DISPOSITIVOS OPTOELECTRONICOS

INTERACCION DE LA LUZ CON UN SEMICONDUCTOR

Los principales efectos de los materiales semiconductores sobre la luz son:
Reflexin y refraccin: cambio en la direccin de propagacin que ocurre en las
intercaras entre dos medios distintos.
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INTERACCION DE LA LUZ CON UN SEMICONDUCTOR

Interferencia y difraccin: la difraccin es el cambio de direccin de la luz que se
produce en los bordes de los objetos e interferencia es el refuerzo o disminucin en
la intensidad de la luz cuando dos ondas inciden en el mismo punto.
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INTERACCION DE LA LUZ CON UN SEMICONDUCTOR

Absorcin: los fotones son absorbidos por el material y su energa se transforma en
excitacin de electrones a niveles de energa superiores, vibraciones moleculares,
etc.
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INTERACCION DE LA LUZ CON UN SEMICONDUCTOR

Esparcimiento: los fotones sufren un cambio en la direccin de propagacin por
interaccin con las inhomogenidades o fluctuaciones en la susceptibilidad elctrica
del material.
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INTERACCION DE LA LUZ CON UN SEMICONDUCTOR

Emisin: el material emite luz propia cuando se le aporta energa fuera del equilibrio
trmico (luminiscencia) o mediante calor (incandescencia). Cuando la luminiscencia
se produce por el paso de una corriente elctrica se denomina electroluminiscencia.
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INTERACCION DE LA LUZ CON UN SEMICONDUCTOR

Fotoconductividad: la absorcin de luz en un semiconductor puede inducir a un
aumento de los portadores de carga que aumenta la conductividad elctrica.
 BANDAS DE ENERGIA
Cuando un fotn de energa hv incide en el material, los electrones del
enlace pueden absorber la energa del fotn.
Si Efoton > Eg , el fotn se absorbe para generar un par, es decir, excitar un electrn desde
la banda de valencia a la banda de conduccin luz.
Si Efoton < Eg , el fotn no puede ser absorbido .

Efoton= h v
Eg = energa gap
 BANDAS DE ENERGIA
As pues, el borde de absorcin ptica es igual a la anchura de la banda
prohibida Eg y coincide con el umbral mnimo de energa de la luz
absorbida por el material.
El borde de absorcin marca el lmite de energa del espectro de la luz
por encima del cual la luz puede ser emitida o absorbida por el
semiconductor.

Efoton= h v
Eg = energa gap
 LUMINISCENCIA
Cuando los electrones de un semiconductor pasan a un estado excitado
pueden emitir luz soltando energa en forma de fotones. La energa
procede de estados electrnicos excitados previamente.
Un electrn puede ser excitado a un estado de energa ms alta por
medio de absorcin de luz (fotoluminiscencia) o por el paso de una
corriente elctrica (electroluminiscencia).

Efoton= h v
Eg = energa gap
 LUMINISCENCIA
Fotoluminiscencia:
El semiconductor es excitado mediante radiacin luminosa. Un electrn
de la banda de valencia absorbe un fotn de energa Efoton > Eg y pasa
a un estado desocupado de la banda de conduccin dejando un hueco
en la banda de valencia, formando un par electrn-hueco, que se
relajan rpidamente y pierden energa mediante la emisin de calor o la
creacin de fotones.

Efoton= h v
Eg = energa gap
 LUMINISCENCIA
Electroluminiscencia:
La electroluminiscencia constituye el fundamento sobre el que se basan
los dispositivos emisores de luz de estado solido como los diodos LED y
diodos LASER. Consiste en la inyeccin de electrones en la banda de
conduccin y huecos en la banda de valencia por efecto del paso de
una corriente elctrica en la unin p-n entre dos semiconductores
dopados.

Efoton= h v
Eg = energa gap
 DIODOS LED
Electroluminiscencia:
Se crea una concentracin elevada de electrones y huecos que acaban
recombinndose para producir fotones de luz, con una energa prxima
a la de la banda prohibida hv=Eg. La energa necesaria proviene de un
circuito elctrico externo que a travs de los contactos suministra
electrones y huecos con la energa potencia necesaria, es decir,
electrones a la banda de conduccin en el lado n y huecos a la banda
de valencia en el lado p.
DIODOS LED
 DIODOS LED
Caractersticas de los Diodos LED
El ancho de banda del LED depende del material del componente.
La amplitud del LED depende de la densidad de la corriente.
Los LED son componentes de relativa lentitud (<1Gb/s).
Los LED poseen un rango espectral ancho.
Los LED transmiten luz en un cono relativamente amplio. Existen
dos tipos emisor por superficie y emisor por borde).
Los LED son fuentes convenientes para comunicaciones por fibra
ptica multimodo.
 DIODOS LED
Colores de los Diodos LED
 DIODOS LASER
DEFINICION
Un diodo LASER es bsicamente un diodo LED diseado
especialmente para emitir luz extremadamente monocromtica,
direccional y coherente mediante la amplificacin de la luz por emision
estimulada de radiacin.
En un diodo LASER, la unin p-n est dentro de una cavidad ptica
resonante para que la luz emitida recorra varias veces la zona activa
y se produzca emisin estimulada.
El diodo LED funciona con corrientes muy elevadas que dan lugar a
una alta concentracin de electrones y huecos en la zona activa y,
por lo tanto, a un fenmeno de amplificacin y de fuerte emisin de
luz.
 DIODOS LASER
DEFINICION
Lser es un acrnimo de Light Amplification by Stimulated Emission of
Radiation (Emisin de luz por emisin estimulada de radiacin).
Un haz Lser es no ionizante y abarca desde el ultravioleta (100 400
nm), visible (400-700 nm) e Infrarrojo (700 nm 1 mm). Dentro del
espectro electromagntico se pueden localizar radiaciones ionizantes y
no ionizantes. La radiacin ionizante es aquella que se emite con
energa tal capaz de mover los electrones del tomo. De esta manera,
en el proceso de lograr mayor estabilidad el tomo emite partculas
subatmicas y fotones de alta energa, logrando as su decaimiento. La
radiacin no ionizante mueve los tomos sin alterarlos qumicamente
 TEORIA DEL LASER
CONCEPTOS BASICOS
Un sistema laser esta bsicamente compuesto por los siguientes
elementos:
Un material semiconductor tipo p-n.
 TEORIA DEL LASER
CONCEPTOS BASICOS
Un sistema laser esta bsicamente compuesto por los siguientes
elementos:
Un sistema de bombeo en el cual el material semiconductor pasa a
situarse en un estado excitado para salir del sistema.
 TEORIA DEL LASER
CONCEPTOS BASICOS
Un sistema laser esta bsicamente compuesto por los siguientes
elementos:
Un sistema de realimentacin ptica para que la emisin ptica
pueda alcanzar las condiciones requeridas para que pueda ser
denominada laser.
 TEORIA DEL LASER
CARACTERISTICAS DE LA RADIACION LASER
MONOCROMATICIDAD
Una radiacin electromagntica se denomina monocromtica cuando
solo esta presente en ella una nica frecuencia. Un anlisis de su
espectro dara como resultado un nico impulso, similar a una delta con
una altura finita.
El haz de un Lser HeNe (Helio Nen) es de un color rojo muy puro.
Consiste de un mbito muy angosto de longitudes de onda alrededor de
632,8 nm. Se dice que es cuasi monocromtico. Esta propiedad es
nica en un haz Lser por lo que se dice que tiene una
longitud de onda simple
 TEORIA DEL LASER
CARACTERISTICAS DE LA RADIACION LASER
COHERENCIA TEMPORAL Y ESPACIAL
Coherencia en una radiacin ptica es la propiedad de mantener sta
unas determinadas caractersticas durante un tiempo ms o menos
largo (temporal) y/o en distancias ms o menos grandes (espacial)
La Figura 1 se muestra un haz paralelo de radiacin ptica desde una
fuente comn como ondas que viajan por el espacio. Ninguna de estas
ondas presenta relacin con las otras ondas dentro del haz. Se dice que
esta luz es incoherente, o sea, no hay un orden interno.

Figura 1. Ondas de radiacin ptica incoherente.

 TEORIA DEL LASER
CARACTERISTICAS DE LA RADIACION LASER
COHERENCIA TEMPORAL Y ESPACIAL
La Figura 2 ilustra las ondas dentro de un haz Lser altamente
colimado. Todas las ondas individuales estn en fase una con otra en
cada punto. La coherencia es el trmino usado para describir la
propiedad de fase de las ondas de radiacin ptica del haz.

Figura 2. Ondas de radiacin ptica coherente.

 TEORIA DEL LASER
TIPOS DE LASER
Los Lseres se clasifican de acuerdo al medio activo, el mecanismo de
excitacin y duracin de la salida. la clasificacin por medio activo
puede ser por Lseres pulsantes o CW o con bombeo elctrico y ptico.
LASER DE GAS
Una gran familia de lseres utiliza un gas o mezcla de gases como
medio activo. La excitacin se logra por un flujo de corriente elctrica
por el gas.

Figura 3. Laser HeNe (mezcla de Helio y Nen).

 TEORIA DEL LASER
LASER DE SOLIDO CRISTALINO Y VIDRIO
Esta familia de lseres utiliza materiales de vidrio o slido cristalino,
como ejemplo el rub y neodimio. El rub es xido de aluminio cristalino
donde algunos tomos de aluminio del arreglo se reemplazan por iones
de cromo que son los elementos activos. El Granate Aluminio Itrio (YAG
- Yttrium aluminum garnet) es el cristal base de los Lseres Nd:YAG.

Figura 4. Laser Nd:YAG

 TEORIA DEL LASER
LASER LIQUIDO
Usan una solucin de tintes complejos como medio activo que son
molculas orgnicas grandes, con gran peso molecular, como son
rhodamine 6G y sodio fluorescente. El tinte se disuelve en un solvente
orgnico como alcohol metlico. As se tiene un lquido como medio
activo.

Figura 4. Laser lquido de tinte.

 TEORIA DEL LASER
LASER SEMICONDUCTOR (DIODO)
El medio activo es la unin de semiconductores como Arsenuro de Galio
(GaAs) con materiales tipo p y tipo n. Dos tabletas tipo p y tipo n se
juntan para formar una unin p-n. Al fluir una corriente elctrica por la
unin, los electrones se recombinan con los huecos y se libera energa
en forma de fotones.

Figura 5. Laser semiconductor

 TEORIA DEL LASER
LASER SEMICONDUCTOR (DIODO)
Laser de homounin
Consta de una unin p-n, formada por el mismo semiconductor (GaAs),
es decir, con dopajes tipo p y tipo n a ambos lados de la unin. Poseen
una corriente de umbral muy elevada, necesaria para formar los pares
electrn-hueco en las bandas de valencia y conduccin y tienen baja
densidad de emisin.

Figura 6. Laser homounin

 TEORIA DEL LASER
LASER SEMICONDUCTOR (DIODO)
Laser de heterounin
Consta de compuestos del Ga1-xAlxAs y del propio AsGa, existiendo dos
uniones: Ga1-xAlxAs-GaAs y Ga1-yAly-GaAs. Poseen bajas corrientes de
umbral y pueden trabajar de modo continuo a temperatura ambiente.

Figura 7. Laser heterounin.

 TEORIA DEL LASER
LASER SEMICONDUCTOR (DIODO)
Laser de heterounin
Capas existentes en la estructura sencilla de un laser de heterounin.

Figura 8. Laser heterounin.

 TEORIA DEL LASER
LASER SEMICONDUCTOR (DIODO)
Caractersticas
 TEORIA DEL LASER
LASER SEMICONDUCTOR (DIODO)
Lseres Monomodo
Son aquellos que emiten un nico modo longitudinal y existen cuatro
grandes bloques:
Lseres de cavidades acopladas.
Lseres de emisin por superficie
Lseres de cavidad vertical
Lseres por reflexiones de Bragg
 TEORIA DEL LASER
LASER SEMICONDUCTOR (DIODO)
Lseres de cavidades acopladas
Lseres de cavidades externas. La cavidad adicional tiene un control
puramente pasivo de la frecuencia de salida.

Figura 9. Laser de cavidad externa.

 TEORIA DEL LASER
LASER SEMICONDUCTOR (DIODO)
Lseres de cavidades acopladas
Lseres de cavidades separadas fsicamente pero dispuestas sobre un
soporte comn. La cavidad adicional tiene un control puramente activo
de la frecuencia de salida.

Figura 10. Laser de cavidad separada fsicamente pero

dispuesta sobre un soporte comn.
 TEORIA DEL LASER
LASER SEMICONDUCTOR (DIODO)
Lseres de cavidades acopladas
Lseres de cavidades separadas por tallado sobre un mismo bloque
monoltico. La cavidad adicional tiene un control puramente activo de la
frecuencia de salida.

Figura 11. Laser de cavidad separadas por tallado

sobre un mismo bloque monoltico.
 TEORIA DEL LASER
LASER SEMICONDUCTOR (DIODO)
Lseres de emisin de superficie
Lseres de emisin de superficie con espejo en 45: Se forma por el
tallado de una superficie reflectora que forme 45 con respecto a la
superficie de emisin de un laser convencional, y sobre el propio
material que lo constituye.

Figura 12. Laser de emisin de superficie con espejo en 45.

 TEORIA DEL LASER
LASER SEMICONDUCTOR (DIODO)
Lseres de emisin de superficie
Lseres de emisin de superficie de cavidad doblada hacia arriba: La
reflexin hacia una direccin ortogonal se logra mediante una hendidura
en el material.

Figura 12. Laser de emisin de superficie de cavidad doblada hacia arriba.

 TEORIA DEL LASER
LASER SEMICONDUCTOR (DIODO)
Lseres de emisin de superficie
Lseres de emisin de superficie de acoplo por red de difraccin: la
salida del haz se logra mediante una red de difraccin situada fuera de
la principal zona activa del laser, pero por encima de una gua por la
que se desplaza la radiacin generada.

Figura 13. Laser de emisin de superficie de acoplo por red de difraccin.

 TEORIA DEL LASER
LASER SEMICONDUCTOR (DIODO)
Lseres de emisin de superficie
Lseres de cavidad vertical: la cavidad resonante se forma gracias a las
superficies horizontales de la zona activa.

Figura 14. Laser de cavidad vertical.

 TEORIA DEL LASER
LASER SEMICONDUCTOR (DIODO)
Lseres de emisin de superficie
Lseres de cavidad vertical: los tipos de material activo son GaAlAs
para aplicaciones en discos pticos y GaInAsP/InP para aplicaciones en
comunicaciones pticas.

Figura 15. Estructura general de un laser de cavidad vertical.

 TEORIA DEL LASER
LASER SEMICONDUCTOR (DIODO)
Lseres por reflexiones de Bragg
Lseres en los cuales la realimentacin se hace de una manera
continua a lo largo de toda una determinada zona del laser siendo esta
zona la longitud que abarca la regin activa de los mismos. La
realimentacin se consigue mediante una red de difraccin dispuesta a
lo largo de la estructura del dispositivo.
Laser de reflexin de Bragg distribuida o DBR

Figura 16. Laser de reflexin de Bragg distribuida

 TEORIA DEL LASER
LASER SEMICONDUCTOR (DIODO)
Lseres por reflexiones de Bragg
Laser de realimentacin distribuida o DFB

Figura 16. Laser de realimentacin distribuida.

 FOTOCONDUCCION
DEFINICION:
Cuando se ilumina un material semiconductor con fotones de suficiente
energa, se produce un fenmeno de generacin de pares electrn-hueco,
originndose electrones en la banda de conduccin y huecos en la banda de
valencia del semiconductor.
Los electrones y huecos as formados actan como portadores de carga libre, de
modo que un voltaje aplicado entre los extremos del semiconductor produce una
corriente elctrica (fotocorriente) de electrones en la banda de conduccin hacia el
contacto positivo y de huecos hacia el contacto negativo. Este fenmeno recibe el
nombre de fotoconduccin intrnseca.

Efoton= h v
Eg = energa gap

Efoton > Eg
 FOTOCONDUCCION
DEFINICION:
En conductores dopados aparece la fotoconductividad extrinseca. La
fotoconductividad extrinseca se produce por el transporte de un solo tipo de
portadores, bien sea de electrones en semiconductores de tipo n o de huecos
para semiconductores de tipo p.

Efoton= h v
Eg = energa gap

Efoton > Eg

Tipo n Tipo p
 FOTODIODOS p-n
DEFINICION:
Es el fotodetector ms sencillo. Cuando el dispositivo se ilumina con una
radiacin de la longitud de onda adecuada, algunos de los electrones de la banda
de valencia podrn adquirir la correspondiente energa y saltar a la banda de
conduccin. Con ello se generan pares electrn-hueco en la regin de carga
espacial, que se desplazan hacia las regiones n y n, respectivamente.
 FOTODIODOS p-n
CARACTERISTICA VOLTAJE - CORRIENTE

is Corriente del diodo en ausencia de luz (corriente de oscuridad).

io1, io2, io3 Corriente del diodo al incidir una cierta radiacin luminosa
 FOTOCONDUCCION
PARAMETROS CARACTERISTICOS DE LOS FOTODIODOS
Los parmetros caractersticos de los fotodiodos son su capacidad para transformar luz
en corriente elctrica y con que rendimiento lo hace.

La eficiencia cuntica es la capacidad de un fotodiodo para transformar luz en

corriente elctrica. Se define como el numero de pares de portadores electrn-hueco
generados por cada fotn de energa hv incidente.

en donde If es la corriente media generada por una potencia ptica de valor P0, incidente
sobre el fotodiodo, y e es la carga del electrn.
 FOTOCONDUCCION
PARAMETROS CARACTERISTICOS DE LOS FOTODIODOS

La Responsividad R de un fotodiodo, es la medida del comportamiento del mismo. Hay

que tener en cuenta cual es la corriente elctrica resultante a partir de una determinada
potencia ptica incidente. Si el valor de esta potencia P0, en cada unidad de tiempo
llegarn P0/hv fotones de frecuencia v.

en donde es la eficiencia cuntica y es la longitud de honda de la radiacin incidente.

 FOTOCONDUCCION
FOTODIODOS PIN

El fotodiodo PIN es un fotodiodo al que se le ha introducido una capa semiaislante y de

alta resistividad de silicio intrnseco, apenas dopado, entre las regiones p y n.

Efoton= h v
Eg = energa gap

Efoton > Eg y se generan los

pares electrn-hueco en la
regin intrnseca denominada
regin de deplexin que
producen una corriente
denominada fotocorriente.

El fotodiodo PIN se polariza inversamente de modo que la regin intrnseca esta

desprovista de portadores.
 FOTOCONDUCCION
FOTODIODOS PIN

El fotodiodo PIN es el ms utilizado en las comunicaciones pticas.

Mucho mejor respuesta en frecuencia (alrededor de los GHz)
Aplicaciones en fibra ptica requieren > 1.1 m.
 FOTOCONDUCCION
FOTODIODOS DE AVALANCHA

Fotodiodos operados cerca del punto de ruptura inversa.

Fotodiodos que tienen gran ganancia en la generacin de portadores.
Multiplicacin de avalancha amplifica los portadores provocados por la luz.
 FOTOCONDUCCION
FOTODIODOS DE AVALANCHA

Los fotodiodos de avalancha son tambin diodos polarizados inversamente con tensiones
inversas elevadas que originan un fuerte campo elctrico que acelera los portadores
generados, de manera que estos colisionan con tomos del semiconductor, y generan
ms pares electrn-hueco. Esta ionizacin por impacto determina la ganancia de
avalancha.
 FOTOCONDUCCION
CIRCUITO DE RECEPCION OPTICA