecto de Schottky por separado.
DEFECTOS LINEALES
(DISLOCACIONES)
Los defectos lineales o dislocaciones en los sólidos
cristalinos provocan una distorsión de la red centrada en
torno a una línea. Las dislocaciones se crean durante la
solidificación de los sólidos cristalinos. También se forman
en la deformación plástica, por la multiplicación y
cruzamiento de las dislocaciones o por el desajuste
atómico en las disoluciones sólidas.
Las dislocaciones pueden ser de tres tipos:
(a) Dislocación en cuña o de borde.
(b) Dislocación helicoidal o de tornillo
(c) Dislocación mixta (cuña y tornillo)
REPRESENTACIÓN DE UNA
DISLOCACIÓN EN CUÑA
DISLOCACIÓN HELICOIDAL O DE
TORNILLO
REPRESENTACIÓN DE UNA DISLOCACIÓN
HELICOIDAL
DISLOCACIÓN MIXTA (CUÑA Y
TORNILLO)
DESLIZAMIENTO DE DISLOCACIONES POR
UN ESFUERZO MECÁNICO
DIRECCIONES DE DESLIZAMIENTO
PRINCIPALES SISTEMAS DE DESLIZAMIENTO DE LOS
METALES
FORMACIÓN DE CRISTALES
CRECIMIENTO DE CRISTALES
DEFECTOS SUPERFICIALES
Los defectos superficiales o planares incluyen

límites entre dos regiones con iguales estructuras
cristalinas y con diferentes orientaciones
cristalográficas , tales como:
límites de grano
maclas
bordes de ángulo pequeño (cerrado)
bordes de ángulo grande (abierto)
LIMITES DE GRANO
Son imperfecciones bidimensionales que

separan los cristales (granos) de un material poli
cristalino en regiones, que tienen la misma
estructura cristalina, pero con diferente
orientación cristalina. Estos defectos detienen el
movimiento de las dislocaciones, aumentando
la resistencia del material, pero disminuyendo
su ductilidad)
CRECIMIENTO DE CRISTALES PARA
FORMAR LOS GRANOS
MACLAS
Es un defecto que generado por un plano que separa dos partes
de un mismo grano, quedando cada parte con una pequeña
diferencia de orientación, formando imágenes especulares con
respecto al plano de macla. Las maclas se pueden formar
durante la deformación plástica o durante el tratamiento
térmico.
Las maclas son un tipo especial de límite de grano. En un límite
de macla existe una simetría especular de los granos que separa,
tal como indica el esquema de la proxima figura
MACLAS EN UN LATÓN
MACLAS EN ACERO INOXIDABLE AISI 316
DEFECTOS TRIDIMENSIONALES O DE
VOLUMEN
Los defectos tridimensionales o volumétricos, se forman cuando un
grupo de átomos o de defectos puntuales se unen para formar un
vacío tridimensional (grieta o porosidad). O un grupo de átomos de
alguna impureza puede unirse para formar un precipitado
tridimensional (inclusiones).
DEFECTOS DE POROSIDAD EN
FUNDICIÓN
INCLUSIÓN NO METÁLICA EN ACERO
FUNDICIÓN
SOLDADURA
MACROGRAFÍA DE UN CORDON DE
SOLDADURA
PIEZA CON GRIETAS Y POROS
EJERCICIO PROPUESTO
(a) Se desea conocer la cantidad de vacancias por centímetro cubico

que existe a temperatura ambiente (25°C) en el cobre. Se sabe que el
cobre tiene una estructura FCC.
(b) Se desea aumentar 1000 veces la cantidad de vacancias que se
tiene a temperatura ambiente, se pide determinar la temperatura en
que se da ese aumento. Se conoce que la energía para producir un mol
de vacancias en el cobre es de 20,000 Kcal/mol y que el parámetro de
red 𝑎𝑜 = 0.36151 nm.
• Utilice la ecuación de ARRHENIUS 𝑛𝑣 = n exp (- Q)/RT)

• 𝑛𝑣 =cantidad de vacancias por centímetro cubico
• n=cantidad de átomos por centímetro cubico, R (constante de los
gases 1.987 cal/mol o 8.314 j/mol) y T (temperatura absoluta)

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DEFECTOS DE LAS

(a) Defectos puntuales (vacancias, átomos

Los defectos superficiales o planares incluyen

Son imperfecciones bidimensionales que

(a) Se desea conocer la cantidad de vacancias por centímetro cubico

• Utilice la ecuación de ARRHENIUS 𝑛𝑣 = n exp (- Q)/RT)

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