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Introduccin
Los elementos del grupo 13 (boro, aluminio, galio, indio y talio) Muestran una gran variedad en sus propiedades: B es un no Metal, Al es un metal pero exhibe muchas similitudes qumicas Con el B y los ltimos elementos se comportan esencialmente Como metales. La relacin diagonal entre aluminio y berilio se Ha estudiado en la Seccin 11.10. Aunque el estado de oxidacin M (III) es caracterstico de los elementos del grupo 13, el estado M (I) se encuentra en todos los elementos excepto el B y para el TI ste es el estado de oxidacin ms estable. El talio muestra Semejanzas con elementos que no son del grupo 13 y puede Compararse con los metales alcalinos, Ag, Hg y Pb, observacin Que llev a Dumas a describirlo como el ornitorrinco entre los Elementos. Abundancia La abundancia relativa de los elementos del grupo 13 se muestra en la Figura 12.1. Las principales fuentes de boro son el brax, Na2[B40 5(0H )4] 8H2Q y la kemita, Na2[B40 5(0H )4] 2H20 cuyos extensos depsitos se explotan comercialmente en el desierto de Mojave, California. El aluminio es el metal ms abundante de la corteza terrestre y se encuentra en los aluminosilicatos como arcillas, micas y feldespatos, en la bauxita (xidos hidratados) y, en menor extensin, en la criolita, Na3[AlF6], Galio, indio y talio se encuentran en trazas como sulfuras en diferentes minerales. Principales usos y compuestos El boro es un nutriente traza esencial para las plantas. Aunque su funcin exacta no se ha establecido todava, la falta de boro afecta al crecimiento de la planta y en suelos pobres en boro los rendimientos de la cosecha disminuyen. la toxicidad del cido brico y del brax para la vida animal es suficiente para su utilizacin como insecticidas, por ejemplo en el control de hormigas y cucarachas. xido de aluminio tiene muchos usos importantes. El corindn (almina a) y el esmeril (corindn mezclado con los xidos de hierro magnetita y hematites) son extraordinariamente duros y se utilizan como abrasivos. Los fosfuros, arseniuros y antimoniuros de galio e indio tienen importantes aplicaciones en la industria de los semiconductores Se utilizan como materiales para transistores y en diodos emisores de luz (LED), por ejemplo, para calculadoras de bolsillo. El mayor uso del indio es en recubrimientos de lmina delgada, por ejemplo, visualizadores de cristal lquido y lmparas electroluminiscentes. El indio tambin se utiliza en soldaduras sin plomo, en semiconductores, para cierres entre vidrio, cermica y metales (porque el indio tienen la capacidad de unirse a materiales que no se humedecen). El sulfato de talio se utilizaba para matar hormigas y ratas pero actualmente se reconocen los niveles de toxicidad sumamente elevados de los compuestos de TI, de ah que todas las especies que contienen TI deban tratarse con precaucin. Configuracin electrnica y estados de oxidacin Para B y Al el valor de EI4 (Tabla12.1) se refiere a la eliminacin de un electrn a partir de una configuracin de gas noble, ste no es el caso para los tres ltimos elementos; la diferencia entre EI3 y EI4 no es ni con mucho tan grande para Ga, In y TI como para B y Al. las discontinuidades observadas en los valores de EI2 y EI3 y las diferencias entre ellas (Tabla 12.1), surgen porque los electrones d y f (que tienen un bajo poder de apantallamiento no pueden compensar el aumento de la carga nuclear. la tendencia en EI2 y EI3 muestra un aumento en Ga y TI (Tabla 12.1) y esto conduce a un marcado aumento en la estabilidad del estado de oxidacin + 1 para estos elementos.
Aunque un estado de oxidacin + 3 (y para Ga y TI, + 1) es caracterstico de un elemento del grupo
13, la mayor parte de los elementos del grupo 13 tambin forman compuestos en los cuales se sugiere un estado de oxidacin formal de + 2, por ejemplo B2CI4. Sin embargo, se necesita precaucin. En B2C14, el estado de oxidacin + 2 se origina por la presencia de un enlace B B Aspecto El boro impuro (amorfo) es un polvo marrn, pero el elemento puro forma cristales brillantes de color gris plateado. Sus propiedades, entre ellas el elevado punto de fusin y la baja conductividad elctrica, hacen del B un importante material refractario El aluminio es un metal duro de color blanco. Termodinmicamente, debera reaccionar con el aire y el agua pero es resistente debido a la formacin de una capa de xido de 10-6 a 10 4 mm de espesor. Una capa ms gruesa de A120 3 puede obtenerse haciendo que el Al sea el nodo en la electrlisis del H2S 0 4; el resultado es el aluminio anodizado que absorbe tintes y pigmentos para producir un acabado resistente ydecorativo. El galio es un metal de color plata con un intervalolquido especialmente amplio (3032477 K). Indio y talio son metales blandos y el In tiene la extraa propiedad de emitir un grito de tono alto cuando el metal se dobla. Estructura El estado estndar del B es la forma a-rombodrica, pero la estructura del B a-rombodrico supone un punto de partida ms sencillo en la discusin. Los dos altropos, a- y /-rombodrico contienen unidades B j2 icosadricas (Figuras 12.5 y 12.6a); el enlace en el B elemental es covalente y, dentro de cada unidad B 12 est deslocalizado. Volveremos a la descripcin del enlace en compuestos clster de boro en la Seccin 12.11, pero por ahora observemos que la conectividad de cada tomo de B en las Figuras 12.5 y 12.6 excede el nmero de electrones de valencia disponibles por cada B. El boro a-rombodrico consiste en icosaedros B 12 unidos mediante enlace covalente por enlaces BB para formar una red infinita. Hidruros neutros Con tres electrones de valencia, sera de esperar que los elementos del grupo 13 formasen un hidruro MH3. Aunque se ha establecido la existencia de BH3 en fase gas, su propensin a dimerizar implica que B2H6 (diborano(6), 12.1) es, en la prctica, el hidruro ms simple de boro. El diborano(6) es un gas incoloro (pe 180.5 K) que se descompone rpidamente en agua (Ecuacin 12.11). Como otros hidruros de boro (vase ), B2H6 tiene un valor pequeo positivo de AH ( + 36 kJ mol *); las mezclas con aire u 0 2 son propensas a inflamarse o explotar (Reaccin 12.12).
Sin embargo, deben sealarse tres puntos:
Ga2H6 es diferente a B2H6 en que Ga2H6 se descompone rpidamente en sus elementos constituyentes; o Ga2H6 y B2H6 reaccionan ambos con HC1, pero en el caso del borano, se observa la sustitucin de un H terminal por Cl, mientras que tanto los tomos de H terminales como puente pueden ser reemplazados en Ga2H6. Describir cmo puede comportarse BH3 como aceptor y dador de electrones en el aducto OC BH3. En primer lugar, considerar la estructura de OC BH3: molcula Los orbitales moleculares de CO se describieron en la Figura 1.28. El HOMO posee principalmente carcter de carbono; este OM est dirigido hacia fuera y es, en primera aproximacin, unpar solitario del tomo de C. La molcula OC BH3 contiene un tomo de B tetradrico; un esquema de hibridacin sp3 es adecuado para el B. La formacin de los tres enlaces <x B -H utiliza tres orbitales hbridos sp3 y los tres electrones de valencia del B. Esto deja un orbital hbrido sp3 vaco en el B que puede actuar como un aceptor de electrones. La aceptacin de dos electrones completa el octeto alrededor del tomo de B: molecula E1 LUMO de CO es un orbital n (Figura 1.28). Este orbital puede actuar como aceptor de electrones. Los electrones pueden provenir de un enlace a B -H (hiperconjugacin): molecula. [MH4]-: COMPORTAIENTO DINAMICO DE COMPLEJOS QUE CONTIENEN BH4 (AlBH4) En primer lugar, se considera la estructura en estado slido como punto de partida, pero hay que recordar que el espectro de RMN se refiere a una muestra en disolucin: MOLECULA En estado slido, cada ion [BH4] _ est involucrado en dos interacciones A l-H -B . Hay dos ambientes de H: terminal (8 H) y puente (8H). La observacin de una seal ancha para los ncleos de *H unidos a n B es consistente con un proceso fluxional (dinmico) que intercambia los protones terminal y puente. La observacin de un quintuplete binomil en el espectro UBRMN
est de acuerdo con el acoplamiento de cada ncleo UB (todos estn en ambientes equivalentes) con cuatro ncleos !H que son equivalentes en la escala temporal de RMN, es decir,que estn experimentando un proceso dinmico.
Haluros (III) En A1F3, cada centro de Al es octadrico, rodeado por seis tomos de F cada uno de los cuales se une a dos centros de Al. La unidad octadrica A1F6 contiene cadenas polimricas compuestas de octaedros A1F6 unidos por vrtices opuestos, los octaedros A1F6 estn unidos a travs de cuatro vrtices para formar lminas Estado de oxidacin ms bajo de los haluros de Al, Ga, In y TI Los haluros de aluminio(I) se forman por reaccin de haluros de Al(III) con Al a 1270 K seguida de enfriamiento rpido; A1C1 rojo se forma tambin tratando el metal con HC1 a 1170 K Los haluros de talio(I), T1X, son compuestos estables que en algunos aspectos se parecen a los haluros de Ag(I). El fluoruro de talio(I) es muy soluble en agua, pero el T1C1, TIBr y Til son moderadamente solubles; la tendencia en solubilidad se puede atribuir a la creciente contribucin covalente en las redes inicas para los haluros ms grandes. El cloruro de Galio se forma al calentar GaCl3 a 1370 K, pero no ha sido aislado como compuesto puro. El bromuro de galio puede formarse tambin a temperaturas elevadas. La condensacin conjunta de GaBr con tolueno y THF a 77 K da disoluciones metaestables que contienen GaBr, pero se desproporcionan a Ga y GaBr3 al calentarlas por encima de 253 K. Sin embargo, si se aade Li[Si(SiMe3)3] a la disolucin a 195 K, pueden aislarse dos especies de galio de bajo estado de oxidacin
xidos, oxocidos, oxoaniones e hidrxidos
Es una observacin general que, dentro del bloque p, el carcter bsico crece al bajar en el grupo. Por lo tanto: los xidos de boro son exclusivamente cidos; los xidos de aluminio y galio son anfteros; los xidos de indio y talio son exclusivamente bsicos. El xido de talio(I) es soluble en agua y el hidrxido resultante es una base tan fuerte como el KOH. El principal xido de boro, B20 3, se obtiene en forma de un Slido vitreo por deshidratacin de cido brico al calor rojo o en forma cristalina por deshidratacin controlada.
Nitruros El enlace tambin puede describirse en trminos de un modelo de enlace deslocalizado que implica interacciones Pi entre orbitales N 2p y B 2p Bibliografa 1- Libro de Catherine Housecroft 2da edicin.
