#1 Laboratorio de Circuitos Electrónicos 1

Laboratorio de circuitos electrnicos 1
Tema: DIODO SEMICONDUCTOR.

Un diodo es un componente electrnico de dos terminales que permite la circulacin de la corriente
elctrica a travs de l en un solo sentido. Este trmino generalmente se usa para referirse al diodo
semiconductor, el ms comn en la actualidad; consta de una pieza de cristal semiconductor conectada a dos
terminales elctricos. El diodo de vaco (que actualmente ya no se usa, excepto para tecnologas de alta
potencia) es un tubo de vaco con dos electrodos: una lmina como nodo, y un ctodo.
Algunos tipos de diodos:
Diodo detector o de baja seal: Los diodos detectores tambin denominados diodos
de seal o de contacto puntual, estn hechos de germanio y se caracterizan por poseer una unin
PN muy diminuta. Esto le permite operar a muy altas frecuencias y con seales pequeas. Se
emplea por ejemplo, en receptores de radio para separar la componente de alta frecuencia
(portadora) de la componente de baja frecuencia (informacin audible). Esta operacin se
denomina deteccin.
Diodo rectificador: Los diodos rectificadores son aquellos dispositivos semiconductores que
solo conducen en polarizacin directa (arriba de 0.7 V) y en polarizacin inversa no conducen. Estas
caractersticas son las que permite a este tipo de diodo rectificar una seal. Los hay de varias
capacidades en cuanto al manejo de corriente y el voltaje en inverso que pueden soportar. Los
diodos, en general se identifican mediante una referencia. En el sistema americano, la referencia
consta del prefijo 1N seguido del nmero de serie, por ejemplo: 1N4004. La N significa que se
trata de un semiconductor, el 1 indica el nmero de uniones PN y el 4004 las caractersticas o
especificaciones exactas del dispositivo. En el sistema europeo o continental se emplea el prefijo de
dos letras, por ejemplo: BY254. En este caso, la B indica el material (silicio) y la Y el tipo
(rectificador).
Diodo Zener: Un diodo zener es un semiconductor que se distingue por su capacidad
de mantener un voltaje constante en sus terminales cuando se encuentran polarizados
inversamente, y por ello se emplean como elementos de control, se les encuentra con
capacidad de watt hasta 50 watt y para tensiones de 2.4 voltios hasta 200 voltios. El
diodo zener polarizado directamente se comporta como un diodo normal, su voltaje
permanece cerca de 0.6 a 0.7 V. Los diodos zener se identifican por una referencia, como
por ejemplo: 1N3828 BZX85, y se especifican principalmente por su voltaje zener
nominal (VZ) y la potencia mxima que pueden absorber en forma segura sin destruirse
(PZ)
Diodo varactor: El diodo varactor tambin conocido como diodo varicap o diodo de
sintona. Es un dispositivo semiconductor que trabaja polarizado inversamente y actan
como condensadores variables controlados por voltaje. Esta caracterstica los hace muy
tiles como elementos de sintona en receptores de radio y televisin. Son tambin muy
empleados en osciladores ,multiplicadores, amplificadores, generadores de FM y otros
circuitos de alta frecuencia. Una variante de los mismos son los diodos SNAP, empleados
en aplicaciones de UHF y microondas.
Diodo emisor de luz: Es un diodo que entrega luz al aplicrsele un determinado
voltaje. Cuando esto sucede, ocurre una recombinacin de huecos y electrones cerca de la
unin NP; si este se ha polarizado directamente la luz que emiten puede ser roja, mbar,
amarilla, verde o azul dependiendo de su composicin. Los LEDs se especifican por el color
o longitud de onda de la luz emitida, la cada de voltaje directa (VF), el mximo voltaje
inverso (VR), la mxima corriente directa (IF) y la intensidad luminosa. Tpicamente VF es
del orden de 4 V a 5 V. Se consiguen LEDs con valores de IF desde menos de 20 mA hasta
ms de 100 mA e intensidades desde menos de 0.5 mcd (milicandelas) hasta ms de 4000
mcd. Entre mayor sea la corriente aplicada, mayor es el brillo, y viceversa. El valor de VF
depende del color, siendo mnimo para LEDs rojos y mximo para LEDs azules. Los LEDs
deben ser protegidos mediante una resistencia en serie, para limitar la corriente a travs
de este a un valor seguro, inferior a la IF mxima.
Polarizacin directa de la unin P - N
En este caso, la batera disminuye la barrera de potencial de la zona de carga espacial,

permitiendo el paso de la corriente de electrones a travs de la unin; es decir, el diodo polarizado
directamente conduce la electricidad.
Se produce cuando se conecta el polo positivo de la pila a la parte P de la unin P - N y la negativa

a la N. En estas condiciones podemos observar que:
El polo negativo de la batera repele los electrones libres del cristal n, con lo que estos electrones
se dirigen hacia la unin p-n.
El polo positivo de la batera atrae a los electrones de valencia del cristal p, esto es equivalente a
decir que empuja a los huecos hacia la unin p-n.
Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la batera es mayor que la diferencia de
potencial en la zona de carga espacial, los electrones libres del cristal n, adquieren la energa
suficiente para saltar a los huecos del cristal p, los cuales previamente se han desplazado hacia la
unin p-n.
Una vez que un electrn libre de la zona n salta a la zona p atravesando la zona de carga
espacial, cae en uno de los mltiples huecos de la zona p convirtindose en electrn de valencia.
Una vez ocurrido esto el electrn es atrado por el polo positivo de la batera y se desplaza de
tomo en tomo hasta llegar al final del cristal p, desde el cual se introduce en el hilo conductor y
llega hasta la batera.
De este modo, con la batera cediendo electrones libres a la zona n y atrayendo electrones de
valencia de la zona p, aparece a travs del diodo una corriente elctrica constante hasta el final.
datos obtenidos en el laboratorio dado el circuito: con el valor de R=560 y el
diodo 1N4007.
Vs :voltaje de la fuente Id: intensidad del diodo Vd: voltaje del diodo
1V 1mA 0.61V
1.5V 2mA 0.61V
3V 5mA 0.66V
3.5V 8mA 0.69V
6V 12.5mA 0.7V
Polarizacin inversa de la unin P - N

En este caso, el polo negativo de la batera se conecta a la zona p y el polo positivo a la zona n, lo
que hace aumentar la zona de carga espacial, y la tensin en dicha zona hasta que se alcanza el
valor de la tensin de la batera, tal y como se explica a continuacin:
El polo positivo de la batera atrae a los electrones libres de la zona n, los cuales salen del cristal n
y se introducen en el conductor dentro del cual se desplazan hasta llegar a la batera. A medida
que los electrones libres abandonan la zona n, los tomos pentavalentes que antes eran neutros, al
verse desprendidos de su electrn en el orbital de conduccin, adquieren estabilidad (8 electrones
en la capa de valencia, ver semiconductor y tomo) y una carga elctrica neta de +1, con lo que se
convierten en iones positivos.
El polo negativo de la batera cede electrones libres a los tomos trivalentes de la zona p.
Recordemos que estos tomos slo tienen 3 electrones de valencia, con lo que una vez que han
formado los enlaces covalentes con los tomos de silicio, tienen solamente 7 electrones de
valencia, siendo el electrn que falta el denominado hueco. El caso es que cuando los electrones
libres cedidos por la batera entran en la zona p, caen dentro de estos huecos con lo que los
tomos trivalentes adquieren estabilidad (8 electrones en su orbital de valencia) y una carga
elctrica neta de -1, convirtindose as en iones negativos.
Este proceso se repite una y otra vez hasta que la zona de carga espacial adquiere el mismo
potencial elctrico que la batera.
En esta situacin, el diodo no debera conducir la corriente; sin embargo, debido al efecto de la
temperatura se formarn pares electrn-hueco (ver semiconductor) a ambos lados de la unin
produciendo una pequea corriente (del orden de 1 A) denominada corriente inversa de
saturacin.
datos obtenidos en el laboratorio dado el circuito: con el valor de R=560 y el

diodo 1N4007.
Id: intensidad del diodo Vd: voltaje del diodo
Vs :voltaje de la fuente
1V 0mA 1V
1.5V 0mA 1.5V
3V 0mA 3V
4.5V 0mA 4.5V
6V 0mA 6V
Cuestionario.
1. Qu diferencia existe entre un diodo de silicio y un diodo de
germanio?
Diodo de silicio Diodo de germanio

Fabricado de silicio. Fabricado de germanio.
Voltaje de Polarizacin directa 0.7V. Voltaje de Polarizacin directa 0.3V.
Son ms baratos. Son ms caros.
Son ms difciles de daarse que los Se utilizan mejor en circuitos de baja
diodos de germanio. potencia.
2. Explique en que se usa cada tipo de diodo (silicio y germanio).

Hoy en da las mismas funciones de rectificacin y deteccin de corrientes alternas,
as como muchas otras funciones ms, se realizan empleando diodos
semiconductores de estado slido, fabricados en su mayora a partir del cristal de
silicio (Si). Estos semiconductores de uso tan comn en la actualidad, poseen la
ventaja sobre las antiguas vlvulas termoinicas de tener un tamao muchsimo
ms pequeo, poseer muy poco peso, no requerir del calentamiento del ctodo
para que se efecte la emisin electrnica y tener un costo de fabricacin y precio
de venta al usuario muchsimo ms bajo.
El diodo de germanio (Ge) fue el primero que se utiliz ampliamente como
detector de radiofrecuencia en los circuitos electrnicos de los receptores de radio
a partir de la primera mitad del siglo pasado. En la actualidad este tipo de diodo ha
sido sustituido casi por completo por otros de seal, fabricados con silicio,
concebidos para trabajar tambin con corrientes de altas frecuencias o
radiofrecuencia.
3. Qu es la resistencia directa del diodo? Qu es la resistencia
inversa del diodo?
La resistencia esttica R de un diodo se define
como la relacin entre la tensin
y la corriente, es decir, V/I. En un punto
cualquiera de la curva caracterstica I-V del
diodo, la resistencia esttica se obtiene como la
inversa de la pendiente de la recta que une
dicho punto con el origen de coordenadas.
Podemos hablar de resistencia esttica en
directa (RF) y de resistencia esttica en inversa
(RR). Las
resistencias estticas en directa y en inversa tendran las expresiones
siguientes:
Rf=Vq/ Iq y Rr=Vp/ IP, respectivamente.
Puesto que vara de forma considerable con el punto elegido, no es un
parmetro adecuado para definir el comportamiento del diodo.
La resistencia dinmica o incremental, en cambio, constituye un parmetro
importante de diodo. Se define como la inversa de la pendiente de la curva
caracterstica I = f(V), en el punto de funcionamiento, es decir:
V dV
( )
Rdinamica
I
=
dI
Cuando I tiende a cero
En el punto Q, con polarizacin directa, tenemos que la resistencia dinmica en

directa se obtiene como
dV
Rf
dI
Donde i=iQ
y en el punto P, con polarizacin inversa, la resistencia dinmica en inversa se
obtiene como
dV
Rr
dI
Donde i=ip
En el diodo se cumple que la resistencia en directa es pequea y en inversa
grande.
4. Cul es la diferencia entre un rectificador media onda y onda
completa?
Un rectificador de onda completa es un circuito empleado para convertir una seal
de corriente alterna de entrada (Vi) en corriente continua de salida (Vo) pulsante. A
diferencia del rectificador de media onda, en este caso, la parte negativa de la
seal se convierte en positiva o bien la parte positiva de la seal se convertir en
negativa, segn se necesite una seal positiva o negativa de corriente continua.
El rectificador de media onda es un circuito empleado para eliminar la parte
negativa o positiva de una seal de corriente alterna de lleno conducen cuando se
polarizan inversamente. Adems su voltaje es positivo
5. Cul es la funcin del condensador? qu efecto tendra sobre la
forma de onda de tensin de salida y de corriente por los diodos ,
el aumentar el valor del condensador?
Un condensador o capacitor es un dispositivo que almacena energa
elctrica, es un componente pasivo. Est formado por un par de superficies
conductoras en situacin de influencia total (esto es, que todas las lneas de campo
elctrico que parten de una van a parar a la otra), generalmente en forma de
tablas, esferas o lminas, separados por un material dielctrico o por el vaco, que,
sometidos a una diferencia de potencial adquieren una determinada carga
elctrica, positiva en una de las placas y negativa en la otra.
Los condensadores voluminosos de filtrado de la entrada son necesarios para

proporcionar el rizado mnimo especificado en la tensin de entrada del
convertidor dc-dc, y para proporcionar un almacenamiento de energa en el caso
de que haya alguna condicin de fallo en la lnea de distribucin. Sin embargo por
ellos circula la corriente AC de la lnea solo cuando la tensin de dicho
condensador es inferior a la tensin rectificada de la lnea, siendo la forma de onda
caracterstica la mostrada en la siguiente figura.
Lectura de la
intensidad del diodo.

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1.5V 2mA 0.61V

3.5V 8mA 0.69V

Polarizacin inversa de la unin P - N

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1.5V 0mA 1.5V

4.5V 0mA 4.5V

Diodo de silicio Diodo de germanio

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