UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN

MARCOS
FACULTAD DE ING.ELECTRÓNICA,
ELÉCTRICA Y
TELECOMUNICACIONES.

Apellido y Nombre: Código:

Piscoya Andrade Luis Fernando 16190082

Curso: Tema:

LABORATORIO CIRCUITOS CONFIGURACIÓN

ELECTRÓNICOS II DARLINGTON

Informe: Fechas: Nota:

PREVIO Realización: Entrega:

Numero:

Abril del 2018 30 de abril del 2018

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Grupo: Profesor:

Numero: 7
ING. CÓRDOVA RUIZ RUSSEL
Horario: Lunes 18:00 – 20:00
UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS CIRCUITOS ELECTRÓNICOS II

CONFIGURACIÓN DARLINGTON

I. OBJETIVOS

 Determinar las características de operación de un amplificador de

corriente transistorizado

II. EQUIPOS Y MATERIALES:

 Osciloscopio
 Multímetro
 Generador de señales
 Fuente de poder DC
 2 transistores 2N2222
 Resistores de 1KΩ, 1.5KΩ, 2KΩ, 12KΩ, 7.5KΩ, Y 100KΩ.
 Condensadores de 16V 22uF (2) y 100uf.

III. INFORME PREVIO

1. Mencione aplicaciones de la configuración Darlington y algunos

códigos de su versión de circuito integrado.

Aplicaciones:

 Para alimentar una carga como un pequeño motor de corriente

continua.
 Cuando se quiere controlar un motor o un relé, necesitas emplear
un dispositivo que sea capaz de suministrar esta corriente. Este
dispositivo puede ser un circuito Darlington
 En la interfase para conectar la EVM con cualquier equipo
de radio, la interfase consta de dos integrados Darlington
ULN2803 que sirven para incrementar la intensidad de
las señales TTL que les llegan, y otros elementos más.
 En resumen se utilizan ampliamente en circuitos en donde es
necesario controlar cargas grandes con corrientes muy pequeñas.
 Son ampliamente utilizados para accionar las aletas solenoide
impulsado y luces intermitentes en las máquinas de pinball
electromecánico. Una señal de la lógica de unos pocos

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miliamperios de un microprocesador, amplificada por un

transistor de Darlington, fácilmente cambia un amperio o más a
50 V en una escala de tiempo medido en milisegundos, según sea
necesario para el accionamiento de un solenoide o una lámpara de
tungsteno.

Algunos códigos de circuitos integrados con configuración Darlington

son: NTE2077, NTE2078, NTE2084, NTE2079, NTE2082, NTE2083,
NTE2087 y NTE2088.

Además de los dos transistores propios del par Darlington, este

dispositivo, lleva un diodo adicional y un par de resistencias con fines
de protección.

SEMICONDUCTOR AVAILABILITY, DATA & STOCK

Part Number Description Manufacturer

2SD2213 Silicon NPN Epitaxial, Darlington Hitachi

Semiconductor

2SD2220 Silicon NPN triple diffusion planar type Panasonic

Darlington (Matsushita)

2SD2222 Silicon NPN triple diffusion planar type Panasonic

Darlington (Matsushita)

2SD2242 Silicon NPN triple diffusion planar type Panasonic

Darlington (Matsushita)

2SD2242A Silicon NPN triple diffusion planar type Panasonic

Darlington (Matsushita)

2SD2250 Silicon NPN triple diffusion planar type Panasonic

Darlington (Matsushita)

2SD2254 Silicon NPN triple diffusion planar type Panasonic

Darlington (Matsushita)

2SD2273 Silicon NPN triple diffusion planar type Panasonic

Darlington (Matsushita)

2SD2275 Silicon NPN triple diffusion planar type Panasonic

Darlington (Matsushita)

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2SD2276 Silicon NPN triple diffusion planar type Panasonic

Darlington (Matsushita)

2SD2416 Silicon NPN epitaxial planer type Panasonic

Darlington (Matsushita)

2SD2420 Silicon NPN triple diffusion planar type Panasonic

Darlington (Matsushita)

2SD2423 Silicon NPN Epitaxial, Darlington Hitachi

Semiconductor

2. En el circuito de la fig. 1.1 calcular los puntos de reposo.

Figura 1.1

Procedemos a desconectar los condensadores del circuito ya que estos

actúan como circuito abierto en DC, por lo que el circuito de la figura 1.1
se convierte en el mostrado en la figura 1.2.

Figura 1.2

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A la entrada de nuestro circuito aplicamos Thevenin de esta forma el

circuito resulta como se muestra en la siguiente figura:
Donde:

(12k )
R  12k // 7.5k V  15v
th th 12k  7.5k
Rth  4.6k V  9.23v
th

Operando en la entrada de nuestro circuito, usando ley de mallas:

9.23  I B1 (104.6k )  I E 2 (1.5k ) ; I E 2  I C 2  I B 2   (I B1 )

9.23  2(0.7)  I B1 (104.6k   21.5k )

I B1  0.508A  I C1  50.8uA I B 2  50.8uA  I C 2  5.13mA

Luego para encontrar el valor de VCE1 usaremos ley de mallas en la salida

de Q1 y entrada de Q2. Para encontrar el valor de VCE2 aplicamos malla
en la salida de Q2.

15  VCE1  0.7  I C 2 (1.5k ) 15  VCE 2  I C 2 1.5k

15  VCE1  0.7  I C 2 1.5k  0 15  VCE 2  I C 2 1.5k  0

VCE1  6.53V VCE 2  7.23V

3. Calcular la ganancia de corriente, ganancia de voltaje, impedancia de

entrada e impedancia de salida.

Para encontrar la ganancia en el circuito de configuración Darlington

usaremos el modelo hibrido el cual se representa como en la siguiente
imagen:

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En el circuito vemos los parámetros ℎ𝑖𝑒1 𝑦 ℎ𝑖𝑒2 cuyos valores son:

26𝑚𝑉 26𝑚𝑉
ℎ𝑖𝑒1 = ℎ𝑓𝑒 = 100 = 51.18𝑘Ω
𝐼𝐶𝑄1 50.8𝑢𝐴
26𝑚𝑉 26𝑚𝑉
ℎ𝑖𝑒2 = ℎ𝑓𝑒 = 100 = 506.82Ω
𝐼𝐶𝑄2 5.13𝑚𝐴

𝒗𝒐
Calculando: 𝑨𝑽 =
𝒗𝒊

Del circuito tenemos:

−𝑖𝑥 𝑅3 + 𝑖𝑏1 ℎ𝑖𝑒1 + 𝑖𝑏2 ℎ𝑖𝑒2 = 0; 𝑐𝑜𝑛 𝑖𝑏2 = (1 + ℎ𝑓𝑒)𝑖𝑏1 = 101𝑖𝑏1

Despejando tenemos:
ℎ𝑖𝑒1 + 101ℎ𝑖𝑒2 51.18𝑘 + 101 ∗ 506.82
𝑖𝑥 = 𝑖𝑏1 = 𝑖𝑏1 = 0.52𝑖𝑏1
𝑅3 100𝑘
Luego;
𝑣𝑂 = [𝑖𝑥 + (1 + ℎ𝑓𝑒)𝑖𝑏2 ](𝑅1 ||𝑅2 ||𝑅4 ||𝑅5 )
𝑣𝑜 = [0.52 + 1012 ](7.5𝑘||12𝑘 ||1.5𝑘||12𝑘 )𝑖𝑏1 = 10.55𝑀𝑖𝑏1
−𝑣𝑖 + (𝑖𝑥 + 𝑖𝑏1 )𝑅𝑓 + 𝑖𝑥 𝑅3 + 𝑣𝑜 = 0
Despejando 𝑣𝑖 y reemplazando los valores de parámetros encontrados
tenemos:
𝑣𝑖 = (1.52𝑅𝑓 + 0.52𝑅3 + 10.55𝑀)𝑖𝑏1 = 10.60𝑀𝑖𝑏1

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Finalmente tenemos;
𝑣𝑜 10.55𝑀𝑖𝑏1
𝐴𝑉 = = = 0.995 𝑨𝑽 = 𝟎. 𝟗𝟗𝟓
𝑣𝑖 10.60𝑀𝑖𝑏1

𝒊𝒐
Calculando: 𝑨𝑰 =
𝒊𝒊

Proceso:
𝑖𝑖 = 𝑖𝑥 + 𝑖𝑏1 = 0.52𝑖𝑏1 + 𝑖𝑏1 = 1.52𝑖𝑏1
𝑣𝑜 10.55𝑀𝑖𝑏1
𝑖𝑜 = = = 879.44𝑖𝑏1
𝑅5 12𝑘

Finalmente reemplazando tenemos:

𝑖𝑜 879.44𝑖𝑏1
𝐴𝐼 = = = 578.5 𝑨𝑰 = 𝟓𝟕𝟖. 𝟓𝟕
𝑖𝑖 1.52𝑖𝑏1

Calculando 𝒁𝒊 :
𝑣𝑖 10.60𝑀𝑖𝑏1
𝑍𝑖 = = = 𝟔. 𝟗𝟕𝑴𝛀
𝑖𝑖 1.52𝑖𝑏1

Calculando 𝒁𝒐 :
Para hallar la impedancia de salida colocamos una fuente 𝑣𝑜 en la salida,
hacemos corto circuito a la fuente de entrada 𝑣𝑖 y retiramos la carga.

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Realizando los mismos procedimientos anteriores, hallaremos una

relación entre 𝑣𝑜 e 𝑖𝑜 y la impedancia de salida estará dado por:

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4. Indique el objetivo de utilizar la red constituida por R1,R2,R3 y C2

en el circuito de la figura 1.1

La presencia de resistencias es para poder polarizar los transistores y de

esta manera poder trabajar en pequeñas señales para hacer el amplificador,
por lo que implementar en el circuito de configuración Darlington el R1,
R2 y R3 es para aumentar la impedancia de entrada y obtener mayor
ganancia de corriente. A pesar que la ganancia de voltaje tiende a
disminuir.
La función del condensador C2 es de retroalimentar al amplificador
Darlington.

IV. PROCEDIMIENTO
.

1. Realice la simulación del circuito de la figura 1.1 con el fin de hallar

el punto de reposo Q así como Av, Ai, Zi y Zo. Llene las celdas
correspondientes de la tabla 1.1.

Utilizando el programa Proteus para encontrar el punto de reposo de

los transistores como se muestra en la siguiente imagen.

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Ganancia de tensión:
Usando un osciloscopio en el circuito de la figura 1.1 se obtuvo la
ganancia de tensión como se muestra a continuación.

En el cual se aprecia que no ocurre ninguna ganancia de tensión, debido a

que la salida de nuestra configuración Darlington está en el emisor de Q2
por lo que esta configuración está compuesta por dos de colector común,
el cual no amplifica tensión.
Ganancia de corriente:

Al trabajar con una frecuencia de 1KHz y un 1Vrms, las corrientes de

entrada y salida son las que se muestran en la figura. Donde al realizar una
división entre salida y entrada se obtiene una ganancia de 639.29.

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Impedancia de entrada:
Para calcular la impedancia de entrada solamente realizaremos una
división entre el voltaje y corriente simulado, lo cual será:
𝐕𝐢
Zi = = 7.7 MΩ
𝐈𝐢

V. RESULTADOS

Se presentan los resultados obtenidos teóricamente y simulado.

Tabla 1.1

VCE1(V) VCE2(V) IC1(uA) IC2(mA) Av Ai Zi(MΩ) Zo(Ω)

Valor
6.53 7.23 50.8 5.13 0.995 578.57 6.9 0.7
calculado
Valor
6.34 7.04 25.3 5.28 1.0 639.29 7.7 0.7
simulado

VI. DISCUSIÓN DE RESULTADOS

En la tabla 1.1 podemos observamos cómo los valores obtenido

teóricamente y experimentalmente difieren en un margen de error mínimo,
esto se puede aceptar o sospechar que es debido al valor del hfe que se
trabajó en cada uno de los casos. Es decir, ya que al calcular los valores
del punto Q en reposo se trabajó con un 𝛽 de 100, el cual no fue el mismo
en el valor simulado.

Como es de esperar que nuestra configuración Darlington nos sirva para

controlar grandes cargas con una pequeña cantidad de corriente, esto se
manifiesta en nuestros resultados.

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VII. CONCLUSIONES

 Vemos que se manifiesta una ganancia de voltaje considerable ya

que nuestro circuito al tener una doble configuración de colector
común solo se basa en ganancia de corriente.
 El hecho de que la salida del emisor del primer transistor esté
conectado a la base del otro transistor hace que la ganancia de
corriente sea mucho más alta que un único transistor.
 Se puede observar que la impedancia de entrada en nuestra
configuración es demasiada alta, comparada con la de salida, lo cual
es conforme y corrobora los requisitos de la configuración común
interna que posee en este caso, nuestro Darlington.
 Vemos que al polarizar nuestros transistores el valor de 𝛽 simulado
está cerca de un valor de 200, un valor que a la larga al compararlo
con el teórico, en este caso 100, presentará cierto margen de error.

VIII. BIBLIOGRAFIA

 Electrónica Teoría de Circuitos – Robert L. BOYLESTAD.

 Electrónica Integrada- Millman Halkias.
 Dispositivos y Circuitos Electrónicos - Millman Halkias.
 Diseño Electrónico, Circuitos y Sistemas – Savant C.J.
 Principios de Electrónica – A.Malvino

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