Captulo 1

GTO - GCT

Resumen

El GT O (de Gate Turn Off thyristor, tiristor apagable por gate) consiste
en un tiristor modificado de manera que pueda ser apagado a traves del gate.
Se modifica la estructura de manera de minimizar la resistencia lateral descrita
en el punto 3.8.1 en la zona del gate. De esta forma se lo puede apagar con una
corriente inversa de gate de muy corta duracion aunque del orden de la corriente
de anodo. Se emplea en inversores de gran potencia. Su capacidad de bloqueo
llega a varios miles de V y su capacidad de corriente a varios miles de A. El
GCT (de Gate Commutated Thyristor, tiristor conmutado por gate) es una
variante del GT O desarrollada para optimizar su funcionamiento y simplificar
el dise
no de potencia de un convertidor. Consiste esencialmente en un modulo
compuesto por un GT O de gate modificado y estructura general optimizada y
un circuito de comando (driver) capaz de generar las corrientes de encendido
y apagado correspondientes. Al conjunto de GT O modificado y driver se lo
denomina tambien IGCT (Integrated Gate Commutated Thyristor). El IGCT
es uno de los dispositivos de eleccion para implementacion de convertidores
de alta potencia (cientos de M W ) como los utilizados en sistemas F ACT S
(Flexible AC Transmission Systems)

1.1. Introducci
on
Al analizar el apagado de un tiristor comun, en el punto 3.8.1 se presento la
imposibilidad de su apagado mediante una corriente inversa de gate debido a
la estructura de la juntura p n+ entre gate y catodo. Seg un lo all expues-
to, la resistencia lateral de la capa p impide que la eventual corriente inversa
se distribuya en la juntura y por lo tanto imposibilita el apagado forzado del
dispositivo. El tiristor se apaga entonces llevando la corriente de anodo a cero
mediante una corriente inversa aplicada por un circuito externo que a su vez
aplique una tension inversa durante un tiempo suficiente (> tq ) como para que
el dispositivo no reencienda al pasar a bloqueo directo. En particular, en con-
vertidores conmutados por la red, esta funcion la cumple el propio convertidor
(ver 3.8.3).
Por otra parte, el tiristor constituye una excelente implementacion fsica

1
2 CAPITULO 1. GTO - GCT

de llave electronica, sobre todo para aplicaciones en altas potencias. Puede blo-
quear altas tensiones (hasta mas de 10 kV ), conducir en forma permanente altas
corrientes (varios kA), soportar sobrecorrientes de hasta 10 veces la corriente
nominal permanente, y su cada de tension en conduccion (a lo sumo unos po-
cos V ), comparada con las tensiones usuales de trabajo de los convertidores, es
muy baja, lo cual permite implementar sistemas de alto rendimiento. De hecho
ha tenido un uso extendido en inversores o convertidores de alta potencia que
requieren apagado forzado, fabricandose en versiones de alta velocidad (inverter
grade). Estas aplicaciones requieren de todas maneras circuitos auxiliares costo-
sos y complejos, que esencialmente superponen una corriente inversa de mayor
valor que la de funcionamiento para forzar el apagado. El GT O y su version ac-
tual, el IGCT , han sido desarrollados para utilizar en la mayor extension posible
las caractersticas de llave del tiristor incorporandole la posibilidad de apaga-
do por electrodo de comando. Para presentar su funcionamiento se analiza con
cierto detalle el proceso de encendido y posible apagado mediante el modelo de
dos transistores y se presentan las caractersticas estructurales adicionales que
posibilitan el apagado. Se describen ademas las caractersticas de conmutacion
y comando de gate correspondientes.

1.2. Condicion te
orica de encendido y apagado
de un tiristor mediante corriente de gate
Consideremos nuevamente el modelo de dos transistores de un tiristor (figu-
ra 1.1). Las corrientes de los transistores se pueden expresar en funcion de la
corriente de anodo y gate utilizando las ganancias en base comun npn y pnp
correspondientes. De esa forma se puede deducir expresiones para la condicion
de encendido y para la corriente de gate necesaria para el apagado. Utilizamos
las definiciones y relaciones seg
un la figura 1.2

1.2.1. Condici
on de encendido
Para que el tiristor pueda ser prendido debe tener una tension anodo catodo
positiva. En esas condiciones la tension esta bloqueada por la juntura J23 , u
nica
polarizada en inverso. Por esa juntura circula solamente la corriente de fugas,
de huecos y electrones, que en el modelo de dos transistores esta representada
por la suma de las corrientes de fugas ICBOp , del transistor pnp, e ICBOn , del
transistor npn.
De acuerdo a las figuras 1.1 y 1.2 al aplicar una corriente de gate IG se tiene:

IA = IEpnp (1.1)

IK = IEnpn (1.2)
Si se hace circular corriente de gate vale que:

IG + IA = IK (1.3)
Utilizando los modelos de la figura 1.2 se puede entonces obtener una expre-
sion para IA :
 TEORICA
1.2. CONDICION DE ENCENDIDO Y APAGADO DE UN TIRISTOR MEDIANTE CORRIENTE DE

A A
IA

1
p pnp

ICBOn
2 ICBOp
n-

p 3 npn
IG
n+ 4

IK
G K K

Figura 1.1: Modelo de dos transistores de un tiristor en bloqueo directo, con las
corrientes de fugas correspondientes

ICpnp = pnp IA + ICBOp (1.4)

IBnpn = IG + ICpnp = IG + pnp IA + ICBOp (1.5)
IBnpn = IK (1 npn ) ICBOn = (IA + IG )(1 npn ) ICBOn (1.6)
(IA + IG )(1 npn ) ICBOn = IG + pnp IA + ICBOp (1.7)
IA + IG npn IA npn IG ICBOn = IG + pnp IA + ICBOp (1.8)
IA (1 npn pnp ) = npn IG + ICBOn + ICBOp (1.9)
npn IG + ICBOn + ICBOp
IA = (1.10)
1 (npn + pnp )
Si la corriente total de fugas del tiristor es IS = ICBOp + ICBOn
npn IG + IS
IA = (1.11)
1 (npn + pnp )
En esta ecuacion, a la suma de las ganancias en base com un a veces se le
llama ganancia del lazo (loop gain) G = npn + pnp
La ecuacion expresa la corriente de anodo en funcion de la corriente de gate
y de las ganancias en base com un de los transistores. Para vincularla con el
encendido del tiristor se debe tener en cuenta los siguientes factores:
a) Las ganancias npn y pnp no son constantes. Dependen de (crecen con) la
densidad de corriente en la juntura base-emisor de cada transistor y por
lo tanto de IK = IA + IG e IA respectivamente. Tambien aumentan algo
al aumentar la tension anodo-catodo debido a que el ancho efectivo de
las bases disminuye (Sze 1981). Las ecuaciones muestran ademas que IA
e IK crecen con la corriente de gate IG . Al aumentar la tension aumenta
ademas IS que contribuye a la densidad de corriente.
4 CAPITULO 1. GTO - GCT

IE pnp IC I C = pnp I E + I CBO p

I E = IC + I B
IB
I B = I E (1 pnp ) I CBO p

IE npn IC I C = npn I E + I CBO n

I E = IC + I B
IB I B = I E (1 npn ) I CBO n

Figura 1.2: Ganancia en base com

un . Definiciones y relaciones

b) El tiristor esta encendido cuando la corriente de anodo no depende de la

corriente de gate sino del circuito externo.

En ese contexto, si por cualquiera de los mecanismos descritos en a) la suma

npn + pnp se hace igual a 1 o se aproxima a 1, la ecuacion 1.11 indicara
que IA se hace infinitamente grande. El valor maximo de IA es sin embargo el
que impone el circuito externo en una llave cerrada en lugar del tiristor. Por lo
tanto la ecuacion 1.11 indica en realidad que con npn + pnp = 1 la corriente
IA deja de depender de IG y pasa a ser determinada por el circuito externo. La
corriente de anodo es la suma de las corrientes de base de los transistores, que
quedan prendidos en un proceso de realimentacion positiva. La corriente de gate
deja de ser necesaria para que el tiristor permanezca en conduccion. Debido a la
magnitud de las corrientes de base (IA = IBnpn + IBpnp con el tiristor encendido
e IG = 0) los transistores saturan.
La fig 1.3 (Wallmark & Zweygbergk 1973, adaptada de) muestra como npn
y pnp dependen de la densidad de corriente. Las curvas de 1.3 a) muestran que
la densidad de corriente necesaria para que npn + pnp = 1 es relativamente
peque na, lo cual indica que el tiristor encendera con tension directa muy baja,
con aumentos de temperatura u otros factores. Por lo tanto el tiristor se modifica
para que las ganancias se comporten como en la curva 1.3 b). Esto se logra por
ejemplo mediante la tecnica de emisor cortocircuitado descrita en el punto 3.4.3
(fig 3.16). npn se mantiene practicamente en cero hasta que la densidad de
corriente requerida para el disparo es suficientemente alta como para que tenga
que ser suministrada por la corriente externa de gate.
 TEORICA
1.2. CONDICION DE ENCENDIDO Y APAGADO DE UN TIRISTOR MEDIANTE CORRIENTE DE

npn+ pnp
(a)
1 npn
pnp

1 102 104 mA/cm2

(b)
npn+ pnp
1
npn
pnp

1 102 104 mA/cm2

Figura 1.3: Ganancia en base com un en funcion de la corriente - (a) ganancias

en modelo basico - (b) ganancias con catodo (emisor del npn) modificado.

1.2.2. Condici
on de apagado
Para analizar el apagado suponemos que el modelo de dos transistores sigue
siendo valido. En esas condiciones se puede considerar que el tiristor se puede
apagar mediante una corriente inversa de gate lo suficientemente grande como
para que el transistor npn salga de saturacion. La figura 1.4 muestra el tiristor
en conduccion en el momento de ser apagado de esta forma. Para este analisis
puede despreciarse el efecto de la corriente de fugas.
Utilizando las relaciones de la fig 1.2 para el tiristor en zona activa y des-
preciando las corrientes de fugas se obtiene:

IGof f = IA IK (1.12)
(1 pnp ) 1 pnp
IGof f = IA IA = IA (1 ) (1.13)
npn npn
npn + pnp 1
IGof f = IA ( ) (1.14)
npn
En realidad esta es la mnima corriente de gate que saca de saturacion al
tiristor ideal que responde al modelo de dos transistores. Teoricamente alcanza
con sacar de saturacion al transistor npn para que el tiristor se apague, ya que el
circuito externo impone una corriente, y para seguir conduciendo en zona activa
la corriente de base del npn debera bajar exactamente al valor correspondiente a
la corriente impuesta, cosa practicamente imposible en condiciones reales (una
corriente levemente mayor lo saturara y una levemente menor lo cortara).
Bastara entonces que la corriente IGQ de apagado sea algo mayor que el valor
6 CAPITULO 1. GTO - GCT

A
IA

pnp

(1-pnp) IA
pnp IA

G npn
IGoff

IK = IA (1-pnp)/npn
K

Figura 1.4: Modelo de dos transistores para el apagado con las relaciones entre
corrientes para zona activa

lmite indicado por la ecuacion 1.14 para que el tiristor se apague. En la practica
para asegurar el apagado la corriente de gate necesaria (IGQ ) debe ser claramente
mayor que el valor de la ecuacion 1.14.

npn + pnp 1
I GQ > I A ( ) (1.15)
npn
La ganancia de apagado of f se suele definir como el cociente entre la corrien-
te de anodo y la mnima corriente inversa de gate necesaria para apagar el GT O

IA
of f = (1.16)
IGof f

De la ecuacion 1.15 se obtiene que

npn
of f = (1.17)
npn + pnp 1
La corriente de apagado real debe ser entonces

IA
IGQ > IGof f = (1.18)
of f
Se ve que para valores normales de ganancias en base com un para transis-
tores en conduccion la corriente de gate es del orden de la corriente de anodo.
Para obtener entonces un dispositivo de este tipo que sea apagable por corriente
de gate se debe modificar la estructura del tiristor en por lo menos dos aspectos:
1.3. ESTRUCTURA DE UN GT O 7

a) Hacer que el modelo de dos transistores sea valido en el apagado, lo cual

implica disminuir drasticamente la resistencia lateral del gate.

b) Aumentar la ganancia de apagado, lo cual implica modificar la estructura

para que npn sea cercano a la unidad y pnp sea lo mas bajo posible.

1.3. Estructura de un GT O
La estructura basica de un GT O es esencialmente la de un tiristor (4 capas
npnp) con cambios que permiten su funcionamiento como llave apagable. Los
cambios mayores se concentran en la zona del catodo - gate y en la estructura
del anodo. La tension de bloqueo depende, como en todos los dispositivos, del
espesor de la capa n . La capacidad de corriente depende naturalmente del area
del chip.

1.3.1. Estructura del c atodo - gate: Minimizaci

on de la
resistencia lateral de gate
La resistencia lateral es la resistencia de la capa p del gate entre su contacto
metalico y la zona que queda en el medio del dopaje n+ del catodo. Se trata
entonces de disminuir la distancia entre esos dos puntos. Esto se logra mediante
una estructura consistente en gran cantidad de regiones o islas n+ (catodos
individuales) dopadas en el material p del gate. El silicio se talla ademas de
forma que esas zonas n+ queden en relieve con respecto a la zona p que las rodea.
La superficie de la oblea o chip de silicio queda entonces formada por mesas
n+ rodeadas por material p. Se metaliza entonces la superficie de cada mesa,
formando m ultiples contactos de catodo, y utilizando el desnivel se metaliza toda
la superficie de material p que aflora entre los catodos, formando un contacto
u
nico de gate que se extiende por toda la oblea. Sobre la superficie metalizada
de todas las mesas se apoya entonces la placa metalica del catodo poniendolos
todos en paralelo. El resultado es un dispositivo consistente en gran cantidad de
tiristores en paralelo de dimensiones laterales comparables a la del espesor total
de la oblea, y por lo tanto asimilables a estructuras verticales representables por
el modelo de dos transistores.
Las figuras 1.5 y 1.6 (Mohan, Underland & Robbins 1995, adaptado de)
muestran la estructura general del GTO. La figura 1.5 muestra el aspecto de la
oblea del lado del catodo y gate. Las peque nas zonas alargadas en blanco son
las mesas del catodo. La zona en gris que las rodea es la metalizacion del gate.
Cada mesa mide aproximadamente 2 - 3 mm de largo por 0,1- 0,3 mm de
ancho, dimensiones comparables con el espesor del chip (aprox. hasta 1 mm).
Un GT O de 3000 A puede tener hasta 3000 mesas de catodo. Esta estructura
se puede comparar con la de un tiristor com un para empleo en convertidores
conmutados por la red presentada en la Fig. 3.4. Se ve que la resistencia lateral
es ahora muy baja y que la metalizacion de gate tiene area de contacto y ma-
terial suficiente como para posibilitar corrientes de apagado del orden de las de
conduccion.
8 CAPITULO 1. GTO - GCT

Figura 1.5: Estructura de un GT O en perspectiva (I)

1.3.2. Estructura del anodo. Disminuci

on de la ganancia
pnp . Estructura general
Para aumentar la ganancia de apagado, es decir para aumentar la corriente
de anodo que es posible apagar mediante una corriente inversa de gate se puede
disminuir pnp , segun 1.17. Esto se logra mediante la implantacion de zonas n+
que conectan la capa de bloqueo al contacto del anodo. Estas zonas se llaman
cortocircuitos de anodo y son similares a las que se emplean en el catodo del
tiristor para modificar el alfa del transistor de manera de aumentar la densidad
de corriente necesaria para el disparo y as obtener un encendido preciso y
seguro. La zona del anodo de un GT O es una zona p+ . El GT O con cortocircuitos
de anodo pierde la capacidad de bloqueo inverso del tiristor, que queda reducida
a unos 20 V , y se le llama GT O asim etrico. En inversores desde fuentes de
tension, principal campo de aplicacion de estos dispositivos, el bloqueo inverso
no tiene relevancia ya que el GT O funciona solamente con bloqueo directo y se
utiliza con un diodo en antiparalelo.
Otro mecanismo de ayuda al apagado consiste en reducir el tiempo de vida
media de los portadores minoritarios en los bordes de la capa n de bloqueo
lo cual implica modificar el material en esas zonas. Tanto los cortocircuitos
de anodo como la disminucion de la vida media de los portadores ayudan a
disminuir el exceso de estos u ltimos durante el apagado, acelerandolo.

Capa buffer y
anodo transparente
En GT Os modernos la disminucion de ganancia se implementa mediante el
llamado emisor transparente (el anodo del GT O es el emisor del transistor
pnp).
La estructura se muestra en la figura 1.9 b) (Galster, Klaka & Weber n.d.,
1.3. ESTRUCTURA DE UN GT O 9

Figura 1.6: Estructura de un GT O en perspectiva (II)

adaptado de)y esta asociada con la introduccion de una capa n entre el anodo p+
y la capa de bloqueo. Esta capa, llamada capa buffer, se agrega para modificar
el perfil del campo electrico sobre la capa n en condiciones de bloqueo directo.
La tension de bloqueo directo es la integral del campo electrico sobre el espesor
de la capa n .
La figura 1.10 a) muestra el perfil del campo en un GT O sin capa buffer con
anodo cortocircuitado. Dado un determinado dopaje, para aumentar la tension
de bloqueo es necesario aumentar el espesor de la capa n , lo cual aumenta
naturalmente la resistencia ohmica de esa capa y por lo tanto las perdidas en
conduccion. La introduccion de una capa n entre la zona n y la capa p+ del
anodo permite disminuir el espesor de la capa n para obtener la misma tension
de bloqueo. El perfil del campo electrico se muestra en la figura 1.10 b).
La pendiente del perfil del campo electrico en la zona n de la figura 1.10 b)
es menor que la de la figura 1.10 a) pues el dopaje de la zona n correspondiente
es menor (es practicamente material intrnseco). Tenemos entonces el mismo
valor de integral de campo y por lo tanto de tension de bloqueo con una zona
n de espesor significativamente menor que el necesario en la implementacion
sin capa buffer.

Emisor transparente
En presencia de una capa buffer, se puede ver que los cortocircuitos de anodo
no funcionan en forma satisfactoria (Galster et al. n.d.). Esto se debe a que la
zona n del buffer presenta mucho mayor conductividad que la capa n , por
lo tanto los electrones inyectados desde la capa n al emisor encuentran en la
capa n un camino lateral de baja resistencia hacia los cortocircuitos de anodo.
10 CAPITULO 1. GTO - GCT

Figura 1.7: Superficie catodo-gate de un tiristor com

un y superficie de un GTO

Esto incide negativamente en el encendido dado que disminuye excesivamente

la ganancia del transistor pnp.
Se implementa entonces un anodo p+ (o emisor del transistor pnp) tal que su
espesor sea menor que la longitud media recorrida por los electrones inyectados
de la base. Lo que sucede entonces es que numerosos electrones atraviesan este
emisor sin producir la emision de huecos correspondiente. Se obtiene entonces
un emisor de baja eficiencia y por lo tanto un transistor pnp con reducido.
Esta estructura se usa en versiones de uso actual del GT O e IGCT . El
dispositivo resultante combina entonces bajas perdidas en conduccion debido
al menor espesor de la capa n con una eficiencia de apagado comparable a
la producida con cortocircuitos de anodo. Un GT O de menor espesor favore-
ce ademas la combinacion de un GT O con un diodo en antiparalelo, como se
vera mas adelante.

GT O sim
etrico
Algunos GT Os para aplicaciones especiales se construyen sin los cortocircui-
tos de anodo y sin buffer y capa transparente, con lo cual conservan la capacidad
de bloqueo inverso; el dispositivo se llama entonces GT O sim etrico (SGT O).
El GT O simetrico no debe confundirse con el GT O con anodo transparente,
ya que este u ltimo no tiene capacidad de bloqueo inverso. La estructura es
n+ pn p con un transistor pnp practicamente simetrico. El ancho de la zona
n necesario para el bloqueo de tension y la falta de cortocircuitos de anodo
aumenta las perdidas en conduccion y baja la eficiencia del apagado. Se modifica
entonces la velocidad de recombinacion en los lmites de la capa n de manera
de atenuar estos efectos adversos.

GT O de conducci
on inversa
Para eliminar la necesidad del diodo discreto antiparalelo en inversores se
construye el GT O de conducci on inversa RCGT O (Reverse Conducting
Gate T urn Of f ). Es un GT O asimetrico en el cual parte del chip se usa para
implementar el diodo antiparalelo en forma integrada. Para el diodo se usa la
parte central del disco de silicio. El anillo exterior de metalizacion de gate sin
1.4. ENCENDIDO Y APAGADO DE UN GT O 11

Figura 1.8: smbolos usuales del GT O

mesas de catodo se usa para implementar el contacto del Gate con el conductor
al terminal exterior de conexion.
Para el GT O de conduccion inversa integrado en un u nico dispositivo la
estructura de capas buffer y anodo transparente es particularmente apropiada.
Dada una tension de bloqueo determinada, un GT O con cortocircuitos de
anodo require mayor espesor que el diodop+ n n+ apropiado para conectar en
antiparalelo. La integracion de los dos componentes en el mismo espesor de chip
tiene como consecuencia que el diodo se fabrica con mayor espesor del necesario,
lo cual puede implicar una mayor cada de tension.
Al incluir la capa buffer y el anodo transparente, el GT O se puede fabricar
con el mismo espesor que el de un diodo rapido normal (figura 1.12)

1.4. Encendido y apagado de un GT O

1.4.1. Limitaci
on de di/dt y dV /dt. Circuitos de ayuda a la
conmutacion
El GT O es una llave apagable que se utiliza en convertidores en los cuales la
conmutacion es del tipo conmutacion inductiva clampeada: en el encendido
la tension comienza a bajar recien cuando la corriente llego a su valor maximo
y el diodo del modelo se apaga (fig. ?? y fig. ??, captulo 4) y en el apagado la
corriente la corriente empieza a bajar recien cuando la tension llego al maximo
y el diodo del modelo se prende.
Sin embargo el GT O es esencialmente un tiristor. Por lo tanto en el encendido
hay que tener en cuenta el lmite de velocidad de subida de la corriente (di/dt
maximo o crtico) que permite que la mayor parte del tiristor este prendido
cuando la corriente alcanza los valores de regimen de la aplicacion. En el caso
12 CAPITULO 1. GTO - GCT

_ _

b)

a)

Figura 1.9: a)Anodo cortocircuitado b)Anodo transparente (cortesa de ABB

Semiconductors)

del GT O en conmutacion inductiva clampeada hay que tener en cuenta ademas

que a la corriente maxima que impone la aplicacion hay que agregarle la corriente
de recuperacion inversa del diodo al apagarse, que puede alcanzar valores del
orden de la corriente de carga. Si bien las aplicaciones practicas (inversores,
convertidores DCDC) requieren el uso de un diodo de recuperacion rapida, este
tipo de diodos fabricados para grandes potencias pueden ser relativamente lentos
y tener tiempos y carga de recuperacion inversa considerables. La corriente final
luego del encendido es la corriente de carga mas la de recuperacion inversa,
lo que hace aumentar el di/dt efectivo. Por lo tanto, un analisis realista del
encendido del GT O implica incluir un circuito de ayuda (turn-on snubber) como
el presentado en el punto 4.5.2 (captulo 4). De todas formas la estructura
de gate-catodo de un GT O permite obtener valores crticos de di/dt bastante
mayores que los de un tiristor (del orden de 1000 A/s para un dispositivo de
Iav =1000 A)
En el apagado se debe tener en cuenta el lmite de velocidad de subida de
la tension (dV /dt), la cual genera una corriente en la capacidad de la juntura
de bloqueo directo que puede reencender el tiristor. En el caso del GT O la li-
mitacion de dV /dt adquiere importancia adicional por el hecho de que en las
aplicaciones usuales el dispositivo pasa directamente de conduccion a bloqueo
directo sin pasar por bloqueo inverso. Por lo tanto el uso del GT O en conmu-
tacion inductiva clampeada vuelve obligatorio el circuito de ayuda al apagado
(turn-off snubber) como el analizado en el punto 4.5.4 y debe ser incluido en
el analisis del apagado. Debido a la presencia de portadores en el dispositivo,
cuanto mayor es la corriente que se debe apagar mediante el gate, menor debe
ser el dV /dt.
1.4. ENCENDIDO Y APAGADO DE UN GT O 13

Figura 1.10: a) perfil del campo electrico en en el transistor pnp en bloqueo

directo - b) perfil del campo electrico en el transistor pnp en bloqueo directo
con capa buffer n entre la base y el emisor

1.4.2. Corriente controlable

Ademas de los ratings normales de corriente del tiristor, en el GT O se agrega

lo que se llama Corriente Controlable IT QRM . Si bien el GT O soporta sin rom-
perse una corriente mucho mayor (IT M , por ejemplo), solo es posible apagarlo
mediante corriente inversa de gate si la corriente de anodo es menor o igual que
IT QRM . Este valor es por lo tanto menor que IT M pero mayor que ITAvmax e
ITRM Smax . El valor de IT QRM esta dado en las hojas de datos asociado a un
valor del condensador del circuito de ayuda o snubber de apagado, que deter-
mina a que valor sube la tension UAK cuando la corriente de anodo se hace
cero en el apagado, y con que pendiente sube de ah en adelante. Si se usa un
condensador de menor capacidad debe considerarse en el dise no una corriente
apagable menor. El GT O, al igual que el tiristor, puede soportar sin da narse
una corriente no repetitiva con forma de medio ciclo de sinusoide y valor hasta
20 veces el Iav , pero mediante el gate solamente se puede apagar la corriente
controlable. (valores tpicos: Iav =1200 A, IT QRM =4000 A con Cs =6 F )
La figura 1.14 muestra la relacion entre la maxima corriente controlable y el
valor del condensador del snubber de apagado.
El fabricante especifica la inductancia parasita Ls del circuito de snubber de
apagado de la figura 1.15 para el cual el valor de corriente apagable indicado es
valido.
14 CAPITULO 1. GTO - GCT

Figura 1.11: a) corte de un GT O, b) vista de un GT O con cables de contacto,

c) disco de GT O

1.4.3. Encendido del GT O

El proceso de encendido es esencialmente el de un tiristor. Sin embargo, da-
das la estructura y aplicaciones del GT O, el valor y forma de onda de corriente
de gate adecuados deben cumplir con presenta algunas exigencias adicionales.
La corriente de gate inicial debe tener un crecimiento tal que dIG /dt es mayor
que un mnimo establecido (25 A/s para un GT O de 1000 A) y su valor maxi-
mo IGT M debe ser por lo menos 10 veces el valor IGT mnimo de disparo del
dispositivo considerado como un tiristor. De esta forma se asegura que todas
las zonas de islas o mesas de catodo enciendan en forma simultanea. Como la
corriente en estas aplicaciones crece muy rapido a
un con snubber (en relacion a
un convertidor conmutado por la red por ejemplo), si la corriente de gate no es
lo suficientemente grande y si no se establece con suficiente velocidad las islas
que prenden primero llevan toda la corriente de carga pudiendo causar destruc-
cion del dispositivo por corrida termica. Este valor debe mantenerse durante
todo el tiempo de encendido, normalmente algunos s. Luego del transitorio de
encendido debe mantenerse una corriente IGT adecuada durante todo el tiempo
de conduccion para evitar que, durante un eventual descenso de la corriente de
carga, se apaguen algunas islas, y que las que quedaron prendidas conduzcan
1.4. ENCENDIDO Y APAGADO DE UN GT O 15

Figura 1.12: RCGTO - GTO con conduccion inversa

solas toda la corriente si la misma aumenta nuevamente.

Las formas de onda de encendido de un GT O en un circuito modelado seg
un
la figura 1.15 se muestran en la figura 1.18

1.4.4. Apagado del GT O

Circuito b
asico de apagado

El apagado del GT O se realiza haciendo circular una corriente inversa gate -

c
atodo IGQ (t). Su valor maximo, que denominamos IGQM , debe llegar a por lo
menos la tercera parte del valor de la corriente de anodo a cortar (Bernet 2003),
ya que la ganancia de apagado de un GT O esta entre 3 y 5 aproximadamente.
IGQ se establece conectando entre gate y catodo una fuente de tension negativa
de valor Uof f a traves de una inductancia LG . La tension Uof f no debe superar
el valor de avalancha de la juntura gate - catodo (del orden de 20 V) y se fija
en aproximadamente 15 a 17 V.
La corriente IGQ crece retirando la carga en exceso del transitor npn (figura
1.4) saturado, llevandolo a la zona activa y apagandolo seg un las ecuaciones
1.15 y 1.16.

Derivada de la corriente inversa IGQ

La inductancia LG fija el valor de la derivada de la corriente inversa IGQ

en1 :
1 Influye tambi
en en la forma de onda la resistencia seria de los conductores del circuito de
gate y de la llave de conexi
on
16 CAPITULO 1. GTO - GCT

Figura 1.13: Vista de un chip de RCGT O desde el lado del catodo - gate

dIGQ UGT Uof f

= (1.19)
dt LG

dI
La derivada dtGQ
debe tener un valor suficientemente alto como para reducir
el tiempo de extraccion de portadores de la base p, que es parte importante del
tiempo de apagado. Sin embargo, una corriente IGQ muy alta puede cortar la
juntura base emisor cuando el exceso de portadores en la capa p todava es
grande. El transistor npn y por lo tanto el GT O se apagan, pero el exceso de
portadores da lugar a una corriente llamada tail current (corriente de cola)
que circula de anodo a gate y a traves del circuito de gate llega al circuito
externo en el punto de conexion del catodo (figura 1.17).
Esta corriente disminuye a medida que se recombinan los portadores en la
base, pero puede tener amplitud y duracion tales que las perdidas y el tiempo
de apagado efectivo aumenten en forma inaceptable. El fabricante da un valor
dIGQ
de referencia para la derivada dt .
El GT O es un dispositivo que se utiliza en convertidores de altas potencias
dIGQ
y por lo tanto la pendiente dt queda limitada por la inductancia parasita de
los conductores del circuito de comando de gate y del conductor interno y no
hay necesidad de utilizar una inductancia externa LG .
1.4. ENCENDIDO Y APAGADO DE UN GT O 17

Figura 1.14: Relacion entre IT QRM y el condensador del snubber - cortesa de

ABB Semiconductors

En un GT O de Iav 1000A la inductancia total de los conductores

del circuito de gate es LG 300nH. La tension anodo - catodo en
conduccion es UT 3V . Si Uof f = 17V entonces el valor inicial de
dIGQ /dt es:
dIGQ 3 17 A
= = 67 (1.20)
dt 0, 3H s
, valor menor que el de referencia en la hoja de datos (70A/s)
Nota: Este valor disminuye al bajar UT a aproximadamente cero. La
resistencia del circuito de comando tambien afecta la forma de onda

Proceso de apagado I - Tiempo de almacenamiento (storage time)

Al comenzar a circular la corriente de apagado, se empieza a retirar el ex-
ceso de portadores de la capa p del transistor npn. Mientras haya suficientes
portadores la juntura gate - catodo no se polariza en inverso. Su tension UGT
baja pero se mantiene en las proximidades de 0V .
En este perodo el valor de la corriente inversa de gate, despreciando UGT ,
crece seg
un la ecuacion:

IGQ
Uof f LG + RG IGQ (1.21)
dt
18 CAPITULO 1. GTO - GCT

Figura 1.15: GT O en un circuito con conmutacion inductiva clampeada inclu-

yendo snubbers de encendido y apagado seg
un 4.5.2 y 4.5.4.

y el GT O mantiene la corriente de anodo. Este perodo termina cuando se

han retirado suficientes portadores de la base p como para que el transistor entre
en zona activa, con lo cual baja su corriente de colector (corriente de base del
transistor pnp) y por lo tanto la corriente de anodo (corriente de emisor del
transistor pnp). El tiempo transcurrido entre la aplicacion de IGQ y la cada de
IA a un 90 % de su valor inicial se llama tiempo de storage ts (storage time -
tiempo de almacenamiento, figura 1.18)

Proceso de apagado II - Corte de la corriente de

anodo

Luego del tiempo de storage ts , la corriente de anodo iA (t) cae en un tiempo

tf (f all time - tiempo de cada).
El tiempo tf se define como el tiempo en que la corriente de anodo pasa de
90 % a 10 % de su valor previo al apagado. Durante tf ocurren varios fenomenos:

1. La corriente I impuesta por el circuito externo es conmutada del GT O al

condensador CS del snubber. CS se elige suficientemente grande como para
que UAK suba muy poco durante tf para evitar la creacion de portadores
por dU/dt en las capacidades de las junturas.

2. La corriente creciente por el snubber iCS (t) = I iA (t) produce una

sobretension en la inductancia parasita del snubber:

diCS (t) I
ULS = LS LS (1.22)
dt tf
1.4. ENCENDIDO Y APAGADO DE UN GT O 19

Figura 1.16: Circulacion de IGQ con la fuente negativa Uof f

que se suma a la tension:

It2
UCS (t) (1.23)
2CS tf

produciendose un pico de tension UDSp , disminuyendo la efectividad del

snubber en su funcion de limitar la subida de tension UAK durante tf . Por
lo tanto el fabricante da tambien un valor maximo de LS con el cual el
GT O puede cortar la corriente controlable especificada mediante corriente
inversa de gate. Para el GT O de IAV = 1000A tomado como ejemplo, se
recomienda que LS < 0, 2H
3. La juntura gate - catodo se va vaciando de portadores y se polariza en
inverso abruptamente aproximadamente al final de tf
4. La tension inversa tiende al valor Uof f impuesto por el circuito de comando
de apagado. La corriente inversa de gate empieza a decrecer, con lo cual
se produce una sobretension en la inductancia LG del circuito de gate. La
tension inversa gate - catodo es la suma de Uof f y esta sobretension, con
lo cual la juntura entra en avalancha. La juntura se comporta como un
diodo zener y la magnitud de la corriente de gate decrece con pendiente:
dIGQ Uavalancha Uof f
|avalancha = (1.24)
dt LG

La duracion de este estado (tbr o tw ) puede ser controlada en cierta medida

por los parametros LG y Uof f . La corriente de avalancha contribuye a
retirar el exceso de carga de la base del transistor pnp

El tiempo tf termina cuando la juntura gate - catodo ya esta en bloqueo

inverso y en avalancha.
Luego de tf la tension UAK crece con pendiente:
dU I
= (1.25)
dt CS
20 CAPITULO 1. GTO - GCT

Figura 1.17: Circulacion de la tail current durante el proceso de apagado

y queda un exceso de portadores en la capa n (base del transistor pnp) y

en la capa p (gate - base del npn, figura 1.4). Circula entonces una corriente de
anodo a gate llamada tail current, producida por la recombinacion del exceso de
portadores, seg un se detalla en la figura 1.17. Es una corriente de baja amplitud
y pendiente.
Inmediatamente despues del tiempo tf , la corriente de gate se compone de
la corriente de avalancha y la tail current de anodo. Cuando la corriente de
avalancha baja lo suficiente, la pendiente de la corriente inversa de gate es la
de la tail current, la sobretension producida sobre LG desaparece y la tension
de bloqueo queda en Uof f . La corriente de gate es ahora u nicamente la tail
current, que dura hasta la recombinacion completa de portadores.
El tiempo durante el cual circula la tail current (ttail ) es el mayor de los
tiempos asociados al apagado. Las hojas de datos indican el tiempo tof f >
tstorage + tf + ttail . tof f es el tiempo que debe transcurrir entre el comienzo del
apagado y un nuevo encendido del GT O.
Para el GT O de IAV = 1000A, ts = 25s, tf = 3s y tof f = 100s.
Luego de transcurrido tof f la tension Uof f se desconecta de la juntura gate
- catodo y se deja una tension negativa de unos pocos Voltios para evitar el
reencendido por dU/dt. Esta tension puede aplicarse mediante un divisor re-
sistivo entre catodo, gate y Uof f , de impedancia tal que no interfiera con el
funcionamiento del circuido de comando.
La figura 1.18 muestra las formas de onda de tension anodo - catodo, corrien-
te de anodo, tension anodo gate y corriente de gate durante el proceso de encen-
dido y apagado de un GT O en un circuito como el modelado en la figura 1.15.
En las figuras 1.19 y 1.20 se muestra en detalle las formas de onda de corrientes
y tensiones durante el encendido y el apagado de un GT O respectivamente.
En la figura 1.19, IA es la sobrecorriente en el encendido por recuperacion
1.4. ENCENDIDO Y APAGADO DE UN GT O 21

Figura 1.18: Formas de onda de encendido y apagado (adaptado de ABB)

inversa del diodo y descarga del condensador del snubber y en la figura 1.20
UAK es la sobretension en el apagado debida fundamentalmente al snubber
de encendido.

1.4.5. Circuitos de comando de gate

Un circuito de comando basico se muestra en la figura 1.21. En el encendido

Q1 conduce la corriente IGT determinada por la fuente Uon y la resistencia R2
a la que se suma la descarga del condensador C1 a traves de R1 para poder dar
la corriente inicial IGT M . En el apagado se prende Q2 que aplica Uof f al gate
a traves de la inductancia del circuito. Cuando termina la corriente de tail, se
apaga Q2 y la tension negativa de gate mientras el GT O esta apagado es pro-
porcionada por el divisor resistivo formado por la resistencia entre gate y catodo
y la que esta en paralelo con Q2. El circuito necesita una fuente galvanicamente
aislada que de las tensiones Uon y Uof f .
La corriente de apagado requiere una llave Q2 que bloquee una tension baja
pero que sea capaz de conducir una corriente del orden de la corriente de anodo.
Q2 se implementa con muchos M OSF ET de baja tension en paralelo. El pico de
corriente de apagado es suministrado por muchos condensadores de baja tension
y alta capacidad conectados en paralelo. (fig. 1.22)
22 CAPITULO 1. GTO - GCT

Figura 1.19: Formas de onda en el encendido

1.5. GCT e IGCT

La sigla GCT corresponde a Gate Commutated Thyristor o Gate Contro-
lled Thyristor. El GCT es un GT O con caractersticas constructivas especiales
que permiten simplificar los circuitos auxiliares y mejorar el comportamiento
dinamico del dispositivo, sobre todo en el apagado. El GCT como componente
se comercializa con el circuito de driver integrado. El conjunto GCT y driver se
denomina IGCT (Integrated Gate Commutated Thyristor )

1.5.1. Limitaciones del GT O convencional

El empleo practico de un GT O como el descrito plantea una serie de proble-
mas tecnicos y economicos derivados de insuficiencias del dispositivo en cuanto
a la realizacion de una llave apagable. Se detallan algunos de esos problemas:
a) El dispositivo requiere snubber de apagado con capacidades relativamente
grandes debido a la necesidad de que la corriente llegue a niveles muy bajos antes
de que se forme una tension de bloqueo importante. Se requieren condensadores
de 3 a 6 F y diodos de recuperacion rapida capaces de bloquear varios kV y
1.5. GCT E IGCT 23

"#

Figura 1.20: Formas de onda en el apagado

conducir la corriente de anodo durante tiempos relativamente largos (decenas

de s). Las altas capacidades requieren a su vez resistencias de descarga de
potencias elevadas. De acuerdo a la ecuacion 4.16, un GT O que trabajando a
1000 Hz bloquea 2000 V , y requiere una capacidad de 3 F necesita un snubber
con una resistencia R tal que

PR = 0, 5 3 106 20002 1000 = 6000W (1.26)

b) El GT O presenta tiempos de almacenamiento del orden de 25 s y tiem-

pos de apagado totales que llegan a los 100 s. Estos tiempos presentan ademas
dispersion en su valor entre distintos ejemplares, lo cual exige circuitos adicio-
nales para la conexion en serie (necesaria para grandes tensiones) aumentando
el costo y el riesgo de fallas debido al n umero elevado de componentes. Los
tiempos limitan ademas la frecuencia de los convertidores implementados con el
dispositivo.
c) El apagado de todas las islas no se produce simultaneamente debido a la
impedancia de la metalizacion de gate, lo cual puede llevar a que la corriente de
carga no se mantenga distribuida en toda la superficie del dispositivo y circule
solo por una parte del mismo.
24 CAPITULO 1. GTO - GCT

Figura 1.21: Circuito basico de comando de gate de un GT O

1.5.2. Operaci
on del GCT - IGCT
En el encendido y estado de conduccion, el GCT funciona aproximadamente
igual que un GT O. La diferencia fundamental radica en la forma de apagado.
En el CGT , el circuito de comando (driver) y el gate se dise nan de tal manera
que toda la corriente de anodo es conmutada al gate en forma de corriente
inversa de apagado en un tiempo muy corto, del orden de 1 s. De esa forma la
corriente de catodo se anula y la juntura gate-catodo (base emisor del transistor
npn) se polariza en inverso antes que empiece a crecer la tension de bloqueo en
la juntura n p. El bloqueo del catodo se produce antes que empiece a retirarse
carga de la base del pnp, es decir antes de que el pnp se entere de que el
el emisor del npn dejo de emitir. El dispositivo se transforma entonces en un
transistor pnp de baja ganancia y con la base abierta antes de que se empiece
a apagar. El apagado se produce entonces como en un transistor con la corrien-
te uniformemente distribuida en todo el chip (Carroll, Klaka & Linder 1997).
Como el dispositivo se apaga como un transistor, con distribucion homogenea
de corriente, no se requiere limitar el dV /dt durante el apagado, lo cual permite
teoricamente eliminar el circuito de ayuda.
La fig. 1.23 muestra las formas de onda de apagado de un GCT .
Nota 5.1: como se ver a, el circuito de comando capaz de dar la corriente de
apagado necesaria para un GCT puede ser tambien capaz de dar una corriente
de encendido con valor de pico y pendiente mucho mayor que la requerida por
un GT O convencional. Esto permite prender el transistor npn (y por lo tanto
todo el dispositivo) de manera homogenea, a diferencia del encendido de un ti-
1.5. GCT E IGCT 25

#$"
!"

Figura 1.22: Detalle del circuito de disparo

ristor. El di/dt de admisible en la corriente de

anodo puede ser entonces mucho
mayor, reduciendose el valor necesario de la inductancia del snubber de apaga-
do. Sin embargo, el di/dt de corriente de anodo debe ser limitado debido a las
caractersticas de los diodos que conmutan con los GT O en circuitos tales como
inversores desde fuentes de tensi on.

1.5.3. Estructura y circuito de comando del GCT - IGCT

La figura 1.24 muestra el esquema simplificado de un circuito de comando
de gate en el apagado.
La inductancia total que limita diG /dt en el apagado esta compuesta por la
inductancia de los conductores del circuito de disparo de gate y por la induc-
tancia interna de la conexion de gate del propio dispositivo. Las inductancias
de gate de los GT O convencionales son del orden de decenas a centenas de nH.
Para obtener un apagado como el descrito en 5.5.2 se necesita llegar a una
corriente inversa de gate del valor de la corriente maxima apagable de anodo
con una fuente de tension inversa de tension menor que la de avalancha de la
juntura gate - catodo en un tiempo del orden de 1 s.
Por ejemplo si queremos apagar una corriente de anodo de 3000 A en modo
GCT debemos sacar por lo menos 3000 A por el gate en 1 s. Si la tension de la
fuente negativa del comando de gate es de 17 V la inductancia maxima de todo
el circuito (comando y conductores de gate dentro del dispositivo) debe ser
26 CAPITULO 1. GTO - GCT

Vd(kV) Ia(kA)

4 4
tiristor transistor Voltaje de nodo Vd
3 3
Corriente de nodo Ia
2 2

1 1

0 0

-10 -1
Voltaje de gate Vg
-20 -2

-30 -3
Corriente de gate Ig
-40 -4

Vg(V) 15 20 25 30 35 t(s) Ig(kA)

Figura 1.23: Formas de onda de apagado de un GCT

Uof f 17V
L< diG
= = 5, 6nH (1.27)
dt
3000A/s

Teniendo en cuenta que un conductor cilndrico de diametro mucho menor

que el largo tiene aproximadamente 20 nH/cm se ve que para poder tener funcio-
namiento tipo GCT se debe modificar radicalmente tanto la forma de contacto
de la metalizacion interna del gate con el exterior como la implementacion fsica
y electronica del circuito de disparo.

Estructura del contacto de gate del GCT

La estructura del GCT es similar a la del GT O, pudiendo ser simetrica,

asimetrica (en general con emisor transparente) o con conduccion inversa,
con la parte central del chip ocupada por el diodo. En la superficie catodo-gate
del GT O se deja un anillo libre de islas de catodo. Ese anillo tiene solamente
metalizacion de gate. Puede estar en el borde exterior del chip o en una zona
intermedia entre el borde y el centro. (Fig. 1.13) El contacto se realiza entonces
mediante un anillo metalico apoyado en esa zona del chip y apretado por resor-
tes. De ese anillo metalico salen cintas de metal a traves de surcos realizados en
la pieza de cobre de contacto de catodo. Esas cintas salen a traves del encapsu-
lado ceramico, o se unen a un disco de cobre que sale a traves de la ceramica
(figura 1.25) (ABB Semiconductors - Datasheets n.d.).
La conexion del circuito de comando al GCT se realiza por lo tanto mediante
el disco de contacto de gate y el disco de contacto de catodo, o por cintas de
contacto de gate y cintas alternadas de contacto con el disco de catodo.
1.5. GCT E IGCT 27

Figura 1.24: Circuito equivalente del comando de gate en el apagado

La inductancia resultante de todo el lazo interno gate - catodo se reduce a

valores del orden de unidades de nH.

Circuito de comando de gate e IGCT

El esquema simplificado del comando de gate del GCT es esencialmente el

mismo que el del GT O (figuras 1.21 y 1.22). La implementacion real tiene ca-
ractersticas especiales. El comando se implementa formando una unidad con el
GCT . El conjunto GCT y comando es lo que se denomina IGCT (integrated ga-
te commutated thyristor). Las dos conexiones se realizan mediante conductores
planos en las dos caras de una placa aislante. El gate se conecta a una cara me-
diante el anillo de gate o los conductores planos y el catodo se conecta de manera
similar a la otra cara. Sobre la misma placa se monta el circuito de comando.
La figura 1.26 muestra un IGCT completo. Las dimensiones corresponden a
un dispositivo de corriente controlable de 2200 A y tension de bloqueo 4500 V
(ABB Semiconductors - Datasheets n.d.). En la figura 1.27 se ven ademas los
componentes de un driver. Se puede notar el n umero de condensadores en para-
lelo que permiten almacenar la energa necesaria para dar el pulso de corriente
de apagado.
La conexion entre el comando y el GCT mediante conductores planos y
cortos permite reducir la contribucion del circuito de comando a la inductancia
general a 1-2 nH.
El circuito de comando en s debe poder dar corrientes de apagado y even-
tualmente de encendido muy grandes y en corto tiempo desde tensiones del orden
de 15-20 V . El comando se alimenta entonces con dos tensiones provenientes de
una fuente aislada que cargan condensadores electrolticos de baja tension y alta
capacidad puestos en paralelo (tpicamente 10 a 40). En dispositivos disponibles
comercialmente se requiere solamente una tension de alimentacion externa de la
28 CAPITULO 1. GTO - GCT

Figura 1.25: Corte de un GCT mostrando el contacto del gate con el chip y el
terminal de gate

cual se generan tanto la tension de encendido como la de apagado. La conexion

de la tension de comando al gate se realiza mediante M OSF ET s de potencia
conectados en paralelo de manera de tener la capacidad de corriente necesaria
con baja resistencia de conduccion.

1.5.4. Performance y aplicaciones del GCT - IGCT

El GCT - IGCT mantiene las capacidades de conduccion y bloqueo del GT O
superando en gran medida las limitaciones descritas en 5.5.1.
El tiempo de almacenamiento se reduce en 2-3 s, el funcionamiento como
transistor permite usar snubbers de mucho menos capacidad o incluso eliminar-
los, el diA /dt de encendido y el dVAK /dt de apagado admisibles aumentan de
3 a 5 veces. El tiempo de retardo en el encendido disminuye a menos de 1 s.
Al acortarse los tiempos, el circuito de disparo es menos voluminoso y consume
menos energa que el de un GT O, a pesar de que el pico de corriente a manejar
es mayor. La conexion en serie, imprescindible para alcanzar las tensiones de
bloqueo necesarias en aplicaciones relacionadas con sistemas electricos de poten-
cia V oltage Link - HV DC, SV C, ST AT COM s, U P F Cs y otros dispositivos
en sistemas F ACT S 2 ) se facilita debido a los bajos tiempos de almacenamien-
to (storage) y encendido, que hacen mas simple la implementacion de redes de
ecualizacion de tensiones de bloqueo y demas compensaciones necesarias (en
general implementadas como snubbers de tension)
Los snubbers de apagado, si bien no son imprescindibles, permiten controlar
corrientes mayores tambien en los GCT .
Los snubbers de encendido son considerados esenciales (aunque su tama no
puede reducirse) debido a la performance de los diodos asociados (Fig. 1.28)
Los GCT se aplican en inversores de alta potencia (control de motores de
media tension, inversores conectados a redes de alta tension, transmision de
2 V oltage Link-HV DC - Voltage Link - High Voltage Direct Current transmission, SV C

- Static Var Compensator, ST AT COM - Static Synchronous Compensator, U P F C - Unified

Power Flow Controlled, F ACT S - Flexible Alternating Current Transmission System
1.5. GCT E IGCT 29

Figura 1.26: Dibujo de un IGCT completo

energa en corriente continua) compitiendo con otro dispositivo, el IGBT . Pue-

den aplicarse a conversion DC/DC en sistemas de traccion, como por ejemplo
transporte ferroviario electrico con alimentacion en corriente continua.
La figura 1.28 muestra el circuito de un inversor implementado con GCT . Los
smbolos de las llaves indican que el diodo antiparalelo del inversor esta integrado
en un mismo dispositivo (RCGCT ).
30 CAPITULO 1. GTO - GCT

Figura 1.27: Distintas implementaciones de IGCT - Cortesa de ABB

1.5. GCT E IGCT 31

+
L R

Ud

CARGA

Figura 1.28: Inversor implementado con RCGCT, (los diodos estan integrados
en las llaves)
32 CAPITULO 1. GTO - GCT
Bibliografa

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