Universidad Católica de Santa María

Escuela Profesional de Ingeniería Mecánica, Mecánica – Eléctrica,

Mecatrónica

Informe de Transistores BJT

Prácticas:
Circuitos Electrónicos I

Integrantes:
- Apaza Chavez Felipe
- Huamaní Huamán Lucero Alejandra
- Quea Llerena Aleksei Claudio
- Sarmiento Condori Omar

Grupo:
01

Docente:
Ing. Christiam Collado Oporto

Arequipa – Perú
2016
 UNIVERSIDAD CATOLICA DE SANTA MARIA Página:1/10
FACULTAD DE CIENCIAS E INGENIERÍAS FISICAS Y FORMALES
ESCUELA PROFESIONAL INGENIERÍA MECÁNICA, MECÁNICA-
Jefe de Prácticas:
ELÉCTRICA Y MECATRÓNICA Ing. Christiam G. Collado Oporto

LABORATORIO DE CIRCUITOS ELECTRÓNICOS I

Código:
TRANSISTOR BJT Semestre: V
Grupo: FECHA:
Apellidos y Nombres: -Apaza Chavez Felipe -Quea Llerena Aleksei Lab. Nº: 01
-Huamaní Huamán Lucero -Sarmiento Condori Omar

OBJETIVOS
Determinar los parámetros eléctricos de conductividad de un transistor.
Determinar las características físicas y eléctricas de un transistor BJT
Analizar las características de transistores BJT
Calcular la curva de los transistores BJT

MARCO TEÓRICO

El transistor bipolar es el más común de los transistores, y como los diodos, puede ser de germanio o silicio.
Existen dos tipos transistores: el NPN y el PNP, y la dirección del flujo de la corriente en cada caso, lo indica
la flecha que se ve en el gráfico de cada tipo de transistor.

El transistor es un dispositivo de 3 patillas con los siguientes nombres: base (B), colector (C) y emisor
(E), coincidiendo siempre, el emisor, con la patilla que tiene la flecha en el gráfico de transistor.

El transistor es un amplificador de corriente, esto quiere decir que si le

introducimos una cantidad de corriente por una de sus patillas (base), el
entregará por otra (emisor), una cantidad mayor a ésta, en un factor que se
llama amplificación. Este factor se llama b (beta) y es un dato propio de cada
transistor.
Entonces:

 Ic (corriente que pasa por la patilla colector) es igual a b (factor de

amplificación) por Ib (corriente que pasa por la patilla base).
 Ic = β * Ib
 Ie (corriente que pasa por la patilla emisor) es del mismo valor que Ic,
sólo que, la corriente en un caso entra al transistor y en el otro caso
sale de el, o viceversa.

Según la fórmula anterior las corrientes no dependen del voltaje que alimenta
el circuito (Vcc), pero en la realidad si lo hace y la corriente Ib cambia
ligeramente cuando se cambia Vcc. Ver figura 1.
En el segundo gráfico las corrientes de base (Ib) son ejemplos para poder entender que a más corriente la
curva es más alta

Regiones operativas del transistor

Región de corte: Un transistor esta en corte cuando:
corriente de colector = corriente de emisor = 0, (Ic = Ie = 0)
En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje de alimentación del circuito.
(como no hay corriente circulando, no hay caída de voltaje, Ley de Ohm). Este caso normalmente se
presenta cuando la corriente de base = 0 (Ib =0)
Región de saturación: Un transistor está saturado cuando:
corriente de colector = corriente de emisor = corriente máxima, (Ic = Ie = I máxima)
En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de alimentación del circuito y de las
resistencias conectadas en el colector o el emisor o en ambos, ley de Ohm.
Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base es lo suficientemente grande como para
inducir una corriente de colector β veces más grande. (recordar que Ic = β * Ib)
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Región activa: Cuando un transistor no está ni en su región de saturación ni en la región de corte entonces
está en una región intermedia, la región activa. En esta región la corriente de colector (Ic) depende
principalmente de la corriente de base (Ib), de β (ganancia de corriente de un amplificador, es un dato del
fabricante) y de las resistencias que hayan conectadas en el colector y emisor). Esta región es la mas
importante si lo que se desea es utilizar el transistor como un amplificador.

CUESTIONARIO PREVIO
1. ¿Qué tipos de transistores existen según su tecnología de fabricación? Explique.
Existen varios tipos de transistores entre los que tenemos los transistores bipolares y los transistores de
efecto de campo. Los primeros se fabrican mediante la unión de tres cristales semiconductores y son los
más utilizados en todo tipo de artefactos electrónicos y analógicos.

2. ¿Qué materiales se utilizan en la fabricación de transistores? Indique sus características.

Los transistores suelen construirse de Ge o de Si según la técnica usada. Los transistores de aleación
prácticamente se usan sólo con el Ge, debido en gran parte a su temperatura de fusión mucho más baja que
la del Si.
Transistores de aleación
Por este procedimiento se puede realizar transistores PNP de Ge de
pequeña y mediana potencia (hasta 150 W). Normalmente se parte de
discos de Ge monocristalino tipo N. Se coloca en un molde de grafito, a la
vez que se introducen dos bolitas del componente de la aleación que se
quiere formar (para este caso In). La de mayor tamaño se coloca en la cara
destinada al colector y la más pequeña para el emisor. El conjunto se
introduce en un horno con una atmósfera neutra o ligeramente reductora y
se realiza el proceso de vuelco. A una temperatura de 600 ºC se forma una
aleación eutéctica de In-Ge que contiene el 24% de Ge, una vez girado el
molde 90ºC. A continuación se gira dicho molde 180 ºC para la formación
del emisor. Los tiempos de permanencia en cada fase determinan la
profundidad de las uniones base-emisor y base-colector.
Las aplicaciones más importantes de estos transistores son para baja frecuencia y conmutación media de
baja potencia, así como para usos generales que no exijan rendimientos elevados.
Existe una variante para señales débiles que son las de aleación difusa. Estos son básicamente iguales a
los de aleación, pero haciendo que el emisor forme en una aleación de In como Ge tipo N fuertemente
dopado como muestra la figura de la izquierda. Esto es debido a que entre las dos capas de
conductividades diferentes, existe un campo acelerado, disminuyendo el tiempo de tránsito.
Transistores por difusión. Técnica Mesa
Sobre una oblea de Ge tipo P o Si tipo N, que constituye el colector, se difunde arsénico o boro según se
trate de Ge o Si respectivamente. El emisor se obtiene por difusión (a veces aleación) de Indio para el Ge
o de Fósforo para el Si. Se metalizan las conexiones y se fijan los terminales por termocompresión. Como
se ha podido observar, se obtienen transistores PNP de Ge y NPN de Si.
La técnica mesa reduce las superficies de unión colector-base, eliminando en gran parte la capacidad
parásita asociada a esta unión (ya que normalmente está polarizado en inversa). También permite obtener
un reducido espesor de base, con lo que se llega a frecuencias de corte de 500 Mhz. Además de
estas características, podemos reseñar la elevada superficie de colector, con lo que sus aplicaciones
se pueden enfocar hacia transistores de Radiofrecuencia (RF) de potencia. Algunos variantes
más perfeccionados con métodos epitaxiales se usan para VHF y en general para conmutación rápida.
Transistores planares
El nombre de planar se debe a que la superficie de la pastilla permanece plana, es decir, no
presenta irregularidades geométricas como los transistores de aleación, mesa, etc.
El proceso comienza por la obtención de máscaras de una escala 500:1 aproximadamente, para
luego reducirse a tamaño natural mediante fotolitografía. Estas máscaras van a determinar las zonas
donde se han de hacer las difusiones correspondientes a cada parte del transistor, incluidas
las metalizaciones. Hay que decir que las máscaras definitivas que se aplicarán a las obleas de Si,
están constituidas por una multiplicidad de máscaras elementales correspondientes a un solo transistor.
Es decir, que se fabrican unos 4000 transistores a la vez en la misma oblea y a continuación se separan
para su encapsulación.
El proceso de fabricación se va a explicar respecto a un transistor aislado, aunque como ya se ha dicho
no sea fiel reflejo de la realidad.
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Se parte de un disco de Si tipo N, poco dopado (alta resistividad). Se procede a una oxidación global en
un horno a 1200 ºC. A continuación se recubre la cara superior con una resina fotosensible, para
después colocarle la máscara correspondiente e iluminarla, generalmente con luz actínica. Se ataca el
disco mediante fluoruro amónico y fluorhídrico para eliminar la resina polimerizada y el óxido, donde se
ha de hacer la difusión a una temperatura de 1200 ºC y se realiza una difusión de B en forma de vapor,
obteniéndose la base tipo P. Se introduce vapor de agua en el horno y se forma nuevamente SiO2 para
proteger la zona difundida. Para la formación del emisor se procede de la misma forma que para la base,
con su máscara correspondiente y con una difusión tipo N con Fósforo o Arsénico. La pureza de la oblea
inicial es muy importante, pues las dos difusiones posteriores (la de base tipo P y la de emisor tipo N)
tienen que contrarrestar las impurezas que hubiera, disminuyendo por consiguiente la resistividad del
material, y no se puede admitir un emisor con una resistividad demasiado baja. Para terminar, se
procede a la metalización mediante la apertura de ventanas de forma análoga a la formación de la base
y el emisor. Por último, se sueldan los terminales dummets de la base y el emisor por termocompresión,
mientras que el colector suele ir conectada a la cápsula para obtener una mejor disipación térmica.
Existe una variante de esta técnica denominada planar-epitaxial. Esta se diferencia de aquella en que se
parte de una oblea de Si fuertemente dopado (menos puro) llamado sustrato, sobre la cual se hace
crecer una capa epitaxial tipo N de elevada resistividad. A partir de aquí, el proceso es idéntico al planar.
Con esta técnica se obtiene la ventaja de que la tensión inversa máxima que puede soportar la unión
base-colector, es elevada gracias a la gran resistividad de la capa epitaxial, pero permite, a diferencia de
la técnica planar, que la tensión de saturación sea pequeña gracias a la baja resistividad del sustrato,
mejorando los tiempos de conmutación y la potencia útil respecto a los planares. Las aplicaciones de los
transistores planares, son innumerables, como principales podemos citar transistores de señales fuerte o
de potencia y VHF para los planares-epitaxiales, así como para conmutaciones rápidas.

Cuando se requieren transistores de potencia para alta frecuencia, se suele aumentar la longitud de
difusión del emisor adoptando estructuras interdigitadas en forma de cruz o peines como puede
observarse en la figura de la derecha. Esto es debido a la elevada concentración de portadores sobre los
bordes del emisor, por las elevadas densidades de corriente que ha de soportar.
Los transistores de efecto campo, también se fabrican mediante la técnica planar-epitaxial, sólo que
mediante un proceso distinto

3. ¿Qué curvas características nos permiten explicar el funcionamiento del transistor?

.
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4. ¿En su estructura, en qué se diferencian los transistores PNP y NPN?

La diferencia que hay entre un transistor NPN y otro PNP radica en la polaridad de sus electrodos una
forma de identificar un transistor NPN o PNP es mediante un polímetro: Este dispone de dos orificios
para insertar el transistor, uno para un NPN y otro para el PNP. Para obtener la medida de la ganancia
es necesario insertarlo en su orificio apropiado, con lo que queda determinado si es un NPN o un PNP

EQUIPOS Y MATERIALES
 Protoboard
 Resistencias
 Transistor BC548
 Miliamperímetro DC
 Voltímetro DC
 Fuente DC

PROCEDIMIENTO

Identificación del transistor

Identifique los terminales del transistor BJT

Seleccione la escala de prueba de Diodos en el DMM

Conectar los terminales del DMM con el transistor de acuerdo a la tabla 1. Registrar la lectura del DMM.

C 1
B 2
E 3
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Tabla 1.

Terminal rojo Terminal Lectura del

(+) negro (-) DMM
1 2 -------
2 1 792
1 3 --------------
3 1 -----------
2 3 798
3 2 ------------

Identificar las características del Transistor en la siguiente tabla

Tabla 2.

Terminal base 2
Terminal colector 1
Terminal emisor 3
Tipo de transistor Npn
Material del transistor silicon

Esquema

1. Mediante el multímetro, obtenga las siguientes características del transistor: deducción del tipo de transistor
(NPN o PNP en los BJT), configuración de cada patilla y  (hFE).
2. Para ello, encontrar cuál es la situación de los diodos y su polaridad. Una vez conocida la correspondencia
de cada patilla, colocar adecuadamente en el multímetro para medir  en el caso de un BJT. De esta forma
se puede deducir si se trata de un PNP, de un NPN si son BJTs.
3. Utilizando la hoja de datos analizar las siguientes características del transistor: tipo de transistor,
configuración de cada patilla, potencia máxima, V CE máxima, IC máxima,  (hFE) y frecuencia de corte.
4. En el circuito, T1= BC548B; Vref= 15V; Rb1= 4.7K; Rb2 = 5M; Rc1= 100 y Rc2 = 10K. Se requiere
ajustar Rb2 de tal manera que IB alcance los 25uA. A continuación se varía Rc2 de forma de V CE sea 0V,
0.5V, 1V y 1.5 V midiendo en los distintos casos la corriente I C.

Vce= 0v Vce= 0.5v Vce= 1v Vce= 1.5v

Ib=25 uA Ic= 1.3 mA 8.1 mA 8.3 mA 8.3 mA
Ib=50 uA Ic= 3.8 mA 15.2 mA 16.1 mA 16.4 mA
Ib=75 uA Ic= 1.3 mA 20.1 mA 23.6 mA 24.1 mA
Ib=125 uA Ic= 1.3 mA 27 mA 33.7 mA 37.3 mA
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5. Grafique Vce vs Ic.

6. Obtener las lecturas de VCE, IB, e IC empleando el multímetro, repitiendo el proceso para I B igual a 50uA,
75uA y 125uA. Grafique Vce vs Ic para cada caso.

Características del Colector

a. Construya el circuito de la fig 2.

b. Fijar el voltaje VRB a 3.3V variando el potenciómetro de 1M. Esto fijará IB = VRB/RB a 10A como se indica en
la Tabla 3.

c. Luego fijar VCE a 2V variando el potenciómetro de 5K como se indica en la primera línea de la Tabla 3.

d. Registre el voltaje VRC y VBE en la Tabla 3.

e. Variar el potenciómetro de 5K parta incrementar V CE de 2 V hasta los valores que aparecen en la Tabla 3.
Notar que IB es mantenida a 10A en los diferentes niveles de VCE.

f. Para cada valor de VCE mida y registre VRC y VBE. Use la escala de mV para VBE.

g. Repita los pasos B hasta F para todos los valores indicados en la Tabla 3. Cada valor de V RB establecerá un
nivel diferente de IB para la secuencia de valores de VCE.

h. Después de haber obtenido todos los datos, calcule el valor de I C = VRC / VC y el valor de IE = Ic + IB. Use los
valores medidos de Rc.
i.
Usando los datos de la Tabla 3, dibuje la curva característica del transistor en la fig. 3 La curva es I C vs. VCE
para los diferentes valores de IB Seleccionar una escala adecuada para Ic e indique cada valor de IB.
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Tabla 3

VRB (V) Ib (μA) Vce (V) Vrc (V) IC (μA) Vbe (V) Ie (μA) α β
(medido) (Calculado) (medido) (medido) (Calculado) (medido) (Calculado) (Calculado) (Calculado)

3.3 10 2 3.4 1.7 0.5 1700 1 170k

3.3 10 4 3.4 0.85 0.65 850 1 85
3.3 10 6 3.5 0.58 0.65 580 1 58
3.3 10 8 3.6 0.45 0.62 450 1 45
3.3 10 10 3.7 0.37 0.61 370 1 37
3.3 10 12 3.74 0.32 0.6 320 1 32
3.3 10 14 3.94 0.28 0.6 280 1 28
3.3 10 16 4.03 0.25 0.6 250 1 25

6.6 20 2 7.14 3.57 0.57 3570 1 178.5

6.6 20 4 7.12 1.78 0.59 1780 1 84
6.6 20 6 7.32 1.22 0.61 1220 1 61
6.6 20 8 7.54 0.95 0.56 950 1 47.5
6.6 20 10 7.84 0.78 0.56 780 1 34
6.6 20 12 8.17 0.68 0.57 680 1 34
6.6 20 14 ----- ------ ----- ------- ----- -----

9.9 30 2 10.25 5.12 0.59 5120 1 170.7

9.9 30 4 10.54 2.64 0.57 2640 1 88
9.9 30 6 11.03 1.84 0.56 1840 1 61.3
9.9 30 8 11.64 1.46 0.58 1460 1 48.7
9.9 30 10 ----- ------ ---- ------------- ---- ----

13.2 40 2 13.13 6.56 0.37 370 1 164

13.2 40 4 13.96 3.44 0.20 200 1 87.2
13.2 40 6 14.3 2.38 0.28 280 1 60.5
13.2 40 8 ------ ----- ------- ------------ ------ ------

16.5 50 2 16.0 8 0.13 130 1 2600

16.5 50 4
16.5 50 6
16.5 50 8

Variación de  y 
Para cada línea de la Tabla 3 Calcule los niveles correspondientes de  y  usando las siguientes ecuaciones:

 = Ic / IE
 = Ic / IB
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CUESTIONARIO FINAL

1 La gráfica Vce vs Ic, ¿qué características tiene?, ¿las intersecciones con el eje ‘x’ i ‘y’ qué
representan?
Representa la recta de carga del BJT, donde se puede apreciar la zona de corte y de saturación y los puntos
de trabajo del transitor.

1.8

1.6
1.4
1.2
1
Ic

0.8
0.6
0.4
0.2

0
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18
Vce

Gráfica 1. Ib=10mA

3.5

2.5

2
Ic

1.5

0.5

0
0 2 4 6 8 10 12 14
Vce

Gráfica 2. Ib=20mA
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3
Ic

0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9
Vce

Gráfica 3. Ib=30mA

4
Ic

0
0 1 2 3 4 5 6 7
Vce

Gráfica 4. Ib=40mA

2 ¿Qué diferencias encuentra entre las gráficas para 25, 50, 75 y 125 uA?
Los puntos de trabajo son distintos para cada caso de corriente de base, siendo la zona de corte igual
para cada uno y a mayores voltajes suben de forma proporcional a la corriente de base.

3 ¿Cuándo se dice que un transistor está en corte?, ¿se da esta caso en la práctica?
Cuando no pasa corriente por la base, no puede pasar tampoco por sus otros terminales; se dice entonces
que el transistor está en corte, es como si se tratara de un interruptor abierto. El transistor está en
saturación cuando la corriente en la base es muy alta; en ese caso se permite la circulación de corriente
entre el colector y el emisor y el transistor se comporta como si fuera un interruptor cerrado.
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4 Cuándo se dice que un transistor está en saturación, ¿se logra en la práctica?

Para que el transistor entre en saturación, la VCE=0, en teoría entre el colector y el emisor habrá
un cortocircuito, en realidad la VCE nunca es cero, pero para facilitar los cálculos se asume que es cero.

5 Indique la relación entre Ic e Ib que encontró en la práctica.

La corriente de colector es mucho más grande que la corriente de base en todos los casos de la práctica.
Ya que la corriente de base se encuentra en el rango de los micro y la corriente de colector en el rango
de milis.

CONCLUSIONES, OBSERVACIONES Y RECOMENDACIONES

 El transistor permite controlar el paso de la corriente a través de sus terminales.
 Los transistores bipolares son los transistores más conocidos y se usan generalmente en electrónica
analógica
 Un transistor de unión bipolar consiste en tres regiones semiconductoras dopadas: la región del emisor,
 la región de la base y la región del colector.
 Pequeños cambios en la tensión aplicada entre los terminales base-emisor genera que la corriente que
circula entre el emisor y el colector cambie significativamente.
 La corriente colector-emisor puede ser vista como controlada por la corriente base-emisor (control de
corriente), o por la tensión base-emisor (control de voltaje).
 Una forma de medir la eficiencia del BJT es a través de la proporción de electrones capaces de cruzar la
base y alcanzar el colector.
 a ganancia de corriente emisor común está representada por hfe. Esto es aproximadamente la tasa de
corriente continua de colector a la corriente continua de la base en la región activa directa y es
típicamente mayor a 100.
 NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras "N" y "P" se refieren a los
portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes regiones del transistor.
 La mayoría de los transistores bipolares usados hoy en día son NPN, debido a que la movilidad del
electrón es mayor que la movilidad de los "huecos" en los semiconductores, permitiendo mayores
corrientes y velocidades de operación.
 Cuando un transistor no está ni en su región de saturación ni en la región de corte entonces está en una
región intermedia, la región activa. En esta región la corriente de colector (Ic) depende principalmente de
la corriente de base (Ib).