Diseño e Implementación de Un Semáforo Inteligente Con Son Sensores de Al Ta Tecnologia y Energia Renobable
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INFORME LABORATORIO # 7
EL TRANSISTOR COMO CONMUTADOR.
ESTUDIANTES:
JORGE RAMOS ARELLANO
2016119081
JAVIER SALGADO RODRIGUEZ
2016119088.
DIRIGIDIO A:
ING. ARTHUR JOSE BURGOS RODRIGUEZ
GRUPO # 4
INTRODUCCIÓN
El transistor es un componente semiconductor de tres terminales que permite
realizar diferentes funciones tales como conmutación, oscilación, amplificación. En
este laboratorio comprobaremos el funcionamiento del transistor tipo bjt como
switch o conmutador. En el documento se podrá apreciar cómo se pueden calcular
las corrientes Ib, Ic, Ie, Ic (sat), como también Rc, Vce y Vce (corte).
OBJETIVO.
Analizar el funcionamiento del transistor como interruptor o conmutador.
Conocer el distinto funcionamiento del transistor bjt.
MARCO TEORICO.
El transistor bjt se puede usar en circuitos de control en los cuales es necesario
activar o desactivar algún dispositivo, para ello se lo polariza para que trabaje en
regiones de corte y saturación en forma alternada, se dice que el transistor bjt
trabajará como conmutador, como interruptor o como switch.
La siguiente figura muestra la forma más común de polarizar el transistor bjt, en este
caso un npn, cuando se lo quiere polarizar para que trabaje en corte y saturación,
RC representa la carga que se quiere controlar como por ejemplo un led,
una bombilla, un contactor, un motor, entre muchos otros dispositivos, la cual
necesita para que funcione adecuadamente una tensión y una corriente, la tensión
VCC del circuito de polarización se iguala a la tensión que necesita la carga, la
corriente IC será la corriente que necesita la carga; a través de RB llegará la señal
de control, la cual debe tener suficiente tensión para encender el diodo base emisor,
es decir la tensión mínima de control tiene que ser mayor a VBE=0,7V, la tensión
sobre RB dependerá de la cantidad de corriente que se tome de la señal la cual será
igual a IB.
Para que el transistor entre en corte IC tiene que ser cero IC=0, lo cual ocurre si
IB=0, y esto será cuando VBB=0.
De la malla 2 se tiene la ecuación de la recta de carga.
VCE=VCC-RC*IC
Cuando IC=0, la VCEcorte=VCC, es decir que en el corte a través de RC no hay
corriente y toda la tensión VCC caerá sobre el colector emisor.
Para que el transistor entre en saturación, la VCE=0, en teoría entre el colector y el
emisor habrá un cortocircuito, en realidad la VCE nunca es cero, pero para facilitar
los cálculos se asume que es cero, al hacer esto se obtiene la corriente de colector
de saturación:
ICsat=VCC/RC
Que es la corriente que la carga necesita para funcionar adecuadamente, una vez
que se tiene el valor de la corriente que necesita RC, a partir de IC=β*IB se puede
obtener el valor de la corriente de la base necesaria para obtener la corriente de
saturación, la cual es:
IB=ICsat/β
Resulta que β se ve afectada por la temperatura y por la IC, por lo cual si β cambia,
IB cambiará y esta a su vez cambiará el valor de IC, lo cual podría sacar al
transistor de la saturación, por ese motivo se hace que IB=5*ICsat/β, de esta forma
se logra asegurar la saturación ya que si β cambia IB cambiará pero ICsat no se
verá afectada.
De la malla 1, para encontrar el valor adecuado de RB para asegurar la saturación
se tiene:
VBB=IB*RB+VBE, de donde
RB= (VBB-0,7)/IB, luego:
RB= (VBB-0,7)/ (5*ICsat/β)
Zonas de Trabajo de un Transistor Bipolar
Zona de Saturación
Corresponde a un punto Q con una IC elevada (depende de la RC) y un voltaje VCE
muy pequeño no menor a un valor denominado de saturación VCE sat. Los valores
típicos de VCE sat son del orden de0, 3 [V].Cuando el transistor está saturado, se
puede comparar a un interruptor cerrado entre colector y emisor.
Zona de Corte
Corresponde a un punto Q con una IC prácticamente nula y un voltaje VCE elevado.
Si hacemos nula la IB, la IC=ICEO, es decir tendrá un valor muy pequeño, y por lo
tanto la cantidad de tensión en RC será mínima con lo que VCE=VCC. El transistor
en corte se puede comparar con un interruptor abierto entre colector y emisor. La
potencia que disipa el transistor tanto en corte como en saturación es mínima, ya
que uno de los coeficientes en ambos casos es prácticamente nulo.
Zona Activa
Es una amplia región de trabajo comprendida entre la zona de corte y la de
saturación, con unos valores intermedios tanto de IC como de VCE. La potencia
disipada ahora es mayor, ya que ambos términos (IC y VCE) tienen un valor
intermedio.
DESARROLLO