Transistores BJT

Tema 7:
“El TRANSISTOR
ELECTRONICA I- FACET- UNT

BIPOLAR - TBJ”
1
TRANSISTOR - HISTORIA TEMA 7
El desarrollo de la electrónica y de sus múltiples

aplicaciones fue posible gracias a la invención del
transistor, ya que este superó ampliamente las
dificultades que presentaban sus antecesores, las
válvulas.
Las válvulas fueron inventadas a principios del siglo
XX. Fueron aplicadas exitosamente en telefonía
como amplificadores y posteriormente popularizadas
en radios y televisores. Transistor y Válvula
Con válvulas se construyó ENIAC (Electrical Numerical Integrator and Computer)
en 1945, equipo destinado a resolver cálculos durante la segunda guerra mundial.

ENIAC tenía cerca de 18.000 válvulas 1.500 relays y otros componentes
electrónicos. Podía sumar 5000 números o hacer 14 productos de cifras de 10
dígitos en un segundo.
1947: Laboratorios Bell: Bardeen, Bratain y Shockley inventan el
transistor de silicio. Premio Nobel 1956.
Los amplificadores operacionales y otros C.I. pueden contener varias
centenas de transistores, cada uno de ellos con misiones diferentes:
2
Actualmente se los encuentra prácticamente en todos los enseres
domésticos de uso diario.
TRANSÍSTOR- CONCEPTO TEMA 7
El transistor es un dispositivo electrónico de estado solido,
semiconductor
Tienen tres terminales: Emisor, Base y Colector
El término transistor resultados de la contracción en Inglés de dos
palabras: transferencia + resistor (resistencia de Transferencia).
Se denominan bipolares porque su funcionamiento depende del flujo de
dos tipos de portadores de carga: electrones y “huecos”.
Principales Aplicaciones

Un transistor bipolar puede ser
utilizado como:
Llave/ Interruptor electrónico.
Amplificador de señales.
Oscilador, para generar señales.
Etc, etc....
3
TBJ - CLASIFICACIÓN TEMA 7
Los transistores bipolares se clasifican de la siguiente manera:

1.- Por la disposición de sus capas
- Transistores PNP
- Transistores NPN
2.- Por el material semiconductor empleado
- Transistores de Silicio
- Transistores de Germanio

3.- Por la disipación de Potencia
- Transistores de baja potencia
-Transistores de mediana potencia
- Transistores de alta potencia
4.- Por la frecuencia de trabajo
4
- Transistores de baja frecuencia
- Transistores de alta frecuencia
TRANSÍSTOR BIPOLAR TEMA 7
El TBJ se construye con tres regiones semiconductoras separadas por dos
uniones P-N yuxtapuestas que se interrelacionan entre sí. Las regiones se
llaman Emisor, Base y Colector.
La capa del emisor está fuertemente dopada. La del colector ligeramente
dopada. La de la base muy poco dopada, además más delgada.
Existen dos tipos de transistores bipolares según su estructura:
Transistores bipolares NPN y Transistores bipolares PNP
Símbolo

N - material semiconductor con electrones libres en exceso (cargas negativas)
P - material semiconductor con huecos excesivos (cargas positivas)
La configuración de uniones PN, dan como resultado transistores PNP o
NPN, donde la letra intermedia siempre corresponde a la característica de
5
la base, y las otras dos al emisor y al colector que, si bien son del mismo
tipo y de signo contrario a la base, tienen diferente contaminación entre
ellas.
C
N-
P N+
B E
ASPECTO MAS REAL DE UN
TRANSISTOR BIPOLAR

Un transistor es similar a dos diodos, el transistor tiene dos uniones:
una entre el emisor y la base y la otra entre la base y el colector
denominados: "Diodo de emisor" (DE) y "Diodo de colector" (DC).
La diferencia entre que sea un transistor y no dos diodos son:
1.- La región de Base es muy estrecha y está ligeramente dopada
(fundamental para que sea TBJ).
2.- El Emisor está fuertemente dopado.
3.- Normalmente, el Colector está moderadamente dopado y es mucho mayor.
Un modelo mas completo, ya que contempla mayor numero de 6
variables, es el modelo de Ebbers y Moll ¡¡¡ IMPORTANTE !!!
No es un dispositivo simétrico
Identificación de un transistor con un multímetro

Punta Roja Punta negra PNP: medida del óhmetro NPN: Medida del óhmetro
Colector Emisor Alta resistencia Alta resistencia
Emisor Colector Alta resistencia Alta resistencia
Emisor Base Baja resistencia Alta resistencia
Base Emisor Alta resistencia Baja resistencia
Base Colector Alta resistencia Baja resistencia
7
Colector Base Baja resistencia Alta resistencia
TEMA 7
8
HOJA DE DATOS
CODIFICACION TEMA 7
Los transistores tienen un código de identificación que en algunos

casos especifica la función que cumple y en otros casos indica su
fabricación.
Pese a la diversidad de transistores, se distinguen tres grandes
grupos: Europeos, Japoneses y Americanos.
CODIFICACION AMERICANA
Anteriormente los transistores americanos empezaban su codificación

con el prefijo 2N y a continuación un número que indicaba la serie de

fabricación. Ejemplo 2N3055, 2N2924, etc.
Actualmente, cada fábrica le antepone su propio prefijo, así se tiene

por ejemplo : TI1411, ECG128, etc. que corresponden respectivamente
a TEXAS INSTRUMENTS Y SYLVANIA.
9
CODIFICACION TEMA 7
CODIFICACION EUROPEA
Primera Segunda Letra Número de serie
letra
A: Germanio A : Diodo (excepto los diodos túnel) 100 – 999 : Para equipos
B : Transistor de baja potencia domésticos tales como
B: Silicio C: transistor, AF, pequeña señal radio, TV, amplificadores,
D : Transistor AF de potencia grabadoras, etc.
E : Diodo túnel de potencia 10 – 99 y la letra X, Y o Z :
F : Transistor de alta frecuencia Para aplicaciones
L : Transistor de alta frecuencia y especiales.

potencia
P : Foto – semiconductor
S : Transistor para conmutación
U : Transistor para conmutación y de
potencia
Y : Diodos de potencia
Z : Diodo Zener
10
Ejemplo : AD149, es un transistor de potencia , de germanio y sus
aplicaciones son de baja frecuencia.
CODIFICACION TEMA 7
CODIFICACION JAPONESA dígito, dos letras, número de serie, [sufijo]

Primero Segundo Tercero Cuarto Quinto
0 (cero) : Foto S: A: Transistor PNP HF Número de Indica un
transistor o Semicondu B: Transistor PNP AF serie : transistor
fotodiodo ctor C: Transistor NPN HF comienza a mejor que el
1 : Diodos D: Transistor NPN AF partir del anterior
2 : Transistor E: Diodos número 11
F: Tiristores
G: Dispositivos de disparo
H: UJT
J: FET/MOSFET de canal-p
K: FET/MOSFET Canal -N

M: Triac
Q: LED
R: Rectificadores
S: Diodos de señal
T: Diodos avalancha
V: Varicaps
Z: Diodos zener
11
Ejemplo: Es un transistor PNP de RF con mejores características técnicas que el
2SA186.
TBJ- CARACTERÍSTICAS COMUNES TEMA 7
•Dispositivo de tres terminales.
•Dos de los tres terminales actúan

como terminales de entrada
(control).
•Dos de los tres terminales actúan

como terminales de salida.
•Un terminal es común a entrada y

salida.
Configuraciones
Tres terminales:
EC: el emisor es el terminal común
Entrada, Salida y
CC: el colector es el terminal común
Común.
BC: la base es el terminal común
12
•La potencia consumida en la entrada es menor que la
entregada en la salida.
TBJ- CONFIGURACIONES TEMA 7
Configuraciones:.

Tiene 3 modos de trabajo u operación: Corte, Saturación y Activo.
•La tensión entre los terminales de entrada determina el comportamiento

eléctrico de la salida.
•Según el modo de trabajo, la salida se comporta como:
•Fuente de corriente controlada (zona lineal o activa). 13
• Llave cerrada o cortocircuito (saturación).
• Llave abierta o Circuito abierto (corte).
TBJ- CURVAS CARACTERÍSTICAS EC TEMA 7
Una manera de estudiar el funcionamiento del dispositivo es mediante las
gráficas i-v de entrada y de salida.
El transistor puede describirse mediante dos curvas características: una
de entrada, una de salida
Para ello se deberá considerar las distintas configuraciones, dadas según el

terminal que se tome como terminal común:

Entrada: iB vs VBE Entrada: iE vs VEB Entrada: iB vs VBC
Salida: iC vs VCE Salida: iC vs VCB Salida: iE vs VEC
14
Para iniciar un flujo apropiado de corriente entre la entrada y la salida es
necesario “polarizar” el TBJ.
Polarizar significa alimentar con tensiones de continua externas al
dispositivo en la entrada y en la salida.
La forma normal de alimentar un

transistor es aplicando una
polarización directa a la unión
o juntura Emisor-Base y una
polarización inversa a la juntura

Base-Colector:
En la figura para polarizar se usan dos fuentes de alimentación de

continua VBB y VCC.
Esta configuración no se usa en la práctica, ya que los circuitos de
polarización real usan una sola fuente
Se deberá considerar las distintas configuraciones: EC, BC y CC 15
Para obtener las curvas de entrada y de salida, se debe polarizar y
hacer variar las tensiones y corrientes.
Característica de entrada: IB= f(VBE, VCE)
Configuración Emisor Común IB [µA]
VCE =1V
VCE =10V
80
VCE =20V
60
VBB = I B RB + VBE 40

20
Observar que la tensión VBE varía VBE [V] (NPN)
muy poco con VCE, Por lo que se
puede adoptar, en este caso 0 -VBE [V] (PNP)
0,2 0,4 0,6 0,8
VBE= 0.7V
La característica de entrada es similar a la de 16

un diodo con polarización directa.
Características de salida IC = f(VCE, IB)
IC [mA]
IB =90µA
REGIÓN DE SATURACIÓN
IB =70µA
VCC = I C RC + VCE ZONA DE IB =50µA

OPERACIÓN
COMO AMPLIF. IB =30µA
Si la corriente en la base se LINEAL
mantiene constante, la corriente de
IB =10µA
colector incrementa con el aumento
de la vCE., hasta que la corriente de IB =0µA
colector alcanza un nivel en el que 0 REGIÓN DE CORTE
cualquier incremento de la vCE no 0
VCE [V]
provoca incremento de la corriente 17
de colector.
CURVAS CARACTERÍSTICAS EC TEMA 7
IC
βF =

Región de saturación IB vCE =constante
Región
Activa
o lineal
Región de corte
βF = ganancia
de corriente
Punto de operación Q: definido por IB, IC y VCE continua.
La corriente de colector IC, se relaciona con la corriente de 18

base IB mediante el factor de amplificación de corriente en
polarización directa βF
CURVAS CARACTERÍSTICAS EC TEMA 7
Zona de corte: No hay circulación de corriente de base. Se

comporta como un interruptor o llave abierta y no deja pasar
corriente entre el colector y el emisor. La tensión entre el
colector y el emisor se hace máximo (como el de la pila) y la
corriente del emisor es mínima.
Zona de saturación: cuando al transistor le llega una
corriente muy alta por la base. Se comporta como un
interruptor cerrado y deja pasar toda la corriente entre el
colector y el emisor. La tensión entre colector y emisor se hace
casi cero y origina que la corriente en el emisor sea

máxima.
Zona de amplificación: cuando al transistor le llega una
pequeña corriente por la base que la amplifica y origina una
gran corriente de salida. En este caso se comporta como
amplificador. En este caso existe ganancia de corriente (β)
que se define como la relación que existe entre la intensidad del
colector y la intensidad de la base. 19
IC ≅ β I B
CURVAS CARACTERÍSTICAS EC-RESUMEN TEMA 7
Zona Activa Zona de Saturación

Zona de corte
VBE>0 ; VBE ≅ 0,7V (directa) VBE<0,7
IB>0 IC>0 VBE ≅0,8V IC ≅ 0
IC=β.IB IB>0 IC>0
VCE>0,2V IC < βIB
VCE>0; VCE ≅ 0,2V
20
Características aproximadas de entrada y salida del transistor NPN en
Emisor Común
CURVAS CARACTERÍSTICAS EC-RESUMEN TEMA 7

Zona Activa Zona de Saturación
VBE < 0; VBE ≅ -0,7V (directa) Zona de corte
IB>0 IC>0 VBE ≅ -0,8V |VBE|< 0,7
IC ≅ β.IB VCE < 0 IC ≅ 0
VCE < -0,2V IB>0 IC>0
|VCE| > 0,2V IC < βIB
VCE ≅ -0,2V 21
Características aproximadas de entrada y salida del transistor PNP

en Emisor Común
LÍMITES DE OPERACIÓN TEMA 7
Todos los límites de operación para un transistor vienen definidos

en sus hojas de especificaciones técnicas. Entre las más relevantes
pueden citarse:
• corriente máxima de colector ICmáx: es la máxima corriente que
puede circular por el colector. Puede figura en las especificaciones
como “corriente continua de colector.
• Tensión máxima entre colector y emisor, VCEO: Indica la tensión
máxima permitida entre el colector y el emisor, cuando la base está

desconectada o polarizada inversamente.
• VCE mínimo: Indica la tensión VCEsat o tensión mínima que se puede
aplicar para no caer en la zona de saturación. VCEsat =0,2V
• PC máx: Representa la máxima potencia que puede disipar el colector
sin quemarse. PCmáx = vCE iC
22
LÍMITES DE OPERACIÓN Características
TEMA 7
comunes a
El circuito de
todos los
IC [mA] transistores polarización debe
diseñarse para fijar
ICmáx IB =90µA el punto Q dentro
IB =70µA
IB =50µA
del área de
operación segura.
8 IB =30µA
REGIÓN DE SATURACIÓN
La Región de
operación es el área
6
comprendida dentro
IB =10µA
PCmáx los límites de
4 ZONA DE corriente, tensión y

TRABAJO potencia del
2 COMO AMPLIFICADOR VCEmáx dispositivo.
ICEO IB =0µA
El TBJ debe operar
0
dentro de la zona de
0 5 10
REGIÓN 15
DE CORTE 20 VCE [V] operación segura,
VCEsat
caso contrario el
dispositivo se
romperá. 23
Región de Operación Segura (SOAP) = Área
naranja +Área verde + Área turquesa
RESUMEN- REGIONES DE POLARIZACIÓN TEMA7
Alimentar con tensión continua los terminales de entrada y los de salida del
transistor se llama “polarización” .
La polarización genera un flujo de corriente entre la entrada y la salida.
Existen cuatro posibles regiones, según como estén polarizadas las
uniones base- emisor y base-colector
APLICACIÓN REGIÓN DE POLARIZACIÓN DE LAS UNIONES
POLARIZACIÓN
UNIÓN B-E UNIÓN B-C
Funcionamiento
como amplificador
REGIÓN ACTIVA
DIRECTA
DIRECTA VBE > Vγ INVERSA
VBC < Vγ
No se utiliza REGIÓN ACTIVA INVERSA VBE < Vγ DIRECTA
VBC > Vγ
INVERSA

Funciona como
conmutador (off)
REGIÓN DE CORTE INVERSA VBE < Vγ INVERSA VBC < Vγ
Funciona como REGIÓN DE DIRECTA
VBE > Vγ DIRECTA VBC > Vγ
conmutador (on) SATURACIÓN
24
CURVAS CARACTERÍSTICAS BC TEMA 7
Característica de entrada: IE=f(VBE, VCB)
VBE
IS

IE ≈ e VT
α
Observar que la tensión
VBE varía muy poco con
VCB, Por lo que se
puede adoptar, en este
caso VBE=-0.7V
25
La corriente de colector es constante, por

tanto el colector se comporta como una fuente
de corriente constante en la región activa.
Configuración
Base Común
Saturación

Zona Activa
Corte 26
En la región activa de
operación, obtenida para
aproximadamente VCE >
-0.4 V, Se observa en
las curvas IC-VCB:
Las curvas tienen

una pequeña
pendiente positiva, lo
cual indica que iC

depende muy poco de
VCB en el modo activo.
Para valores relativamente grandes de VCB, la corriente del colector muestra

un incremento rápido, que es un fenómeno de ruptura
Todas las curvas características intersecan el eje vertical a un valor de 27
corriente igual a αIE, donde IE es la corriente de emisor constante a la que se
mide la curva particular.

Zona Activa
VBE < 0 ; VEB ≅ -0,7V Zona de Saturación Zona de corte
IE>0 IC>0 VBE ≅ -0,8V VEB> -0,7V
IC ≅ 0
IC ≅ αF.IE IC < αF.IE
VCB > 0 VCE ≅ -0,7V
28
Características aproximadas de entrada y salida del transistor
NPN en Base Común

Zona Activa Zona de Saturación Zona de corte
VEB > 0 VEB ≅ 0,7V VEB ≅ 0,8V VEB< 0,7V
VCB < 0 IC < αF.IE IC ≅ 0
IE>0 IC>0 VCE ≅ 0,7V
IC ≅ αF.IE
29
Características aproximadas de entrada y salida del transistor
PNP en Base Común
CURVAS CARACTERÍSTICAS CC TEMA 7
Esta configuración se utiliza

para propósitos de acoplamiento
de impedancias. Pues tiene alta
impedancia de entrada y baja de
salida, al contrario de las otras
dos configuraciones.
Para la configuración de colector común, las características de

salida son una gráfica de IE en función de VEC para un rango de
valores de IB. Por lo tanto, la corriente de entrada es la misma tanto
para las características del emisor común como para las de
colector común.
Para todos los propósitos prácticos las curvas características
de salida de esta configuración SON LAS MISMAS que se 30
usan para EMISOR COMUN.

TBJ- MODELO DE EBBERS Y MOLL TEMA 7
Modelo usado para predecir los modos de operación del TBJ en todos
sus modos de operación posibles.
Muestra al transistor NPN como dos diodos conectados por los ánodos,
con dos fuentes de corriente dependientes en paralelo con cada uno de
los diodos, que modelizan el efecto de las interacciones que tienen lugar
debido a la configuración monocristal.
Existen dos uniones:
La unión base-emisor, cuya corriente se denomina: iDE
La unión base-colector, cuya corriente se denomina: iDC

31
TBJ- MODELO DE EBBERS Y MOLL TEMA 7
La fuente de corriente dependiente αF iDE representa el efecto de la

corriente a través de la unión base-emisor sobre la corriente de colector
(efecto “Transistor”).
La fuente de corriente dependiente αR iDC representa el efecto de la
corriente a través de la unión base-colector sobre la corriente de emisor
(efecto dual al anterior).
El circuito no es simétrico, ya que αF tiene unos valores comprendidos
entre 0,99 y 0,997 para transistores utilizados en aplicaciones analógicas
y digitales, mientras que αR es considerablemente menor que 1. Su valor

está comprendido entre 0,05 y 0,5.
Se puede demostrar la siguiente relación
denominada “LEY DE RECIPROCIDAD”
αF IES= αR ICS=IS
Donde: IES= Corriente inversa de saturación de la unión base-emisor
Y ICS= Corriente inversa de saturación de la unión base-colector.
32
De donde se deduce que:
I S ≈ I SE y que I CS >> I ES
TBJ- MODELO DE EBBERS Y MOLL TEMA7
Del modelo de Ebers-Moll y de la Ley de Reciprocidad, se pueden deducir

fácilmente las dos ecuaciones no lineales siguientes :
 vVBE  I  vBC 
iC = I S  e γ −1 − S  e Vγ −1
  αR  
   

I S Vγ
vBE
  vBC

iE =  e −1 − I S  e −1
Vγ
αF    

  
Es decir:
iC = f1 ( vBE , vBC )
iE = f2 ( vBE , vBC )
33
 vVBE  I  vVBC 
iC = I S  e γ −1 − S  e γ −1 = ICp + ICB0
  αR  
   

I S Vγ
vBE
  vBC

iE =  e −1 − I S  e −1 = I Ep + I En
Vγ
αF  





Estas dos ecuaciones definen a un primer nivel, sin

efectos secundarios, el modelo del transistor bipolar
NPN, y corresponde a un sistema de dos ecuaciones
con cuatro incógnitas.
La otras dos ecuaciones vendrán impuesta por el
circuito exterior, y corresponderán a las ecuaciones
de polarización. 34
El conjunto de las ecuaciones de Ebers-Moll, junto con las

ecuaciones de polarización de continua (impuestas por el
circuito de polarización exterior), darán lugar al régimen de
corrientes y tensiones que se establezcan en los terminales
del dispositivo, denominado punto de operación Q del
transistor.

El modelo de Ebers Moll es un modelo poco manejable,
pero válido en cualquier circunstancia, siempre que no
entren en ruptura ninguna de las uniones.
Según como estén polarizadas las uniones, pueden

encontrarse modelos basados en el anterior, pero mas
35
sencillos y manejables.
Características del Modelo de Ebbers & Moll
IS ,VT
Parámetros α Determinados por la fabricación
β
Validez del modelo Todos los modos de operación
Generador de corriente entre Colector – Emisor

Funcionamiento del modelo controlado por VBC y VBE
MODELO UTILIZADO POR LOS SIMULADORES

•No contempla Máximas Tensiones, Corrientes y Potencia
•No representa la dependencia del valor de β con la corriente IC.
•No contempla la dependencia de β con la temperatura
•No representa la variación de la corriente IC con la tensión VCE Limitaciones
(Modulacion del ancho de la base) del Modelo
•No contempla los Efectos Capacitivos de las junturas que afecta
al funcionalmente en altas frecuencias 36
• No contempla las resistencias parásitas en serie con los
terminales

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ELECTRONICA I- FACET- UNT

El desarrollo de la electrónica y de sus múltiples

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Los transistores bipolares se clasifican de la siguiente manera:

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Los transistores tienen un código de identificación que en algunos

Anteriormente los transistores americanos empezaban su codificación

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Actualmente, cada fábrica le antepone su propio prefijo, así se tiene

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CODIFICACION JAPONESA dígito, dos letras, número de serie, [sufijo]

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•Dos de los tres terminales actúan

•Dos de los tres terminales actúan

•Un terminal es común a entrada y

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•La tensión entre los terminales de entrada determina el comportamiento

Para ello se deberá considerar las distintas configuraciones, dadas según el

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La forma normal de alimentar un

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En la figura para polarizar se usan dos fuentes de alimentación de

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La característica de entrada es similar a la de 16

VCC = I C RC + VCE ZONA DE IB =50µA

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La corriente de colector IC, se relaciona con la corriente de 18

Zona de corte: No hay circulación de corriente de base. Se

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Zona Activa Zona de Saturación

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Características aproximadas de entrada y salida del transistor PNP

Todos los límites de operación para un transistor vienen definidos

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Característica de entrada: IE=f(VBE, VCB)

ELECTRONICA I- FACET- UNT

La corriente de colector es constante, por

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Las curvas tienen

ELECTRONICA I- FACET- UNT

Para valores relativamente grandes de VCB, la corriente del colector muestra

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Esta configuración se utiliza

Para la configuración de colector común, las características de

ELECTRONICA I- FACET- UNT

de salida de esta configuración SON LAS MISMAS que se 30

usan para EMISOR COMUN.

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