Este documento describe diferentes tipos de dispositivos de tres terminales como transistores bipolares de unión y transistores de efecto de campo. Explica el funcionamiento básico de cada tipo de dispositivo y cómo se controla el flujo de corriente entre terminales mediante la tensión aplicada al terminal de control.
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Este documento describe diferentes tipos de dispositivos de tres terminales como transistores bipolares de unión y transistores de efecto de campo. Explica el funcionamiento básico de cada tipo de dispositivo y cómo se controla el flujo de corriente entre terminales mediante la tensión aplicada al terminal de control.
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Este documento describe diferentes tipos de dispositivos de tres terminales como transistores bipolares de unión y transistores de efecto de campo. Explica el funcionamiento básico de cada tipo de dispositivo y cómo se controla el flujo de corriente entre terminales mediante la tensión aplicada al terminal de control.
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Dispositivos de tres terminales
Zonas de Funcionamiento
bipolares de juntura (BJT)
Circuitos Bsicos
Modelos de gran seal
Transistores
Modelos de pequea seal
de efecto de campo (FET)
JFET
Modelos para anlisis en frecuencia
IGFET
Limitaciones Potencia Mxima
Dispositivos que regulan un flujo de corriente
mediante una cantidad pequea de energa (vara la conductividad entre dos terminales actuando sobre un tercer terminal de control)
Tensiones de Ruptura
Dependencia de la Temperatura
Datos fabricante
N NP
Dos tipos de portadores
TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNTURA
iC VCB
Flujo electrones
n huecos
electrones Dispositivos de 3 terminales con dos uniones p - n enfrentadas entre s
PNP
N P N
ICO
B p
NPN El flujo ms importante est constituido por electrones que van del emisor (emite) al colector (recoge) Funcionamiento asimilable al de una fuente de corriente controlada por corriente
iB
recombinacin
VBE n E
iE
iC = - t iE + ICO = - iE +ICO
C B
vCB _
P N P
Flujo huecos
C B E
vCB + vBE= vCE
iC + iB + iE = 0
iC +
TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO
vCE + iB _ vBE _ E iE
Transistores de efecto de campo de juntura
JFET - MESFET Transistores de Efecto de Campo de Compuerta Aislada
IGFET o MOSFET
iD
TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO Dispositivos unipolares y simtricos
Funcionamiento asimilable al de una fuente de corriente controlada por tensin
v DS
vGS
La tensin puerta - fuente (vGS) modula el ancho del canal y controla la conduccin entre drenaje y fuente
El campo el elctrico generado por la tensi tensin aplicada al terminal de puerta controla la corriente drenaje - fuente
canal N canal P
La diferencia entre drenaje
y fuente est determinada por el sentido de circulacin de corriente (el drenaje es el terminal por
El terminal de control (puerta)
no maneja corriente salvo pequeas corrientes de fuga (IG 0)
donde ingresa la corriente)
JFET
transistor de efecto de campo de juntura
Opera con la juntura
puerta - canal polarizada inversamente.
2a
2b(x)
2a S
vGS controla conduccin
Zona depleccin con VGS grande
puerta P+ G
drenaje - fuente
canal N
JFET canal N
N-JFET D
NJFET Si v G S > VP i D =0 ten s del in de c an al o contra c de pin cin choff
FE PJ
VP < 0
IG=0
i D = f (vGS ,vDS ) > 0
Puerta polarizada inversamente
D P-JFET
MESFET transistor de efecto de campo de juntura metal-semiconductor
