IEE3923 Sensores y Actuadores para Robótica - Prof. M. Torres T.

Departamento de Ingenierı́a Eléctrica

Pontificia Universidad Católica de Chile

Actividad 1: Apuntes Puente H

⊳ Circuitos Básicos ⊲

1. Introducción
En clases se estudio el esquema general del puente H. Si bien el principio de operación y su construcción es
relativamente sencilla, en la práctica existen una variedad de opciones que se distinguen principalmente en dos
aspectos:

1. Tipo de transistor de potencia: BJT o MOSFET.

2. Simplicidad y robustez del circuito.

La implementación de un puente-H utilizando transistores BJT, y en especial BJT tipo Darlington, es la más
simple, puesto que en principio podrı́a utilizarse las señales de un microcontrolador estándar para activar los
transistores, sin la necesidad de componentes adicionales. Sin embargo, esto no es lo ideal, puesto que una
sobredemanda de corriente o una sobretensión pueden dañar el microcontrolador. La sobretensión es habitual
dada la naturaleza inductiva de la carga. Por otro lado, una lógica de control mal implementada puede resultar
en estados en que se activa en forma simultánea la totalidad del puente, lo cuál puede destruir los transistores
por la sobrecorriente de corto circuito que se produce. Por estas razones, se requieren medidas adicionales que
garanticen la integridad tanto de la electrónica de control como de potencia. En las siguientes secciones se
presentarán diversos diseños, partiendo desde lo más simple aunque tal vez poco eficiente y robusto, hasta lo
más avanzado. Los diseños que se presentan han sido seleccionados en base a los siguientes criterios:

1. Simplicidad: Menor número de componentes posible.

2. Robustez: Tolerancia a fallas y sobredemandas.

3. Eficiencia: Menores pérdidas posibles en los transistores.

4. Efectividad: Mayor resolución posible.

5. Generalidad: Aplicables a un amplio rango de motores DC y de fácil integración con la lógica de control.

6. Costo e implementación: Componentes fáciles de conseguir a precios razonable en el mercado.

No todos los circuitos presentados son eficientes o previenen las fallas mencionadas. Algunos circuitos se
incluyen solo por su simplicidad. Para facilitar la decisión de implementación y diseño de un puente H, se
resume a continuación la lista de problemas más frecuentes y como evitarlos. Considerar estos aspectos en
la etapa de diseño puede evitar complicaciones posteriores en la etapa de implementación o de operación del
dispositivo.

1. El microcontrolador se daña fácilmente y deja de funcionar: Aisle los transistores de potencia del puente
H de la electrónica de control mediante buffers u optocuplas. De esta manera evitará sobretensiones
que se propaguen hasta el microcontrolador y sobreconsumos de corriente que exceden la capacidad del
microcontrolador.

2. El circuito produce ruido audible: Conmute los transistores idealmente a 16-20 kHz.

3. El circuito no puede conmutarse a frecuencias sobre los 3 kHz: debe diseñar el circuito empleando
MOSFET en vez de BJT, ası́ como emplear optocuplas rápidas o utilizar buffers CMOS de alta velocidad
en vez de optocuplas. Los integrados MGD (MOSFET Gate Driver) pueden resolver este problema
utilizando un solo chip.
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4. El circuito tiene una resolución baja o limitada: Debe utilizar una PWM de 16-20 kHz. Si emplea
BJT y optocuplas lentas nunca podrá alcanzar frecuencias de conmutación ideales entre 16-20 kHz,
especialmente si emplea transistores BJT tipo Darlington que operan razonablemente bien hasta los 3
kHz.

5. Los transistores del puente se queman repentinamente: Verifique que la lógica de control no esté ac-
tivando todo el puente o todo un lado en forma simultánea, esto corresponde a un cortocircuito de
la fuente. Para evitar que se enciendan los transistores simultáneamente debe implementar lógica de
protección a nivel del microcontrolador o bien emplear un diseño circuital con lógica que bloque la falla.
La otra causa de daño de los transistores puede ser una sobretensión por desconexión brusca o una
sobredemanda de corriente por cambio de giro repentino. Para evitar los spikes de sobretensión debe
colocar diodos “flyback” adicionales en forma antiparalela con los transistores de potencia. Para evitar
las sobrecorrientes, evite en lo posible aceleraciónes grandes, especialmente los cambios repentinos en el
sentido de giro del motor.

2. Puente-H BJT

2..1 Puente-H BJT Básico

Un puente-H básico se compone de cuatro transitores como se muestra en la fig. 1. Cuando se activan los
transistores superior izquierdo e inferior derecho, la carga queda energizada con el voltaje de la fuente V S en el
terminal izquierdo y el potencial de tierra en el terminal derecho. En cambio, cuando se activan los transistores
superior derecho e inferior izquierdo, el terminal derecho ahora recibe el voltaje de la fuente, mientras que el
terminal izquierdo tendrá el potencial de tierra. De esta manera, la polaridad de la carga, como un motor
se invierte, cambiándose el sentido de giro. Los posibles estados del puente se resumen en la tabla 1. En
esta tabla, A.in, B.in representan los niveles lógicos en los terminales de entrada del circutio, X.out e Y.out,
representan los terminales de salida izquierdo y derecho, respectivamente. El término V S representa el voltaje
de la fuente de alimentación y “x” es un estado indeterminado (el terminal está flotando sin estar conectado a
la fuente o a tierra). Si bien este circuito es sencillo, tiene algunos problemas. En primer lugar, una activación
del puente entero (A.in=B.in=1) produce un corto circuito que puede destruir el puente. Por otro lado, la
eficiencia del puente es limitada porque los transistores son todos NPN y tal configuración no permite llevar
a conducción plena los transistores del lado superior del puente, puesto que el emisor del lado superior no se
encuentra a potencial de tierra, sino a potencial de 2 − 4 V correspondientes a la caida de tensión Vce en los
transistores del lado inferior, y luego puede requerise un voltaje Vbe mayor en el lado superior para saturar el
transistor. Por esta razón, conviene utilizar transitores complementarios PNP en el lado superior del puente
como se explica en la siguiente sección. A continuación se resumen las caracterı́sticas del puente-H de la fig. 1:
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Notas – Puente-H fig. 1:

• Las resistencias en la base de los transistores son para limitar la demanda

de corriente sobre el microcontrolador por parte del transitor. En la práctica
el valor de la resistencia puede encontrarse colocando un valor alto y re-
duciéndolo progresivamente hasta encontrar el punto en el que el transistor
entra en conducción. El valor exacto puede calcularse empleando el valor de
ganancia colector-base βF y la corriente por la carga (βF = Ic /Ie ).

• Los transistores pueden ser TIP41 (Ic = 6 A, Vce = 40 V , P = 65 W ),

TIP35C (Ic = 25 A, Vce = 100 V , P = 125 W ), u otros, como el
2N3055/2N2955 o los BJT Darlington TIP120 y TIP142.

• Si el requerimiento de corriente del transistor es muy alto, debe emplearse un

buffer o un transistor de señal, tipo 2N2222 entre la compuerta del micro-
controlador y el transistor de potencia del puente.

• Los transistores de potencia deben ubicarse en una placa aparte de la placa de

circuitera lógica, idealmente aislados mediante optocuplas y montados sobre
disipadores de calor.

• Debe tenerse presente que en la mayora de transistores, el terminal colector

corresponde al exterior del encapsulado. Por lo tanto, debe cuidarse de aislar
o montar transistores cuyo colector no es comn en disipadores independientes.

Tabla 1: Lógica de control del puente-H de la fig. 1.

A.in B.in X.out Y.out Descripción
1 0 VS 0 FWD (giro adelante)
0 1 0 VS REV (giro reverso)
0 0 x x free coasting (giro libre)
1 1 !!! !!! corto circuito V S-GN D (¡daño
de los transistores!)

2..2 Puente-H con BJTs tipo Darlington Complementarios

En un puente-H con transistores complementarios, la parte superior del puente emplea tı́picamente transitores
tipo PNP, en una configuración llamada configuración de fuente como se muestra en la fig. 2. En esta
configuración el transistor actua como una fuente de corriente para la carga. La resistencia de 10 kΩ actua
como pull-up asegurando que el transistor se mantega apagado (en corte sin conducir corriente) mientras no se
conecte el switch. La resistencia de 1 kΩ se emplea para limitar la corriente que sale de la base cuando la base
se lleva a tierra mediante el switch. Cuando el switch se cierra, la juntura emisor-base se polariza en forma
directa, haciendo que cierta corriente salga “hacia afuera” de la base. Si la baterı́a es de 12 V y la caı́da de
tensión Veb = 0.7 V , la corriente por la base será Ib = 12−0.7
1000 = −11.3 mA (negativo porque está saliendo de
la base). Dada la constante Hf e para el TIP107, este nivel de corriente es suficiente para encender el transistor
manteniéndolo saturado en un nivel de corriente que dependerá de la resistencia de la carga.
De manera similar, la parte inferior del puente puede implementarse empleando un transistor complementario
en configuración de sumidero como se muestra en la fig. 3. Esta configuración recibe este nombre porque el
transitor actua como un sumidero permitiendo a la corriente entrar al nodo de tierra una vez que ha pasado
por la carga. En este caso la resistencia de 10 kΩ actua como pull-down para mantener el transitor apagado
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Figura 1: Puente-H básico empleando BJTs tipo NPN.

Figura 2: Transistor PNP conectado en configuración de fuente.

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mientras no se cierre el switch. Al igual que en el caso anterior, la resistencia de 1 kΩ tiene por finalidad
limitar la corriente que entra por la base cuando se cierra el switch y la juntura base-emisor se polariza en
forma directa.

Figura 3: Transistor NPN conectado en configuración de sumidero.

Ciertamente tener un switch no ayuda a resolver el problema de conectar y desconectar la carga utilizando el
transistor. En tal caso, simplemente deberı́a emplearse el switch directamente en serie con la carga. Para la
configuración sumidero (fig. 3) la activación podrı́a realizarse aplicando 5 V (señal lógica) del microcontrolador
directamente a la resistencia en la base del transistor para polarizar en forma directa la juntura base-emisor según
se muestra en la figura 4. Si la caida de tensión Vbe = 0.7 V , la corriente de base será Ib = 5−0.7 1000 = 4.3 mA,
suficiente para hacer que el transistor entre en conducción sin sobrecargar al microcontrolador.

Figura 4: Transistor NPN conectado en configuración de sumidero a salidas de microcontrolador.

La solución anterior no puede aplicarse para reemplazar el switch en la configuración fuente por una conexión
directa al microcontrolador. Si bien en el caso de la configuración fuente, el pull-up puede llevarse a tierra
colocando una señal 0 V en alguna salida del microcontrolador, haciendo que el transistor empiece a conducir,
el problema está en que el microcontrolador no puede poner en su salida un voltaje igual a V S, para llevar el
voltaje en la resistencia de 1 kΩ en la base a un voltaje igual al de la fuente, y ası́ interrumpir la conducción de
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corriente por el transistor. En algunos microcontroladores es posible poner la salida del microcontrolador en
tri-state dejándo que la base suba al voltaje de la fuente libremente a través de la resistencia de pull-up. Sin
embargo, esto tiene el riesgo de que al exponer el pin del microprocesador a un voltaje mayor al que estaba
diseñado para soportar el microcontrolador simplemente se queme. Una solución simple es utilizar un transistor
de señal que funcione como pull-down, según se muestra en el circuito de la figura 5. El transistor pull-down
permite llevar el pull-up del transitor de potencia a tierra cuando se necesita encenderlo completamente, e
interrumpir el pull-down cuando se requiera apagar el transistor de potencia dejando que su base vuelva al
voltaje de la fuente a través del pull-up.

Figura 5: Transistor PNP conectado en configuración de fuente a salidas de microcontrolador mediante un

transistor pull-down.

Aplicando las ideas mencionadas puede implementarse un puente-H como el que se muestra en la figura 6,
basado en el circuito propuesto por [4]. Los posibles estados del puente se resumen en la tabla 1. Las principales
caracterı́sticas de este puente-H (fig. 6) son:
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Notas – Puente-H fig. 6:

• El transistor TIP120 puede reemplazarse por TIP102, TIP122 o TIP142.

• El transistor TIP125 puede reemplazarse por TIP107, TIP127 o TIP147.

• El voltaje de alimentación para este circuito puede ser V s = 6 − 40 V , con

una corriente Is = 5 A (nom), Is = 8 A (peak).

• Los colectores de los transistores en el lado izquierdo son comunes. Por lo

tanto, pueden compartir un disipador de calor. Esto también es válido para
los transistores en el lado derecho.

• El circuito esta diseñado para funcionar a menos de 3 kHz. Valores entre

50 − 300 Hz son ideales para reducir las pérrdidas en este circuito. Si se
desea hacerlo funcionar a una frecuencia mayor se requieren resistencias de
pinch-off de 1 kΩ colocadas entre la base y el emisor de cada transistor
TIPxxx.

• Para reducir las emisiones RF deben mantenerse los cables entre el puente y
el motor lo más cortos posibles.

• Los diodos flyback no se requieren, ya que están incorporados en los TIPxxx

tipo Darlington.

• Este circuito no tiene limitación de corriente. Inversión del sentido de giro a

altas velocidades puede causar un consumo considerable de corriente.

• Las entradas requieren un voltaje lógico de 5 V . Voltajes mayores puede

sobrecalentar las resistencias R4.

Tabla 2: Lógica de control del puente-H de la fig. 6.

A.in B.in X.out Y.out Descripción
1 0 VS 0 FWD (giro adelante)
0 1 0 VS REV (giro reverso)
0 0 x x free coasting (giro libre)
1 1 VS VS breaking (frenado)

2..3 Puente-H con BJTs tipo Darlington Complementarios y Optocuplas

El circuito anterior (ver fig. 6 tiene dos desventajas. En primer lugar es menos simple que otros circuitos, y
por otro lado, el circuito de control y la parte de potencia comparten la misma tierra, lo cual puede causar que
el ruido en la electrónica de potencia afecte el funcionamiento de la circuiterı́a de control. Una circuito más
conveniente se presenta en la fig. 7, basado en el circuito propuesto por [5]. En vez de utilizar transistores para el
lado superior del puente, este circuito emplea optocuplas como la NEC PS2504-4 que viene en un encapsulado
DIP. La ventaja de este circuito radica en que la optocupla conformada por el para LED-fototransistor, permite
aislar totalmente la electrónica de control de la parte de potencia reduciendo la posibilidad de que una sobrecarga
dañe el microcontrolador e impidiendo que el ruido eléctrico de conmutación en la carga pase a la fuente que
alimenta al microcontrolador. De hecho, para el microcontrolador la optocupla aparece simplemente como un
LED, y la ¡tierra de microcontrolador es independiente de la tierra de potencia!
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Figura 6: Puente-H empleando BJTs PNP y NPN tipo Darlington.

Figura 7: Puente-H empleando BJTs PNP y NPN tipo Darlington con optocuplas.

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La desventaja principal de utilizar optocuplas es que la conmutación de estos es más lenta que la de un
transistor común. En muchas optocuplas el tiempo de encencido es de alrededor de 4 µs. Esto implica que
si uno la enciende y apaga tan rápido como sea posible, en el mejor de los casos la optocupla entregará una
onda cuadrada con un duty cycle de 50% y una frecuencia de 125 kHz. Dado que el tiempo mı́nimo de
apagado o encendido es de 4 µs, si uno desea pasos iguales de PWM de 1% a 100%, se requerirı́a un intervalo
de 100 × 4 µs, de manera de tener todas los incrementos posibles (desde un intervalo de 4 µs encendido y 99
intervalos iguales apagados, hasta 99 intervalos encendidos y un intervalo apagado). Esto limita la frecuencia
de la PWM a fP W M < 1/400 µs = 2500 Hz. Si uno no está interesado en tener uniformidad, particularmente
a velodicidades bajas o altas, entonces podrı́a fijarse el periodo en 1 µs, y aumentar la frecuencia de la PWM a
10 kHz, pero con brechas de velocidad que irı́an en tramos 0%, 4%-96% y luego 100%. Las brechas bajo 4%
y sobre 96% corresponden a los 4 µs de conmutación mı́nima. En este caso el periodo base serı́a de 100 µs. Si
no se requiere precisión de posicionamiento, puede sacrificarse la resolución de velocidad en la parte baja de la
escala.
Los diodos que se muestran en la fig. 7, denominados diodos de flyback, no son extrictamente necesarios si se
emplean transistores BJT tipo Darlington, puesto que estos traen un transistor incorporado. Sin embargo, es
conveniente añadir diodos como una protección adicional. Incluso en algunos casos se añade una red snubber,
que básicamente es un condensador y una resistencia en paralelo con la carga, y cuya función, al igual que los
diodos flyback es la de absorber los impulsos de corriente que se producen al conmutar los transistores. En
efecto, mientras más alta es la frecuencia de conmutación, mayor es la amplitud de los impulsos, pueso que el
voltaje en la carga, que es principlamente de tipo inductivo en el caso de un motor, estará dada en el instante
de conmutación por V = Ldi/dt. Si se considera una inductancia de 1 mH, y una corriente de 10 A, con un
periodo de conmutación de 4 µs, V = 10−3 · 10/(4 · 10−6 = 2500 V . Ciertamente no se alcanzará esta tensión
ya que parte de la energı́a se disipará antes en la resistencia del motor y de los transistores, pero aún ası́ el
peak de voltaje puede ser suficiente como para dañar el transistor si no se cuenta con una protección adicional.
La lógica de control de este puente es muy similar a la del anterior, como se muestra en la tabla 3. La diferencia
yace en el hecho de que en vez de tener dos canales de entrada y la tierra, este puente tiene los canales A
y B, y un canal de habilitación (EN, enable). Este tercer canal se puede utilizar para enviar la señal PWM
mientras que los canales A y B solo determinan la dirección de giro. De esta manera el puente solo requiere
una señal PWM en vez de dos señales PWM en los canales A y B. Esto es particularmente conveniente en
microcontroladores pequeños que poseen solo una señal PWM o en los cuales el costo de generar interrupciones
tiene un impacto alto sobre la velocidad de desempeño del código. Algunas caracterı́sticas y observaciones
importantes sobre este puente-H de (fig. 7) se resumen en el cuadro que se presenta a continuación.

Tabla 3: Lógica de control del puente-H de la fig. 7.

A.in B.in EN X.out Y.out Descripción
1 0 0 VS 0 FWD (giro adelante)
1 0 1 VS x Q4 OFF. PWM en EN regula la
velocidad FWD
0 1 0 0 VS REV (giro reverso)
0 1 1 x VS Q3 OFF. PWM en EN regula la
velocidad REV
0 0 0 x x Todos los transistores OFF, free
coasting (giro libre)
0 0 1 x x Todos los transistores OFF, free
coasting (giro libre)
1 1 0 VS VS Q3 y Q4 ON, breaking (frenado)
1 1 1 VS VS Q3 y Q4 ON, breaking (fre-
nado). PWM en EN, regula la
velocidad de frenado.

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Notas – Puente-H fig. 7:

• El transistor TIP102 puede reemplazarse por TIP120, TIP122 o TIP142

• El transistor TIP107 puede reemplazarse por TIP125, TIP127 o TIP147

• El voltaje de alimentación para este circuito puede ser V s = 6 − 40 V , con

una corriente Is = 5 A (nom), Is = 8 A (peak).

• Los colectores de los transistores en el lado izquierdo son comunes. Por lo

tanto, pueden compartir un disipador de calor. Esto también es válido para
los transistores en el lado derecho.

• El circuito esta diseñado para funcionar a menos de 3 kHz. Valores entre

50 − 300 Hz son ideales para reducir las pérrdidas en este circuito. Si se
desea hacerlo funcionar a una frecuencia mayor se requieren resistencias de
pinch-off de 1 kΩ colocadas entre la base y el emisor de cada transistor
TIPxxx.

• Para reducir las emisiones RF deben mantenerse los cables entre el puente y
el motor lo ms cortos posibles.

• Los diodos flyback no se requieren, ya que están incorporados en los TIPxxx

tipo Darlington. Los diodos en este diagrama son de respuesta rpida, y se
incluyen para proteccin adicional de los transistores.

• Este circuito no tiene limitación de corriente. Inversión del sentido de giro a

altas velocidades puede causar un consumo considerable de corriente.

• Este circuito tiene la ventaja de que no permite entradas invalidas, que activen
un lado completo del puente cortocircuitando la fuente. Adems tiene la
ventaja de aislar las seales de potencia de las seales de control mediante las
optocuplas.

• Las optocuplas pueden ser del tipo PS2501-4 (Quad optocoupler).

• Los canales A, B, pueden conectarse directamente a la salida de un PIC. Los

“LEDs” internos de la optocuplas tı́picamente generan una caida de tensión
de 1.2 V , la corriente máxima que entrega un PIC es de 20 mA, y por lo
tanto, se requiere de una resistencia para limitar la corriente al valor mı́nimo
de encendido del LED IL = 6.8 mA = (5 − 1.2)/R, de donde R = 530 Ω.

3. Puente-H MOSFET
Al igual que en el caso del puente-H con transistores BJT es posible implementarpuente-H con transistores
MOSFET. Los transistores MOSFET requieren de electrónica adicional, puesto que requieren niveles de tensión
Vsg entre el gate y el source sobre los 12 V para su activación y los transistores TTL (5 V ) no pueden generar
o trabajar a estos niveles. Por esta razón los MOSFET no pueden conectarse directamente a las salidas TTL
de los microcontroladores comunes. A pesar de esta desventaja y el hecho de que su construcción tipo CMOS
los hace muy vulnerables a descargas estáticas, los beneficios que tienen los hacen los convierten en la primera
opción de todo puente de alto desempeño. Las ventajas de los MOSFETs se resumen en sus bajas pérdidas
(menos de 10 − 20 W frente a pérdidas de 100 W para un transistor de capacidad media similar), y su alta
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velocidad de conmutación (permite generar un mayor número de niveles en la PWM).
En la figura 8 se muestra un esquema básico del puente-H implementado con MOSFETs de canal N. La lógica
de control para este circuito es equivalente al de la versión BJT que se muestra en la tabla 1. A diferencia del
puente-H básico implementado con BJTs, en este puente se requieren 4 compuertas NAND que vienen en un
Quad NAND como el CMOS 4011. Estas compuertas tienen por finalidad realizar la conversión de nivel TTL
a CMOS. Algunos circuitos para la conversión TTL a CMOS y viceversa se presentan en la siguiente sección.
Otras caracterı́sticas de este puente-H se resumen en el siguiente cuadro.

Notas – Puente-H fig. 8:

• Las compuertas NAND forman parte de un IC CMOS Quad NAND 4011.

Estas pueden reemplazarse por optocuplas como se explicará a continuación.

• Los diodos son necesarios para proteger los transistores MOSFET, los cuales
pueden ser transistores de canal N como el IRF 530N, IRF Z48N o IRF 1405 de
International Rectifier. Este último ha sido reemplazado por uno de menores
pérdidas, el IRF B3006.

• Este puente, al igual que la versión básica empleando BJTs, no considera

mecanismos que eviten la activación del puente completo y el cortocircuito
de la fuente.

Figura 8: Puente-H básico empleando MOSFETs de canal N.

3..1 Puente-H con MOSFETs Complementarios

El utilizar transistores MOSFETs complementarios puede lograrse el encendido completo de los transistores y
de esta manera reducir las pérdidas en el transistor. Las razones del por qué no puede lograrse un encencido
completo cuando los transistores son del mismo tipo son las mismas que las mencionadas en el caso del
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puente BJT con transistores complementarios. Un puente-H muy similar al anterior pero con compuertas
complementarias se muestra en la fig. 9. Para este circuito también son válidas las observaciones mencionadas
para el puente-H básico de la sección anterior. Estas y otras observaciones se incluyen a continuación.

Notas – Puente-H fig. 9:

• Las compuertas NAND forman parte de un IC CMOS Quad NAND 4011. Estas pueden
reemplazarse por optocuplas como se explicará a continuación.

• Los diodos son necesarios para proteger los transistores MOSFET, los cuales pueden
ser transistores de canal N como el IRF 530N, IRF Z48N o IRF 1405 de International
Rectifier. Este último ha sido reemplazado por uno de menores pérdidas, el IRF B3006.

• Este puente, al igual que la versión básica empleando BJTs, no considera mecanismos
que eviten la activación del puente completo y el cortocircuito de la fuente.

• El uso de MOSFETs de canal complementario (tipo P en la parte superior del puente

en vez de N) permite un encendido completo de los transistores. Si bien los dispositivos
de canal N son preferibles por sus bajas pérdidas, el problema que tienen es que para
operar correctamente el terminal source debe estar conectado al borne del motor y el
terminal drain a la fuente (ver fig. 8). Cuando se utiliza un dispositivo tipo P, su
terminal source estará conectado a la fuente y el terminal drain al borne del motor (ver
fig. 9). El problema está en que ambos dispositivos se controlan mediane el voltaje
VGS . Para dispositivos de canal P (ver fig. 9), si el gate está conectado a V S (el voltaje
de la fuente), el transistor estará cerrado (voltaje VGS = 0 V ) y si el gate se conecta
a tierra el transistor se abrirá (si el voltaje V S de la fuente es suficiente para abrir el
transistor, dado que el voltage VGS = −V S). Para el dispositivo de canal N del lado
superior del puente (ver fig. 8) la situación es más complicada. Si se conecta el terminal
gate a tierra o la fuente, el dispositivo se mantendrá cerrado porque VGS será 0 V o
superior −V S (por la caida de tensión en los tansistores del lado inferior del puente).
y no tendrá un valor negativo, como se requiere para abrirlo. La pregunta es dónde
conectar el gate del transistor de canal N para abrirlo, dado que el voltaje de la fuente
V S puede ser insuficiente, pues cuando el dispositivo está cerrado, VDS ≈ 0. Como
el drain está conectado a V S, entonces VS ≈ V S, pero se requiere VGS > VT H + VS
para abrirlo, con el voltaje de threshold VT H ≈ 5 V para MOSFETs llamados de nivel
lógico (logic level MOSFETs) y VT H ≈ 10 − 15 V para los MOSFETs tı́picos. En la
mayorı́a de los casos se requiere una bomba-de-carga (charge pump) en configuración
stand alone o boot-strapped [8]. En la práctica esto se traduce en que los drivers del
lado superior presentan un tiempo de encendido/apagado mayor que en el lado inferior,
porque los drivers del lado superior no pueden entregar tanta corriente como los de la
parte inferior del puente (menores corrientes implican un mayor tiempo para la carga de
las capacitancias de gate de los transistores). La operación a altas frecuencias, donde
las perdidas por conmutación son un factor importante, el uso de MOSFETs de canal
P puede ser más conveniente por las razones anteriores. A bajas frecuencias, para las
cuales las pérdidas por conmutación son despreciables, la operación de los drivers con
corrientes mayores es deseable. En esta situación, las pérdidas por la resistencia del
canal son más importantes que aquellas por conmutación, y por lo tanto los MOSFETs
de canal N son una mejor solución de compromiso.

Existen otros puente-H basados en MOSFETs que emplean optocuplas como mecanismos de conversión de la
lógica TTL a CMOS, y a la vez como medio de aislación de la circuiterı́a de potencia de aquella de control. Estos
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Figura 9: Puente-H básico empleando MOSFETs de canal P y N.

circuitos son muy similares al de la fig. 7 y pueden encontrarse en [1, 3, 7, 6, 8]. El problema de estos circuitos
es que algunos utilizan optocuplas lentas, y por lo tanto la ventaja de operación rápida de los MOSFETs se
pierde. Una alternativa a las optocuplas son los MOSFET Gate Drivers o MGDs como los ICs Intersil HIP
4081 (para MOSFETs de canal N), el International Rectifier IRS2110 o el L6390 de ST Microelectronics, cuyos
valores se muestran en la tabla 4. Estos integrados contienen la circuiterı́a necesaria para controlar el apagado
y encencido de los transistores del puente en forma segura a partir de señales TTL. En la siguiente sección
se presentan algunas ideas adicionales para realizar la conversión TTL a CMOS y viceversa. Algunos de estos
circuitos pueden utilizarse para controlar la activación de los MOSFETs.

3..2 Puente-H con MOSFETs y Optocuplas

Existen varias alternativas para implementar un puente-H con MOSFETs comandados mediante optocuplas de
manera muy similar al puente-H con BJTs. En la fig. 10 se muestra el puente-H con MOSFETs de canal N y
una manera simple de garantizar que la activación completa de todo el puente nunca ocurra. Esta configuración
requiere de dos señales A y B para controlar el sentido de giro. Si se agrega una tercera señal de ENABLE
como en el circuito de la fig. 11, se puede utilizar la señal ENABLE para la PWM, mientras que A y B definirı́an
el sentido de giro. En realidad, solo son necesarios el ENABLE y A o B, ya que B puede generarse negando
A, aunque en este caso el puente no tendrı́a la capacidad ed frenado (A y B en 1), ni de giro libre (A y B
en 0). Por último, un puente-H con MOSFETs complementarios y optocuplas con canal A, B y ENABLE se
muestra en la fig. 12. Esta es una configuración ideal para conmutación a alta frecuencia, y probablemente la
configuración que deberı́a considerarse como primera opción por su eficiencia y simplicidad.
Para finalizar esta sección se presentan algunos ejemplos de puentes-H basados en MOSFETs que conforman
un grupo representativo de las mejores soluciones que pueden encontrarse en Internet. Estos puentes recogene
de un modo u otro, las recomendaciones presentadas en estos apuntes. En la fig. 13 se muestra el puente-H de
McManis [6], en la fig. 14 se muestra el puente-H Devantech MD22 [9] y finalmente en la fig. 15 se muestra
un puente-H que forma parte de un circuito con adaptadores de señal PWM de servos de radiocontrol (R/C)
a PWM de comando para el puente [10].

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Figura 10: Puente-H básico empleando MOSFETs de canal N y optocuplas independientes.

4. Conversión de nivel TTL a CMOS, CMOS a TTL y optocuplas

Los circuitos de las figuras 16 y 17 muestran circuitos para convertir los niveles de señal TTL a nivel CMOS.
Estos circuitos también pueden emplearse como buffers de protección de la electrónica de control o drivers de
transistores MOSFET. Al emplearlos debe considerarse la capacidad de corriente y voltaje de los transistores
2N2222. En casos que la carga presente un gran consumo y opere a tensiones elevadas estos circutios deberán
modificarse adecuadamente. Las compuertas negadoras son buffers que deben ser de la lógica apropiada, ya
sea CMOS o TTL. En el caso CMOS un buffer negador puede implementarse con un Quad two-input NAND
4011, colocando la misma señal en ambas entradas o bien con un buffer NOT 4069 de seis negadores. Los
buffer TTL pueden construirse de similar manera con un Quad two-input NAND 7400 o negadores 7404 de
seis entradas, o el equivalente al 7404, los 7414 que poseen inputs con Schmitt triggers, los cuales tienen una
mejor inmunidad al ruido y son ideales para señales que cambian lentamente o que son ruidosas.
Otra alternativa a los circuitos de conversión TTL a CMOS y viceversa son las optocuplas. Estas básicamente
son un par LED emisor-fototransistor como se muestra en la fig. 18. Las optocuplas son útiles por su simplicidad
y la capacidad de aislar distintas partes de un circuito, de modo que si una parte contiene señales ruidosas,
estas no contaminen otras partes a través de la tierra compartida. Algunas optocuplas tı́picas son la Vishnay
4N35 (tswitching = 10 µs), CEL PS2501 (tswitching = 5 µs), Toshiba TLP250 (tswitching = 1.5 µs) o Fairchild
Semiconductor 6N135 (tswitching = .5 µs) (esta última permitirı́a una PWM de 20 kHz).

5. Información Adicional Recomendada

En adición a las referencias mencionadas, existen diversas notas de aplicación [11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19]
que describen en mayor profundidad aspectos concernientes al diseño de puentes-H. Algunos de los componentes
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Figura 11: Puente-H básico empleando MOSFETs de canal N y optocuplas con señal ENABLE.

Figura 12: Puente-H básico empleando MOSFETs de canal P y N, y optocuplas con señal ENABLE.

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Figura 13: Puente-H con MOSFETs McManis’ Speed Controller, [6].
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Figura 14: Puente-H con MOSFETs Devantech MD22, [9].

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Figura 15: Puente-H con MOSFETs Speed H-Bridge, [10].

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Figura 16: Conversión TTL a CMOS.

Figura 17: Conversión CMOS a TTL.

Figura 18: Optocupla utilizada como switch e aislación de circuitos.

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más utilizados se resumen en la tabla 4.

Transistores MOSFET
Transistor Canal Vds [V] Id [A] Vgs [V] Rds [m ] Pd [W] Encapsulado Precio [USD] Aplicación
@ Vgs = 10 V, 25 °C @ 25 °C
IRF 9530N P -100 -14 20 200 79 TO-220AB 0.98 Robotics Bonanza
IRF 530N N 100 17 20 90 70 TO-220AB 1.97 Robotics Bonanza
IRF 5305 P -55 -31 20 60 110 TO-220AB 2
IRF IZ48V N 60 39 20 12 43 TO-220FP 2 Devantech
IRF Z48N N 55 64 20 14 130 TO-220AB 2.15 P3-AT
IRF 1405 N 55 169 20 5.3 330 TO-220AB 3.72 Roboteq
IRF B3006 N 60 195 20 2.1 375 TO-220AB 7.32 Remplazar IRF 1405

MOSFET Gate Drivers (MGDs) Precio [USD]

IRS2110 International Rectifier - High and Low Side MOSFET Driver Up to 500 4.32
HIP4081 Intersil - N-channel 80V MOSFET Driver 6.86
L6390 ST Microelectronics - High and Low Side N-channel MOSFET Driver 4.29

Optocupla RapidaTLP250

Transistores BJT
Transistor Tipo Vce [V] Ic [A] Veb [V] Vce [V] Pc [W] Encapsulado Precio [USD] Aplicación
(DC) @ 25 °C
TIP 41 NPN / PNP 40 6 5 1.5 65 TO-220 1.08 / 1.04 Robotics Bonanza
TIP 41C / 42C NPN / PNP 100 6 5 1.5 65 TO-220 0.95 / 0.86 Robotics Bonanza
TIP 142 / 147 NPN / PNP Darlington 100 10 5 3 125 TO-247 2.35 / 2.68 Robot Schweinchen
TIP 35C / 36C NPN / PNP 100 25 5 4 125 TO-247 2.44 / 2.44

Tabla 4: Cuadro comparativo de transistores para puente-H.

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Referencias

[1] Miguel Torres Torriti. Ejemplo Circuitos Microcontroladores. Apuntes del curso Sensores y Actuadores
para Robótica. Pontificia Universidad Católica de Chile, noviembre, 2006.

[2] Miguel Torres Torriti. Tutorial Microcontroladores PIC – Iniciación Rápida –. Pontificia Universidad
Católica de Chile, abril, 2007.

[3] José Luis Peralta Cabezas, Felipe Haro Schapper, Miguel Torres Torriti. Ejemplos del Programa para
Actividad Servomotor basados en el Application Note 696 de Microchip. Pontificia Universidad Católica
de Chile, noviembre, 2006.

[4] Bob Blick. HBbridge. http://www.bobblick.com/techref/projects/hbridge/hbridge.html,

2002.

[5] Chuck McManis. H-Bridges: Theory and Practice.

http://www.mcmanis.com/chuck/robotics/tutorial/h-bridge/index.html. Diciembre 23, 2006.

[6] Chuck McManis. PIC Based Speed Controller.

http://www.mcmanis.com/chuck/robotics/tutorial/h-bridge/index.html. Diciembre 23, 2006.

[7] Vincent Sieben. A High Power H-Bridge. Alberta, Canada, septiembre, 2003.

[8] Andras Tantos. The H-Storm Web. http://www.modularcircuits.com/index.htm, 2007.

[9] Gerry Coe, Devantech Ltd. MD22 - Dual 24Volt 5Amp H Bridge Motor Drive – MD22
Technical Documentation. http://www.robot-electronics.co.uk/images/md22sch2.gif,
ver. 9, marzo 2006. Ver también, el proyecto TamuBot ver. 3.0 (Parker01),
http://sites.google.com/a/tamu.edu/parker01/motor-controller.

[10] Speed H-Bridge. Revista Enciclopedia Electrónica.

[11] Duncan Grant. Using HEXFET III in PWM Inverters for Motor Drives and UPS Systems. International
Rectifier AN-967.

[12] Vrej Barkhordarian. Power MOSFET Basics. International Rectifier AN-1084.

[13] HV Floating MOS-Gate Driver ICs. International Rectifier AN-978.

[14] HIP4081A, 80V High Frequency H-Bridge Driver. Intersil Application Note AN9405.5, December 11, 2007.

[15] Tim Regan. A DMOS 3A, 55V, H-Bridge: The LMD18200. National Semiconductor Corp. Application
Note AN-694.

[16] Tim Bucellla. Servo Control of a DC-Brush Motor. Application Note AN532, Microchip Technology Inc.,
AZ, USA, 1997.
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Departamento de Ingenierı́a Eléctrica
Pontificia Universidad Católica de Chile Actividad 1: Apuntes Puente H
[17] Chris Valenti. Implementing a PIC Controller Using a PIC18 MCU. Application Note AN937, Microchip
Technology Inc., AZ, USA, 2004.

[18] Microchip Tips ’n Tricks. DS40040B, Microchip Technology Inc., AZ, USA, 2003.

[19] IRMCK203 Design Solutions. Design Tips DT04-2, International Rectifier, CA, USA, marzo, 2004.

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