Amplificadores BJT en Cascada
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CURSO TEMA
EN CASCADA
NÚMERO
17/09/2010 24/09/2010
1
UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS LABORATORIO DE CIRCUITOS
FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRONICA ELECTONICOS II
OBJETIVO:
• DESVENTAJAS
Sabemos que a más etapas conectadas tenemos mayor amplificación, pero hay
que tener en cuenta que también estamos amplificando el ruido que siempre está
presente en la señal de entrada o los que se introducen en cada etapa; estos se
hacen más notorios mientras más etapas tenga el diseño.
UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS LABORATORIO DE CIRCUITOS
FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRONICA ELECTONICOS II
β2 := 200 Ri := 100⋅ kΩ
Rc1 := 2.2⋅ kΩ Re1 := 1 ⋅ kΩ
Vbe1 := 0.7⋅ V
R3 := 120⋅ kΩ R4 := 30⋅ kΩ
Vbe2 := 0.7⋅ V
Rc2 := 3 ⋅ kΩ Re2 := 1 ⋅ kΩ
UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS LABORATORIO DE CIRCUITOS
FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRONICA ELECTONICOS II
En la entrada En la salida:
Observamos que
aproximadamente el voltaje Vce
en los transistores es
( R3⋅ R4) 3
Rbb2 := Rbb2 = 24 × 10 Ω aproximadamente la mitad del
R3 + R4
valor del valor del voltaje de
( Vcc⋅ R4) 0 alimentación, esto indica que el
Vbb2 := Vbb2 = 2.4 × 10 V
R3 + R4 punto de trabajo esta
Vbb2 − Vbe2 −6
aproximadamente en el punto
Ib2 := Ib2 = 7.589× 10 A medio y esto garantiza un buen
Rbb2 + Re2⋅ β2
−3 funcionamiento del transistor;
Ic2 := β2 ⋅ Ib1 Ic2 = 1.661× 10 A
ya que frente a las variaciones
no se aproximara a las
condiciones extremas (corte o
saturación).
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FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRONICA ELECTONICOS II
26⋅ mV 0 26⋅ mV 0
re1 = = 15.651× 10 Ω re2 = = 17.129× 10 Ω
Ic1 Ic2
Vo Ib1 ⋅ Ib2 ⋅ Vo
Av
Vi Vi Ib1 Ib2
Vi Ib1 ⋅ β1 ⋅ ( re1 + Re1 )
Vo β2 ⋅ ib2 ⋅ Rc2
Vo R3 ⋅ R4 ⋅ Rc1 ⋅ Rc2 ⋅ β2
Av
Vi ( Re1 + re1 ) ⋅ ( R3 ⋅ R4 ⋅ Rc1 + R3 ⋅ R4 ⋅ re2 ⋅ β2 + R3 ⋅ Rc1 ⋅ re2 ⋅ β2 + R4 ⋅ Rc1 ⋅ re2 ⋅ β2 )
Zi := R1 || R2 || [ β1 ⋅ re1 + Re1 ⋅ ( 1 + β1 ) ]
3
Zi = 9.132× 10 Ω
Zo := Rc2
3
Zo = 3 × 10 Ω