Informe UJT

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LABORATORIO DE CIRCUITOS DIGITALES

FACULTAD DE INGENIERA
UNIVERSIDAD DE LA COSTA CUC
.

TRANSISTOR DE UNIJUNTURA (UJT)


Jos Andrs Cepeda Masson1
Alejandra Palacio de Moya2
Edgar David Martnez Molina3
Jos Daro Roca Mesino4
Andrs Camilo Gonzales Borja5

RESUMEN: En Este informe se hablara sobre


la funcin de un transistor de unjutura UJT, se
detallarn sus funciones, ya que el funcionamiento 2 OBJETIVOS
de un UJT es muy similar al de un SCR. Este
dispositivo a travs de la relacin de la tensin de 2.1 OBJETIVO GENERAL
emisor (VE) con la corriente de emisor (IE). Se
definen dos puntos crticos: punto de pico o peak- Analizar el comportamiento de un UJT en un
point (Vp, Ip) y punto de valle o valley-point (Vv, Iv),
circuito determinado.
ambos verifican la condicin de dVE/dIE = 0. Se
realizaron una serie de circuitos en el simulador de
multisim en donde se analiz el funcionamiento en 2.2 OBJETIVO ESPECFICOS
conjunto de cada comportamiento. Mostraremos
pantallazos de lo realizado. Gracias a la compresin Determinar con experimentos las
de esta experiencia de UJT se alcanz a caractersticas del emisor.
comprender como utilizarlo de la mejor forma. Por
ultimo mostraremos conclusiones claves con
respecto a lo aprendido en la clase de Electrnica
de potencia. Disparar un SCR con oscilador de
relajacin basado en un UJT
PALABRAS CLAVE: Transistor, dispositivo,
UJT. 3 MARCO TEORICO

1 INTRODUCCIN Este dispositivo se utiliza,


fundamentalmente, como generador de
Como introduccin comenzaremos hablando pulsos de disparo para SCR y TRIACs.
un poco de lo que muchos se preguntan al ver
un UJT como cul es su funcionamiento o
como usarlo correctamente. Empezaremos
El UJT es un componente que posee tres
definindolo con un concepto El transistor terminales: dos bases y un emisor, tal
monojuntura (UJT, unijunction transistor) es un como se muestra en la siguiente figura:
dispositivo de conmutacin del tipo ruptura.
Sus caractersticas lo hacen muy til en
muchos circuitos industriales, incluyendo
temporizadores, osciladores, generadores de
onda, y ms importante an, en circuitos de
control de puerta para SCR y TRIACs. Desde
el punto de vista del funcionamiento, no hay
similitud entre el emisor de un UJT y el emisor
de un transistor bipolar. En realidad, los
nombres de las terminales obedecen a su
funcionamiento interno, el cual considera la
accin de los portadores de carga.

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Transistor de unijuntura (UJT) en el circuito equivalente a R1; es decir, en
el divisor de tensin se cumplir que:
En la figura se puede apreciar la
constitucin de un UJT, que en realidad
est compuesto solamente por dos
cristales. Al cristal P se le contamina con Ecuacin V1
una gran cantidad de impurezas, Si llamamos =R1/RBB, la ecuacin
presentando en su estructura un nmero queda: V1 = VBB.
elevado de huecos. Sin embargo, al cristal
N se le dopa con muy pocas impurezas, por El trmino representa la relacin
lo que existen muy pocos electrones libres intrnseca existente entre las tensiones V1
en su estructura. Esto hace que la y VBB.
resistencia entre las dos bases RBB sea
muy alta cuando el diodo del emisor no As, por ejemplo, si un UJT posee una
conduce. Para entender mejor cmo relacin intrnseca caracterstica igual a
funciona este dispositivo, vamos a valernos 0,85 y queremos determinar la tensin que
del circuito equivalente de la figura aparecer entre el terminal de emisor y la
siguiente: base 1 al aplicar 12V entre bases, bastar
con operar de la siguiente forma:

Segunda Ecuacin V1
Al valor de V1 se le conoce como tensin
intrnseca, y es aqulla que hay que aplicar
para que el diodo comience a conducir. En
nuestro ejemplo, si aplicamos una tensin
de 8V al emisor, ste no conducir, ya que
en el ctodo del diodo D existe un potencial
Circuito equivalente del UJT
positivo de 10,2V correspondiente a la
R1 y R2 equivalen a la resistencia de los
tensin intrnseca, por lo que dicho diodo
tramos de cristal N comprendidos entre los
permanecer polarizado inversamente. Sin
terminales de las bases. El diodo D
embargo, si aplicamos una tensin superior
equivale a la unin formada por los
a 10,9V (los 10,2V de V1 ms 0,7V de la
cristales P-N entre el terminal del emisor y
tensin de barrera del diodo D), el diodo
el cristal N.
comenzar a conducir, producindose el
disparo o encendido del UJT. En resumen,
Mientras el diodo del emisor no entre en
para conseguir que el UJT entre en estado
conduccin, la resistencia entre bases es
de conduccin es necesario aplicar al
igual a:
emisor una tensin superior a la intrnseca.

Una vez que conseguimos que el diodo


conduzca, por efecto de una tensin de
Ecuacin Rbb
polarizacin directa del emisor respecto a
Si en estas condiciones aplicamos una
la base 1, los portadores mayoritarios del
tensin de alimentacin VBB entre las dos
cristal P (huecos) inundan el tramo de
bases, la tensin que aparece entre el
cristal de tipo N comprendido entre el
emisor y la base ser la que corresponda

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emisor y dicha base (recordar que el cristal Materiales:
P est fuertemente contaminado con
impurezas y el N dbilmente). Este efecto Fuente de Alimentacin.
produce una disminucin repentina de la Equipo de Osciloscopio
resistencia R1 y, con ella, una reduccin de Resistencias: 200, 1000, 5100
la cada de tensin en la base 1 respecto (Ohmios)
del emisor, lo que hace que la corriente de Potencimetro de 5K (ohmios)
emisor aumente considerablemente. Transformador de potencia 120 V, 25V
(primario) a 1 A (secundario)
Curva caracterstica de un UJT SCR 2N1596
UJT 2N2160;1N4746
Mientras la corriente de emisor sea
superior a la de mantenimiento (Iv), el
Circuito 1:
diodo permanecer en conduccin como si
de un biestable se tratase. Esta corriente
se especifica normalmente en las hojas de
caractersticas y suele ser del orden de
5mA.

En la figura de la derecha, se muestra el


aspecto de una de las curvas
caractersticas de un UJT. Vp (punto Q1)
nos indica la tensin pico que hay que
aplicar al emisor para provocar el estado de
encendido del UJT (recordar que Vp = V1
5. ANEXOS
+ 0,7). Una vez superada esta tensin, la
Una de las aplicaciones del UJT ms
corriente del emisor aumenta (se hace
comn es como generador de pulsos en
mayor que Ip), provocndose el descebado
diente de sierra. Estos pulsos resultan muy
del UJT cuando la corriente de
tiles para controlar el disparo de la puerta
mantenimiento es inferior a la de
de TRIACS y SCR.
mantenimiento Iv (punto Q2).
4 DESARROLLO EXPERIMENTAL En la siguiente figura, se muestra el
esquema de uno de estos circuitos.
Como primero mostraremos los materiales
utilizados en la experiencia del transistor UJT

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disparo de un SCR.

Mediante este circuito controlamos la


Generados de pulso en diente de sierra velocidad de un motor serie (o de cualquier
mediante UJT otro tipo de carga: estufas, lmparas, etc)
Su funcionamiento es como sigue: Al gracias a la regulacin de la corriente que
aplicar una tensin VCC al circuito serie R- realiza sobre medio ciclo del SCR. Para
C, formado por la resistencia variable RS y controlar la velocidad del motor, basta con
el condensador CS, dicho condensador modificar la frecuencia de los pulsos en
comienza a cargarse. Como este dientes de sierra, lo cual se consigue
condensador est conectado al emisor, variando el valor del potencimetro RS.
cuando se supere la tensin intrnseca, el
UJT entrar en conduccin. Debido a que 5 CONCLUSIONES
el valor hmico de la resistencia R1 es muy
pequeo, el condensador se descargar Como conclusin sobre el UJT podemos decir
rpidamente, y en el terminal de B1 que El transistor de uni-unin (unijunction
aparecer un impulso de tensin. Al transistor) o UJT est constituido por dos
regiones contaminadas con tres terminales
disminuir la corriente de descarga del
externos: dos bases y un emisor.
condensador, sobre el emisor del UJT, por Otra conclusin que podemos mencionar es
debajo de la de mantenimiento, ste se que el transistor de unijuntura es un tipo de
desceba y comienza otro nuevo ciclo de tiristor que contiene dos zonas
carga y descarga del condensador. As, se semiconductoras. Tiene tres terminales
consigue que en el terminal de la base 1 denominados emisor (E), base uno (B1) y base
aparezca una seal pulsante en forma de dos (B2). Est formado por una barra
diente de sierra, que puede utilizarse para semiconductora tipo N, entre los terminales B1-
controlar los tiempos de disparo de un SCR B2, en la que se difunde una regin tipo P+, el
o de un TRIAC. Para regular el tiempo de emisor, en algn punto a lo largo de la barra, lo
disparo es suficiente con modificar el valor que determina el valor del parmetro stand off
ratio, conocido como razn de resistencias o
hmico de la resistencia variable RS, ya
factor intrnseco
que de sta depende la constante de
tiempo de carga del condensador.
BIBLIOGRAFIA
Control de velocidad de un monitor
mediante SCR y UJT [1] Definicin de rectificador. Marco Terico
[Disponible Online] Web:
En la siguiente figura, se muestra una tpica http://rabfis15.uco.es/transistoresweb/Tutorial_
aplicacin del generador de pulsos de General/transistoresUJT.html
diente de sierra con UJT para controlar el

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[2] Aplicaciones de un UJT. Anexo [Disponible-
Online] Web:
http://rabfis15.uco.es/transistoresweb/Tutorial
_General/transistoresUJT.html

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