Este documento describe el procedimiento para identificar los terminales de un transistor JFET y las características de su funcionamiento. Explica cómo usar un multímetro en modo diodo para identificar la puerta midiendo el voltaje umbral, y obtener el datasheet para identificar el drenaje y la fuente. También describe las zonas de operación de un JFET, incluyendo la zona óhmica, saturación y corte, y los pasos para medir experimentalmente los parámetros IDSS y VGSoff.
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Este documento describe el procedimiento para identificar los terminales de un transistor JFET y las características de su funcionamiento. Explica cómo usar un multímetro en modo diodo para identificar la puerta midiendo el voltaje umbral, y obtener el datasheet para identificar el drenaje y la fuente. También describe las zonas de operación de un JFET, incluyendo la zona óhmica, saturación y corte, y los pasos para medir experimentalmente los parámetros IDSS y VGSoff.
Este documento describe el procedimiento para identificar los terminales de un transistor JFET y las características de su funcionamiento. Explica cómo usar un multímetro en modo diodo para identificar la puerta midiendo el voltaje umbral, y obtener el datasheet para identificar el drenaje y la fuente. También describe las zonas de operación de un JFET, incluyendo la zona óhmica, saturación y corte, y los pasos para medir experimentalmente los parámetros IDSS y VGSoff.
Este documento describe el procedimiento para identificar los terminales de un transistor JFET y las características de su funcionamiento. Explica cómo usar un multímetro en modo diodo para identificar la puerta midiendo el voltaje umbral, y obtener el datasheet para identificar el drenaje y la fuente. También describe las zonas de operación de un JFET, incluyendo la zona óhmica, saturación y corte, y los pasos para medir experimentalmente los parámetros IDSS y VGSoff.
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1.1 Procedimiento para identificar los terminales de un transistor JFET.
Para la identificación de los terminales de un transistor de efecto de campo
(JFET) debemos adquirir un multímetros y colocarlo en la opción de diodos ya que los JFET al estar formado por dos tipos de semiconductores forman Junturas lo que los hacen similares a los diodos.
JFET CANAL N.
Primero procedemos a identificar el terminal negativo del multímetro, lo
colocamos en un terminal y procedemos a medir con respecto a los otros dos terminales variando este proceso hasta que en los dos casos la medición que obtengamos sea el voltaje umbral. (Si=0,7V Ge=0,3V).
En tal caso tendremos identificada la compuerta de nuestro transistor, para
identificar el drenaje y la fuente nos resultara imposible prácticamente por lo que adquirir el datasheet provisto por el fabricante para cumplir este fin.
JFET CANAL P.
Primero procedemos a identificar el terminal positivo del multímetro, lo
colocamos en un terminal y procedemos a medir con respecto a los otros dos terminales variando este proceso hasta que en los dos casos la medición que obtengamos sea el voltaje umbral. (Si=0,7V Ge=0,3V). En tal caso tendremos identificada la compuerta de nuestro transistor, para identificar el drenaje y la fuente nos resultara imposible prácticamente por lo que adquirir el datasheet provisto por el fabricante para cumplir con este fin.
Obtenido de: http://www.electronicafacil.net/tutoriales/TRANSISTOR-FET.php
1.2 La forma en la que un campo eléctrico controla el ancho del camino de
conducción del circuito de salida, sin que exista un contacto directo entre la magnitud controlada y la magnitud controladora.
En los transistores FET se crea un campo eléctrico que controla la anchura del camino de conducción del circuito de salida sin que exista contacto directo entre la magnitud controlada (corriente) y la magnitud controladora (tensión).
En la unión pn, al polarizar en inversa la compuerta y el canal, una capa del
canal adyacente a la compuerta se convierte en no conductora. A esta capa se le llama zona de carga espacial o deflexión.
Cuanto mayor es la polarización inversa, más gruesa se hace la zona de
deflexión; cuando la zona no conductora ocupa toda la anchura del canal, se llega al corte del canal. A la tensión necesaria para que la zona de deflexión ocupe todo el canal se le llama tensión compuerta-fuente de corte (VGSoff ). Esta tensión es negativa en los JFET de canal n.
En funcionamiento normal del JFET canal n, D es positivo respecto a S.
La corriente va de D a S a través del canal. Como la resistencia del canal depende de la tensión GS, la corriente de drenaje se controla por dicha tensión.
Obtenido de: http://www.monografias.com/trabajos90/transistor-fet/transistor-
fet.shtml#ixzz3go8utMkl Para valores de VDS comparables y superiores a VGS: la resistencia del canal se convierte en no lineal, y el JFET pierde su comportamiento óhmico.
Cuando se aplica un voltaje VDS al canal de 5 voltios, por ejemplo, este se
distribuye a lo largo del canal, es decir, en las proximidades del terminal D la tensión será de 5 V, pero a medio camino la corriente circulante habrá reducido su potencial a la mitad (2,5 V), y en el terminal S el potencial será nulo. Por otra parte, si VGS es negativa (- 2 V, por ejemplo), la tensión se distribuirá uniformemente a lo largo de la zona P, al no existir ninguna corriente.
1.3 Característica de Drenaje y Característica de Transferencia de un JFET canal P.
Característica de drenaje
Curva característica de transferencia de un transistor JFET de canal tipo P.
1𝑉𝐺𝑆 La fórmula es: 𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 ∗ (𝑉 ) 𝐺𝑆𝑂𝐹𝐹 Dónde:
-IDSS es el valor de corriente cuando la Vgs = 0.
- Vgsoff es el voltaje cuando no hay paso de corriente entre drenaje y fuente. - Vgs es el voltaje entre la compuerta y la fuente para la que se desea saber ID.
1.4 Características de las zonas de operación de un JFET.
ZONA ÓHMICA o LINEAL: En esta zona el transistor se comporta
como una resistencia variable dependiente del valor de VGS. Un parámetro que aporta el fabricante es la resistencia que presenta el dispositivo para VDS=0, y distintos valores de VGS.
ZONA DE SATURACIÓN: En esta zona es donde el transistor amplifica
y se comporta como una fuente de corriente gobernada por VGS
ZONA DE CORTE: La intensidad de drenaje es nula (ID=0).
Obtenido de: http://rabfis15.uco.es/transistoresweb/Tutorial_General/transistoresFET.html
1.5 Procedimiento para determinar experimentalmente IDSS y VGSoff.
MEDICIÓN DE IDSS
Consulte las especificaciones suministradas por el fabricante para determinar los
valores de potencia máxima del JFET, además, escoja los valores de RD con su respectivo consumo máximo de potencia y el rango máximo de variación de VDD para que cumpla con los requerimientos de potencia del transistor. Armamos el circuito mostrado a continuación.
Teniendo en cuenta el tipo de transistor que se va a utilizar en la práctica ubique
el multímetro sobre la resistencia RD como muestra
Previamente seleccionado el rango máximo de VDD
Varíe el voltaje de la fuente, hasta que el voltaje en la resistencia R
Sea constante. Con este valor aplíquela ley de ohm y obtenga el valor de IDSS
MEDICIÓN DE VGSoff
Para obtener el valor del voltaje de activación del JFET polarice VDS al valor requerido por las hojas de especificaciones para obtener VGS (off) como se muestra a continuación. Implemente una segunda fuente en el punto G, (compuerta), del transistor JFET. Ubique el multímetro sobre la resistencia RD Recuerde que VGG es de polaridad contraria a VDD. Varíe el voltaje de la fuente VGG previamente seleccionado su rango máximo, mientras VDD permanece constante, hasta que el voltaje en la resistencia RD sea cero.
Obtenido de: http://www.electronicafacil.net/tutoriales/TRANSISTOR-FET.php
2 Preguntas
2.1 ¿Se pueden intercambiar los terminales de Drenaje y Fuente?
Si, ya que los terminales de drenaje y fuente son el mismo semiconductor con las mismas características se pueden intercambiar sus terminales funcionando estos como una resistencia sin que altere apreciablemente la característica V-I (Se trata de un dispositivo simétrico).
2.2 ¿Qué tan diferentes son los valores calculados en relación con los obtenidos en el laboratorio?
Varían en un pequeño porcentaje que va desde el 0% hasta el 10% por lo que
hemos podido notar en las prácticas anteriores.
¿Cuál es la causa principales de estas diferencias?
En cuanto a los cálculos y las simulaciones trabajamos con valores exactos por lo que las respuestas obtenidas se dan en las condiciones ideales pero esto en la práctica no es así, ya que los componentes electrónicos utilizados tienen una rango de tolerancia respecto a la variación de su valor nominar lo cual ocasiona variaciones en el comportamiento del circuito.
