MOSFET

Electrónica Analógica I
“Transistor MOSFET”
Xavier Pesantez ([email protected])
Ingeniería Electrónica
Universidad Politécnica Salesiana
Cuenca, Ecuador
Resumen.- En la presente investigación se

abordará el tema acerca del transistor
MOSFET, así como sus características,
estructura interna, funcionamiento, curva
característica, mosfet incremental y mosfet
decrementar.
Introducción.- Figura 1.0 Estructura interna del transistor

MOSFET canal n
Los transistores MOSFET son dispositivos de
efecto de campo, los cuales utilizan un campo
eléctrico para crear un canal de conducción.
Son dispositivos parecidos a los transistores
FET, pero manejan corrientes mas elevadas.
Existen dos tipos de MOSFET, mosfet de
acumulación y mosfet de depleción.
Características
Figura 1.2 Estructura interna del transistor
MOSFET canal p
Los transistores JFET y MOSFET tienen una
estructura física muy diferente pero sus
ecuaciones analíticas son muy similares. Por
ello, en los transistores MOS se definen las
mismas regiones de operación: corte,
lineal, saturación y ruptura. Además estos
tienen la capacidad de disipar altas potencias
y conmutar grandes corrientes en menos de
un nanosegundo: mucha más rapidez que la
actualmente alcanzable utilizando un BJT, es Figura 1.3 Simbología MOSFET canal n y canal
por esta razón que se lo utiliza como p
interruptor de alta potencia y alta frecuencia.
1
Zonas de funcionamiento del transistor Si el transistor está cerrado pero soporta una
MOSFET tensión drenador-surtidor elevada, éste se
comporta como una fuente de corriente
constante, controlada por la tensión entre la
puerta y el surtidor. La disipación de potencia
en este caso puede ser elevada dado que el
producto tensión-corriente es alto, el
transistor se comporta como una fuente de
corriente controlada por la tensión VGS.
Verifica las siguientes ecuaciones:
Figura 2.0 Curva Característica del transistor

MOSFET
Región de corte
Se verifica que VGS< VT, la tensión entre la
puerta y la fuente es más pequeña que una
determinada tensión umbral (VT), con lo que
el dispositivo se comporta como un Mosfet de deplexion
interruptor abierto y la corriente ID es nula.
Tiene las curvas características casi idénticas a
Región lineal las de los JFET.
Si la tensión entre la puerta y la fuente (o • Existe un delgado canal de material
surtidor) es suficientemente grande y la semiconductor tipo n que comunica la fuente
tensión entre el drenador y la fuente es con el drenador. Encima de éste canal, se
pequeña, l transistor se comporta como un encuentra el material aislante y la capa
elemento resistivo no lineal controlado por metálica (aluminio o silicio policristalino), que
tensión. forma la puerta.
• La diferencia de funcionamiento con el JFET
de canal n reside en que el MOSFET de
deplexión puede funcionar con valores
positivos de Vgs, mientras que esto no se
puede hacer en el JFET (polarización directa de
la puerta).
• Las curvas de características de salida son
casi idénticas, y las ecuaciones del JFET de
canal n se pueden aplicar al MOSFET de
deplexión de canal n.
Un parámetro característico del MOS que
depende de la tecnología a través de la
constante k y del tamaño de la puerta del
transistor (W la anchura y L la longitud).
Región saturación
2
las del MOSFET de enriquecimiento de canal
N.
Figura 3.0 Simbología Mosfet de

empobrecimiento
Mosfet de Acumulación Figura 4.0 Simbología Mosfet de acumulación

o enriquecimiento
El MOSFET de enriquecimiento de canal N
difiere constructivamente del de
empobrecimiento de canal n en que no tiene
capa de material N, sino que requiere de una
tensión positiva entre la puerta y la fuente
para establecer un canal. Este canal se forma
por la acción de una tensión positiva
compuerta-fuente (VGS) ,que atrae electrones
de la región del sustrato ubicada entre el
drenador y la compuerta que están formados
por material semiconductor tipo P. Es decir
que el canal no tiene existencia “física” como
ocurre con el mosfet de empobrecimiento,
sino que se forma a partir de una tensión
aplicada VGS.
Una VGS positiva, provoca que los electrones
se acumulen en la superficie inferior de la
capa de óxido, produciéndose el Figura 5.0 Simbología Mosfet de acumulación
“enriquecimiento” de la región del canal. o enriquecimiento y mosfet de deplexion o
Cuando la tensión alcanza el valor umbral , empobrecimiento
VT , han sido atraídos a esta región los
electrones suficientes para que se comporte Conclusiones
como canal N conductor.
No habrá una corriente apreciable ID hasta Al finalizar la presente investigación se
que VGS exceda el valor VT. adquirió conocimientos sobre el transistor
Para el MOSFET de enriquecimiento, no existe MOSFET el cual a diferencia del transistor FET,
un valor de IDSS ya que la corriente de drenaje este tipo MOSFET puede trabajar con
es cero hasta que el canal se ha formado. corrientes elevadas, este tipo de transistor es
El MOSFET de enriquecimiento de canal P controlado por voltaje, es ventajoso ya que su
tiene características similares pero opuestas a tamaño es muy reducido en comparación a los
FET y es muy utilizado en electrónica de
3
Potencia debido a las grandes potencias que
puede disipar y puede ser aplicado como
Interruptores analógicos o digitales de alta
potencia y alta frecuencia, Etapas de entrada a
amplificadores diferenciales, Amplificadores
especiales y Resistencias controladas por
tensión.
Referencias
[1] Publicación en internet “Transistores de

Efecto” disponible en:
http://www.icmm.csic.es/fis/gente/josemaria
_albella/electronica/8%20Transistores%20de
%20Efecto%20Campo.pdf
[2] Publicación en internet “Mosfet-Basics”

disponible en:
http://www.ecse.rpi.edu/~schubert/Course-
ECSE-6290%20SDM-2/1%20MOSFET-
1%20Basics.pdf
[3] Publicación en internet “Dispositivos de

Electrónica de Potencia” disponible en:
http://tec.upc.es/el/TEMA- 20EP%20(v1).pdf
[4] Publicación en internet “TRANSISTORES DE

EFECTO DE CAMPO” disponible en:
http://www.frro.utn.edu.ar/repositorio/catedr
as/electrica/3_anio/electronica_1/apuntes/Tra
nsistor%20de%20Efecto%20de%20Campo.
%20-%20fets_2002.pdf

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Resumen.- En la presente investigación se

Introducción.- Figura 1.0 Estructura interna del transistor

Figura 2.0 Curva Característica del transistor

Figura 3.0 Simbología Mosfet de

Mosfet de Acumulación Figura 4.0 Simbología Mosfet de acumulación

[1] Publicación en internet “Transistores de

[2] Publicación en internet “Mosfet-Basics”

[3] Publicación en internet “Dispositivos de

[4] Publicación en internet “TRANSISTORES DE

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