Ejercicios 3
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CAPTULO 3
UJT
ESTRUCTURA DEL UJT
El transistor uniunin o UJT (figura 3.1) es un elemento compuesto por dos bases, B1 y B2, entre las que va situada una
resistencia de silicio tipo n. Esta resistencia se denomina de interbase (RBB); a 25OC, su valor esta comprendido entre 4.7K
y
9.1K .
En un punto determinado de la resistencia RBB va colocado un diodo pn cuyo nodo acta de emisor.
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En la figura 3.3, cuando el Veb1 alcanza el Vp y comienza a fluir una pequea corriente, el UJT cae bruscamente a un
pequeo voltaje entre emisor y base1. Este pequeo voltaje se denomina voltaje de valle Vv, para el cual RB1 cae casi a cero
ohms en un tiempo pequeo RB2 por el contrario permanece fijo, cuando RB1 cae casi a cero ohms permite que un condensador
externo vace su carga a travs del dispositivo. El condensador se descarga rpidamente hasta el punto en que ya no puede
entregar el mnimo de corriente requerida para mantener al UJT en conduccin. Esta corriente mnima se denomina corriente de
valle (Iv), cuando la corriente de emisor a base1 cae por debajo de la corriente de valle, el UJT regresa al estado de corte.
3.2
El oscilador de relajacin es el corazn de la mayora de los circuitos temporizadores y osciladores que utilizan en UJT. Es
esencialmente el mismo circuito que se muestra en la figura 3.2 excepto que se adicionan resistencias en las terminales B2 y B1
para as obtener seales de salida estas resistencias son pequeas comparadas con la resistencia interna del UJT, RBB.
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la cada de Rb1 produce una reduccin de la resistencia total entre Vs y tierra, y en consecuencia un aumento de la corriente a
travs de R2 creando un pico de cada negativo en el terminal B2, como se muestra en la figura 3.4(c).
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Esta ecuacin es muy aproximada siempre y cuando el UJT tenga una n del orden de 0.63.
Si n=0.63, Ce debe cargarse casi a un 63% de Vs para poder disparar el UJT. Para esto se requiere un tiempo de carga
igual a una constante de tiempo, o sea:
Tcarga=ReCe
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La relacin entre contactos de un UJT es bastante estable a cambios de temperatura, varia menos de un 10% en un rango
de temperatura de operacin de -50C a +125C en un UJT de buena calidad.
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La resistencia RE variable permite controlar a voluntad el perodo de carga y descarga del capacitor, lo que hace posible
retardar el disparo del UJT y, por consiguiente, del SCR, entre los lmites de la frecuencia de oscilacin del circuito.
Este hecho de poder retarda el disparo del SCR a travs del retardo en el disparo del UJT, es lo que hace posible tener un
control de fase sobre el voltaje en la carga.
Si la resistencia es pequea, el UJT y el SCR se dispararn tarde en el semiciclo, y la carga recibir una corriente
pequea.
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carga. Por ejemplo en el caso de una carga luminosa, un voltaje proporcional a la intensidad luminosa podra utilizarse como
seal de realimentacin para controlar automticamente el ngulo de disparo del TRIAC y por consiguiente la intensidad de la luz
producida. Cuando se tiene un motor como carga, un voltaje proporcional a la intensidad del eje podra utilizarse como seal de
realimentacin para controlar automticamente el disparo del TRIAC y por consiguiente la velocidad del motor.
Circuito de disparo con UJT y realimentacin por resistencia.
El transformador T1 es el transformador de aislamiento. Un transformador de aislamiento tiene una relacin de vueltas de
1:1 y su propsito es aislar elctricamente al primario del secundario .En este caso el transformador est aislando el circuito de
potencia ac del circuito de disparo .Muchos transformadores de aislamiento incluyen componentes para supresin de transitorios.
Cuando incluyen dichos componentes las seales de alta frecuencia que aparecen en el primario no son transmitidas al devanado
secundario, de este modo ayudan a mantener el circuito del secundario libre de ruido .
La onda senoidal de 115 V ac proveniente del secundario de T1 se aplica a un puente rectificador: La salida del puente
rectificador de onda completa se aplica a una combinacin resistencia-diodo zener la cual entrega entonces una forma de onda de
24V sincronizada con la lnea ac.
Cuando se estabiliza la fuente de 24 V el capacitor 1 comienza a cargarse, cuando se ha cargado al Vp del UJT el UJT se
dispara y crea un pulso en el devanado primario del transformador T2 . Ese pulso se transmite al devanado secundario y se
entrega a la puerta del TRIAC , pasndolo a conduccin por el resto del semiciclo.
En estas formas de onda el ngulo de disparo es de 135
La velocidad a la cual se carga C1 est dada por la relacin de Rf a R1 *Rf y R1 forma un divisor de voltaje. Entre ella se
dividen los 24 v de la fuente dc que alimenta al circuito de disparo, si Rf es pequea comparada con R1, entonces R1 recibe una
gran parte de los 24 V de la fuente. Esto har que el transistor Q1 , pnp, conduzca bastante, dado que el voltaje de R1 est
aplicado a su circuito de emisor a base ,con Q1 conduciendo bastante C1 se carga rpidamente. Bajo estas condiciones el UJT
se dispara tempranamente en el semiciclo, y el promedio de la corriente es alto. La figura siguiente muestra el circuito explicado
anteriormente.
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