La Academia al servicio de la Vida

PARCIAL II DE ELECTRONICA DE POTENCIA

LUIS DAVID BERMUDEZ A

CD. 89043078667

CARLOS JAVIER CARREO

COD:1018437948

PRESENTADO A:
ING. JULIO CESAR OSPINO ARIAS

UNIVERSIDAD DE PAMPLONA
FACULTAD DE INGENIERAS Y ARQUITECTURA
DEPARTAMENTO DE INGENIERA EEST
PAMPLONA N.S
2015

Universidad de Pamplona - Ciudad Universitaria - Pamplona (Norte de Santander - Colombia)

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INTRODUCCION
Un Puente H es un circuito electrnico que permite a un motor
elctrico DC girar en ambos sentidos, avance y retroceso. Son
ampliamente usados en robtica y como convertidores de potencia.
Los puentes H estn disponibles como circuitos integrados, pero
tambin pueden construirse a partir de componentes discretos. El
trmino "puente H" proviene de la tpica representacin grfica del
circuito donde cuatro interruptores estn conectados entre s
formando una H.
El puente H es muy fcil de implementar, este trabaja con tan solo
4 transistores generalmente 2 NPN y 2 PNP, y una fuente de
alimentacin, su funcionamiento es muy sencillo, la conflagracin
que se establece hace que un transistor se coloque en corte y el
otro en saturacin lo que enviara un voltaje especifico y otro voltaje
nulo a la base de la otra pareja de transistores que permitir que el
motor se polarice con positivo y negativo, si queremos que el motor
gire en otro sentido cambiamos las condiciones de corte y
saturacin en los otros transistores y el motor invertir su giro. El
tipo de transistores a usar depender de la potencia que tenga el
motor y la corriente que este consuma.

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OBJETIVOS

OBJETIVO GENERAL:
Disear en implementar un puente H con transistores NPN y PNP,
que pueda controlar el giro de un motor.

OBJETIVOS ESPECIFICOS:
Determinar los diferentes parmetros del circuito para que los
transistores estn saturados y as mover eficientemente el
motor.
Comprobar el funcionamiento (corte y saturacin) de los
transistores configurados como puente H.
Observar el comportamiento (voltaje y corriente) del motor,
mientras esta en su sentido normal e inverso.

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MARCO TEORICO

MOTOR DE CORRIENTE CONTINUA:

El motor de corriente continua es una mquina que convierte la

energa elctrica en mecnica, principalmente mediante el
movimiento rotatorio. En la actualidad existen nuevas aplicaciones
con motores elctricos que no producen movimiento rotatorio, sino
que con algunas modificaciones, ejercen traccin sobre un riel.
Estos motores se conocen como motores lineales.

Esta mquina de corriente continua es una de las ms verstiles en

la industria. Su fcil control de posicin, paro y velocidad la han
convertido en una de las mejores opciones en aplicaciones de
control y automatizacin de procesos. Pero con la llegada de la
electrnica su uso ha disminuido en gran medida, pues los motores
de corriente alterna, del tipo asncrono, pueden ser controlados de
igual forma a precios ms accesibles para el consumidor promedio
de la industria. A pesar de esto los motores de corriente continua se
siguen utilizando en muchas aplicaciones de potencia (trenes y
tranvas) o de precisin (mquinas, micro motor, etc.). La principal
caracterstica del motor de corriente continua es la posibilidad de
regular la velocidad desde vaco a plena carga.

Una mquina de corriente continua (generador o motor) se

compone principalmente de dos partes, un estator que da soporte
mecnico al aparato y tiene un hueco en el centro generalmente de
forma cilndrica. En el estator adems se encuentran los polos, que
pueden ser de imanes permanentes o devanados con hilo de cobre
sobre ncleo de hierro. El rotor es generalmente de forma cilndrica,
tambin devanado y con ncleo, al que llega la corriente mediante
dos escobillas.

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EL TRANSISTOR BIPOLAR:

El transistor de unin bipolar (del ingls Bipolar Junction Transistor,

o sus siglas BJT) es un dispositivo electrnico de estado slido
consistente en dos uniones PN muy cercanas entre s, que permite
controlar el paso de la corriente a travs de sus terminales. La
denominacin de bipolar se debe a que la conduccin tiene lugar
gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades
(huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en
gran nmero de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes,
entre ellos su impedancia de entrada bastante baja.

Los transistores bipolares son los transistores ms conocidos y se

usan generalmente en electrnica analgica aunque tambin en
algunas aplicaciones de electrnica digital, como la tecnologa TTL
o BICMOS.

Un transistor de unin bipolar est formado por dos Uniones PN en

un solo cristal semiconductor, separados por una regin muy
estrecha. De esta manera quedan formadas tres regiones:

Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar

fuertemente dopada, comportndose como un metal. Su
nombre se debe a que esta terminal funciona como emisor
de portadores de carga.
Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del
colector.
Colector, de extensin mucho mayor.

La tcnica de fabricacin ms comn es la deposicin epitaxial. En

su funcionamiento normal, la unin base-emisor est polarizada en
directa, mientras que la base-colector en inversa. Los portadores de
carga emitidos por el emisor atraviesan la base, que por ser muy
angosta, hay poca recombinacin de portadores, y la mayora pasa
al colector. El transistor posee tres estados de operacin: estado de
corte, estado de saturacin y estado de actividad.

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REGIONES OPERATIVAS DEL TRANSISTOR:

Los transistores de unin bipolar tienen diferentes regiones

operativas, definidas principalmente por la forma en que son
polarizados:

Regin activa:

Cuando un transistor no est ni en su regin de saturacin ni

en la regin de corte entonces est en una regin intermedia,
la regin activa. En esta regin la corriente de colector (Ic)
depende principalmente de la corriente de base (Ib), de
(ganancia de corriente, es un dato del fabricante) y de las
resistencias que se encuentren conectadas en el colector y
emisor. Esta regin es la ms importante si lo que se desea
es utilizar el transistor como un amplificador de seal.

Regin inversa:

Al invertir las condiciones de polaridad del funcionamiento en

modo activo, el transistor bipolar entra en funcionamiento en
modo inverso. En este modo, las regiones del colector y
emisor intercambian roles. Debido a que la mayora de los
BJT son diseados para maximizar la ganancia de corriente
en modo activo, el parmetro beta en modo inverso es
drsticamente menor al presente en modo activo.

Regin de corte: Un transistor est en corte cuando:

Corriente de colector = corriente de emisor = 0,(Ic = Ie =

0).En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del
transistor es el voltaje de alimentacin del circuito. (como no
hay corriente circulando, no hay cada de voltaje). Este caso
normalmente se presenta cuando la corriente de base=0
(Ib=0).

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Regin de saturacin: Un transistor est saturado cuando:

Corriente de colector = corriente de emisor = corriente

mxima,(Ic = Ie = Imxima).
En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje
de alimentacin del circuito y de las resistencias conectadas
en el colector o el emisor o en ambos. Este caso
normalmente se presenta cuando la corriente de base es lo
suficientemente grande como para inducir una corriente de
colector veces ms grande. (recordar que Ic = * Ib).

TRANSISTOR DARLINGTON:

En electrnica, el transistor Darlington es un dispositivo

semiconductor que combina dos transistores bipolares en un
tndem (a veces llamado par Darlington) en un nico dispositivo.

La configuracin (originalmente realizada con dos transistores

separados) fue inventada por el ingeniero de los Laboratorios Bell
Sidney Darlington. La idea de poner dos o tres transistores sobre un
chip fue patentada por l, pero no la idea de poner un nmero
arbitrario de transistores que originara la idea moderna de circuito
integrado.

Esta configuracin sirve para que el dispositivo sea capaz de

proporcionar una gran ganancia de corriente (parmetro del
transistor) y, al poder estar todo integrado, requiere menos espacio
que dos transistores normales en la misma configuracin. La
ganancia total del Darlington es el producto de la ganancia de los
transistores individuales. Un dispositivo tpico tiene una ganancia en
corriente de 1000 o superior.

Tambin tiene un mayor desplazamiento de fase en altas

frecuencias que un nico transistor, de ah que pueda convertirse
fcilmente en inestable. La tensin base-emisor tambin es mayor,

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siendo la suma de ambas tensiones base-emisor, y para

transistores de silicio es superior a 1.2V.

EL PUENTE H:

El puente H es una interfaz que se considera bsicamente como

un sistema de conmutacin a base de transistores (exactamente
cuatro transistores) controlado por dos seales, generalmente es
utilizado para el control de giro de los motores. El puente H es
llamado as por como la configuracin de los transistores
conectados entre s forman una H.

Figura.1. Diagrama de un puente H con transistores NPN y PNP

Un puente H se construye con 4 transistores generalmente 2 NPN y

2 PNP (ver figura.1). Cuando los transistores Q1 y Q4 conducen (en
saturacin), Q2 y Q3 no conducen (estando en corte), se aplica una
tensin positiva en el motor, hacindolo girar en un sentido. Si los

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transistores Q1 y Q4 no conducen (ponerlos en corte) y Q2 y Q3

conducen (en saturacin), el voltaje se invierte, permitiendo el giro
en sentido inverso del motor.

Con la nomenclatura que estamos usando, los transistores Q1 y Q2

nunca podrn estar cerrados al mismo tiempo, porque esto
cortocircuitara la fuente de tensin. Lo mismo sucede con Q3 y Q4.

APLICACIN DEL PUENTE H:

Como hemos dicho el puente H se usa para invertir el giro de un

motor, pero tambin puede usarse para frenarlo (de manera
brusca), al hacer un corto entre las bornas del motor, o incluso
puede usarse para permitir que el motor frene bajo su propia
inercia, cuando desconectamos el motor de la fuente que lo
alimenta. En la tabla.1 se resumen las diferentes acciones teniendo
en cuenta que si el transistor conduce debe de estar en saturacin y
si este no conduce debe de estar en corte.

Q1 Q2 Q3 Q4 RESULTAD
O
Conduce No conduce No conduce Conduce El motor gira
en avance
No conduce Conduce Conduce No El motor gira
conduce en retroceso
No conduce No conduce No conduce No El motor se
conduce detiene bajo
su inercia
Conduce Conduce Conduce Conduce El motor
frena
bruscamente
Tabla.1. Acciones del motor segn el estado de los transistores, teniendo en
cuenta que: Conduce= saturacin, no conduce= corte.

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PROCEDIMIENTO

ESQUEMATICOS UTILIZADOS PARA LA ESTIMACION DE

1. PARA NPN

2. PARA PNP

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Datos

Estimacin NPN 1
VGG(V) IB(MA) IC(MA) VCE(V)
0 0 0 18
0,5 0 0,03 17,99
1 0,04 1,81 17,94
1,5 0,08 4,05 17,88
2 0,13 6,12 17,83
2,5 0,19 8,59 17,77
3 0,22 10,72 17,72
3,5 0,28 13,55 17,66
4 0,34 16,5 17,59
4,5 0,38 18,45 17,55
5 0,44 21,48 17,48
5,5 0,49 24,15 17,42
6 0,52 26,01 17,38
6,5 0,58 29,68 17,3
7 0,63 31,75 17,25
7,5 0,67 33,71 17,2
8 0,73 37,05 17,13
8,5 0,79 40,3 17,05
9 0,84 43 16,99
9,5 0,88 45,4 16,93
10 0,94 48,5 16,86
10,5 0,98 50,8 16,8
11 1,03 53,9 16,74
11,5 1,08 56,8 16,66
12 1,14 60 16,59
12,5 1,17 61,8 16,55
13 1,23 66,4 16,45
13,5 1,28 68,3 16,41
14 1,34 72 16,32

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14,5 1,38 74,4 16,26

15 1,44 78,3 16,18
15,5 1,47 80,1 16,13
16 1,51 82,5 16,08
16,5 1,58 86,1 15,99
17 1,63 89,2 15,93
17,5 1,69 92,9 15,84
18 1,74 96,2 15,77

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Estimacin NPN 2

VGG(V) IB(MA) IC(MA) VCE(V)

0 0 0 18,05
0,5 0 0 18,04
1 0,04 1,53 17,99
1,5 0,08 3,15 17,95
2 0,12 5,13 17,9
2,5 0,18 7,26 17,86
3 0,22 9,35 17,83
3,5 0,27 11,38 17,76
4 0,32 13,6 17,72
4,5 0,38 16 17,65
5 0,42 17,9 17,62
5,5 0,47 20,04 17,56
6 0,54 23,33 17,5
6,5 0,56 24,38 17,46
7 0,63 27,33 17,4
7,5 0,68 29,44 17,36
8 0,7 32,45 17,3
8,5 0,78 35,33 17,26
9 0,82 36,5 17,2
9,5 0,87 39,4 17,15
10 0,94 41,8 17,08
10,5 0,978 44 17,04
11 1,03 46,7 16,98
11,5 1,09 49,4 16,91
12 1,14 52,4 16,84
12,5 1,16 53,2 16,83
13 1,23 56,9 16,73
13,5 1,29 59,1 16,69
14 1,34 61,5 16,64
14,5 1,38 63,8 16,58
15 1,44 67 16,52

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15,5 1,48 69,3 16,48

16 1,52 71,8 16,4
16,5 1,58 73,9 16,36
17 1,64 77,1 16,29
17,5 1,69 79,6 16,23
18 1,72 81,6 16,18

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Estimacin PNP 1
Vgg(V) Ib(mA) Ic(mA) Vec(V)
18 0 0 17,96
17,5 0 0,15 17,96
17 0,04 6,53 17,82
16,5 0,08 11,35 17,7
16 0,13 15,3 14,48
15,5 0,14 20,37 17,17
15 0,17 25 16,91
14,5 0,21 30,64 16,59
14 0,24 34,42 16,34
13,5 0,27 39,32 16,05
13 0,3 43,6 15,85
12,5 0,33 48,3 15,52
12 0,37 52,2 15,37
11,5 0,41 57,6 15,15
11 0,52 73 15,91
10,5 0,62 94,7 15,75
10 0,67 101,6 15,5
9,5 0,73 113,3 15,34
9 0,78 119,9 15,17
8,5 0,82 128,2 15,02
8 0,87 135,3 14,86
7,5 0,9 143 14,58
7 0,97 151,1 14,46
6,5 1,03 160,8 14,24
6 1,09 171,2 14,12
5,5 1,12 177 13,91
5 1,17 186,4 13,75
4,5 1,21 193,4 13,55
4 1,28 202,3 13,39
3,5 1,32 209,7 13,21
3 1,37 217,7 12,99

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2,5 1,43 228 12,77

2 1,49 238 12,65
1,5 1,51 242,3 12,45
1 1,58 252 12,31
0,5 1,61 258,1 12,07
0 1,67 268,2 11,91

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Estimacin PNP 2

VGG(V) IB(MA) IC(MA) VEC(V)

18 0 0 17,98
17,5 0 0,05 17,94
17 0,04 5,53 17,83
16,5 0,07 10,3 17,73
16 0,13 18,9 17,55
15,5 0,17 26,6 17,4
15 0,22 33,2 17,26
14,5 0,27 41,2 17,07
14 0,34 50 16,88
13,5 0,38 57,4 16,72
13 0,42 63,7 16,57
12,5 0,46 70 16,44
12 0,51 78,1 16,26
11,5 0,56 85,6 16,09
11 0,62 94,4 15,91
10,5 0,67 103,4 15,71
10 0,73 112,3 15,53
9,5 0,77 118,8 15,37
9 0,82 126,09 15,2
8,5 0,87 136,7 14,98
8 0,91 143,2 14,83
7,5 0,98 153,7 14,61
7 1,03 161,8 14,44
6,5 1,07 168,8 14,28
6 1,11 176,4 14,12
5,5 1,18 187,6 13,88
5 1,21 192,9 13,75
4,5 1,27 200 13,59
4 1,32 209,2 13,4

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3,5 1,36 217,4 13,22

3 1,42 227,2 13,01
2,5 1,47 235,2 12,84
2 1,52 244,9 12,61
1,5 1,58 252,3 12,45
1 1,62 260,5 12,27
0,5 1,66 267,1 12,12
0 1,72 275,4 11,93

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Estimacin para 2N222

Vgg(V) Ib(mA) Ic(mA) Vce(V)
0 0 0 18,07
0,5 0 0 18,07
1 0,0008 0,2 17,86
1,5 0,0025 0,62 17,46
2 0,0042 0,99 17,09
2,5 0,0055 1,28 16,79
3 0,0073 1,67 16,41
3,5 0,0091 2,04 16,04
4 0,0106 2,35 15,73
4,5 0,0121 2,67 15,41
5 0,0139 3 15,07
5,5 0,0155 3,31 14,76
6 0,0171 3,64 14,44
6,5 0,0192 4,01 14,06
7 0,0204 4,24 13,83
7,5 0,0214 4,49 13,59
8 0,0239 4,84 13,24
8,5 0,0255 5,1 12,98
9 0,027 5,34 12,75
9,5 0,029 5,63 12,46
10 0,0304 5,84 12,23
10,5 0,0319 6,1 11,99
11 0,0333 6,41 11,67
11,5 0,0352 6,7 11,39
12 0,037 6,94 11,14
12,5 0,0385 7,19 10,92
13 0,04 7,39 10,72
13,5 0,0416 7,63 10,48
14 0,04333 7,87 10,26

Universidad de Pamplona - Ciudad Universitaria - Pamplona (Norte de Santander - Colombia)

Tels: (7) 5685303 - 5685304 - 5685305 Fax: 5682750 www.unipamplona.edu.co
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14,5 0,0446 8,08 10,04

15 0,0463 8,25 9,88
15,5 0,0481 8,48 9,67
16 0,0495 8,65 9,52
16,5 0,0507 8,8 9,35
17 0,0533 9,03 9,13
17,5 0,0545 9,2 8,96
18 0,0563 9,31 8,85

Grafica dada por los respectivos datos:

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Estimacin para 2N222

Vgg(V) Ib(mA) Ic(mA) Vce(V)
0 0 0 18,07
0,5 0 0 18,06
1 0,0012 0,31 17,76
1,5 0,0025 0,59 17,47
2 0,004 0,95 17,13
2,5 0,0056 1,3 16,78
3 0,0073 1,66 16,42
3,5 0,009 1,99 16,08
4 0,0108 2,37 15,71
4,5 0,0122 2,65 15,42
5 0,0139 2,98 15,09
5,5 0,0158 3,36 14,72
6 0,0175 3,67 14,4
6,5 0,0188 3,91 14,17
7 0,0203 4,18 13,9
7,5 0,022 4,48 13,6
8 0,0236 4,77 13,32
8,5 0,0253 5,05 13,03
9 0,0269 5,29 12,79
9,5 0,0285 5,55 12,54
10 0,0304 5,85 12,23
10,5 0,0318 6,07 12,01
11 0,0335 6,32 11,77
11,5 0,0356 6,62 11,48
12 0,0367 6,77 11,32
12,5 0,0387 7,05 11,06
13 0,0402 7,27 10,84
13,5 0,0417 7,46 10,65

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14 0,0433 7,66 10,46

14,5 0,0448 7,87 10,26
15 0,0464 8,07 10,05
15,5 0,0479 8,25 9,89
16 0,0494 8,46 9,68
16,5 0,0512 8,66 9,48
17 0,0532 8,89 9,26
17,5 0,0545 9,03 9,12
18 0,0558 9,18 8,99

Grafica dada por los respectivos datos:

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Esquemtico general del puente H con BJT

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DATOS

TIP42C TIP42C
=163.43 =162.94
VBE=VBEsat=0,8 VBE=VBEsat=0,8

TIP41C TIP41C
=56.06 =58.23
VBE=VBEsat=0,8 VBE=VBEsat=0,8

2N222Q3 2N222Q6
= 164,94 = 164,94
VBE=VBEsat=0,75 VBE=VBEsat=0,75

MOTOR
Vm= 20v
Im=0,220
Ima=0,42

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Clculos para un sentido de giro

CALCULOS

Para Q1 y Q4 conduzcan

Sabemos que

Ic1= Ic4= ImA=0,42

IBA= 56,72A
IcA= 19,893mA
R= 901,945
RA= 46,995K

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CONCLUSIONES

Determinamos los parmetros del circuito para poder mover

eficientemente el motor sin que la temperatura de los BJT
excediera el lmite.
Observamos el comportamiento del motor mientras trabajaba
en cada sentido de giro, y tuvimos una pequea variacin de
los valores respecto a cada giro, pero concluimos que fue
porque la beta de los transistores no era exactamente igual,
esto teniendo en cuenta de que idealmente se cumple que
los valores para cada giro son iguales.
Se pudo observar que en nuestro caso fue mas fcil trabajar
con BJT que con mosfet ya que con los ltimos
mencionados anterios mente se nos presentaron
inconvenientes como posible dao por la estatica y en algn
momento llegaron a altas temperaturas

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