Práctica I

Características y Circuitos con

Diodos
1.- Dado el siguiente circuito (el diodo es de germanio):
D1

V1 R1
10V 100kΩ

Calcular:
a) La tensión sobre el diodo
b) La corriente que circula en la red
c) La resistencia interna del diodo.
d) ¿El diodo esta polarizado en directa?
2.- Dos diodos p-n de germanio se conectan en serie y en oposición. Se aplica una
batería de 5V al conjunto. Calcular la tensión en bornes de cada diodo, a una
temperatura ambiente. Suponer que la magnitud de la tensión Zener es superior a 5V.
Obsérvese que el resultado es independiente de la corriente inversa de saturación. ¿Es
también independiente de la temperatura?
(Sugerencia: Suponer que circula por el circuito la corriente inversa de saturación y
justificar posteriormente esta suposición.)
Si la magnitud de la tensión Zener es 4,9V, ¿Cuál será la corriente en el circuito? La
corriente inversa de saturación es 5uA.
D1 D2

V1

5V

1
 Práctica I
3.- Los dos diodos pueden representarse por una característica tensión corriente
linealizada, con una resistencia incremental 𝑟 y una tensión umbral 𝑉𝛾 . El diodo D1 es
de Ge con 𝑉𝛾 = 0,2 𝑉 y 𝑟 = 20Ω, mientras que D2 es de Si con 𝑉𝛾 = 0,6 𝑉 y 𝑟 = 15Ω.
Calcular las corrientes que circulan por ambos si: a) 𝑅 = 10𝑘Ω, b) 𝑅 = 1𝑘Ω.
R1

R
D1 D2
V1
100V

4.- La característica del diodo de la figura esta descrita por:

𝑖𝐷 = 𝐾𝑣𝐷 2 = 5𝑥10−4 𝑣𝐷 2 𝑖𝐷 (𝐴) 𝑦 𝑣𝐷 (𝑉 )

Determine: a) los valores de 𝑉𝐷 , 𝐼𝐷 en el punto Q (o punto de operación), b) La
resistencia de ca de pequeña señal 𝑟𝐷 y c) El voltaje de salida rms Vo rms.

5.- Dada la gráfica de la relación I ( mA) vs e ( volt ), determinar un circuito lineal por
tramos en base a diodos. Si introduce una señal de onda sinusoidal de 10 sen wt.
Determinar la tensión de salida sobre una carga de 10 K ohms, w= 100 krad/seg.

2
 Práctica I

6.- Determine Vo y dibuje en la red de la figura para la entrada indicada, diodo ideal.

7.- Determine la forma de la onda de salida para la red de la figura y calcule el nivel
de salida de dc y el PIV requerido para cada diodo.

8.- En el circuito de la figura, analizar la forma de onda de la tensión de salida 𝑉𝑜

cuando la tensión de entrada es una señal triangular simétrica de valor 10Vpp. Diodo
Zener: Vz = 2V, el diodo Zener y el diodo D1 son ideales.

3
 Práctica I
V1= 2V; V2=3V
R1 = R2 = 1K Ohms
ZENER D1

+ R1 R2
Vi Vo
- + +
V1 V2

9.- El circuito mostrado es un doblador de tensión de media onda. Analizar el

funcionamiento de este circuito. Calcular: a) La tensión máxima posible en bornes de cada
condensador, b) la tensión inversa de pico de cada diodo. En este circuito la tensión de
salida es negativa respecto a tierra. Demostrar que, si se intercambian las conexiones de
cátodo y ánodo de cada diodo, la tensión de salida será positiva respecto a tierra.

-
D2

SALIDA
C1 C2

D1

ENTRADA +

10.- El diodo Zener puede utilizarse para eliminar sobrecargas, que pudieran afectar a un
medidor, sin variar su linealidad. El circuito mostrado representa un voltímetro de corriente
continua que mide 20V a fondo escala. La resistencia del medidor es 560Ω, y 𝑅1 + 𝑅2 =
99,5𝑘 Si el diodo es un zener de 16V, Calcular: 𝑅1 Y 𝑅2 de forma que, cuando 𝑉𝑖 > 20𝑉, el
diodo Zener conduzca y la corriente de sobrecarga no circule por el aparato.

4
 Práctica I
R1 R2

+ Rm
D 560Ω

Vi

A 200uA
- Fondo Escala

11.- a) Un diodo de avalancha regula a 50V un margen de corriente por el diodo de 5 a

40mA. La tensión de alimentación V=200V. Calcular R para que exista regulación de
tensión desde una corriente de carga IL=0 hasta Imax valor máximo posible de IL. ¿Cuánto
vale Imax?
b) Si R es la de la parte a) y la corriente de carga vale IL=25mA, ¿Cuáles son los límites
entre los cuales puede variar V sin que el circuito deje de regular?
R

D
V Vo RL

12.- El voltaje de entrada 𝑣𝑠 al circuito de fijación de la figura es un voltaje senoidal 𝑣𝑠 =

30𝑠𝑒𝑛(2000𝜋𝑡). La corriente pico del diodo ID(pico) se tiene que limitar a 0,5A. Suponga
que: 𝐸1 = 5𝑉 y que se conecta a una resistencia limitadora Rs en serie con C.
Diseñe el circuito de fijación determinando el voltaje pico inverso PIV del diodo y los
valores de Rs, R y C.
Rs C

+ +
D

R
Vs Vo

E1

- -
13.- Determine el valor del capacitor necesario para proporcionar filtrado en el circuito de
la figura de modo que el voltaje no disminuya por debajo de 12V. Suponga que 𝑅𝑓 = 0 y
que 𝑉𝑂𝑁 = 0,7 𝑉. Dibuje la forma de onda de salida.

5
 Práctica I
Ri
+ +

D3

Vs Vo
RL
Rz

-
-
14.- Dado el siguiente circuito:
Si 𝑉𝑖 = 15𝑠𝑒𝑛(𝜔𝑡), 𝐷1 = 𝐷2 = 𝐷3 = 𝐷4, con 𝑟𝑓 = 100Ω, 𝑉𝑑 = 0,7𝑉, 𝑓 = 50𝐻𝑧, 𝑅1 =
1𝑘Ω.
a) Considerar S abierto. En estas condiciones Dibujar la forma de onda en el punto ¨a¨
considerar 𝐶 = 100𝜇𝐹. Hallar VCC, ICC sobre R1 (Que simularía la carga) y IDmax de cada
diodo.
b) Considerar S cerrado. Determinar los valores de R y Vz del diodo Dz, considerando 𝑉𝑎 =
𝑉𝑐𝑐 ± 20%𝑉𝑐𝑐 (Vcc es el valor obtenido del inciso a)) con el objeto de mantener en la
carga 7V y una variación de corriente de 0 a 200mA. Determinar asi mismo Pzmax.
D1
T1 BRIDGE
a R
S b
Vi

R1
+

C D2 RL
ZENER

15.- Un circuito integrado requiere voltajes positivo y negativo para su operación.

Empleando el circuito que se muestra en la figura, determine la relación de vueltas de
transformador y el tamaño del capacitor que se necesita para obtener un máximo de 14V
y un mínimo de 12V en la salida, cuando el voltaje de entrada es 120 Vrms a 60Hz,
VON=0,7V en cada diodo y Rf=0. Ignore las pérdidas del transformador.

6
 Práctica I

T D4

120 Vrms
60Hz +
a:1 C1
100Ω Vo
-
+
C2
100Ω Vo
-

7
 Práctica II
Características del Transistor y
sus Aplicaciones
1.- Defina:
a) Transistor Bipolar y explicar que tipos existen.
b) Transistor Unipolar y explicar que tipos existen.
c) Transistor de efecto de campo de unión JFET.
d) MOSFET de inducción.
e) MOSFET de deflexión.

2.- Para los circuitos de la figura, detalle a qué tipo de polarización corresponden, y
plantee sus ecuaciones de polarización.

3.- Si 𝛼 = 0,98 y 𝑉𝐵𝐸 = 0,6 𝑉, Calcular R1 en el circuito de la figura para que la

corriente de emisor sea 2mA. Despreciar la corriente inversa de saturación. Calcular
el factor de estabilidad SIco Vcc
12V

RC
3.3kΩ

R1

Q1

R2
20kΩ RE
100Ω

1
 Práctica II
4.- Un transistor de Si NPN se utiliza en el circuito autopolarizado de la figura. Los
valores de los componentes son: 𝑉𝐶𝐶 = 4,5𝑉, 𝑅𝐶 = 1,5𝑘, 𝑅𝐸 = 0,27𝑘, 𝑅2 = 2,7 𝑘, 𝑅1 =
27𝑘. Si 𝛽 = 44, calcular:
Vcc
-4.5V
a) Punto de reposo Q
b) El factor de estabilidad SIco
c) Dibujar la recta de carga. R1 RC

Q1

R2 RE

5.- Para el circuito a transistores con dos baterías presentado, probar que el factor de
estabilidad está dado por:
1+𝛽
𝑆𝐼𝑐𝑜 =
𝛽𝑅
1 + 𝑅 +𝐸𝑅
𝐸 𝐵

Q1

RC
RE
RB

V1 V2

Vcc
6.- En el circuito mostrado, 𝑉𝐶𝐶 = 24𝑉, 𝑅𝐶 = 10𝑘, 𝑅𝐸 =
270Ω, si se utiliza transistor de Si con 𝛽 = 45, y en Reposo
𝑉𝐶𝐸 = 5 𝑉. Calcular: RC

R
a) R, b) El factor de estabilidad SIco, c) dibujar la recta de
carga. Q1
2N3904

RE

2
 Práctica II
7.- Dado los parámetros del transistor 𝑉𝑝𝑜 = −6𝑉; 𝐼𝑝𝑜 = 10𝑚𝐴. Considerando que el
mismo tiene los siguientes valores de: 𝑉𝐷𝐷 = 20𝑉, 𝑅𝐷 = 1,5𝑘, 𝑅𝑆 = 500Ω, 𝑉𝐺𝑆 = −2𝑉.
Calcular: a) El punto Q(IDQ, VDSQ), b) Calcular los valores de R1 y R2 para el punto de
operación, c) Dibujar la recta de carga de entrada.
VDD

R2 RD

Q1

R1 RS

8.- La característica del amplificador GC de la figura siguiente viene dada por:

𝐼𝐷 = 100(1 + 𝑉𝐺𝑆 )2 (𝜇𝐴)

a) Hallar el punto de trabajo, b) Dibujar la recta de carga del circuito de entrada. c)
Dibujar la recta de carga del circuito de salida.
R2 C1 Q1

15kΩ R1
10kΩ
RD
RS
Vs1 C2
15kΩ 105kΩ

R3 C3 V2
65kΩ 10V

9.- Las curvas Características para un transistor MOSFET de 𝑖𝑑 contra 𝑣𝑑𝑠 para
diferentes magnitudes de 𝑣𝐺𝑆 en la región de operación se aproxima por medio de:

𝐼𝐷 = 0,5(1 + 𝑉𝐺𝑆 )2 (𝑚𝐴)

En el circuito que se muestra cuando 𝐼𝐷 = 4,5 𝑚𝐴 Calcular:
a) El voltaje de reposo compuerta-fuente, b) El voltaje de reposo de Drenaje a tierra, c)
El voltaje de reposo de drenaje a fuente c) Dibujar la recta de carga de entrada y
salida.

3
 VDD
Práctica II
24V

290kΩ 1.5kΩ

Q2

500kΩ

60kΩ 470Ω

10.- El amplificador mostrado utiliza un FET de canal n, que tiene 𝐼𝐷𝑆𝑆 = 1𝑚𝐴, 𝑉𝑃 =
−1𝑉. Si la tensión de reposo drenador a tierra 10V, Calcular R1.
VDD
24V

56kΩ

Q1

R1
1MΩ

R3
4kΩ

11.- La corriente de drenador en miliamperes del MOSFET de acumulación mostrado

es igual a:
𝐼𝐷 = 0,2(𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑃 )2 (𝑚𝐴)
En la región 𝑉𝐷𝑆 ≥ 𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑃 . Si 𝑉𝑃 = +3𝑉, Calcular los valores de reposo 𝐼𝐷 , 𝑉𝐺𝑆 , 𝑉𝐷𝑆
VDC4
+30V

10kΩ

1MΩ
Q2
2N6804

1MΩ

4
 Práctica II
12.- Encuentre el valor de VBB para que: a) el transistor este en su zona de saturación,
b) el transistor este en su zona de corte. (Emplee 𝛽 = 150; 𝑉𝐵𝐸 = −0.6𝑉)
VDC4
-10V

R2
1k2Ω

R1 Q1
2N3250
10kΩ

VBB
R3
1kΩ

**13.- Diseñe la polarización en emisor común empleando el circuito que se muestra

en la figura para obtener la máxima excursión de voltaje de salida simétrica. El
diseño debe ser de polarización estable en dc. (Emplee 𝛽 = 44; 𝑉𝐵𝐸 = −0.6𝑉)
Determine:
a) IC y VCE, b) R1 y R2, c) La máxima excursión de voltaje de salida simétrica, d) El valor
nominal de potencia del transistor, e) Dibuje la recta de carga en ac y dc.
Vcc
-6V

R2 RC

C3

C1 Q1

Vi RL
1kΩ
100Ω
R1

C2
100Ω

**14.- En el circuito de las dos etapas representado, suponer para cada transistor
𝛽 = 100. a) Calcular R de forma que en reposo sea 𝑉𝐶𝐸1 = −4𝑉 y 𝑉𝐶𝐸2 = −6𝑉, b)
Explicar cómo se obtiene la estabilización del punto de reposo.

5
 Vcc
Práctica II
-24V

17.8kΩ 8kΩ

Q2

Q1

1kΩ
R

2.2kΩ 3kΩ

**15.- Diseñe una fuente regulada de 15V, para una corriente de carga que varía entre
400 y 500 mA. Suponga una entrada de 220 Vrms a 50Hz en un transformador con
derivación central. Emplear para los cálculos una 𝑟𝑧 = 2Ω. El transistor tiene VBE = 0,7V
y 𝛽 = 150, calcular CF para que la tensión de rizado sea el 20% del máximo de la señal
de entrada.
Q1
D1

V1 T1
R
220Vrms
50Hz CF C RL
0° Dz
6:1:1 100µF
D2

**16.- Diseñar una fuente de alimentación con regulación en serie que suministre
una tensión nominal de salida 25V y una corriente de carga IL≤1A. La fuente de
alimentación regulada tiene las siguientes características 𝑉𝑖 = 50 ± 5𝑉, 𝑟0 = 10Ω.

6
 Q1
Práctica II
r0

10Ω

R
RD R1
V_o=25V
Q2
RL
V_i=50±5V

R2

Dz

7
 Práctica III
Amplificadores
1.- Para cada una de las siguientes configuraciones elementales que se muestran en
las figuras calcule: Zin, Zout, AV y Ai. Una vez obtenidas las expresiones genéricas en
todos los casos, calcular estos asumiendo los siguientes parámetros: 𝑅𝐵 = 100 𝑘, 𝑅𝑐 =
1
5𝑘, 𝑅𝐸 = 500Ω, 𝑅𝐴 = 100 𝑘, 𝑅𝐷 = 10 𝑘, 𝛽 = 100, 𝑔𝑚 = 1𝑘 , ℎ𝑖𝑒 = 3𝑘.
Vcc
Vcc Vcc

RB RC
RB RC RB

Q
Q Q

Vi1 Vi1 Vi1

RE1
RE1

Vcc

RA RC

Q1

Vi
RD RE

Vcc Vcc

Vcc

RC
RA RC

Q
Q Q1

Vi1
Vi1 Vi
RB RE RB RE RD RE

2.- Dado el siguiente circuito:

a) Si los parámetros en base común están dados por:
ℎ𝑖𝑏 = 200Ω, ℎ𝑓𝑏 = −0,90, ℎ𝑟𝑏 , ℎ𝑜𝑏 son despreciables, hallar: ℎ𝑖𝑒 , ℎ𝑓𝑒 .
𝑣𝑜
b) Determinar la ganancia de tensión 𝐴𝑉 = 𝑠𝑖 𝑅1 = 12𝑘Ω, 𝑅2 = 22𝑘Ω, 𝑅𝐸 = 100Ω,
𝑣𝑖

𝑅𝐶 = 2,2𝑘Ω 𝑦 𝑅𝐿 ≪ 𝑅𝐶
c) Determinar la impedancia de entrada si 𝐶3 está abierto.

1
 Práctica III
Vcc

R2 RC

C2

C1 Q

RL
Vi
R1 RE C3

3.- El circuito de la figura es un amplificador base común, el transistor es de Si con

VBE=0,7V y β=100, los parámetros externos son: VCC = 24V, RL = 2k y RE = 400Ω.
Diseñe el amplificador para una ganancia de tensión de 20.
Vcc

R1 RC

C2

C1 RL

R2 Vi RE

4.- Para el amplificador representado con un transistor de parámetros:

ℎ𝑖𝑒 = 1100Ω, ℎ𝑟𝑒 = 2,5𝑥10−4 , ℎ𝑓𝑒 = 50, ℎ𝑜𝑒 = 25 𝜇𝐴/𝑉
𝐼𝑜
Calcular: 𝐴𝐼 = , 𝐴𝑉 , 𝐴𝑉𝑠 , 𝑍𝑖 .
𝐼𝑖
-Vcc

R1 RC
100kΩ 5kΩ

C1 Vo
Rs Q

10kΩ

Vs
R2 RE
10kΩ 1kΩ

2
 Práctica III
5.- Para la configuración BC, ¿Cuál es el valor máximo de RL para el que 𝑍𝑖 no es
superior a 50Ω?. Utilice los siguientes parámetros.

ℎ𝑖𝑒 = 1100Ω, ℎ𝑟𝑒 = 2,5𝑥10−4 , ℎ𝑓𝑒 = 50, ℎ𝑜𝑒 = 25 𝜇𝐴/𝑉

6.- Analice el circuito de la figura y determine lo siguiente cuando el transistor tiene
𝑉𝑝 = −3𝑉 𝑒 𝐼𝐷𝑆𝑆 = 8𝑚𝐴:
a) ID y VGS, b) VDS, gm, c) vo/vi, Ai
VDD
20V

3kΩ
C2

C1

50kΩ

6kΩ
Vi
100Ω
250kΩ

C3
100Ω

7.- Diseñe un amplificador SC empleando un MOSFET. Sea 𝑅𝐿 = 1𝑘Ω, 𝐴𝑉 = −1, 𝑍𝑖𝑛 =

15𝑘Ω, 𝑄(𝑉𝐺𝑆 = 3𝑉, 𝐼𝐷 = 7𝑚𝐴, 𝑉𝐷𝑆 = 10𝑉) donde 𝑔𝑚 = 2300𝜇Ω−1 .
VDD
20V

R2 RD

C2

C1

RL
Vs
R1 RS

8.- En el circuito que se muestra determine: 𝐼𝐷 , 𝐴𝑣 , 𝐴𝑖 𝑦 𝑍𝑖 cuando el transistor tiene

un 𝑉𝑝 = −3𝑉 e 𝐼𝐷𝑆𝑆 = 10𝑚𝐴.

3
 Práctica III
VDD
10V

1.2MΩ
C2

C1

Vi 2kΩ

840kΩ 140Ω

C3
860Ω

9.- Para el amplificador que se muestra en la figura determine:

a) IC y VCE, b) Av, Ai, Zi, c)La máxima excursión simétrica no distorsionada del voltaje
de salida, d) Dibuje la recta de carga ac y dc.

+5V

3kΩ

C1
β=100
VBE=0,7V
C2
Vi

8kΩ
200Ω

200Ω
100Ω

-5V

10.- Diseñe el amplificador SE de la figura para accionar una carga de 200Ω

empleando un transistor de Si pnp. 𝑉𝐶𝐶 = −24𝑉, 𝛽 = 200, 𝐴𝑖 = 10, 𝑉𝐵𝐸 = −0,7𝑉.
Determine los valores de todos los elementos y calcule 𝐼𝐶 , 𝑍𝑖 y la excursión de voltaje
de salida máxima.

4
 Práctica III
VCC

R2

C1
β=100
VBE=0,7V
C2
Vi

R1 RE
RL

11.- El amplificador con MOSFET de la figura tiene 𝑅𝑠 = 500Ω, 𝑅1 = 30𝑘Ω, 𝑅2 =

𝑚𝐴
50𝑘Ω, 𝑅𝐷 = 10𝑘Ω 𝑦 𝑅𝐿 = 15𝑘Ω. Suponga que 𝑉𝑀 = −200𝑉, 𝑉𝑡 = 2𝑉 𝑦 𝑘𝑝 = 30 .
𝑉2
𝑣𝑜
Calcule: a) La impedancia de entrada, b) La ganancia en voltaje sin carga 𝐴𝑣𝑜 = 𝑣 , c)
𝑔
𝑣𝐿
La impedancia de salida, d) la ganancia en voltaje total 𝐴𝑣 = .
𝑣𝑠

12.- Los parámetros del circuito amplificador de la figura son 𝑉𝑐𝑐 = 5𝑉, 𝑅𝐶 =
500Ω, 𝑅1 = 6,5𝑘Ω, 𝑅2 = 2,5𝑘Ω, 𝑅𝐸 = 450Ω, 𝑅𝑠 = 500Ω, 𝑅𝐿 = 5𝑘; 𝐶1 = 𝐶2 = ∞.
Suponga que 𝛽 = 100 𝑦 𝑉𝐵𝐸 = 0,7𝑣.
a) Determine el punto Q definido por IB, IC, VCE.
b) Calcule los parámetros de señal pequeña 𝑔𝑚 , 𝑟𝜋 , 𝑦 𝑟𝑜 el transistor.
c) Calcule la impedancia de entrada, la ganancia en voltaje sin carga, la impedancia
de salida, la ganancia total en voltaje, la ganancia en corriente y la ganancia en
potencia.

5
 Práctica III

13.- Un transistor de Si PNP, tiene un 𝛽 = 150. Diseñar un amplificador con el que se

consiga una ganancia de tensión de 50. El resistor de carga es de 2,2k y este
acoplado capacitivamente al colector. La tensión de la fuente de alimentación
disponible es de 20V y la impedancia de la fuente de señal de entrada es de 10k.
Se precisa una tensión sobre la carga de 500mV pp.
a) Mostrar el circuito básico y su configuración.
b) Mostrar los componentes externos calculados y del transistor.
c) Dibujar las rectas de carga de cc y ca mostrando el punto de operación y su factor
𝑆𝐼𝑐𝑜
14.- En un circuito seguidor de surtidor se fija el punto de operación en 𝐼𝐷 =
3𝑚𝐴, 𝑉𝐷𝑆 = 15𝑉 y 𝑉𝐺𝑆 = −1,2𝑉. Si se dispone de una fuente de alimentación de 20V y
se conocen los parámetros del transistor JFET canal P 𝑉𝑝 = −4𝑉, 𝐼𝑝 = 4,4𝑚𝐴 𝑦 𝑟𝐷𝑆 =
82𝑘Ω.
a) Mostrar el circuito básico y el modelo incremental del circuito.
b) Determinar los componentes externos del transistor y las ganancias de tensión y la
impedancia de entrada y salida
c) Dibujar las rectas de carga de cc y ac, mostrando el punto de trabajo.

6
 Práctica IV
Respuesta en Frecuencia y
Amplificadores Multietapa
1.- Una escala en decibelios común utilizada en la medida de las ganancias de los
amplificadores es la dBm. Por definición, 0 dBm es el nivel de potencia correspondiente
a una disipación de 1mW en una resistencia de 600Ω.
a) ¿A que tensión corresponde a 20dBm en una resistencia de 60Ω? ¿y en una
resistencia de 600k?
b) ¿A qué tensión corresponde en bornes de una resistencia de 600Ω corresponde
0dBm?
2.- Dado el siguiente circuito:
a) Determinar la frecuencia de corte en bajas frecuencias fL y altas frecuencias fH si
𝑔𝑚 = 1𝑥10−1 Ω−1 𝑦 𝛽 = 200
b) Graficar la respuesta de amplitud vs Frecuencia. Indicando el ancho de banda
(Diagrama de Bode).
VCC
+20V

R1 R3
40kΩ 4kΩ
C2

C1 1µF
Rs Q1 RL
2.2kΩ
1kΩ 10µfF
Vi

R2 RE C3
10kΩ 2kΩ 20µF

3.- Dado el siguiente circuito:

a) Determinar las frecuencias de corte inferior y superior y el ancho de banda,
considerando: 𝑅𝐺 = 80𝑘Ω, 𝑔𝑚 = 2Ω−1 , 𝑅𝐿 = 20𝑘Ω, 𝑅𝐷 = 5𝑘Ω, 𝑅𝑆1 = 799,5Ω, 𝑅𝑠2 =
197,5Ω, 𝐶𝐺𝑆 = 10𝑝𝐹, 𝐶𝐺𝐷 = 3𝑝𝐹.

1
 Práctica IV
VDD

RD

Cd

10µF
Cg Q1
2N3370
20kΩ 0.33µF

RL
RS1
Vi
RG

RS2 Cs
10µF

4.- Para las dos etapas en cascada representadas, calcular las impedancias de entrada
y salida, y las ganancias de corriente y tensión individuales y totales. Considerar 𝛽 =
50, 𝑉𝐵𝐸 = 0,7𝑉 Q1 y Q2 son iguales.
VCC

91kΩ 150kΩ 4kΩ

Rs C1 Q1 Q2
+
10kΩ
VS Vo

-
100kΩ 20kΩ 20kΩ 100Ω

5.- El circuito de la figura muestra un amplificador multietapa para frecuencias medias.

a) Calcular el punto de polarización de los dos transistores del circuito.
b) Determine en forma literal la ganancia de tensión.

2
 Práctica IV
Vcc
15V

Q2 Q1
β=100 K = 1mA/V2 R1 R3
V_BE=0,6V V_t = 3V
V_CESAT=0,2V 10kΩ 3kΩ
C3

+
Q2 Q1 RL
C1
Vo

-
Vi

R2
1kΩ
I1
10uA C2

Vcc1 Vcc

-15V 15V
6.- A partir del análisis del circuito que se ilustra, responda a las preguntas que se
formulan.
a) Calcular el punto de polarización de los transistores.
b) Suponiendo que los parámetros en pequeña señal de los transistores Q1 y Q2 son
𝑔𝑚1 = 𝑔𝑚2 = 25𝑚𝐴/𝑉 𝑦 𝑟𝜋1 = 𝑟𝜋2 = 4𝑘Ω, obtengase la expresión literal de las
𝐴 𝑉 𝑉𝐴 −𝑉𝐵
ganancias de tensión 𝐴𝑣 = 𝑉 −𝑉 y 𝐴𝐷 =
1 2 𝑉1 −𝑉2
Vcc
9V

R1 R3
10kΩ 10kΩ
vA vB

Q3 Q2

R2 R4
V1 V2
100Ω 100Ω

Q1

Q2=Q3 Q1
β=100 K/2 = 0.25 mA/V2 R5
V_BE=0,6V V_t = 3V
V_CESAT=0,2V KT/q= 25mV 500Ω

Vcc1

-9V

3
 Práctica IV
𝐼𝑜
7.- Calcular 𝐴𝐼 = , 𝐴𝑣 , 𝐴𝑣𝑠 , 𝑍𝑖 , 𝑦 𝑍𝑜 para el circuito cascode de la figura. Considerar 𝛽 =
𝐼𝑖
50, 𝑉𝐵𝐸 = 0,7𝑉 Q1 y Q2 son iguales.
ℎ𝑖𝑒 = 1100Ω, ℎ𝑟𝑒 = 2,5𝑥10−4 , ℎ𝑓𝑒 = 50, ℎ𝑜𝑒 = 25 𝜇𝐴/𝑉
Vcc

25kΩ

200kΩ
Q2 +

Q1 Vo
1kΩ

Vs

10kΩ 100Ω
-

𝐼𝑜
8.- Para las dos etapas en cascada mostradas, calcular 𝐴𝐼 = , 𝐴𝑣 , 𝑍𝑖 , 𝑦 𝑍𝑜 . Considerar
𝐼𝑖
Q1 y Q2 son iguales.

VCC

10kΩ 2kΩ

RB

100kΩ
Q1 Q2
+
+
Vo
Vi
-
- 500Ω 50Ω

4
 Práctica IV
9.- Los transistores del amplificador de tres etapas de la figura son idénticos. Calcular
la ganancia de tensión de cada etapa y la total 𝑉𝑜 /𝑉𝑠 . Considerar Q1 Q2 Q3 iguales.
ℎ𝑖𝑒 = 1100Ω, ℎ𝑟𝑒 = 2,5𝑥10−4 , ℎ𝑓𝑒 = 50, ℎ𝑜𝑒 = 25 𝜇𝐴/𝑉
VCC -Vcc´

50kΩ
27kΩ

C1 Q1 Q2 Q3

5kΩ

Vs
+
100kΩ
10kΩ Vo

-VEE
-VEE

10.- Diseñe un amplificador en cascode como se muestra en la figura, para producir

𝑣
una ganancia en voltaje 𝐴𝑣 = 𝑣𝐿 = −5. Suponga que 𝑉𝐷𝐷 = 20𝑉 𝑦 𝑅𝑠 = 250Ω. Use un
𝑠
JFET de tipo 2N3819 𝑉𝑝 = −3,5𝑉 𝑦 𝐼𝐷𝑆𝑆 = 12,65 𝑚𝐴.

11.- Diseñar dos etapas en cascada utilizando la configuración del problema 8, con
𝑅𝐵 = 100𝑘, que verifiquen las especificaciones siguientes.
125 ≥ 𝐴𝑣 ≥ 100; 10𝑘 ≥ 𝑍𝑖 ≥ 5𝑘; 𝑍0 ≤ 3𝑘
12.- La configuración en cascada mostrada se denomina seguidor de emisor en
tándem. Calcular la impedancia de entrada si ℎ𝑖𝑒 = ℎ𝑟𝑒 = 0, ℎ𝑜𝑒 = 0 𝑦 ℎ𝑓𝑒 es el
mismo para todos los transistores (Q1 a QN).

5
 Práctica IV
Vcc

Q1

Q2

... QN

Zi

Re

13.- El par Darlington modificado utiliza transistores idénticos con los parámetros h
siguientes: ℎ𝑖𝑒 = 1𝑘, ℎ𝑟𝑒 = 2,5𝑥10−4 , ℎ𝑜𝑒 = 2,5𝑥10−5 𝐴/𝑉 𝑦 ℎ𝑓𝑒 = 100. Calcular
𝐼𝑒1 𝑉𝑜2 𝑉𝑜1
, , 𝑍𝑖 𝑦 .
𝐼𝑏1 𝑉𝑖 𝑉𝑖
Vcc

R1
Rc
82kΩ
1kΩ
Q1
Vo1

+
Q2
R3
100kΩ
Vi C1 Vo2

1µF Re
Zi R2
100Ω
10kΩ
-

14.- En la figura se muestra un amplificador de dos etapas. Los parámetros del

circuito son: 𝑅𝑆 = 1𝑘Ω, 𝑅11 = 500𝑘Ω, 𝑅21 = 500𝑘Ω, 𝑅𝐷1 = 10𝑘Ω, 𝑅12 = 500𝑘Ω, 𝑅22 =
500𝑘Ω, 𝑅𝐷2 = 15𝑘Ω, 𝑅𝐿 = 10𝑘Ω, 𝑔𝑚1 = 20 𝑚𝑚ℎ𝑜, 𝑔𝑚2 = 50 𝑚𝑚ℎ𝑜, 𝐶1 = 1𝜇𝐹, 𝐶2 =
1𝜇𝐹, 𝐶3 = 10𝜇𝐹, 𝐶𝐺𝐷1 = 𝐶𝐺𝐷2 = 2𝑝𝐹, 𝐶𝐺𝑠1 = 𝐶𝐺𝑆2 = 5𝑝𝐹. Calcule la frecuencia baja
de 3 𝑑𝐵 𝑓𝐿 y la frecuencia de corte alta 𝑓𝐻 .

6
Práctica IV

7
 Práctica V
Amplificadores Realimentados
𝑋𝑜
1.- Deducir una relación general para encontrar 𝐴𝑓 = de un amplificador con
𝑋𝑠
realimentación. Indicar la condición para que exista realimentación negativa.
2.- En una configuración de amplificador realimentado, con comparación por tensión
muestreo por corriente: Deducir una expresión para hallar 𝑍𝑖𝑓
3.- En una configuración de amplificador realimentado, con comparación por corriente
y muestreo por tensión: Deducir una expresión para hallar 𝑍𝑜𝑓
4.- Se dispone de un amplificador con una ganancia de tensión en lazo abierto 𝐴𝑣 =
1000 ± 100. Se necesita un amplificador cuya ganancia de tensión no varié más de
±0,1%.
a) Calcular el factor de transmisión inversa 𝛽 de la red de realimentación empleada.
b) Calcular la ganancia con Realimentación.

5.- Un amplificador con una ganancia de tensión en lazo abierto de 1000, entrega
10W de potencia de salida con un 10% de distorsión debida al segundo armónico,
cuando la señal de entrada es 10Mv. Si se aplican 40 dB de realimentación negativa
de tensión en serie y la potencia de salida ha de seguir siendo 10W, calcular: a) La
señal de entrada necesaria, b) La distorsión del armónico en tanto por ciento.

6.- Un amplificador RC de una sola etapa, con una ganancia de tensión a frecuencias
medias de 1000, se realimenta al introducir en serie y en oposición con la entrada el
10% de su tensión de salida.
a) Conforme la frecuencia varia, ¿a qué valor cae la ganancia de tensión del
amplificador no realimentado, si la ganancia del realimentado ha caído 3 dB?
b) ¿Cuál es la relación de las frecuencias de potencia mitad con realimentación a las
de sin realimentación?
c) Si 𝑓𝐿 = 20 𝐻𝑧 𝑦 𝑓𝐻 = 50𝑘𝐻𝑧 para el amplificador sin realimentación, ¿Cuáles son
los valores correspondientes después de realimentar?

7.- Utilice las técnicas de análisis de retroalimentación para calcular la resistencia de

entrada, la resistencia de salida y la ganancia en voltaje de lazo cerrado del
amplificador de la figura. Los parámetros del transistor son: ℎ𝑓𝑒 = ℎ𝑓𝑒1 = ℎ𝑓𝑒2 = 10,
𝑟𝜋1 = 𝑟𝜋2 = 250Ω, 𝑟𝑜 = 1,5𝑘Ω 𝑦 𝑟𝜇 = ∞.

1
 Práctica V

8.- Se muestra en la figura un par realimentado desde el segundo colector al primer

emisor, habiéndose omitido por sencillez las polarizaciones. Todos los transistores
son idénticos. Despreciando ℎ𝑓𝑒 ≫ 1, ℎ𝑓𝑒 𝑅1 ≫ 𝑅𝑠 + ℎ𝑖𝑒 𝑦 𝑅2 ≫ ℎ𝑖𝑏3 , demostrar que:
𝑣𝑜 𝑅2
a) La ganancia de tensión 𝐴𝑣 = ≅
𝑣𝑖 𝑅1
𝑅
b) La resistencia de salida 𝑅𝑜 ≅ 𝑅𝑐 || (ℎ 2 )
𝑓𝑒

Q1 Q2

Q3
1kΩ R2

Vs +
R1 Rc
Vo

9.- Para el circuito de la figura y con los siguientes valores del circuito, calcule su
ganancia y las impedancias de entrada y salida con y sin realimentación:
𝑅𝑓 = 20𝑘Ω.

2
 Práctica V
Vcc

RC

Rf
C

+
Q1

2kΩ
Vo
RL
Vi
RE

10.- Calcule la ganancia con y sin realimentación en el circuito amplificador FET de la

figura, con los siguientes valores: R1 = 80 k, R2 = 20 k, Ro = 10 k, RD = 10 k y
gm=4000s.

11.- Calcule la ganancia de voltaje con y sin realimentación en el circuito de la figura,

con los valores de gm = 5 ms, RD = 5.1 k, RS = 1 k y RF = 20 k.

3
 Práctica V

12.- Dado el siguiente circuito:

a) Dibujar el circuito equivalente para señal alterna, mostrando la red de
realimentación y el amplificador básico, considerando el conmutador S1 en la
posición inferior.
b) Indicar el tipo de comparación y muestreo.
c) Calcular el factor de realimentación.
d) Determinar la ganancia a lazo abierto.
e) Determinar la ganancia a lazo cerrado.
f) Calcular la Zif con realimentación.
g) Calcular la Zof con realimentación.
Vcc

R2 Rc Rc1
Cc C1

Cb Q2
PNP
V1 Q1
-1/1V NPN RL
2k

1kHz Ce
R1 Re Re1
5.6k

1.nF

82k 3.9nF
S1

82k 3.9nF

2.2k

4
 Práctica V
13.- Dado el siguiente circuito:
𝑅𝑠 = 500Ω, 𝑅𝐵 = 10𝑘Ω, 𝑅𝐿 = 300Ω, 𝑅1 = 100Ω, 𝑅2 = 100Ω, ℎ𝑓𝑒 = 50, ℎ𝑖𝑒 = 500Ω
a) Dibujar el modelo mencionado el tipo de realimentación a utilizarse.
𝑣
b) Calcular la relación 𝑣𝑜 .
𝑠
c) Calcular la impedancia de salida.
RS

RB

Q1

Vs Q2

R2

+
Vcc
D1 RL
R1
Vo

14.- El circuito equivalente de ca de un amplificador retroalimentado aparece en la

figura. Los valores del circuito son: 𝑅𝐶1 = 2,5𝑘Ω, 𝑅𝐶2 = 5𝑘Ω, 𝑅𝐶3 = 1,5𝑘Ω, 𝑅𝐸1 = 100Ω
𝑅𝐸2 = 100Ω, 𝑅𝐹 = 750Ω 𝑦 𝑅𝑠 = 0Ω. Los parámetros del transistor son:
ℎ𝑓𝑒 = 100, 𝑟𝜋 = 2,5𝑘Ω, 𝑟𝑜 = 25𝑘Ω 𝑦 𝑟𝜇 = ∞. Utilice las técnicas de análisis de
retroalimentación para calcular la resistencia de entrada 𝑅𝑖𝑓 , la resistencia de
salida 𝑅𝑜𝑓 y la ganancia en voltaje de lazo cerrado 𝐴𝑓 .

5
 Práctica V
15.- Para el amplificador BC realimentado de la figura, suponer que ℎ𝑖𝑏 = 0, ℎ𝑟𝑏 =
0, ℎ𝑜𝑏 = 0.
a) Demostrar que
1 ℎ𝑓𝑏
𝑣𝑜 𝑅𝑓 − 𝑅𝑏
𝐴𝑣𝑓 = =
𝑣𝑖 1 + ℎ𝑓𝑏 1
𝑅𝑐 + 𝑅𝑓
b) Para un valor dado de 𝐴𝑣𝑓 , demostrar que:
𝑅𝑓 1 𝑅𝑓
= {1 − 𝐴𝑣𝑓 [(1 + ℎ𝑓𝑏 ) + 1]}
𝑅𝑏 ℎ𝑓𝑏 𝑅𝑐
Q1

+ +
Rf Rc
Re

Vi Vo
Rb
VEE Vcc

- -

6
 Práctica VI
Amplificadores de Potencia
1.- Dado el siguiente circuito:
R1= 22 K ohms, R1= 18 K ohms, Re= 1 Ohms, RL= 10 Ohms, V= 20 volts,
Xcb=Xcc=Xce=0 , L1 choque 10 mH
a) Determinar el punto de operación Q y dibujar las rectas de carga cc y ac,
considerando máxima excursión de señal.
b) Determinar la Potencia máxima entregada a la carga.
c) Determinar la Potencia de disipación máxima de colector.
d) Determinar el Rendimiento del circuito.
e) Si el hfe del transistor es de 70 y hie= 2.2 K ohms, determinar la Ganancia de tensión
del circuito.
+V

R2 L1
Cc

Cb
VI
-1/1V
RL
1kHz R1 Re
Ce

2.- El circuito mostrado representa un amplificador de potencia en contrafase con

simetría complementaria clase B sin transformador. Los transistores Q2 y Q3 son
dispositivos de silicio adaptados, con ℎ𝐹𝐸 ≅ ℎ𝑓𝑒 = 100 y ℎ𝑖𝑒 = 50Ω. Q1 es un transistor
de silicio cuyos parámetros h de pequeña señal son:

ℎ𝑖𝑒 = 1100Ω, ℎ𝑟𝑒 = 2,5𝑥10−4 , ℎ𝑓𝑒 = 50, ℎ𝑜𝑒 = 25 𝜇𝐴/𝑉

a) Explicar el funcionamiento de este circuito. Comentar, especialmente, el papel del
condensador 𝐶2 . Despreciar las corrientes inversas de saturación.
b) Calcular las corrientes de reposo e todas las resistencias y determinar el valor de R3
para que |𝑉𝐶𝐸3 | = |𝑉𝐶𝐸2 |.
c) Calcular la resistencia de salida Ro, suponiendo que trabaja en clase B ideal.
d) Calcular la potencia máxima que puede entregarse al altavoz de 8Ω. Tener en cuenta
la resistencia de salida Ro y suponer VCE(sat) = 0V.
Sugerencia: En las partes c) y d), suponer que para el funcionamiento en clase B, R4=0.

1
 Práctica VI
Vcc
20V

R3

Q2

R4
R1 C2
120Ω
39kΩ

Rs C1 Q3

100Ω ALTAVOZ
Q1 8Ω
Vs
R2
11kΩ Ro

3.- Analice el amplificador que se muestra en la figura para determinar lo siguiente:

a) La ganancia de corriente.
b) La excursión del voltaje de salida no distorsionada.
c) La potencia necesaria de la fuente de alimentación.
d) El valor nominal de potencia del transistor y Po (Sin distorsión)
Vcc
20V

800Ω Q2 Q3
VBE2=0,7v VBE2=-0,7v
C1 Q2 β=100 β=100

C2

100Ω

C3 Q3
Vi
ALTAVOZ1
8Ω

800Ω

2
 Práctica VI
4.- Diseñe un amplificador SE acoplado con transformador que maneje una carga de
10Ω con 𝐴𝑖 = 100, si 𝑉𝐶𝐶 = 12𝑉, 𝑉𝐵𝐸 = 0,7𝑉. La relación de vueltas del transformador
reductor es de 10:1 y β=50. Determine R1, R2, la potencia nominal del transistor y la
potencia disipada en la carga.
Vcc

R2

C1 Q1

T1
Vs1

RL
R1 10:1

5.- Analice el amplificador que se muestra en la figura y determine IC2, Rin, y Ai, así
como la excursión máxima simétrica no distorsionada del voltaje de salida cuando los
pares Darlington tienen un valor combinado: β=25000 y VBE=1,2V.
Vcc
24V

100kΩ

C1 Q1

C2
Vs1
+
1MΩ
200Ω
100Ω Vo

6.- Dado el siguiente circuito:

a) Indicar el tipo de Polarización utilizado en el circuito para obtener en la carga una
potencia máxima de 2W y describir brevemente el funcionamiento del circuito en su
conjunto.

3
 Práctica VI
b) Determinar el rendimiento del circuito.
c) Si en el transistor con β=100, circula una corriente de colector de 20mA,
determinar la potencia máxima de disipación de colector e indicar en que clase esta
polarizado.
+V
R10

25uF R1

R11 0.22uF
R8 R2
25uF
B=25
B=150
0.1uF R3
B=100
1000uF
B=25
R9 R7 R4
SPK1
R6 10uF 8

7.- Dibujar un circuito que proporcione una Potencia máxima en la carga de 10 Watt,
sobre una carga de 16 ohms. Utilizar la configuración de un Par complementario. Incluir
el excitador que tenga una ganancia de tensión de 20, incluido el circuito
Preamplificador realimentado, describir brevemente el funcionamiento del circuito en
su conjunto.
a) Determinar el punto de operación de los transistores de salida, asumir que los
transistores tienen un β=20.
b) Determinar el rendimiento del circuito.
c) Determinar la potencia de salida del circuito excitador asumiendo un β=80.
d) Calcular los elementos del circuito Preamplificador, asumiendo que sus β=150.

8.- Analice el amplificador que se muestra en la figura para determinar lo siguiente

cuando 𝛽 = 100, 𝑅𝑓 = 20Ω, 𝑦 𝑉𝐵𝐸 = ±0,7𝑉:
a) La ganancia de corriente y Rin.
b) La excursión máxima no distorsionada del voltaje de salida.
c) La potencia de salida máxima y la frecuencia baja que va a amplificarse.
d) La potencia DC requerida.
e) La potencia nominal necesaria para los transistores.

4
 Práctica VI
Vcc
90V

300Ω

Q2

D1

C2
C1

D2 +

Vi Q3 RL
Vo
8Ω

300Ω

9.- Para el amplificador push – pull representado en la figura calcular los valores
máximos de ic, iL, vCE, PL y Pcc. Representar PCC, PL, y PC en función de iC en el margen
0 ≤ 𝑖𝐶 ≤ 𝐼𝐶𝑚𝑎𝑥 .

Q2

β=100

T2 T1
V1

10V
Ii RL1
1:1 2:1
10Ω
Q3
β=100

10.- Realizada la polarización en el circuito de la figura determine:

a) Potencia suministrada a la carga y potencia disipada en los colectores.
b) Potencia suministrada por la fuente de alimentación.

5
 Práctica VI
c) Rendimiento
d) Factor de mérito.
e) Calcular y verificar la respuesta en frecuencia del circuito.
Q1
NPN

1:1 R1
2:1
+
Vi R2 RL
10 Vo

+
-
Cb

Q2
NPN

11.- Determinar los valores constantes del transistor para el funcionamiento en clase
A. La potencia máxima requerida es de 2W. Despreciar Re y las perdidas en el circuito
de polarización.
a) Hallar Pcc suponiendo que el amplificador se ha calculado para obtener el
rendimiento máximo.
b) Hallar ICQ.
c) Determinar iCmáx, VCE, máx y PC, máx
d) Si RL=6,25Ω, hallar la relación del número de espiras N.

12.- Dibujar el circuito de un amplificador a transistores en contrafase clase B en la

configuración CC:
a) Con transformador de salida.
b) Sin transformador de salida.

6
 Práctica VII
Amplificador Operacional I
1.- Mencione las características del amplificador operacional ideal.
2.- Defina el voltaje de desajuste y corriente de desajuste.
3.- El seguidor de voltaje constituye una buena etapa acopladora. ¿Diga por qué?
4.- Indique aplicaciones prácticas con los C.I. LM317 y LM555.
5.- El amplificador operacional de entrada diferencial mostrado consta de un
amplificador base con ganancia infinita. El terminal 1 es inversor y el 2 no lo es. (La
salida en 4 está en fase con la entrada en 2.) Demostrar que:
𝑣𝑜 𝑅2
𝐴𝑣𝑓 = = 1+
𝑣𝑖 𝑅1
(Sugerencia: 𝑣12 = 𝑣𝑖 = 0 . ¿Por qué?)
R1 R2

U1
1

2
Vo
Vs

6.- En el amplificador base de entrada diferencial del circuito mostrado, el terminal 1

es inversor y el 2 no lo es. Suponiendo resistencia de entrada infinita, resistencia de
salida cero y ganancia A infinita:
𝑣𝑜
a) Calcular la ganancia 𝐴𝑣𝑓 = .
𝑣𝑠
b) Demostrar que el lim 𝐴𝑣𝑓 = 𝑛 + 1.
𝐴→∞

1
 Práctica VII
U1
1

Vs R

Vo
nR

7.- Dado el siguiente circuito:

𝑅
Demostrar. 𝑣𝑜 = − 𝑅𝑓 𝑣1
1
Rf

R1 U1
1
Vi

2 Vo

Vs
Roff

8.- Dado el siguiente circuito:

𝑅 𝑅3 𝑅
Demostrar. 𝑣𝑜 = (1 + 𝑅𝑓 ) (𝑅 𝑣2 ) − 𝑅𝑓 𝑣1
1 2 +𝑅3 1
Rf

R1 U1
1
V1
R2
2 Vo
V2
Vs
R3

2
 Práctica VII
9.- Dibujar y calcular un circuito que proporcione el siguiente resultado:
𝑦 = 2𝑥1 + 5𝑥2 − 3𝑥3 + 3
Dimensionar el circuito basándose en un AO cuyas características están determinadas
por: 𝐴𝑜 = 2𝑥105 , 𝑍𝑖𝑛 = 100𝑘Ω, 𝑍𝑜𝑢𝑡 = 150Ω. 𝑉𝑐𝑐 = ±12𝑉.

10.- Calcule el voltaje de salida en el circuito de la figura.

Los AOs son AR1 = UA741. Con Ao= 100 dB, Zin= 1 M ohms, Zout= 150 ohms,
Vcc max =+/- 18 volt dcs, Vin max= +/- 10 volts y Vo max= +/- 14 volt.
a) Determinar la ganancia de tensión de la 1Ra etapa considerando el amplificador
Real.
b) Determinar la ganancia de tensión total del conjunto, considerando AO ideales.
c) Determinar la impedancia de salida considerando la realimentación.
d) Determinar la impedancia de entrada considerando la realimentación.

11.- Dado el siguiente circuito:

R1= 22 K ohms, R2= 100 K ohms, AR1 = Mu 741. Con Ao= 100 dB, Zin= 1 M ohms,
Zout= 150 ohms,Vcc max =+/- 18 volt dcs, Vin max= +/- 10 volts y Vo max= +/- 14
volt
a) Determinar la Ganancia de tensión vo/vi considerando el amplificador Real.
b) Determinar la Impedancia de entrada considerando la realimentación.
c) Determinar la Impedancia de salida considerando la realimentación.

3
 Práctica VII
d) Determinar la máxima tensión de entrada del circuito considerando un
amplificador real.

12.- Diseñe un circuito empleando amplificadores operacionales 741 que, a partir de

los voltajes diferenciales, 𝑣1 y 𝑣2 , genere un voltaje de salida.
𝑣𝑜 = 100𝑣1 + 50𝑣2
Las resistencias de entrada deben balancearse a tierra y deben ser superiores a
100MΩ. La ganancia máxima por etapa estará limitada a 20.

13.- Un sistema de potencia trifásico en estrella balanceado opera a 50 Hz. La

magnitud de los voltajes de línea es 𝑣21 = 𝑣32 = 𝑣13 = 110 𝑣𝑟𝑚𝑠. Diseñe un sistema
de instrumentación para supervisar el voltaje, 𝑣21 , como se muestra en la figura y
producir un voltaje de salida 𝑣𝑜 dado por la ecuación.
𝑉𝑜 = 0,1𝑉21
Use los amplificadores operacionales 741 y Rin debe ser mayor que 100MΩ. Elijase
el valor apropiado de Vcc para los amplificadores operacionales 741.

1
V1
3PH
2
110V 50Hz

14.- Diseñe un generador de señales empleando un circuito 555 en el modo astable

para suministrar tasas de pulso de 100kHz, 10kHz y 1Hz entre 0 y 5V.

15.- Diseñar un disparador Schmitt como el de la figura de manera que 𝑉𝐻𝑡 = 7𝑉 y

𝑉𝐿𝑡 = 3𝑉. Suponer que 𝑉𝑠𝑎𝑡 = |−𝑉𝑠𝑎𝑡 | = 14𝑉 y una frecuencia de entrada de 400Hz.
Determinar los valores R1, Rf y Vref.

4
 Práctica VIII
Amplificador Operacional II
Nota: si no se indica lo contrario, se debe utilizar el modelo ideal del A.O.
1.- Realizar un circuito que resuelva el siguiente sistema de ecuaciones.
1
6𝑥 + 𝑦 = 4
{ 5
1
𝑥 + 2𝑦 = 1
3
2.- Sea un amplificador operacional con Z igual a una R y una L en serie, y Z´ un C. Si
la entrada es una constante V, calcular la salida vo en función del tiempo. Suponer que
la ganancia en lazo abierto es infinita.
3.- Dibujar un circuito integrador inversor ideal y establecer su ecuación.
4.- Dibujar un circuito derivador inversor ideal y establecer su ecuación.
5.- Dibujar un circuito amplificador anti logaritmo y establecer su ecuación.
6.- Dibujar un circuito amplificador logarítmico y establecer su ecuación.
7.- Dibujar y calcular un circuito que proporcione el siguiente resultado.

𝑦 = −5𝑥 + 2 log(√𝑥) + 3
8.- Diseñar un circuito capaz de interpretar la siguiente operación:
4
2
𝑑(5𝑥 2 + 3𝑠𝑒𝑛𝑥)
𝑦 = 2 ∫ 𝑥 𝑑𝑥 + 5
𝑑𝑥
2

9.- Dibujar en forma de diagramas de bloque un computador, utilizando amplificadores

operacionales, que resuelva la ecuación diferencial.
𝑑𝑣
+ 0,5𝑣 + 0,1𝑠𝑒𝑛𝜔𝑡 = 0
𝑑𝑡
Se dispone de un oscilador que proporciona una señal 𝑠𝑒𝑛𝜔𝑡. Emplear resistencias y
condensadores solamente.
10.- Dibujar y calcular un circuito que proporcione el siguiente resultado:

d 2
y5 ( x )  2 log x 3
dx
a) Dibujar el circuito que establece esta operación.
b) Si el valor de x varia de 1 a 10 establecer la salida y

1
 Práctica VIII
11.- Dado el siguiente circuito:
𝑅 = 5𝑘Ω, 𝑅1 = 2,5𝑘Ω, 𝑅2 = 100𝑘Ω
a) Determinar la función del circuito.
b) Determinar la salida si la entrada es una señal 𝑣𝑖 = 5𝑠𝑒𝑛(2𝜋𝑓), donde 𝑓 = 2𝑘𝐻𝑧
R

D1

R2
R U1
1 D2 R2
U3
Vs

2
Vo
R1
R2

R5

D3

R U2
1 D4 R2

R1

12.- Dibujar la salida de este circuito, considerando que la señal de entrada es

sinusoidal de 2Vpp y 50Hz.

13.- Dibujar un circuito de impedancia negativa tipo VNIC y demostrar sus

ecuaciones.

2
 Práctica VIII
14.- Diseñar un amplificador operacional cuya salida (para una señal sinusoidal) sea
de magnitud igual a la entrada, pero desfasada respecto a ella 45°.

15.- Dibujar el circuito girador y demostrar sus ecuaciones.

16.- Dado el siguiente circuito:

R1

U1
1

2 R1

R2 R2
R1

Vi
U2
1

2
Zi
R3
R3

𝑅1 = 2,2𝑘Ω, 𝑅2 = 10𝑘Ω, 𝑅3 = 1𝑘Ω, C = 10Μf

a) Determinar la relación tensión de entrada sobre corriente de entrada.
b) Añadir este circuito en un circuito R-L pasivo serie, donde L representa Ze,
determinar la relación entrada salida en función de la frecuencia.
c) Si se conecta una señal de onda cuadrada a la entrada, determinar y dibujar la
señal de salida.

3
 Práctica IX
Amplificador Operacional III
1.- Indique las relaciones más importantes para identificar a un filtro ideal pasa banda.
2.- Dibujar el siguiente circuito:

8.2k 0.0068uF

0.068uF 0.068uF uA741

uA741
8.2k 8.2k
Vi
Vo
8.2k 27k
0.0068uF 27k

47k 47k

a) Determinar la función del circuito.

b) Calcular las frecuencias de corte identificando el tipo de filtro.
c) Determinar una gráfica Amplitud vs Frecuencia.

3.- Dado el siguiente circuito:

R3

+
C2
R2
R6

C1 Vout
Vin R4 R5

a) Determinar la función del circuito.

b) Calcular las frecuencias de corte identificando el tipo de filtro.
c) Dibujar el diagrama de BODE.

4.- Dado el siguiente circuito:

1
 Práctica IX
R3

R1

C C
R

R4 U1
R2 U2 R U3
Vi VA
VB VC

a) Determinar la función del circuito.

b) Calcular las frecuencias de corte identificando el tipo de filtro.
c) Dibujar el diagrama de BODE.

5.- Diseñe un filtro Butterworth pasa bajas de tercer orden, como el de la figura, con
una frecuencia de corte alta 10kHz y una ganancia en la banda de paso de 10. La
función de transferencia tiene la forma general.

6.- Diseñe un filtro pasabanda, como el de la figura, que tenga:

𝑓𝑐 = 5𝑘𝐻𝑧, 𝑄 = 20 𝑦 𝐾𝑃𝐵 = 40 .

2
 Práctica IX
7.- Diseñe un filtro supresor de banda ancha como el de la figura, que tenga las
siguientes características 𝑓𝐻 = 400𝑘𝐻𝑧, 𝑓𝐿 = 2𝑘𝐻𝑧 𝑦 𝐾𝑃𝐵 = 10. Calcule el valor de Q
para el filtro.

8.- Diseñe un filtro Butterworth pasaaltas de tercer orden, como el de la figura que
tenga una frecuencia de corte baja 𝑓𝑜 = 10𝑘𝐻𝑧 y una ganancia en la banda de paso
de 10. La función de transferencia tiene la forma.

9.- Diseñe un Filtro pasaaltos ajustable con una ganancia de alta frecuencia de 10 y
una frecuencia de corte ajustable de 100 a 200 Hz.

3
 Práctica IX
10.-Determiné la función de transferencia, Vo/Vi, para el circuito de amplificador
operacional ideal que se muestra en la figura. Puesto que el amplificador operacional
es ideal, V+=V-. Los valores de los parámetros son:

𝐶1 = 3,546𝐶; 𝐶2 = 1,392𝐶; 𝐶3 = 0,2024𝐶; 𝑅𝐶 = 1

Resuelva este problema en dos pasos. Primero encuentre las ecuaciones, luego
resuélvalas empleando determinantes. Construya un diagrama de BODE para esta
Red.

C1 U2
1
R R R

2 Vo
Vi

C2 C3

11.- Dibujar y Calcular un Sistema de Sonido con Amplificadores Operacionales que

disponga de: Ganancia del Amplificador Previo de 50, Filtro Pasa Banda de 20 Hz a
50 Khz y una salida de Potencia de 10 Watt sobre una carga de 8 ohms.
12.- Diseñe un filtro rechazabanda Chebyshev que tenga la característica de amplitud
mostrada en la figura. Establezca el rizo máximo en 1 dB.

-3dB -3dB

1kHz

0,5kHz 2kHz

-40dB
13.-Dado el siguiente circuito.
Determinar:
a) La función de transferencia del circuito.
b) Las frecuencias de corte identificando el tipo de filtro.
c) Graficar Amplitud vs Frecuencia.

4
 Práctica IX
RF

RA C

R1
R
Vi Rp
Vo
R2

Rs R

14.- Diseñe un filtro pasatodo con una ganancia de dc de 5 y la frecuencia de corte en

100Hz.