Imprim

ir
Artcul
o
COMO
Listado
FUNCI
de
ONA:
Artcul
os
disponi
bles
EL TIRISTOR Y
EL TRIAC

- ..

ARTCULO ACTUALIZADO 2010

Jos Luis Giordano

Septiembre 19, 2006 (ltima revisin: Julio 12, 2010)

1-QU ES
Este artculo trata de los dos ms importantes componentes
electrnicos de conmutacin.
Un SCR o TIRISTOR (thyristor en ingls) es un componente
electrnico rectificador de estado slido de 3
terminales: nodo (A), ctodo (K) y un electrodo de control
denominado puerta (G, gate), desarrollado por la General
Electric (U.S.A.) en 1957 (10 aos despus de la invencin del
transistor bipolar de unin).

Es un dispositivo rectificador unidireccional (es decir, que deja

circular la corriente elctrica en un solo sentido: desde A hacia K
como un diodo rectificador semiconductor), pero adems del
estado "on" (cerrado, conduciendo) del diodo comn, tiene un
segundo estado estable: "off" (cortado, abierto, sin conducir). Si
el voltaje VGK entre G y K es el adecuado, conduce desde A hacia
K.

Su nombre "SCR" (Silicon Controlled Rectifier) proviene de ser

como un rectificador de silicio, pero controlado a travs de G. Es
la versin en estado slido de las antiguas vlvulas termoinicas
llamadas thyratron, y de ah su nombre
"thyristor": thyratron y transistor.

La versin para corriente alterna (AC, Altern Current) del tiristor

es el TRIAC. Mientras que el tiristor es un diodo controlado y
por lo tanto, en general se utiliza en circuitos de control de
corriente continua (DC, Direct Current), el triac es como un
tiristor bidireccional, para utilizar en circuitos AC.

Los terminales del triac en vez de K y A se denominan "terminal

principal 1" (Main Terminal 1, MT1) y "terminal principal 2"
(MT2), o simplemente "terminales 1 y 2", T1 y T2 (El electrodo
de control tambin se denomina puerta, G, como en el tiristor).

Si el voltaje VG1 entre G y T1 es suficientemente positivo, en el

primer semiciclo AC con VAK positivo (sentido "directo"
o forward) conduce desde T2 hacia T1 (como lo hara un tiristor).
Pero en el otro semiciclo VAK negativo (sentido "inverso"
o reverse), si el voltaje VG1 es suficientemente negativo, el triac
tambin conduce al revs, desde T1 hacia T2.

En la Figura siguiente se muestra el smbolo del SCR y el

smbolo del triac, en circuitos bsicos donde una fuente DC y otra
AC "alimentan" a una carga a travs del respectivo dispositivo de
conmutacin.
En la parte inferior derecha se muestran dos tiristores conectados
en "anti-paralelo" (back-to-back), indicando que la funcin del
triac puede ser implementada con dos SCRs de ese modo.
Fig. 1: Se muestran los smbolos del thyristor y del triac en 2
esquemas bsicos, donde una fuente DC y otra AC alimentan una
carga a travs de estos dispositivos de conmutacin (se han
omitido los circuitos de disparo).

2-PARA QU SIRVE

Adems de la funcin de rectificacin controlada del tiristor, ste

y el triac sirven como dispositivos de conmutacin de estado
slido en DC y en AC respectivamente. Es decir, son como
interruptores (switches) pero compactos y pequeos, sin
calefactor y de bajo consumo, rpidos y silenciosos, sin partes
mviles ni contactos electromecnicos, sin chispas ni necesidad
de mantencin, y que adems pueden controlarse electrnica y
pticamente.

Estos componentes se utilizan en circuitos muy diferentes, como

por ejemplo controles de velocidad de motores, regulador de
intensidad de iluminacin de ampolletas (dimmers y luces
"psicodlicas"), para activar sistemas de proteccin, o
en convertidores de voltaje para viajes, cargadores de bateras,
magnetizadores de imanes, relays de estado slido (SSRs),
controles de temperatura de hornos y de potencia de calefactores.

3-DE QU EST HECHO

El tamao de un SCR o de un TRIAC puede ser relativamente

pequeo o grande, ya que como en el caso de los transistores y
los circuitos integrados en general, el encapsulado (que es lo que
vemos desde fuera) vara segn la potencia que deban disipar y la
corriente mxima de trabajo que deban tolerar. Hay algunos
enormes, para ms de 1500 A, de dimetros entre 5 y 10 cm y con
ctodos y nodos del grosor de un dedo. Estos pueden costar unos
USD 1000 o ms! Otros, en cambio, son pequeos (menos de 1
cm3), muy econmicos (menos de USD 2), y operan con
corrientes menores que 5A o disipando menos de 5W.
El triac BT 136-600 en encapsulado TO220 que se muestra en la
Figura siguiente (sobre la esquina superior derecha de la pgina
de un libro), cuesta unos USD 2, tiene una masa de 2g, mide
menos de 3 cm de largo, y conduce hasta 4 A, en circuitos AC
con voltaje de red V RMS = 380V.
Fig. 2: Triac BT 136-600 sobre un manual Motorola de
dispositivos de disparo y de conmutacin.

Como los diodos semiconductores de silicio, los SCRs y los

TRIACs se construyen con diferentes estructuras de materiales
semiconductores tipo-p, de silicio (Si) dopado con elementos del
Grupo III-A como el aluminio (Al), galio (Ga) o indio (In),
y tipo-n, de Si dopado con elementos del Grupo V-A como
fsforo (P), arsnico (As) o antimonio (Sb).

Un diodo rectificador de unin n-p est formado por una unin de

2 capas, una tipo-n (el K) y otra tipo-p (el A). La fsica del diodo
est en la unin y en la distribucin de portadores en cada
material. Pero el SCR es ms complejo, y est hecho con 4
capas pnpn de semiconductores: tipo-p (el A), tipo-n, tipo-p (la
G) y tipo-n (el K). En el centro de la siguiente Figura se puede
ver un diagrama esquemtico de su estructura. Tres capas forman
un sandwich: tipo-p (el A), tipo-n y tipo-p. Finalmente, el K se
construye difundiendo material tipo-n sobre la ltima capa tipo-p,
y G se conecta muy cerca de K, sobre la misma capa de
material tipo-p.

El TRIAC est hecho de forma anloga a dos tiristores puestos

en antiparalelo, como si fuese un dispositivo de 5
capas npnpn de semiconductores. Su estructura central es
un sandwich: tipo-p, tipo-n y tipo-p, como el tiristor. Pero el
material tipo-n se difunde sobre ambas capas tipo-p, para que
funcionen como ctodos K en cada uno de los sentidos de
conduccin. El MT2 se conecta a una capa tipo-p y a la tipo-
n difundida sobre ella. En el otro extremo, se hace lo mismo con
el MT1. Y el G tambin est en contacto con la capa tipo-p y una
porcin de tipo-ndifundida sobre ella.
Fig. 3: Smbolo del thyristor, su estructura, y un modelo con 2
transistores bipolares de unin.

4-CMO FUNCIONA

Se considera separadamente:
(a) Cmo conmuta
(b) Causas ms importantes de disparo
(c) Principales componentes de disparo

(a) Cmo conmuta

El funcionamiento del tiristor se puede entender como un circuito
implementado por dos transistores bipolares de unin
(BJTs) (ver Fig. anterior), en los que hay que tener en cuenta las
siguientes 2 caractersticas:

(I) Cuando a un BJT pnp de Si se le aplica un voltaje VBE (entre

base B y emisor E) suficientemente negativo (superando el
umbral de -0.6 V),

o cuando a un BJT npn de Si se le aplica un

voltaje VBE suficientemente positivo (superando el umbral de +0.6
V),

el transistor "se dispara", i.e. conmuta

de off a on en saturacin (conduce toda la corriente que el
circuito y l mismo permitan), desde el emisor E hacia el colector
C en el pnp, o desde C hacia E en el npn.

(II) Un BJT amplifica la corriente de base IB en un factor dado

aproximadamente por el parmetro denominado " (beta) del
transistor" (o "ganancia de corriente"). Es decir que la corriente
de colector es IC IB, donde depende de la misma
corriente IC.

Ahora bien, supngase que se tiene un TIRISTOR al que

inicialmente solo se le aplica un voltaje VAK > 0 V.

Si se considera al tiristor como un transistor Tr1 npn de

ganancia 1 conectado con un transistor Tr2 pnp de
ganancia 2 como se esquematiza a la derecha de la Figura
anterior, se observa que:

(i) Inicialmente no hay conduccin (IA = 0 A; tiristor abierto, off).

(ii) Cuando se aplica un voltaje VGK de G a K suficientemente

positivo (VBE1 > 0.6V), una corriente de puerta IG( IB1) dispara al
tiristor, comenzando la conduccin desde A hacia K (conmuta
de off a on; tiristor cerrado).

(iii) Entonces, despus del disparo, cuando IG = 0 A,

es IB1 = IC2 2IB2. Pero como IB2 IC1 1IB1, se ve que las
corrientes del dispositivo se ajustan para que 1 2 1, y por lo
tanto la corriente de nodo IA del tiristor visto como 2
transistores, resulta aproximadamente igual a IA IE2 = IC2+IB2
(1+1) IB1.

(iv) Mientras haya voltaje VAK desde A hacia K suficientemente

positivo, seguir existiendo corriente IA (aunque IG = 0 A), ya
que la corriente de colector del Tr2 mantiene alimentada la
base del Tr1; y sta es la clave de su funcionamiento:

El SCR comienza a conducir desde A hacia K por la seal que

hubo en G

El funcionamiento del TRIAC en cada semiciclo AC, est basado

en el funcionamiento del tiristor en DC. El triac puede estudiarse
como dos tiristores conectados en anti-paralelo, pero con un solo
electrodo de control G. De hecho, en circuitos de potencia para
corrientes AC superiores a 700 A, suelen implementarse dos
tiristores (ya que no existen triacs de tanta capacidad).

En la Figura siguiente se muestran las correspondientes curvas

caractersticas que resumen el comportamiento de estos
elementos de conmutacin:
SCR: Curva IA vs. VAK (corriente de nodo versus voltaje nodo-
ctodo)
TRIAC: Curva I2 vs. V21 (corriente en el MT2 versus voltaje
entre MT2 y MT1)
Fig. 4: Curvas caractersticas de un thyristor y de un triac.

La zona de corte y saturacin (on-off), se encuentra en el

cuadrante I para el dispositivo unidireccional (SCR) y en los
cuadrantes I y III para el bidireccional (triac). Se observa que el
voltaje principal debe llegar a un cierto valor para producir el
disparo. Este valor cambia segn las condiciones en la puerta
(intensidad y forma de IG y de VGKo VG1). Una vez disparado, el
voltaje entre A y K (o entre MT2 y MT1) disminuye al valor de
conduccin VON, que es de unos pocos volt (Sera "0 V" en un
interruptor ideal o perfecto). Despreciando la disipacin en la
puerta, este voltaje residual multiplicado por la corriente principal
determina la potencia que el encapsulado del componente debe
disipar:
PD VAKIA para el tiristor, y PD V21I2 para el triac

En la curva caracterstica del SCR tambin se ve (en el cuadrante

III) una corriente inversa de fuga, y para un valor alto de voltaje
inverso, la zona de ruptura donde se destruira el dispositivo.

(b) Causas ms importantes de disparo

Es importante conocer que hay diferentes mecanismos o formas o
causas de disparo. El disparo por corriente en G, se
denomina cebado por puerta. Pero este disparo puede producirse
por corrientes inyectadas accidentalmente o intencionalmente.
Los casos ms importantes son:

(i) Disparo por magnitud del voltaje VAK inverso: Cuando una
unin semiconductora est polarizada inversamente, hay una fuga
de corriente inversa, que depende del material, de la temperatura
y de la iluminacin. Si el voltaje inverso VAK es muy grande
cuando el tiristor est en off, la corriente inversa es mayor, y
tambin podra dispararse accidentalmente el tiristor.

(ii) Disparo por magnitud de la rapidez VAK/t de cambio del

voltaje inverso: Cuando el thyristor est en off y el voltaje entre
A y K cambia con un ritmo VAK/t, se produce una
corriente iT debida a la capacidad de transicin CT, entre las
cargas q a un lado y al otro de la unin:

iT = q/t = (q/VAK) x (VAK/t) = CT (VAK/t)

O sea, se manifiesta el equivalente a una capacidad elctrica dada

por
CT q/VAK

Por lo tanto, un valor muy grande de VAK/t produce un valor

tambin grande de iT, que puede producir accidentalmente el
disparo.

(iii) Disparo por elevacin de temperatura: La corriente

inversa aumenta al doble aproximadamente cada 14C. Por lo
tanto, un aumento en la temperatura, tambin podra producir un
disparo accidental.

Estos casos deben tenerse en cuenta en el diseo de circuitos con

conmutadores de estado slido.

(iv) Disparo por iluminacin: Los tiristores diseados con

ventanas transparentes permiten la creacin electrn-agujero a
partir de los fotones absorbidos por la unin semiconductora
polarizada inversamente. Por lo tanto, mediante la luz tambin
pueden dispararse tiristores. Este es el fundamento de
los fototiristores (photo-thyristors o LASCRs, Light Activated
SCRs).

Por ltimo, hay que enfatizar que tanto los tiristores como los
triacs tpicos, mientras haya voltaje y est circulando corriente,
una vez disparados siguen conduciendo ("no cortan solos"). Pero
cuando el voltaje entre los electrodos principales cruza por cero
y/o desaparece la corriente, conmutan a off y hay que volver a
dispararlos. Por eso los elementos de disparo suelen
sincronizarse con el voltaje de la red o de la fuente de
alimentacin.
(c) Principales componentes de disparo
Finalmente hay que mencionar que as como el tiristor y el triac
son componentes DC y AC de conmutacin (switching devices),
existen componentes DC y AC de disparo ( triggering devices),
utilizados para disparar a los tiristores y a los triacs.

Dependiendo del circuito y de la aplicacin, un tiristor se puede

disparar con un conmutador unilateral de silicio, SUS (silicon
unilateral switch), que dispara a un voltaje fijo entre 6 a 10 V.
Otra opcin es dispararlos con un transistor uniunin,
UJT (unijunction transistor), que dispara a diferentes voltajes, o
un transistor uniunin programmable, PUT (programmable
unijunction transistor).

Tambin pueden dispararse con otro tiristor, o una ampolleta de

nen, o usando transistores, o relays, o un dispositivo
optoacoplado, o a travs de un transformador.

Un componente importante utilizado para disparo de SCRs es

el diodo de 4 capas o diodo Shockley, un dispositivo precursor
del SCR, tambin de 4 capas (npnp). Tiene un estado off como un
SCR abierto, pero cuando el voltaje directo supera cierto umbral,
conmuta bruscamente a un estado on como el de un diodo
rectificador (pero con una cada de voltaje superior). Su curva
caracterstica es similar a la curva de un varistor asimtrico.

En un circuito AC, el dispositivo de disparo de un conmutador

bidireccional, debe ser tambin bidireccional. El DIAC (DIode
for AC) es la versin bidireccional del Shockley, que se utiliza
como elemento de disparo del triac. Posee un voltaje de disparo
de aproximadamente -32 V y +32 V (En algunos casos se utiliza
un disparador asimtrico). Un triac tambin puede dispararse con
otro triac, relay, dispositivo optoacoplado, o a travs de un
transformador.

Fig. 5: Smbolos y curva caracterstica de un diac (Se encuentran

adheridos a la pizarra un diac ST-2 y varios diacsDB-3).

A continuacin se muestran partes de las curvas caractersticas I

vs. V de dos diacs, utilizando un trazador de curvas (Hameg
HM6042-1 (V2.01) Curve Tracer). Con este instrumento, de los 4
cuadrantes (I y IV para polarizacin directa; II y III para
polarizacin inversa), solo se puede ver un cuadrante por vez.
En el eje vertical Y de la corriente tiene 8 divisiones (div.Y) y un
selector con 3 escalas: 0-2 mA (0.25 mA/div.Y), 0-20 mA (2.5
mA/div.Y) y 0-200 mA (25 mA/div.Y).
En el eje horizontal X del voltaje tiene 10 divisiones (div.X) y un
selector con 3 escalas: 0-2 V (0.2 V/div.X), 0-10 V (1 V/div.X)
y 0-40 V (4 V/div.X).

Fig. 6: Cuadrante I de la curva caracterstica (0.25mA/div.Y;

4V/div.X) de un diac tipo ST-2 de silicio (Diffused Silicon
Bidirectional Trigger) de 32V/200A (Breakover
Voltage/Current). En el instrumento se observa un voltaje de
disparo VBO 32.9V.
Fig. 7: Cuadrante I de la curva caracterstica (0.25mA/div.Y;
4V/div.X) de un diac tipo DB-3 (de la Serie DB3/DB4
de STMicroelectronics) de 32V/50A, de 0.15g y con
encapsulado DO-35 (2mm, largo 4mm). El instrumento
indica VBO 31.5V.