A4G2
A4G2
A4G2
Anteproyecto
21 de mayo de 2018
1
IE0308 - Laboratorio Eléctrico I Experimento 4
Índice
1. Objetivos 4
1.1. Objetivo general . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
1.1.1. Objetivos específicos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
2. Marco teórico 5
2.1. Ventanas de Histerésis en componentes con Disparador Schmitt . . . . . . . . . . . . 5
2.1.1. Disparador Schmitt y ventana de Histéresis . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
2.2. Circuito Integrado NTE4093B . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
2.3. Fotoconductores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
2.3.1. Resistencia de oscuridad . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
2.3.2. Sensitividad . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
2.3.3. Rapidez de respuesta . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
2.3.4. Histéresis del fotoconductor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
2.4. El Relé . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
2.5. Switches de estado sólido . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
2.5.1. Rectificador Controlado de Silicio (SCR) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
2.5.2. Diodo para Corriente Alterna (DIAC) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
2.5.3. Triodo para Corriente Alterna (TRIAC) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
2.5.4. Transistor Bipolar de Puerta Aislada (IGBT) . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
3. Diseño 12
3.1. Generador de pulsos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
3.1.1. Relé . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
4. Lista de equipos 15
5. Lista de componentes 16
6. Procedimiento 17
Bibliografía 18
7. Anexos 19
7.1. Hoja Fabricante NTE4093B . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19
7.2. Hoja Fabricante Panasonic Relay. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21
Índice de figuras
1. Comparador con ventana de histéresis. Fuente: [2] . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
2. Curva de histéresis para el NTE4093B con Vcc = 5 V. Fuente: Elaboración propia. . . 6
3. Estructura y simbología del relé. Fuente: [8] . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
4. Circuito para activar el relé. Fuente: [7] . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
5. Composición y símbolo del SCR. Fuente: [5] . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
6. curva característica del SCR. Fuente: [5] . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
7. Características del DIAC. Fuente: [5] . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
8. Configuración y símbolo del TRIAC. Fuente: [5] . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
9. Curva característica del TRIAC. Fuente: [5] . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
10. Circuito interno equivalente del IGBT. Fuente: [11] . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
11. Curva característica del IGBT. Fuente: [11] . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
12. Generador de pulsos [6] . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
13. Circuito para el caso con luz. Diseño propio en TINA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
14. Circuito para el caso sin luz. Diseño propio en TINA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
15. Circuito del relé. Diseño propio en TINA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
Índice de tablas
1. Lista de equipos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
2. Lista de componentes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16
1. Objetivos
1.1. Objetivo general
Implementar circuitos básicos, utilizando elementos optoelectrónicos y dispositivos de control
de potencia.
Diseñar e implementar circuitos que permitan la conversión y manipulación de una señal lumí-
nica a una eléctrica.
2. Marco teórico
2.1. Ventanas de Histerésis en componentes con Disparador Schmitt
Figura 2: Curva de histéresis para el NTE4093B con Vcc = 5 V. Fuente: Elaboración propia.
2.3. Fotoconductores
Un fotoconductor es un sólido no metálico cuya conductividad incrementa cuando es expuesto a
radiación electromagnética
2.3.2. Sensitividad
Es una la relación entre la luz incidiendo en el dispositivo y la señal de salida resultante. Más
específicamente, la relación entre la luz incidente y la correspondiente resistencia obtenida. [10]
muy similar al del ojo humano, cuya sensitividad en un momento depende de la cantidad de luz a la
cual estuvo anteriormente. [10]
2.4. El Relé
El relé es un switch operado por señales eléctricas. Un relé común se muestra en la figura 3,
funciona de la siguiente manera: se tiene una bobina cerca de una pieza de metal, normalmente
frente a ella aunque puede estar en su interior; dicha pieza se encarga de cerrar o abrir el circuito,
dependiendo del tipo de relé que se tenga (normalmente abierto o normalmente cerrado). Cuando
se aplica una corriente a la bobina, esta se convierte en un electroimán; acercando la pieza metálica
hacia ella, esto activa el interruptor. Casi todos los relés se resetean"solos, esto es, cuando se deja de
aplicar corriente a la bobina, un resorte en el interruptor lo regresa a su posición original. [7]
El circuito básico para activar el relé se muestra en la figura 4. La tensión de control es normal-
mente digital dado que el relé presenta solo dos estados, el diodo que se le conecta en paralelo protege
al transistor de cualquier sobretensión que se pueda producir debido a la bobina presente en el relé.
Cuando la corriente en la puerta (IG ) es cero, se tiene una gran resistencia entre el ánodo y el
cátodo la cual permite modelar el dispositivo como un switch abierto. Al aplicar un pulso de corriente
IG positivo, se obtiene una resistencia entre el cátodo y ánodo muy pequeña, permitiendo modelar el
dispositivo como un switch cerrado; este último estado se mantiene aún después de retirar la corriente
(IG ). Otra forma de alcanzar este último estado es aplicando una tensión entre el ánodo y cátodo
que exceda una tensión de disparo VBR(F ) . Para apagar el dispositivo, o cambiar su estado de circuito
abierto, se requiere que la corriente en el ánodo disminuya a menos de IH ; ya sea volviéndola cero o
invirtiendo su dirección. Tal comportamiento del dispositivo se muestra en la a continuación. [5]
Tal como se observa, este dispositivo se enciende (alcanza su estado de conducción) por medio de
la aplicación de una tensión adecuada a través de cualquiera de sus terminales, ya que cuenta una
tensión de disparo positiva y otra negativa. Para llevarlo al estado de apagado, se requiere que la
corriente a través de él disminuya a menos de IH .
3. Diseño
3.1. Generador de pulsos
V cc(R1 + R2 )
Vx = (1)
R1 + R2 + Rλ
Se puede averiguar un valor típico para la expresión R1 + R2 al despejarla de la ecuación (1) y
reemplazar los valores de histéresis de la compuerta y la resistencia en luz y en oscuro del fotoresistor.
Con la hoja del fabricante, al alimentar a la compuerta con una tensión mínima de Vx = 2,9 V
se permite que se genere un pulso de 5 V en la salida (Positive Trigger Threshold Voltage). Por la
histéresis, usando una tensión máxima de Vx = 1,9 V se genera una salida de 0 V en la compuerta
(negative Trigger Threshold Voltage).
Entonces, utilizando este despeje de la ecuación (2),
Rλ Vx
R1 + R2 = (2)
Vcc − Vx
cuando hay luz, se requiere que Rλ = 1kΩ y V x > 2,9V , para poder obtener un uno en la
compuerta. Entonces (R1 + R2 ) ≥ 1381 Ω. A continuación, la simulación en TINA presenta una
salida VF 2 = 50mV :
Figura 13: Circuito para el caso con luz. Diseño propio en TINA.
Figura 14: Circuito para el caso sin luz. Diseño propio en TINA.
Para haber simulado ambos se tomó una resistencia (R1 + R2 ) = 200kΩ, la cual se compone de
R1 = 150kΩ y R2 = 100kΩ, donde R2 es un potenciómetro.
3.1.1. Relé
Se pide diseñar un relé para manejar un bombillo de 30W a 120VAc , además, diseñar la etapa
necesario para activarlo utilizando un transistor.
Se sabe que el relé se activará a una corriente de IR = 24mA por los datos del fabricante, esta
corriente se tomará como la Ic del transistor y se podrá aplicar la razón de Iβc = Ib . Como se está
utilizando el transistor 2N2222A, entonces se hará uso de un valor de β = 75. Entonces, se logra
obtener un valor de Ib = 0,32mA.
También se sabe que para hallar la resistencia Rb se puede hacer una malla entre los 5V de
la fuente, sumado a los VBE = 0,7V y la resistencia de la cual conocemos la corriente, entonces,
despejando la malla, se obtiene:
5V − 0,7V
Rb = = 13437 Ω (3)
0,32mA
Se utilizará un valor comercial de Rb = 15k Ω.Por último, investigando, se concluye que se necesita
el diodo como protección del transistor ante la fuente senosoidal. Por lo tanto, la figura 15 muestra
la simulación en TINA.
4. Lista de equipos
La lista de equipos utilizados en el experimento se muestra en la Tabla1
Donde la marca y modelo de cada equipo se especificara una vez realizado el experimento, así
como también la placa del del equipo respectivamente usado.
5. Lista de componentes
La lista de componentes utilizados en el experimento se muestra en la Tabla2:
6. Procedimiento
1. Realice la caracterización de un fotoconductor para obtener su relación de resistencia contra
iluminancia (Rlambdamax y Rlambdamin ).
3. Dibuje la ventana de histéresis esperada para la compuerta y obtenga esta con ayuda del
osciloscopio. Compare ambos resultados.
4. Arme el generador de pulsos y verique que funciona correctamente. Realice una captura de la
salida y la entrada de la compuerta al cambiar Rlambda entre sus valores máximo (oscuridad) y
mínimo (luz).
5. Arme la etapa del relé y verique que el bombillo se enciende para un pulso de entrada de 5 V.
6. Conecte la salida del NTE4093B a la etapa de activación del relé, de forma que se encienda el
bombillo cuando la resistencia toma valores máximos. Utilice el potenciómetro para ajustar el
generador de pulsos y obtener un desempeño adecuado.
7. Para la segunda parte del experimento, seguir las instrucciones dada por el profesor Luis Diego
Marín así como anotar los datos necesarios durante la práctica.
Bibliografía
1. Pham, C. (2007). CMOS Schmitt Trigger Circuit with Controllable Hysteresis Using Logical Th-
reshold Voltage Control Circuit. Extraído de https://ieeexplore-ieee-org.ezproxy.sibdi.
ucr.ac.cr/stamp/stamp.jsp?tp=&arnumber=4276356
2. Kay, A. & Claycomb, T. (2013). Comparator with Hysteresis Reference Design. Extraído de
http://www.ti.com/lit/ug/tidu020a/tidu020a.pdf
4. NTE Electronics Inc. (s.f.). NTE4093B and NTE4093BT Integrated Circuit CMOS, Quad 2-
Input NAND Schmitt Trigger. Extraído de http://www.nteinc.com/specs/4000to4099/pdf/
nte4093B_BT.pdf
5. Floyd, T. (2011). Electronic Devices: electron flow version USA: Pearson Education
8. Gibilisco, S. & Monk, Simon. (2016). Teach Yourself Electricity and Electronics New York:
McGraw-Hill Education
9. Bass, M. (2010). Handbook of Optics: Volume II - Design, Fabrication, and Testing; Sources and
Detectors; Radiometry and Photometry New York: The McGraw-Hill Companies
11. Lutz, J., Schlangenotto, H., Scheuermann, U. & De Doncker, R. (2011). Semiconductor Power
Devices: Physics, Characteristics, Reliability Heidelberg: Springer
7. Anexos
7.1. Hoja Fabricante NTE4093B