Transistor de unin bipolar

que tambin en algunas aplicaciones de electrnica digital, como la tecnologa TTL o BICMOS.
Un transistor de unin bipolar est formado por dos
Uniones PN en un solo cristal semiconductor, separados
por una regin muy estrecha. De esta manera quedan formadas tres regiones:
Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar
fuertemente dopada, comportndose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal funciona
como emisor de portadores de carga.
Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el
emisor del colector.

Transistor de unin bipolar.

Colector, de extensin mucho mayor.

Ic

La tcnica de fabricacin ms comn es la deposicin

epitaxial. En su funcionamiento normal, la unin baseemisor est polarizada en directa, mientras que la basecolector en inversa. Los portadores de carga emitidos por
el emisor atraviesan la base, porque es muy angosta, hay
poca recombinacin de portadores, y la mayora pasa al
colector. El transistor posee tres estados de operacin: estado de corte, estado de saturacin y estado de actividad.

B
IB

1 Estructura

IE

Un transistor de unin bipolar consiste en tres regiones

semiconductoras dopadas: la regin del emisor, la regin
de la base y la regin del colector. Estas regiones son,
respectivamente, tipo P, tipo N y tipo P en un PNP, y tipo
N, tipo P, y tipo N en un transistor NPN. Cada regin del
semiconductor est conectada a un terminal, denominado
emisor (E), base (B) o colector (C), segn corresponda.

Diagrama de Transistor NPN

El transistor de unin bipolar (del ingls bipolar junction transistor, o sus siglas BJT) es un dispositivo electrnico de estado slido consistente en dos uniones PN
muy cercanas entre s, que permite controlar el paso de
la corriente a travs de sus terminales. La denominacin
de bipolar se debe a que la conduccin tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades
(huecos positivos y electrones negativos), y son de gran
utilidad en gran nmero de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada
bastante baja.

La base est fsicamente localizada entre el emisor y el

colector y est compuesta de material semiconductor ligeramente dopado y de alta resistividad. El colector rodea la regin del emisor, haciendo casi imposible para los
electrones inyectados en la regin de la base escapar de
ser colectados, lo que hace que el valor resultante de
se acerque mucho hacia la unidad, y por eso, otorgarle al
transistor una gran .

El transistor de unin bipolar, a diferencia de otros transistores, no es usualmente un dispositivo simtrico. Esto
signica que intercambiando el colector y el emisor haLos transistores bipolares son los transistores ms conoci- cen que el transistor deje de funcionar en modo activo
dos y se usan generalmente en electrnica analgica aun- y comience a funcionar en modo inverso. Debido a que
1

FUNCIONAMIENTO

El bajo desempeo de los transistores bipolares laterales

muchas veces utilizados en procesos CMOS es debido a
que son diseados simtricamente, lo que signica que no
hay diferencia alguna entre la operacin en modo activo
y modo inverso.
Pequeos cambios en la tensin aplicada entre los terminales base-emisor genera que la corriente que circula entre el emisor y el colector cambie signicativamente. Este
efecto puede ser utilizado para amplicar la tensin o corriente de entrada. Los BJT pueden ser pensados como
fuentes de corriente controladas por tensin, pero son caracterizados ms simplemente como fuentes de corriente controladas por corriente, o por amplicadores de corriente, debido a la baja impedancia de la base.
Los primeros transistores fueron fabricados de germanio,
pero la mayora de los BJT modernos estn compuestos
de silicio. Actualmente, una pequea parte de stos (los
transistores bipolares de heterojuntura) estn hechos de
arseniuro de galio, especialmente utilizados en aplicaciones de alta velocidad.

2 Funcionamiento
Ib5

Ic

Ib4
pendiente 1/

pendiente

Ib3
Ib2
Ib1

Corte transversal simplicado de un transistor de unin bipolar

NPN. Donde se puede apreciar como la unin base-colector es
mucho ms amplia que la base-emisor.

Ib
Vce

pendiente rbe
la estructura interna del transistor est usualmente optimizada para funcionar en modo activo, intercambiar el
colector con el emisor hacen que los valores de y en
modo inverso sean mucho ms pequeos que los que se
podran obtener en modo activo; muchas veces el valor
de en modo inverso es menor a 0.5. La falta de simetra es principalmente debido a las tasas de dopaje entre
el emisor y el colector. El emisor est altamente dopado,
mientras que el colector est ligeramente dopado, permitiendo que pueda ser aplicada una gran tensin de reversa
en la unin colector-base antes de que esta colapse. La
unin colector-base est polarizada en inversa durante la
operacin normal. La razn por la cual el emisor est altamente dopado es para aumentar la eciencia de inyeccin
de portadores del emisor: la tasa de portadores inyectados
por el emisor en relacin con aquellos inyectados por la
base. Para una gran ganancia de corriente, la mayora de
los portadores inyectados en la unin base-emisor deben
provenir del emisor.

Vbe
Caracterstica idealizada de un transistor bipolar.

En una conguracin normal, la unin base-emisor se polariza en directa y la unin base-colector en inversa.[1]
Debido a la agitacin trmica los portadores de carga del
emisor pueden atravesar la barrera de potencial emisorbase y llegar a la base. A su vez, prcticamente todos
los portadores que llegaron son impulsados por el campo elctrico que existe entre la base y el colector.
Un transistor NPN puede ser considerado como dos diodos con la regin del nodo compartida. En una operacin
tpica, la unin base-emisor est polarizada en directa y
la unin base-colector est polarizada en inversa. En un
transistor NPN, por ejemplo, cuando una tensin positiva
es aplicada en la unin base-emisor, el equilibrio entre los
portadores generados trmicamente y el campo elctrico

3
repelente de la regin agotada se desbalancea, permitiendo a los electrones excitados trmicamente inyectarse en
la regin de la base. Estos electrones vagan a travs de
la base, desde la regin de alta concentracin cercana al
emisor hasta la regin de baja concentracin cercana al
colector. Estos electrones en la base son llamados portadores minoritarios debido a que la base est dopada con
material P, los cuales generan huecos como portadores
mayoritarios en la base.

un transistor NPN):

F =

IC
IB
F
F
F =
F =
1 F
F + 1
F =

La regin de la base en un transistor debe ser constructivamente delgada, para que los portadores puedan difundirse a travs de esta en mucho menos tiempo que la vida 3
til del portador minoritario del semiconductor, para minimizar el porcentaje de portadores que se recombinan
antes de alcanzar la unin base-colector. El espesor de la
base debe ser menor al ancho de difusin de los electro- 3.1
nes.

2.1

IC
IE

Tipos de Transistor de Unin Bipolar

NPN

Control de tensin, carga y corriente

La corriente colector-emisor puede ser vista como controlada por la corriente base-emisor (control de corriente), o por la tensin base-emisor (control de voltaje). Esto
es debido a la relacin tensin-corriente de la unin baseemisor, la cual es la curva tensin-corriente exponencial
usual de una unin PN (es decir, un diodo).

En el diseo de circuitos analgicos, el control de corriente es utilizado debido a que es aproximadamente lineal.
Esto signica que la corriente de colector es aproximadamente veces la corriente de la base. Algunos circuitos pueden ser diseados asumiendo que la tensin baseemisor es aproximadamente constante, y que la corriente
de colector es veces la corriente de la base. No obstante, para disear circuitos utilizando BJT con precisin y
conabilidad, se requiere el uso de modelos matemticos
del transistor como el modelo Ebers-Moll.

2.2

El Alfa y Beta del transistor

Una forma de medir la eciencia del BJT es a travs de la

proporcin de electrones capaces de cruzar la base y alcanzar el colector. El alto dopaje de la regin del emisor
y el bajo dopaje de la regin de la base pueden causar que
muchos ms electrones sean inyectados desde el emisor
hacia la base que huecos desde la base hacia el emisor.
La ganancia de corriente emisor comn est representada por F o por h . Esto es aproximadamente la tasa de
corriente continua de colector a la corriente continua de
la base en la regin activa directa y es tpicamente mayor a 100. Otro parmetro importante es la ganancia de
corriente base comn, F . La ganancia de corriente base comn es aproximadamente la ganancia de corriente
desde emisor a colector en la regin activa directa. Esta
tasa usualmente tiene un valor cercano a la unidad; que
oscila entre 0.98 y 0.998. El Alfa y Beta estn ms precisamente determinados por las siguientes relaciones (para

E
El smbolo de un transistor NPN.

NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en

los cuales las letras N y P se reeren a los portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes regiones del transistor. La mayora de los transistores bipolares
usados hoy en da son NPN, debido a que la movilidad
del electrn es mayor que la movilidad de los huecos
en los semiconductores, permitiendo mayores corrientes
y velocidades de operacin.
Los transistores NPN consisten en una capa de material
semiconductor dopado P (la base) entre dos capas de
material dopado N. Una pequea corriente ingresando a
la base en conguracin emisor-comn es amplicada en
la salida del colector.
La echa en el smbolo del transistor NPN est en la terminal del emisor y apunta en la direccin en la que la
corriente convencional circula cuando el dispositivo est
en funcionamiento activo.

3.2

Ejemplo prctico de NPN

REGIONES OPERATIVAS DEL TRANSISTOR

3.3 PNP
El otro tipo de transistor de unin bipolar es el PNP con
las letras P y N rerindose a las cargas mayoritarias dentro de las diferentes regiones del transistor. Pocos
transistores usados hoy en da son PNP, debido a que el
NPN brinda mucho mejor desempeo en la mayora de
las circunstancias.

E
B
Transistor NPN

En la imagen, se tiene un transistor de NPN cuyo punto Q

de funcionamiento en continua es desconocido. Se debe
calcular dicho punto Q y calcularlo en la RCE.
1 Paso:

Ib = (Vbb - 0,7)/Rb
Reemplazando los datos:
Ib = (5V - 0,7)/500 K = 8,6 A
2 Paso:
Ic = .Ib = 100 * 8,6 A = 0,86 mA
3 Paso:
Vce = Vcc - Rc.Ic = 12 - 0,86 mA * 2 K = 10,28 V

El smbolo de un transistor PNP.

Los transistores PNP consisten en una capa de material semiconductor dopado N entre dos capas de material
dopado P. Los transistores PNP son comnmente operados con el colector a masa y el emisor conectado al terminal positivo de la fuente de alimentacin a travs de una
carga elctrica externa. Una pequea corriente circulando desde la base permite que una corriente mucho mayor
circule desde el emisor hacia el colector.
La echa en el transistor PNP est en el terminal del emisor y apunta en la direccin en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo est en funcionamiento activo.

4 Regiones operativas del transistor

Los transistores de unin bipolar tienen diferentes regiones operativas, denidas principalmente por la forma en
que son polarizados:
En este grco se muestra el resultado obtenido, con Vcc/Rc indicando el 6 mA en la recta de la Intensidad, y Vce indicando la
Tensin necesaria para polarizar al transistor

Regin activa en cuanto a la polaridad:

corriente del emisor = ( + 1)Ib ; corriente del colector=
Ib

5
Cuando un transistor no est ni en su regin
de saturacin ni en la regin de corte entonces
est en una regin intermedia, la regin activa. En esta regin la corriente de colector (Ic)
depende principalmente de la corriente de base
(Ib), de (ganancia de corriente, es un dato del
fabricante) y de las resistencias que se encuentren conectadas en el colector y emisor. Esta
regin es la ms importante si lo que se desea
es utilizar el transistor como un amplicador
de seal.
Regin inversa:

De forma simplicada, se puede decir que la

unin CE se comporta como un cable, ya que
la diferencia de potencial entre C y E es muy
prxima a cero.
Como se puede ver, la regin activa es til para la electrnica analgica (especialmente til para amplicacin
de seal) y las regiones de corte y saturacin, para la electrnica digital, representando el estado lgico alto y bajo,
respectivamente.

5 Historia

Al invertir las condiciones de polaridad del

funcionamiento en modo activo, el transistor
bipolar entra en funcionamiento en modo inverso. En este modo, las regiones del colector
y emisor intercambian roles. Debido a que la
mayora de los BJT son diseados para maximizar la ganancia de corriente en modo activo,
el parmetro beta en modo inverso es drsticamente menor al presente en modo activo.
Regin de corte: Un transistor est en corte cuando:
corriente de colector = corriente de emisor = 0, (Ic = Ie =
0)
En este caso el voltaje entre el colector y el
emisor del transistor es el voltaje de alimentacin del circuito. (como no hay corriente
circulando, no hay cada de voltaje, ver Ley
de Ohm). Este caso normalmente se presenta
cuando la corriente de base = 0 (Ib =0)
De forma simplicada, se puede decir que el la
unin CE se comporta como un circuito abierto, ya que la corriente que lo atraviesa es cero.

Replica del primer transistor.

El transistor bipolar fue inventado en diciembre de 1947

en la Bell Telephone Company por John Bardeen y Walter Brattain bajo la direccin de William Shockley. La
versin de unin, inventada por Shockley en 1948, fue
durante tres dcadas el dispositivo favorito en diseo de
circuitos discretos e integrados. Hoy en da, el uso de BJT
ha declinado en favor de la tecnologa CMOS para el diseo de circuitos digitales integrados.

Regin de saturacin: Un transistor est saturado

cuando:

6 Teora y Modelos Matemticos

corriente de colector corriente de emisor = corriente mxima, (Ic Ie = Imx)
6.1
En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de alimentacin del circuito y de
las resistencias conectadas en el colector o el
emisor o en ambos, ver Ley de Ohm. Se presenta cuando la diferencia de potencial entre el
colector y el emisor desciende por debajo del
valor umbral VCE, . Cuando el transistor esta en saturacin, la relacin lineal de amplicacin I =I (y por ende, la relacin I=(+1)I
) no se cumple.

Anlisis en continua

6.1.1 El modelo Ebers-Moll

Las corrientes continuas en el emisor y el colector en operacin normal son determinadas por:
( VBE
)
IE = IES e VT 1
)
( VBE
IC = T IES e VT 1

6 TEORA Y MODELOS MATEMTICOS

emisor-colector. est relacionada con a travs de las
siguientes relaciones:

T =

IC
IE

IC
IB
T
F
F =
T =
1 T
F + 1
F =

Modelo Ebers-Moll para transistores NPN

Eciencia del emisor: =

Modelo Ebers-Moll para transistores PNP

Jp (Base)
JE

Otras ecuaciones son usadas para describir las tres corrientes en cualquier regin del transistor estn expresadas ms abajo. Estas ecuaciones estn basadas en el modelo de transporte de un transistor de unin bipolar.
( VBE
( VBC
)
VBC )
iC = IS e VT e VT ISR e VT 1
( VBE
)
( VBC
)
iB = ISF e VT 1 + ISR e VT 1
)
( VBE
( VBE
VBC )
iE = IS e VT e VT + ISF e VT 1

La corriente interna de base es principalmente por difu- Dnde:

sin y
iC es la corriente de colector.
[ V ]
iB es la corriente de base.
EB
qDp pbo
Jp (Base) =
e VT
W
iE es la corriente de emisor.
Dnde:
IE es la corriente de emisor.

F es la ganancia activa en emisor comn (de 20 a

500)

IC es la corriente de colector.

R es la ganancia inversa en emisor comn (de 0 a

20)

T es la ganancia de corriente directa en conguracin base comn. (de 0.98 a 0.998)

IS es la corriente de saturacin inversa (en el orden

de 1015 a 1012 amperios)

IES es la corriente de saturacin inversa del diodo

base-emisor (en el orden de 1015 a 1012 amperios)
VT es el voltaje trmico kT /q (aproximadamente 26
mV a temperatura ambiente 300 K).

VT es el voltaje trmico kT /q (aproximadamente 26

mV a temperatura ambiente 300 K).
VBE es la tensin base-emisor.
VBC es la tensin base-colector.

VBE es la tensin base emisor.

W es el ancho de la base.

6.2 Modelo en pequea seal

6.2.1 Parmetros h

La corriente de colector es ligeramente menor a la corriente de emisor, debido a que el valor de T es muy
cercano a 1,0. En el transistor de unin bipolar una pequea variacin de la corriente base-emisor genera un gran
cambio en la corriente colector-emisor. La relacin entre
la corriente colector-emisor con la base-emisor es llamada ganancia, o hFE. Un valor de de 100 es tpico para pequeos transistores bipolares. En una conguracin
tpica, una seal de corriente muy dbil circula a travs
de la unin base-emisor para controlar la corriente entre

Otro modelo comnmente usado para analizar los circuitos BJT es el modelo de parmetro h. Este modelo es un
circuito equivalente a un transistor de unin bipolar y permite un fcil anlisis del comportamiento del circuito, y
puede ser usado para desarrollar modelos ms exactos.
Como se muestra, el trmino x en el modelo representa el terminal del BJT dependiendo de la topologa usada. Para el modo emisor-comn los varios smbolos de la
imagen toman los valores especcos de:

7
de seales de altas frecuencias este modelo no es utilizado debido a que ignora las capacitancias entre electrodos
que entran en juego a altas frecuencias.

7 Vase tambin
Wikilibros
Modelo de parmetro h generalizado para un BJT NPN.
Reemplazar x con e, b o c para las topologas EC, BC y CC
respectivamente.

x = 'e' debido a que es una conguracin

emisor comn.
Terminal 1 = Base
Terminal 2 = Colector
Terminal 3 = Emisor
i = Corriente de Base (i )
i = Corriente de Colector (i )

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Electrnica.

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Commons

Transistor
Transistor Uniunin (UJT)
Transistor bipolar de puerta aislada (IGBT)

V = Tensin Base-Emisor (VBE)

V = Tensin Colector-Emisor (VCE)
Y los parmetros h estn dados por:
h = h - La impedancia de entrada del transistor
(correspondiente a la resistencia del emisor r).
h = h - Representa la dependencia de
la curva IBVBE del transistor en el valor de VCE. Es usualmente un valor muy
pequeo y es generalmente despreciado
(se considera cero).
h = h - La ganancia de corriente
del transistor. Este parmetro es generalmente referido como hFE o como la ganancia de corriente continua (DC) en las
hojas de datos.
h = h - La impedancia de salida del
transistor. Este trmino es usualmente especicado como una admitancia, debiendo ser invertido para convertirlo a impedancia.
Como se ve, los parmetros h tienen subndices en minscula y por ende representan que las condiciones de
anlisis del circuito son con corrientes alternas. Para condiciones de corriente continua estos subndices son expresados en maysculas. Para la topologa emisor comn, un
aproximado del modelo de parmetro h es comnmente
utilizado ya que simplica el anlisis del circuito. Por esto
los parmetros h y h son ignorados (son tomados como
innito y cero, respectivamente). Tambin debe notarse
que el modelo de parmetro h es slo aplicable al anlisis de seales dbiles de bajas frecuencias. Para anlisis

8 Referencias
[1] Transistor de unin bipolar en Google Libros.

9 Enlaces externos
Curvas caractersticas del transistor
Cmo funcionan los transistores? por William
Beaty (en ingls) (en espaol)
Lnea del tiempo histrica de los transistores (en ingls)

10 ORIGEN DEL TEXTO Y LAS IMGENES, COLABORADORES Y LICENCIAS

10
10.1

Origen del texto y las imgenes, colaboradores y licencias

Texto

Transistor de unin bipolar Fuente: https://es.wikipedia.org/wiki/Transistor_de_uni%C3%B3n_bipolar?oldid=86176804 Colaboradores: Murphy era un optimista, Cinabrium, Digigalos, Petronas, RobotQuistnix, ALE!, GermanX, Matiasasb, Paintman, CEM-bot, Davius,
FrancoGG, Leandroidecba, Jcabfer, Isha, Tarantino, Gusgus, VanKleinen, Kved, Gsrdzl, Muimota, Humberto, Marvelshine, Phirosiberia,
Plux, Aibot, VolkovBot, Technopat, Matdrodes, AlleborgoBot, Muro Bot, Srbanana, Sealight, SieBot, Loveless, Macarrones, BOTarate, 121marco, Carabs, Jacquard, Tirithel, CharlieM, HUB, SPQRes, Eduardosalg, Leonpolanco, Petruss, Antonio maza, Aipni-Lovrij,
UA31, AVBOT, Flakinho, Louperibot, Josemanuel Navas, MALM RINO, Arjuno3, Luckas-bot, Plugger~eswiki, Living001, Max adam,
Kb99, Ortisa, Xqbot, Jkbw, Charlest, Igna, Botarel, AstaBOTh15, Rojasyesid, Halfdrag, Humanoc, GrouchoBot, Miss Manzana, EmausBot, JA Galn Baho, Kgsbot, MerlIwBot, Travelour, MetroBot, El Tio San, Makecat-bot, Legobot, Ricardhyty, Ltblaze, Danielcastillo2,
Jarould y Annimos: 136

10.2

Imgenes

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Caracter%C3%ADstica_idealizada_de_un_transistor_bipolar.svg Licencia: CC-BY-SA-3.0 Colaboradores:
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Fuente:
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Commons-emblem-issue.svg' class='image'><img alt='Commons-emblem-issue.svg' src='https://upload.wikimedia.org/wikipedia/
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1.5x,
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10.3

10.3

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