UNIVERSIDAD POLITECNICA SALESIANA

Tiristores GTO, CTH-FET y

MTO
ELECTRÓNICA DE POTENCIA

Jorge Oleas | Danilo Molina | Nicolás Peralta | Jorge Morocho | Fredy Ortiz |David
Merchán |Pablo Peñafiel

Objetivo General
Comprender el funcionamiento de los diferentes tipos de tiristores, sus características
generales y las partes principales para desarrollar circuitos eficientes de electrónica de
potencia.

Objetivos Específicos
 Comprender las características principales de cada tipo de tiristor
 Identificar las diferentes formas de control de cada tiristor
 Establecer ejemplos de aplicación en la industria de cada tiristor

Marco Teórico
Se denominan tiristores a todos aquellos componentes semiconductores con dos estados
estables cuyo funcionamiento se basa en la realimentación regenerativa de una
estructura PNPN. Existen varios tipos dentro de esta familia, de los cuales el más
empleado con mucha diferencia es el rectificador controlado de silicio (SCR), por lo que
suele aplicársele el nombre genérico de tiristor.

Es un componente con dos terminales principales, ánodo y cátodo y uno auxiliar para
disparo o puerta. Se puede decir que se comporta como un diodo rectificador con
iniciación de la conducción controlada por la puerta: como rectificador, la conducción
no es posible en sentido inverso, pero sí en sentido directo. Sin embargo, a diferencia de
los diodos, el tiristor no conduce en sentido directo hasta que no se aplica un pulso de
corriente por el terminal de puerta. El instante de conmutación (paso de corte a
conducción), puede ser controlado con toda precisión actuando sobre el terminal de
puerta, por lo que es posible gobernar a voluntad el paso de intensidades por el
elemento, lo que hace que el tiristor sea un componente idóneo en Electrónica de
Potencia, ya que es un conmutador casi ideal, rectificador y amplificador a la vez como
comprobaremos con posterioridad

En la siguiente figura se pueden apreciar el símbolo, estructura y esquema equivalente

del tiristor de potencia

Figura 1. Símbolo, estructura y esquema equivalente del tiristor de potencia

Tiristor GTO
Tiristor desactivado por compuerta (GTO). Son semiconductores discretos
que actúan como interruptores completamente controlables, los cuales pueden ser
encendidos y apagados en cualquier momento con una señal de compuerta positiva
o negativa respectivamente.

Un GTO se puede encender aplicando una señal positiva a la compuerta. Sin

embargo, el GTO puede abrirse con una señal negativa de compuerta. Un GTO es
un dispositivo que no retiene, y se puede construir con especificaciones de corriente
y voltaje parecidas a las de un SCR [8-10].

Ventajas sobre los SCR:

1. Eliminación de componentes de conmutación, en la conmutación forzada,

que dan como resultado una reducción de costo, peso y volumen.
2. Reducción de ruido acústico y electromagnético, por la eliminación de
reactores de conmutación.
3. Apagado más rápido que permite altas frecuencias de conmutación.
4. Mejor eficiencia de convertidores.

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Ventajas sobre los transistores bipolares en aplicaciones con baja
potencia:

1. Mayor especificación de voltaje de bloqueo.

2. Alta relación de corriente pico controlable a corriente promedio.
3. Alta relación de pico de corriente de sobrecarga entre corriente promedio,
normalmente de 10:1.
4. Alta ganancia en estado encendido (corriente anódica y corriente de
compuerta); 600 en forma típica.
5. Una señal pulsada de compuerta de corta duración. Bajo condiciones de
inundación sobrecarga, un GTO entra en mayor saturación debido la acción
regenerativa. Por otra parte, un transistor bipolar tiende a salir de la
saturación. Al igual que un tiristor, un GTO es un dispositivo con retención,
pero también es un dispositivo que es posible apagar.

Figura 2. Esquema tiristor GTO

Funcionamiento: Un GTO es un dispositivo de enganche y se construir con

especificaciones de corriente y voltajes similares a las de un SCR. Un GTO se activa
aplicando a su compuerta un pulso positivo corto y se desactiva mediante un pulso
negativo corto. La simbología para identificarlo en un circuito es la que se muestra
en la figura II.

Mientras el GTO se encuentre apagado y no exista señal en la compuerta, el

dispositivo se bloquea para cualquier polaridad en el ánodo, pero una corriente de
fuga (IA leak) existe. Con un voltaje de vías en directa el GTO se bloquea hasta
que un voltaje de ruptura VAK = VB0 es alcanzado. En este punto existe un proceso
dinámico de encendido., VAK = 3V y la corriente IA es determinada por la carga.
Cuando el GTO se apaga y con la aplicación de un voltaje en inversa, solo una
pequeña corriente de fuga (IA leak) existe. Una polarización en inversa VAK puede
ser alcanzada cuando ocurra un corte. El valor del voltaje del voltaje de ruptura
inverso depende del método de fabricación para la creación de una regeneración
interna para facilitar el proceso de apagado.

Con un voltaje de polarización directo aplicado al ánodo y un pulso de corriente

positiva es aplicada al gate, el GTO se enciende y permanece de esa forma. Para
ésta condición, existen 2 formas de apagarlo. Una forma es reduciendo la corriente

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de ánodo IA por medios externos hasta un valor menor a la corriente de holding
Ih, en la cual, la acción regenerativa interna no es efectiva. La segunda forma de
apagarlo es por medio de un pulso en el gate, y este es el método más recomendable
porque proporciona un mejor control.

Principales aplicaciones en la industria:

 Trocadores y convertidores
 Control de motores asíncronos
 Inversores
 Caldeo inductivo
 Rectificadores
 Soldadura al arco
 Sistema de alimentación ininterrumpida (SAI)
 Control de motores

Ejemplo:

Para el circuito de control de potencia con GTO de la figura, calcular: La potencia

en la carga, la ganancia de corriente en el proceso de paso de corte a conducción y
la ganancia de corriente en el proceso de paso de conducción a corte:

Datos:
Vs= 600v
R=30 ohm.
VGTO on= 2.2v
PG= 10w
I GOon=0.5A
I Goff=-25A.
Figura 3. Circuito

Una vez disparado el dispositivo, el valor de la intensidad por la carga será:

𝑉𝑠 − 𝑉𝐺𝑇𝑂 𝑜𝑛
𝐼𝐿 = = 19.9727𝐴
𝑅
Como 𝑉𝐿 = 𝑉𝑠 − 𝑉𝐺𝑇𝑂𝑜𝑛
La potencia en la carga será:

𝑉𝐿2
𝑃𝐿 = = 1.91𝑥104 𝑊
𝑅
En el paso de corte a conducción del dispositivo, se entiende por ganancia de
corriente el cociente entre la intensidad que circula por la carga una vez que se ha
disparado el dispositivo y la intensidad necesaria para el disparo, por lo tanto:

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 𝐼𝐿
Δ𝐼 = = 39.853
𝐼𝐺𝑜𝑛

Para el cálculo de la ganancia de corriente en el paso de conducción a corte, realizamos

el mismo proceso que en el apartado anterior, pero con los datos siguientes:

𝐼𝐿 = 19.927𝐴 𝐼𝐺𝑜𝑓𝑓 = −25𝐴

En este caso la ganancia de corriente será:
𝐼𝐿
Δ𝐿 = = −0.797
𝐼𝐺 𝑜𝑓𝑓

Figura 4. Esquema

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Tiristor FET-CTH
Un dispositivo FET-CTH combina en paralelo a un MOSFET y un tiristor, como se ve
en la figura 1 Si se aplica el voltaje suficiente a la compuerta del MOSFET,
normalmente 3 V, se genera internamente una corriente de disparo para el tiristor. Tiene
alta velocidad de conmutación, altas tasas di/dt dv/dt. Este dispositivo puede encenderse
como los tiristores convencionales, pero no puede apagarse mediante control de
compuerta. Esto tiene aplicaciones cuando se debe usar disparo óptico para dar
aislamiento eléctrico entre la señal de entrada o de control, y el dispositivo de
conmutación del convertidor de potencia.

Figura 5. Tiristor FET-CTH

Figura 1. Tiristor controlado por FET.

Como ventaja tenemos la alta velocidad de conmutación y como desventaja no se puede
desactivar a través de la compuerta.

Aplicación en la Industria

A FET-controlled thyristor in SIPMOS technology (Un tiristor controlado por

FET en tecnología SIPMOS)
La tecnología SIPMOS (Siemens Power MOS) fue desarrollada para los MOSFET de
potencia, así como los interruptores de alimentación de CA en los que la tecnología
MOS se combina funcionalmente con dispositivos bipolares. Esta tecnología que tiene
pasos de proceso como los de los circuitos MOS integrados convencionales se utilizó
para realizar un tiristor controlado por FET. El tiristor SIPMOS muestra excelentes
cualidades con respecto a la inmunidad de voltaje de corriente en el estado (di / dt =
4000 A / us) (dV / dt> 1200 V / us) y la sensibilidad de disparo.

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Tiristor MTO
Estructura formada por un SCR y dos transistores MOS (uno para encenderlo y otro
para apagarlo), tiene une estructura compleja, con muchos requerimientos
contradictorios. Comenzaron las investigaciones en 1992, en la actualidad se han
abandonado al no poder alcanzar potencias elevadas y no ser competitivo con el MOS
en bajas potencias (frecuencia menor y mayor complejidad de fabricación por lo que
significa que tiene un mayor costo) [1]

Fue desarrollado por Silicon Power C (SPCO). Es una combinación de un GTO y un

MOSFET, que juntos superan las limitaciones de capacidad de apagado las limitaciones
de capacidad de apagado del GTO. El inconveniente principal de los GTO es que
requieren un circuito de encendido con grandes pulsos de corriente, para la compuerta
de baja impedancia. [2]
El MTO es una combinación de un GTO y un MOSFET, que juntos mejoran las
capacidades de apagado del GTO. [2]

Figura 6. Tiristor MTO

Apagado.
Para apagar el MTO se aplica un pulso de voltaje en la compuerta del MOSFET.
Al encenderse el MOSFET, se ponen en corto el emisor y la base del transistor npn Q
¡deteniendo así el proceso de retención. En contraste, un GTO se apaga extrayendo la
corriente suficiente de la base del emisor del transistor npn con un pulso negativo
grande, para detener la acción de retención regenerativa. El resultado es que el MTO se
apaga con mucha mayor rapidez que un GTO, y casi se eliminan las pérdidas asociadas
con el tiempo de almacenamiento.
También, el MTO tiene una mayor tasa dv/dt y requiere componentes amortiguadores
mucho menores. En forma parecida a la de un GTO, el MTO tiene una larga cola de
corriente de apagado al final del apagado, y el siguiente encendido debe esperar hasta
que se disipe la carga residual en el ánodo, por el proceso de recombinación. [3]
Características [2]
 Capacidad de corriente / Voltaje 4500v/500A
 Frecuencia Máxima (H) 5kH
 Tiempo de conmutación 80-110µs
 Resistencia de estado cerrado10.2mΩ
Aplicaciones:
 Aplicaciones de gran potencia desde 1 hasta 20MVA

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  También tienen una mayor dv/dt y en También tienen una mayor dv/dt y en
forma parecida al GTO forma parecida al GTO tienen una, tienen una larga cola
de corriente de apagado.
Desventajas
-Tiene un corto rango de tiempo de conmutación
Ventajas
-Manejo de grandes potencias

Aplicaciones en la industria:
-Control de Motores.
-Trenes Eléctricos.
-Fuentes de suministro eléctrico.

Ejercicio:
Un tiristor conduce una corriente, tal y como se muestra, y el pulso de corriente se repite
con una frecuencia Fs=50Hz. Determine la corriente promedio en estado activo IT.
Ip=ITM=1000 A
T=1/Fs = 1/50 = 20ms
T1=T2= 5us
La corriente promedio en estado activo es:
1
𝐼𝑇 = ( ) [0.5 ∗ 5 ∗ 1000 + (20.000 − 2 ∗ 5) ∗ 1000 + 0.5 + 5 ∗ 1000]
20.000
𝐼𝑇 = 999.5 𝐴

Figura 7. Forma de onda de la corriente del tiristor

Tal vez la fotografía de la portada le guste tanto como a nosotros, pero si no es la más
indicada para el informe, puede reemplazarla fácilmente por una suya.

Basta con que elimine la imagen del marcador de posición. Después, en la pestaña
Insertar, haga clic en Imagen para seleccionar una de sus archivos.

Conclusiones
Existen una gran variedad de tiristores según su tecnología de fabricación, según sus
capacidades, pero todos tienen en común que conducen tras aplicar una pequeña
corriente al Gate, entonces a partir de aquí se deberá tener en cuenta las especificaciones
que el diseño demande de un tiristor para poder seleccionar uno u otro siempre en
función de lo que requiera el circuito. Por ejemplo, la corriente que activa el scr puede
ser de bajo valor, pues con solo un pulso de corriente este quedará activo. El voltaje que

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hay en el ánodo cae drásticamente al momento del encendido del scr y queda siendo un
voltaje aproximado de 0.8 v. Luego de encendido el scr, no es necesario que la compuerta
siga recibiendo corriente porque este seguirá conduciendo hasta que el voltaje
disminuya a tal punto que se desactive.

Referencias
[1]http://www.gte.us.es/~leopoldo/Store/tsp_7.pdf
[2] http://isidrolazaro.com/wp-content/uploads/2013/04/Electronica_de_Potencia.pdf
[3]Electrónica de Potencia-Muhammad H.Rashid-3ra Edición.
[4] B. Jayant Baliga, "Enhancement- and depletion-mode vertical-channel m.o.s.
gated thyristors," in Electronics Letters, vol. 15, no. 20, pp. 645-647, September 27
1979. doi: 10.1049/el:19790459
keywords: {metal-insulator-semiconductor devices;thyristors;MOS depletion mode
thyristor;MOS enhancement mode thyristor;V groove;anode breakover voltage;gate
structure;power thyristors},
http://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?tp=&arnumber=4256076&isnumber=4256
047

[5] «es.calameo.com,» es.calameo, julio 2017. [En línea]. Available:

https://es.calameo.com/read/002702226da53f0ccbd91. [Último acceso: 8 mayo
2018].

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