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    Tema 3 JFET

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    Francisco Bodden
    El documento describe el transistor unipolar JFET. Explica que el JFET es un dispositivo semiconductor controlado por voltaje donde la corriente de drenaje depende de la tensión puerta-fuente. Describe las características del JFET como alta impedancia de entrada y estabilidad a la temperatura. Explica las regiones de funcionamiento del JFET como la región óhmica lineal cerca del origen y la región de saturación donde la corriente de drenaje se mantiene constante.

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    Francisco Bodden
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    El documento describe el transistor unipolar JFET. Explica que el JFET es un dispositivo semiconductor controlado por voltaje donde la corriente de drenaje depende de la tensión puerta-fuente. Describe las características del JFET como alta impedancia de entrada y estabilidad a la temperatura. Explica las regiones de funcionamiento del JFET como la región óhmica lineal cerca del origen y la región de saturación donde la corriente de drenaje se mantiene constante.

    Descripción original:

    Transistor JFET

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    Tema 3 JFET

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    El documento describe el transistor unipolar JFET. Explica que el JFET es un dispositivo semiconductor controlado por voltaje donde la corriente de drenaje depende de la tensión puerta-fuente. Describe las características del JFET como alta impedancia de entrada y estabilidad a la temperatura. Explica las regiones de funcionamiento del JFET como la región óhmica lineal cerca del origen y la región de saturación donde la corriente de drenaje se mantiene constante.

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    El documento describe el transistor unipolar JFET. Explica que el JFET es un dispositivo semiconductor controlado por voltaje donde la corriente de drenaje depende de la tensión puerta-fuente. Describe las características del JFET como alta impedancia de entrada y estabilidad a la temperatura. Explica las regiones de funcionamiento del JFET como la región óhmica lineal cerca del origen y la región de saturación donde la corriente de drenaje se mantiene constante.

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    de 18

    ELECTRÓNICA I

    Tema: Transistores Unipolares


    JFET
    TRANSISTOR UNIPOLAR
    FET. Transistor a Efecto de Campo
    Es un dispositivo semiconductor controlado por voltaje, donde la corriente de
    drenador ID depende de la tensión puerta fuente VGS. Las cargas presentes
    establecen un campo eléctrico, el cual controla la ruta de conducción del circuito
    de salida sin que requiera un contacto directo entre las cantidades de control y las
    controladas.
    Caracterísiticas
    • Alta impedancia de entrada.
    • Mucho menos sensible a las variaciones de la señal aplicada.
    • Las ganancias de voltaje de CA son menores
    • Son más estables a la temperatura
    JFET. Transistor a Efecto de Campo de Unión
    MOSFET. Transistor a Efecto de Campo semiconductor de óxido metálico
    • Empobrecimento
    • Enriquecimiento
    MESFET. Transistor a Efecto de Campo semiconductor metálico
    TRANSISTOR UNIPOLAR
    TRANSISTOR UNIPOLAR
    IDSS es la corriente de drenaje máxima para un
    JFET y está definida por la condición VGS = 0 V y
    VDS = |Vp|.
    Donde:
    ro es la resistencia con VGS 0 V y rd es la resistencia a un nivel particular de VGS.

    El nivel de VGS que produce ID = 0 mA está definido por VGS = Vp, con Vp
    convirtiéndose en un voltaje negativo para dispositivos de canal n y en voltaje
    positivo para JFET de canal p.
    • La corriente máxima se define como IDSS
    y ocurre cuando VGS = 0 V y VDS = |Vp|.

    • Para los voltajes de la compuerta a la


    fuente VGS menores que (más negativos
    que) el nivel de estrangulamiento, la
    corriente de drenaje es de 0 A (ID = 0 A).

    • Para todos los niveles de VGS entre 0 V y


    el nivel de estrangulamiento, la corriente
    ID oscilará entre IDSS y 0 A.
    La ecuación de Shockley define la relación no lineal entre ID y
    VGS debido al término cuadrado en la ecuación.
    Las características de transferencia definidas por la ecuación
    de Shockley no se ven afectadas por la red en la cual se
    emplea el dispositivo.
    Las características de transferencia son una gráfica de la corriente de salida (o de drenaje)
    contra una cantidad de control de entrada. Existe, por consiguiente, una “transferencia”
    directa de las variables de entrada a las variables de salida
    Se obtiene una curva parabólica porque el cambio
    resultante de ID entre los intervalos de VGS se reduce
    notablemente a medida que se vuelve más y más
    negativo.
    Se pueden determinar más puntos, pero la curva de transferencia se puede trazar con un
    nivel de precisión satisfactorio con sólo utilizar los cuatro puntos definidos anteriormente
    •En esta región el canal conductor
    La zona óhmica o lineal se sitúa cerca entre drenador y fuente se comporta
    del origen, para VDS<<VDS sat como una resistencia RDS

    La RDS va aumentando a medida que se estrecha


    el canal, a consecuencia de la polarización inversa
    producida por VGS
    Llegará un momento en que la
    zona de transición invada toda
    la región N, impidiéndose
    totalmente la conducción.
    (Corte del canal)

    La tensión VGS que corta el el


    canal se llama tensión de corte
    VP=Vt

    1
    RDS  RDS ( ON )
    La ley que rige la resistencia del canal en la VGS
    zona óhmica es la que sigue: 1
    VP
    La tensión VDS provoca una tensión NO uniforme a lo largo del canal

    La zona de transición NO es uniforme; en el lado del drenador es más ancha y en el de


    fuente es muy estrecha.

    Cuando la tensión inversa de la unión en el lado de drenador (VDG) alcance a la tensión


    de corte (Vp), el canal se estrangulará (ID≠ 0)

    Esta es la frontera entre la zona óhmica y la de saturación


    La tensión VDS se concentra , sobre todo, en la zona estrangulada del canal
    A medida que VDS va creciendo la zona estrangulada aumenta de longitud, manteniéndose
    constante una anchura mínima δ
    También, en esta zona, el campo eléctrico ε(x), dentro del canal estrangulado, va
    aumentando
    Cuando 103< ε(x) <104 la movilidad de los electrones μx es inversamente proporcional a εx
    Con lo cual la velocidad de los portadores (νx = μx εx ) en ese rango no crece (se satura).
    En esta situación el flujo de portadores se estabiliza y la corriente ID se mantiene constante
    En esta región el FET se comporta como una Fuente de Corriente Constante

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