Informe UJT
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FACULTAD DE INGENIERA
UNIVERSIDAD DE LA COSTA CUC
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LABORATORIO DE CIRCUITOS DIGITALES
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Transistor de unijuntura (UJT) en el circuito equivalente a R1; es decir, en
el divisor de tensin se cumplir que:
En la figura se puede apreciar la
constitucin de un UJT, que en realidad
est compuesto solamente por dos
cristales. Al cristal P se le contamina con Ecuacin V1
una gran cantidad de impurezas, Si llamamos =R1/RBB, la ecuacin
presentando en su estructura un nmero queda: V1 = VBB.
elevado de huecos. Sin embargo, al cristal
N se le dopa con muy pocas impurezas, por El trmino representa la relacin
lo que existen muy pocos electrones libres intrnseca existente entre las tensiones V1
en su estructura. Esto hace que la y VBB.
resistencia entre las dos bases RBB sea
muy alta cuando el diodo del emisor no As, por ejemplo, si un UJT posee una
conduce. Para entender mejor cmo relacin intrnseca caracterstica igual a
funciona este dispositivo, vamos a valernos 0,85 y queremos determinar la tensin que
del circuito equivalente de la figura aparecer entre el terminal de emisor y la
siguiente: base 1 al aplicar 12V entre bases, bastar
con operar de la siguiente forma:
Segunda Ecuacin V1
Al valor de V1 se le conoce como tensin
intrnseca, y es aqulla que hay que aplicar
para que el diodo comience a conducir. En
nuestro ejemplo, si aplicamos una tensin
de 8V al emisor, ste no conducir, ya que
en el ctodo del diodo D existe un potencial
Circuito equivalente del UJT
positivo de 10,2V correspondiente a la
R1 y R2 equivalen a la resistencia de los
tensin intrnseca, por lo que dicho diodo
tramos de cristal N comprendidos entre los
permanecer polarizado inversamente. Sin
terminales de las bases. El diodo D
embargo, si aplicamos una tensin superior
equivale a la unin formada por los
a 10,9V (los 10,2V de V1 ms 0,7V de la
cristales P-N entre el terminal del emisor y
tensin de barrera del diodo D), el diodo
el cristal N.
comenzar a conducir, producindose el
disparo o encendido del UJT. En resumen,
Mientras el diodo del emisor no entre en
para conseguir que el UJT entre en estado
conduccin, la resistencia entre bases es
de conduccin es necesario aplicar al
igual a:
emisor una tensin superior a la intrnseca.
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emisor y dicha base (recordar que el cristal Materiales:
P est fuertemente contaminado con
impurezas y el N dbilmente). Este efecto Fuente de Alimentacin.
produce una disminucin repentina de la Equipo de Osciloscopio
resistencia R1 y, con ella, una reduccin de Resistencias: 200, 1000, 5100
la cada de tensin en la base 1 respecto (Ohmios)
del emisor, lo que hace que la corriente de Potencimetro de 5K (ohmios)
emisor aumente considerablemente. Transformador de potencia 120 V, 25V
(primario) a 1 A (secundario)
Curva caracterstica de un UJT SCR 2N1596
UJT 2N2160;1N4746
Mientras la corriente de emisor sea
superior a la de mantenimiento (Iv), el
Circuito 1:
diodo permanecer en conduccin como si
de un biestable se tratase. Esta corriente
se especifica normalmente en las hojas de
caractersticas y suele ser del orden de
5mA.
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disparo de un SCR.
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[2] Aplicaciones de un UJT. Anexo [Disponible-
Online] Web:
http://rabfis15.uco.es/transistoresweb/Tutorial
_General/transistoresUJT.html